专利名称：磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器的制作方法
技术领域：
本发明涉及高输出隧道磁阻元件以及配备了该元件的低耗电不挥发性磁存储器。
背景技术：
以往的隧道磁阻效应元件使用的是将Al的氧化物用于绝缘膜的隧道层叠膜(T.Miyazaki and N.Tezuka，J.Magn.Magn.Mater.139，L231(1995))，但是由于Al氧化物为非晶态，无法得到能够应用于工业的充分的电输出信号。最近，有报告(S.Yuasa.et al.，Nature Material 3，(868(2004))指出，在绝缘膜使用氧化镁的隧道磁阻效应元件，可以得到比上述在绝缘膜使用Al氧化物的隧道磁阻效应元件大数倍的磁阻比。另外，以往的不挥发性磁存储器是由在MOSFET上形成隧道磁阻效应元件的存储单元构成。开关是利用MOSFET，使用通过在位线和字线上通电而产生的电流激发的空间磁场，使得隧道磁阻效应元件的磁化方向发生旋转，来写入信息，通过隧道磁阻效应元件的输出电压来读取信息的方式。另外，除了上述使用了电流激发的空间磁场的磁化旋转以外，还有直接在磁阻效应元件上流通电流来使磁化旋转的所谓自旋转移力矩(spin-transfer torques)磁化反转，或者相同意义的自旋注入磁化反转方式，在例如美国专利第5,695,864号说明书或者在特开2002-305337号公报中已公开。
发明内容
为了实现低耗电不挥发性磁存储器，开发出同时满足隧道磁阻效应元件的高输出化和通过自旋转移力矩磁化反转对隧道磁阻效应元件写入的方式的技术是重要课题。
本发明的目的就是提供可对应于这种要求的隧道磁阻效应元件及不挥发性磁存储器。
为了解决上述课题，本发明在隧道磁阻效应元件的强磁性膜使用具有含B的Co或者Fe的体心立方晶格的化合物强磁性膜，并且在绝缘膜使用氧化镁。
即，根据本发明的隧道磁阻效应元件的特征是，具有绝缘膜和被设置成为夹着该绝缘膜的第一强磁性膜和第二强磁性膜，第一强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜，绝缘膜是在(100)取向的岩盐结构的MgO膜。第二强磁性膜也可以是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜。此外，第一强磁性膜优选Co和Fe的组成比(atm％的比)为50∶50～70∶30。在绝缘膜应用MgO的隧道磁阻效应元件中，由于稳定地存在如图8所示的体心立方结构，并且含有比Fe多的Co，因而可以提高有利于隧道磁阻比的自旋极化率。含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜，优选膜厚小于等于3nm且含有10～30％atm的B。
本发明的磁存储器，是具有隧道磁阻效应元件和对隧道磁阻效应元件中流过的电流进行开和关控制的开关元件的磁存储器，其特征是，隧道磁阻效应元件具有绝缘膜和被设置成为夹着该绝缘膜的第一强磁性膜和第二强磁性膜，第一强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜，绝缘膜是(100)取向的岩盐结构的MgO膜。
本发明的磁随机存取存储器，具有多个磁存储单元和选择期望磁存储单元的装置，其特征是，磁存储单元含有由含有Co、Fe和B的体心立方结构的第一强磁性膜、(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜、以及第二强磁性膜层叠而成的隧道磁阻效应元件。
根据本发明，可以得到高输出的隧道磁阻效应元件。而且，通过在磁存储器上配备该隧道磁阻效应元件，可以实现高速且耗电极少的不挥发性存储器。
图1显示本发明的隧道磁阻效应元件的第一构成例。
图2显示本发明的隧道磁阻效应元件的第二构成例。
图3显示本发明的隧道磁阻效应元件的第三构成例。
图4显示本发明的隧道磁阻效应元件的第四构成例。
图5显示本发明的隧道磁阻效应元件的第五构成例。
图6显示本发明的隧道磁阻效应元件的第六构成例。
图7显示本发明的磁存储单元的构成例。
图8显示对于CoxFe100-x的组成的结晶结构。
