专利名称：缩小eeprom中隧道窗口的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺方法，尤其是涉及一种縮小EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-only Memory, 电擦除可 编程只读存储器)中隧道窗口 (Tunnel Window)的方法。
背景技术：
随着EEPROM技术的发展，单元的尺寸越来越小，隧道窗口的縮小不 仅有利于縮小EEPROM的单个单元的面积，而且有利于提高单元的读写特 性。但是如果用干法刻蚀来刻蚀出隧道窗〕，隧道氧化层就容易受到等离 子体的损伤，所以一般隧道窗口用湿法刻蚀来刻蚀，然而湿法刻蚀也有缺 点，其横向刻蚀很大，想要通过湿法刻蚀直接刻蚀出较小的隧道窗口不容 易。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种縮小EEPROM中隧道窗口的方 法，能得到较小尺寸的隧道窗口。
为了解决上述技术问题，本发明的縮小EEPROM中隧道窗口的方法包 括如下步骤
(1) 在衬底上长一层氧化层；
(2) 在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；
(3) 通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；
(4) 湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；
(5) 用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；
(6) 湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化 层和隧道氧化层。
本发明的縮小EEPROM中隧道窗口的方法，通过结合湿法刻蚀的反向 刻蚀和LOCOS (Local Oxidation on Silicon,硅的局部氧化)的方法，能顺利得到较小尺寸的隧道窗口 。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。 图1是本发明縮小EEPROM中隧道窗口的方法的工艺流程图； 图2-7是本发明縮小EEPROM中隧道窗口的方法中一个实施例的工艺 流程示意图。
具体实施例方式
本发明縮小EEPROM中隧道窗口的方法通过结合反向湿法刻蚀和 LOCOS的方法来得到较小尺寸的隧道窗口 。硅的局部氧化LOCOS法是利用 光刻刻蚀技术在硅表面的氮化硅上开出氧化窗口，再利用氮化硅的掩膜作 用在大约IOO(TC的高温下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。如图1所示，本发明方法包括如下步骤
(1) 在衬底上长一层氧化层；
(2) 在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；
(3) 通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；
(4) 湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层，可根据最后所需的隧道窗 口上氮化层CD (Critical Dimension,临界尺寸)大小选择不同的湿法 刻蚀时间，从而得到不同CD大小的氮化点(nitride dot);
(5) 用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；
(6) 湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即可得单元的栅氧 化层和隧道氧化层，同时也得到较小尺寸的隧道窗口。
所述步骤(2)可生长一层较厚的氮化层，然后在步骤(4)湿法刻 蚀拔胶后，再另外增加一次无光刻胶阻挡的对隧道窗口所在位置的氮化层 的湿法刻蚀，就可使隧道窗口上面的氮化层CD更小，也就是最终可得到 更小尺寸的隧道窗口。
在本发明的一个实施例中，縮小EEPROM中隧道窗口的工艺方法的具 体步骤如下
(1) 在衬底上先长一层80A的隧道氧化层(见图2);
(2) 在步骤(1)的氧化层上生长一层300A 1000A的氮化硅(见图
3);
(3) 通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉，其中，CD为 0. 3u (见图4);
(4) 湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层，可根据最后所需的CD大 小选择不同的湿法刻蚀时间，从而得到不同CD大小的氮化点(见图5);
(5) 用类似于L0C0S的方法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层 240A的栅氧化层(见图6);
(6) 湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层，同时也得到较小尺寸的隧道窗口 (见图7)。
还可通过在所述步骤(2)生长一层较厚的氮化硅(500A 1500A)， 然后在步骤(4)湿法刻蚀拔胶后，再另外增加一次无光刻胶阻挡的对隧 道窗口所在位置的氮化层的湿法刻蚀，就可使隧道窗口上面的氮化层CD 更小，也就是最终可得到更小尺寸的隧道窗口。
权利要求
1.一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤(1)在衬底上长一层氧化层；(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中湿法刻 蚀的时间可依据隧道窗口上氮化层CD的大小而设定。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)和(5)之 间，可对隧道窗口上面的氮化层进行无光刻胶阻挡的湿法刻蚀，以进 -步 縮小隧道窗口上氮化层CD的大小。
全文摘要
本发明涉及半导体制造工艺方法，其公开了一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，包括步骤在衬底上长一层氧化层；再在氧化层上生长一层氮化层；通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；用LOCOS法生长一层栅氧化层；湿法刻蚀去掉剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。本发明的缩小EEPROM中隧道窗口的方法能顺利得到较小尺寸的隧道窗口。
文档编号H01L21/02GK101197266SQ20061011919
公开日2008年6月11日 申请日期2006年12月6日 优先权日2006年12月6日
发明者刘煊杰, 孙亚亚, 王海军 申请人:上海华虹Nec电子有限公司