图9显示本发明的磁存储单元的构成例。
图10显示本发明的隧道磁阻效应元件的TMR比与热处理温度的相关性。
图中，1是隧道磁阻效应元件，2是隧道磁阻效应元件，3是隧道磁阻效应元件，4是隧道磁阻效应元件，5是隧道磁阻效应元件，6是隧道磁阻效应元件，10是隧道磁阻效应元件，11是晶体管，12是第一n型半导体，13是第二n型半导体、14是p型半导体、21是漏极、211是写入字线，212是位线，22是源极，23是栅极，300是取向控制膜，301是反强磁性膜，302是强磁性膜，303是非磁性膜，304是强磁性膜，305是绝缘膜，306是强磁性膜，307是保护膜，308是非磁性膜，309是强磁性膜，310是反强磁性膜，41是电极，42电极，43是电极，44是电极，45是电极，46是电极，47是电极。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
实施例1图1是显示本发明的隧道磁阻效应元件的一个例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件1由取向控制膜300、反强磁性膜301、强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304、绝缘膜305、强磁性膜306、保护膜307层叠而形成，通过在适当温度进行热处理使磁阻比最优化。本实施例中，使用溅射法来制作隧道磁阻效应元件。
取向控制膜300由NiFe(5nm)形成，也可以使用Ta(5nm)/NiFe(5nm)的双层膜等可以提高上述反强磁性膜301的取向性而实现稳定的反强磁性结合的其他材料。对反强磁性膜301使用了MnIr(8nm)，但是其膜厚可以在5～15nm的范围内选择。另外，如果使用MnPt、MnFe等由Mn化合物构成的反强磁性膜，也可以稳定地实现反强磁性结合。在强磁性膜302使用CoFe(2nm)，在非磁性膜303使用Ru(0.8nm)，在强磁性膜304使用具有体心立方晶格的CoFeB(3nm)。强磁性膜302的CoFe的组成比，主要是在Co组成为50～90atm％之间使用。在该组成范围之内，可以实现上述反强磁性膜和稳定的反强磁性结合。强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304，选择使强磁性膜302和强磁性膜304的磁化能够反强磁性结合的材料，各自的膜厚则要选择成使强磁性膜302和强磁性膜304的磁化的大小相等。绝缘膜305使用具有岩盐结构的MgO晶体膜，是在(100)方向取向的膜。绝缘膜的膜厚采用的范围是0.8～3nm。强磁性膜306使用具有体心立方晶格的CoFeB(3nm)。优选强磁性膜304和强磁性膜306的CoFeB的Co与Fe的组成为50∶50～70∶30。这是因为如果在该组成范围内，则如图8所示，存在稳定的体心立方结构，并且在绝缘膜305使用MgO的隧道磁阻效应元件1，由于含有的Co比Fe多，所以能够提高有利于隧道磁阻比的自旋极化率。
表1中记载了可以用于强磁性膜304、强磁性膜306的CoFeB和CoFe的组成的例子。为了使隧道磁阻效应元件1得到大的TMR比，优选在强磁性膜304和强磁性膜306中使用CoFeB，且Co的组成在50～90atm％之间，但Co相对于Fe的组成比可以在0～50atm％之间。在使用这样的Co的组成时，尽管TMR比的大小与Co的组成为50～90atm％时相比有所降低，但施加到隧道磁阻效应元件上的电压依存性具有改善的倾向。通常，TMR比随着施加电压的增大而显示减小的倾向，但当Co的组成为0～50atm％之间时，其减少率最大能够减半。
上述强磁性膜304和强磁性膜306的CoFeB，可以是非晶态，也可以通过适当温度下的热处理进行结晶化。另外，CoFeB的组成比是在形成体心立方晶格的Co组成为40～60atm％、B组成为10～30atm％之间使用。而且，对于强磁性膜306，除了CoFeB之外，也可以使用CoFe的单层膜、NiFe的单层膜、CoFe/NiFe或者CoFeB/NiFe的双层膜。这时CoFe的Co组成是体心立方晶格稳定的50atm％，但也可以在50～90％之间使用。如果Co组成大，则面心立方晶格稳定，隧道磁阻比下降，但作为无磁层可以实现矫顽力小的良好磁特性，可以对应各自的磁力矩的大小来改变自旋转移力矩磁化反转的阈值电流密度。保护膜307由Ta(5nm)/Ru(5nm)的双层膜形成。
元件加工中采用光刻法和离子蚀刻法来制作具有0.8μm×1.6μm面积的隧道磁阻效应元件。这样制作的隧道磁阻效应元件的隧道磁阻比，可以通过实施热处理而增大，在强磁性膜306使用CoFeB的构成的情况，通过在大于等于375℃下实施1小时左右的热处理，隧道磁阻比可以达到250％。另外，绝缘膜305的厚度在0.8～3.0nm的范围内时，则显现出大于等于100％的隧道磁阻比。另外，即使热处理温度上升到400℃，仍可获得大于等于150％的良好的磁阻比。特别是，当确认了通过热处理CoFeB发生结晶化，并且结晶化后的CoFeB具有体心立方晶格的晶体结构时，隧道磁阻比为最大。进而，上述氧化镁的(100)取向膜，虽然可以在非晶态的强磁性膜之上通过溅射法来制作，但是在具有多晶结构的强磁性膜之上通过溅射法来制作时，则难以获得良好的(100)取向膜，隧道磁阻比最大也就达到50％而已。所以，强磁性膜304和强磁性膜306是结晶的CoFeB，并且绝缘膜305是(100)取向的晶体氧化镁的隧道磁阻效应元件1中，得到大于等于200％的隧道磁阻比的元件，一定是强磁性膜304和强磁性膜306在制造时是非晶态的CoFeB，并经过热处理过程而制作的。
隧道磁阻效应元件1的结构为以CoFeB为强磁性膜304、以MgO为绝缘膜305、以CoFeB为强磁性膜306，且不使用反强磁性膜301，可以是利用强磁性膜304和强磁性膜306的磁各向异性或者不同矫顽力大小而获得TMR比的层叠结构。例如，使用Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta的层叠结构，通过选择各自膜的适当膜厚，如图10所示，在热处理温度450℃下，得到450％的TMR比。对于上述的CoFeB的组成，在Co∶Fe∶B为40∶40∶20(atm％)时，可以得到最大的TMR比，但当B的组成为0～30(atm％)时，Co∶Fe可以在0～100atm％之间选择任意的组成。该组成如表1所示，为[Co(100-x)Fe(x)](100-y)B(y)、0＜x＜100(％)、0＜y＜30(％)的关系。表1显示的是可以用于本发明的强磁性膜的材料及其组成的例子。使用上述Ta以外的高熔点的非晶态膜也是有效的。这种情况下的结构，由于不产生反强磁性膜301中所使用的Mn化合物的Mn等的热扩散，因而使得在较高热处理温度下获得更高TMR比成为可能。
表1
如上所述，通过对制膜时是非晶态的强磁性膜304和强磁性膜306进行热处理而结晶化的隧道磁阻效应元件1的制作方法，与现有的方法不同。但是，在强磁性膜306使用CoFe单层膜、NiFe单层膜、CoFe/NiFe膜的隧道磁阻效应元件1中，由于这些强磁性膜306从制膜时就是晶态，所以经过热处理仅有强磁性膜304发生结晶化。在强磁性膜306使用CoFe单层膜、NiFe单层膜、CoFe/NiFe膜的隧道磁阻效应元件1的最大隧道磁阻比分别为200％、40％、150％。
实施例2图2是显示本发明的隧道磁阻效应元件的其他例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件2，由取向控制膜300、强磁性膜306、绝缘膜305、强磁性膜304、非磁性膜303、强磁性膜302、反强磁性膜301、保护膜307层叠而形成。特别是在强磁性膜306和强磁性层膜304中使用CoFeB时，其晶体结构为体心立方晶格，绝缘膜305是在(100)上高取向的具有岩盐结构的MgO。
在本构成的隧道磁阻效应元件2中，由于强磁性膜306与取向绝缘膜300相邻而制成，平坦性优良，所以与实施例1的构造相比，强磁性膜306的软磁特性提高。例如，结晶化后的CoFeB的矫顽力与实施例1相比减半。绝缘膜305也形成平坦的膜。但是，由于反强磁性膜301是在隧道磁阻效应元件2的层叠方向上方制膜，而该膜的取向性比实施例1要差，所以反强磁性结合变弱，与实施例1相比耐热处理特性变差，经过400℃的热处理隧道磁阻比显示出减少的趋势。隧道磁阻效应元件2的制作方法、在各自膜所使用的材料与实施例1相同。此外，根据该隧道磁阻效应元件2而得到的磁阻比是与实施例1基本相同的200％。
实施例3图3是显示本发明的隧道磁阻效应元件的其他例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件3相当于在如图1所示的隧道磁阻效应元件1的构成中，在强磁性膜306之上依次层叠非磁性膜308、强磁性膜309、反强磁性膜310、保护膜307而形成。
本实施例中，在非磁性膜308使用Ru(6nm)，在强磁性膜309使用CoFe(2nm)，在反强磁性膜310使用MnIr(8nm)。强磁性膜309的CoFe的组成比采用在与反强磁性膜310之间能够稳定实现反强磁性结合的Co组成，即50～90％的范围。非磁性膜308除了Ru(6nm)之外，也可以选择使强磁性膜306和强磁性膜309之间的磁结合消失的材料和膜厚。隧道磁阻效应元件3的制造方法，以及取向控制膜300、反强磁性膜301、强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304、绝缘膜305、强磁性膜306、保护膜307所使用的材料，与实施例1相同。特别是在强磁性膜306和强磁性膜304使用CoFeB时，其晶体结构为体心立方晶格，绝缘膜305是在(100)上高取向的具有岩盐结构的MgO。
本实施例中得到的磁阻比为150％，与实施例1相比有所降低，但由于在非磁性膜308和强磁性膜309的界面上产生的由自旋引起的反射，能够增大作用于强磁性膜306上的自旋力矩的效率，与实施例1相比自旋力矩磁化反转的阈值电流密度可以降低大约三分之二左右。
实施例4图4是显示本发明的隧道磁阻效应元件的其他例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件4相当于在如图2所示的隧道磁阻效应元件2的构成中，在强磁性膜306和取向控制膜300之间，从取向控制膜300侧开始依次层叠反强磁性膜310、强磁性膜309、非磁性膜308而形成。
本实施例中，在非磁性膜308使用Ru(6nm)，在强磁性膜309使用CoFe(2nm)，在反强磁性膜310使用MnIr(8nm)。强磁性膜309的CoFe的组成比，采用能够在与反强磁性膜310之间稳定实现反强磁性结合的Co组成，即50～90％的范围。非磁性膜308除了Ru(6nm)之外，还可以选择使强磁性膜306和强磁性膜309之间的磁结合消失的材料和膜厚。隧道磁阻效应元件4的制作方法以及取向控制膜300、反强磁性膜301、强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304、绝缘膜305、强磁性膜306、保护膜307所使用的材料，与实施例2相同。特别是在强磁性膜306和强磁性层膜304使用CoFeB时，其晶体结构为体心立方晶格，绝缘膜305是在(100)上高取向的具有岩盐结构的MgO。
本实施例中得到的磁阻比为140％，与实施例2相比有所下降，但由于在非磁性膜308和强磁性膜309的界面上产生的由自旋引起的反射，能够增大作用于强磁性膜306的自旋力矩的效率，与实施例2相比，自旋力矩磁化反转的阈值电流密度可以降低约三分之二左右。
实施例5图5是显示本发明的隧道磁阻效应元件的其他例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件5相当于如图3所示的隧道磁阻效应元件3的构成中没有反强磁性膜310的元件。
本实施例中，在非磁性膜308使用Ru(8nm)。非磁性膜308除了使用Ru(8nm)之外，还可以选择使强磁性膜306和强磁性膜309之间的反强磁性结合消失的材料和膜厚。隧道磁阻效应元件5的制造方法，以及取向控制膜300、反强磁性膜301、强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304、绝缘膜305、强磁性膜306、强磁性膜309、保护膜307所使用的材料，与实施例3相同。特别是在强磁性膜306和强磁性膜304使用CoFeB时，该晶体结构为体心立方晶格，绝缘膜305是在(100)上高取向的具有岩盐结构的MgO。所得到的磁阻比与实施例3基本相同，为150％左右。
在本构成中，与实施例3同样，作用于强磁性膜306上的自旋转移力矩的效率比实施例1还要大，可以在低电流下实现利用自旋转移力矩的磁化旋转。而且，相对于实施例3，由于没有了反强磁性膜310，抑制了由于热处理而产生的Mn的扩散，与实施例3相比磁阻比的耐热性提高。
实施例6图6是显示本发明的隧道磁阻效应元件的其他例子的截面模式图。该隧道磁阻效应元件6相当于如图4所示的隧道磁阻效应元件4的构成中没有反强磁性膜310的元件。
本实施例中，非磁性膜308使用Ru(8nm)。非磁性膜308除了使用Ru(8nm)之外，还可以选择使强磁性膜306和强磁性膜309之间的反强磁性结合消失的材料和膜厚。隧道磁阻效应元件6的制造方法，以及取向控制膜300、反强磁性膜301、强磁性膜302、非磁性膜303、强磁性膜304、绝缘膜305、强磁性膜306、强磁性膜309、保护膜307所使用的材料，与实施例4相同。特别是在强磁性膜306和强磁性层膜304使用CoFeB时，其晶体结构为体心立方晶格，绝缘膜305是在(100)上高取向的具有岩盐结构的MgO。所得到的最大磁阻比与实施例4基本相同，为140％左右。
在本构成中，作用于强磁性膜306上的自旋转移力矩的效率比实施例4还要大，可以在低电流下实现利用自旋转移力矩的磁化旋转。而且，相对于实施例4，由于没有了反强磁性膜310，抑制了由于热处理而产生的Mn的扩散，与实施例4相比磁阻比的耐热性提高。
实施例7图7是显示本发明的磁存储单元的构成例的截面模式图。该磁存储单元搭载了实施例1～6所示的隧道磁阻效应元件10作为存储单元。
C-MOS11由两个n型半导体12、13和一个p型半导体14构成。作为漏极的电极21电连接在n型半导体12，并通过电极41和电极47接地。n型半导体13上电连接着作为源极的电极22。进而，23为栅极，通过该栅极23的开/关来控制源极22和漏极21之间的电流的开/关。上述源极22上，层叠着电极45、电极44、电极43、电极42、电极46，通过电极46与磁阻效应元件10的取向控制膜300相连接。
位线212与上述磁阻效应元件10的保护膜307相连接。本实施例的磁存储单元中，由隧道磁阻效应元件10中流过的电流即所谓的自旋转移力矩使隧道磁阻效应元件10的强磁性膜306的磁化方向产生旋转，记录磁信息。另外，也可以不使用上述的自旋转移力矩，而是在位线212和兼作为字线的电极47流过电流，利用其周围产生的磁场来使磁阻效应元件10的强磁性膜306的磁化方向发生旋转，记录磁信息。在通过自旋转移力矩进行写入的情况，写入时的电力与使用电流磁场时相比，可以降低到大约百分之一左右。
图9是显示配置了上述磁存储单元的不挥发性磁存储器的构成例。栅极23和位线212电连接在存储单元100。通过配置上述实施例记载的磁存储单元，所述磁存储器可以在低耗电下工作，能够实现千兆位级的高密度磁存储器。
权利要求
1.隧道磁阻效应元件，其为具有绝缘膜和被设置成为夹着所述绝缘膜的第一强磁性膜和第二强磁性膜的隧道磁阻效应元件，其特征在于所述第一强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜，所述绝缘膜是在(100)取向的岩盐结构的MgO膜。
2.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于所述第二强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜。
3.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于所述第一强磁性膜的Co与Fe的组成比(atm％的比)为50∶50～70∶30。
4.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于具有取向控制膜和在所述取向控制膜上依次层叠的反强磁性膜、第三强磁性膜、非磁性膜；在所述非磁性膜之上依次层叠有所述第一强磁性膜、绝缘膜及第二强磁性膜；所述三个强磁性膜的磁化方向由所述反强磁性膜固定，所述第三强磁性膜和所述第一强磁性膜通过所述非磁性膜进行反强磁性结合。
5.根据权利要求4所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于在所述第二强磁性膜上依次层叠有第二非磁性膜和第四强磁性膜和第二反强磁性膜，所述第四强磁性膜的磁化方向由所述第二反强磁性膜固定。
6.根据权利要求4所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于在所述第二强磁性膜上依次层叠有第二非磁性膜和第四强磁性膜。
7.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于具有取向控制膜；在所述取向控制膜上依次层叠有所述第一强磁性膜、绝缘膜和第二强磁性膜；进而，在所述第二强磁化膜上依次层叠有非磁性膜、第三强磁性膜、反强磁性膜；所述三个强磁性膜的磁化方向由所述反强磁性膜固定，所述第三强磁性膜和所述第一强磁性膜通过所述非磁性膜进行反强磁性结合。
8.根据权利要求7所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于在所述取向控制膜和所述第一强磁性膜之间，依次层叠有第二反强磁性膜、第四强磁性膜和第二非磁性膜，所述第四强磁性膜的磁化方向由所述第二反强磁性膜固定。
9.根据权利要求7所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于在所述取向控制膜和所述第一强磁性膜之间，依次层叠有第四强磁性膜和第二非磁性膜。
10.磁存储器，其为具有隧道磁阻效应元件和对所述隧道磁阻效应元件中流动的电流进行开和关控制的开关元件的磁存储器，其特征在于所述隧道磁阻效应元件具有绝缘膜和被设置成为夹着该绝缘膜的第一强磁性膜和第二强磁性膜，所述第一强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜，所述绝缘膜是在(100)取向的岩盐结构的MgO膜。
11.根据权利要求10所述的磁存储器，其特征在于所述第二强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜。
12.根据权利要求10所述的磁存储器，其特征在于所述第一强磁性膜的Co与Fe的组成比(atm％的比)为50∶50～70∶30。
13.根据权利要求10所述的磁存储器，其特征在于通过自旋转移力矩来记录磁信息。
14.磁随机存取存储器，其为具有多个磁存储单元和选择期望磁存储单元的装置的磁随机存取存储器，其特征在于所述磁存储单元包含由含有Co、Fe和B的体心立方结构的第一强磁性膜、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜、以及第二强磁性膜层叠而成的隧道磁阻效应元件。
15.根据权利要求14所述的磁随机存取存储器，其特征在于所述第二强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜。
16.根据权利要求14所述的磁随机存取存储器，其特征在于所述第一强磁性膜的Co与Fe的组成比(atm％的比)为50∶50～70∶30。
17.根据权利要求14所述的磁随机存取存储器，其特征在于通过自旋转移力矩来记录磁信息。
18.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其特征在于所述Co的组成比为0～50％。
19.根据权利要求10所述的磁存储器，其特征在于所述Co的组成比为0～50％。
20.根据权利要求14所述磁随机存取存储器，其特征在于所述Co的组成比为0～50％。
全文摘要
本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
文档编号H01L27/22GK1905229SQ20061010892
公开日2007年1月31日 申请日期2006年7月28日 优先权日2005年7月28日
发明者早川纯, 大野英男, 池田正二 申请人:株式会社日立制作所, 国立大学法人东北大学