专利名称：通孔的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种通孔的形成方法。
背景技术：
随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，元器 件的尺寸越来越小，因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体 工艺制作结果的影响也日益突出。其中一个典型的例子是小孔径通孔的
制作随着器件尺寸的缩小，芯片制作中需要形成的各种孔的尺寸也进 一步缩小，然而，当所需形成的孔尺寸在110nm以下时，由于光刻中曝 光机曝光极限的原因，很难仅利用光刻技术定义出孔径符合要求的通孔 图案。
为形成小孔径的通孔，现在常利用刻蚀过程中产生的附着于侧壁上 的聚合物(polymer)来缩小孔尺寸。图1到图4是利用现有技术形成 通孔的器件剖面示意图。其中，图1为现有技术中形成光刻图案后的器 件剖面示意图，如图l所示，在硅衬底100上生长停止层101,其通常 为氮化硅层或碳化硅层，然后，在该停止层101上生长第一介质层102， 其通常为低K值的氧化硅层，再在该介质层102上覆盖一层第二介质 层——盖层(cap) 103。接着，在该盖层103上形成第三介质层—一抗 反射层104,再接着，利用光刻胶105在抗反射层104表面上定义通孔 图案。由于受到光刻中曝光极限的限制，该通孔图案110的孔径al可 能会略大于预计要形成的通孔的孔径。用光刻胶定义通孔图案后，进行 刻蚀以形成通孔，现有技术中，该通孔的刻蚀分为两步，第一步为预刻 蚀，第二步为主刻蚀。
图2为现有技术中预刻蚀后的器件剖面示意图，如图2所示，预刻 蚀时，将未被光刻胶保护的区域中的抗反射层104与盖层103去除，为 了形成较小孔径的通孑L,该步预刻蚀会利用产生聚合物较多的预刻蚀气体，如CF4/CHF3，以形成较多的聚合物210保护侧壁。
图3为现有技术中主刻蚀后的器件剖面示意图，如图3所示，利用 预刻蚀和主刻蚀过程中产生的聚合物310共同在主刻蚀过程中实现对通 孔侧壁的保护，以形成具有较d、孔径的通孔。
图4为现有技术中形成通孔后的器件剖面示意图，如图4所示，在 去除光刻胶和聚合物后，形成了小孔径的通孔401,其孔径a2与光刻形 成的通孔图案的孔径al相比变得更小，通常可以缩小15nm左右。但是， 由图中可以看到，由于大量聚合物的存在，刻蚀形成的通孔的侧壁较为 粗糙，在显微镜下对形成的通孔表面进行观察时，各通孔的边缘均不清 晰，表现出一种类似衍射条紋的形状。尤其对于利用193nm光刻胶定 义图案的小孔径通孔，因193nm光刻胶更易变形，由其定义形成的通 孔出现的衍射条紋现象更为严重。
在超大规模集成电路飞速发展的今天，对半导体制作工艺的要求已 曰益严格，对形成的器件的精密度提出了更高的期望，上述利用现有技 术形成的小孔径通孔质量较差，影响到了集成电路内的电连接质量，必 须加以解决。
还可以在公开号为CN1797216的中国专利申请中了解到更多有关 形成小孔径通孔的信息。
发明内容
本发明提供一种通孔的形成方法，可以形成质量较好的小孔径通孔。
本发明提供一种通孔的形成方法，包括步骤 提供衬底，且在所述衬底上具有介质层； 利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案； 利用第 一预刻蚀气体进行第 一预刻蚀；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳 /氟比小于所述第一预刻蚀气体的石友/氟比；
进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。
其中，所述介质层可以为氧化硅层。
其中，所述第 一预刻蚀气体至少包含CH2F2 、 CHF3和C4F8中的一种。
其中，所述第二预刻蚀气体可以包含CF4和02。
其中，所述通孔的孔径可以由所述第一预刻蚀确定。
其中，所述介质层的厚度可以在4000至8000A之间，所述第一预 刻蚀的刻蚀深度在300A至600A之间，所述第二预刻蚀的刻蚀深度在 400A至IOOOA之间。
本发明具有相同或相应技术特征的一种通孔的形成方法，包括步
骤
提供衬底，且在所述衬底上具有第一介质层、位于第一介质层之上
的第二介质层和位于第二介质层上的第三介质层；
利用掩膜在所述第三介质层上定义通孔图案； 利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀；
利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的石灰 /氟比小于所述第一预刻蚀气体的石1/氟比；
进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。
其中，在所述第一预刻蚀中去除未^f皮所述掩膜保护的所述第三介质 层；在所述第二预刻蚀中至少去除未被所述掩膜保护的所述第二介质 层。
其中，所述第 一预刻蚀气体至少包含CH2F2 、 CHF3和C4F8中的一种。
6其中，所述第二预刻蚀气体可以包含CF4。 其中，所述第二预刻蚀气体还可以包含02。
其中，所述掩膜为193nm光刻胶。
其中，所述第一介质层厚度可以在3500A至7000A之间，所述第 二介质层厚度在500A至700A之间，所述第三介质层厚度在800A至 1200A之间。
其中，在所述衬底与所述第一介质层之间还包含一层停止层，所述 停止层为氮化硅层或含氮的碳化硅层。
其中，所述通孔的孔径由所述第一预刻蚀确定。 与现有技术相比，本发明具有以下优点
本发明的通孔形成方法，将预刻蚀分为了第 一预刻蚀和第二预刻蚀 两步，其中，第一预刻蚀采用了产生聚合物较多的、高碳/氟比的第一 预刻蚀气体进行刻蚀，以形成小孔径的通孔，第二预刻蚀则采用了产生 聚合物较少，甚至不产生聚合物的、碳/氟比较低的第二预刻蚀气体进 行刻蚀，以减少在第一预刻蚀过程中在掩膜及介质层的刻蚀侧壁上形成 的聚合物，经过该预刻蚀处理后，再进行通孔的主刻蚀处理，可以在保 持较小孔径的情况下，避免因聚合物过多，导致的通孔侧壁较为粗糙的 现象，并最终形成质量较好的小孔径通孔。
图1为现有技术中形成光刻图案后的器件剖面示意图； 图2为现有技术中完成预刻蚀后的器件剖面示意图； 图3为现有^a术中完成主刻蚀后的器件剖面示意图； 图4为现有技术中形成通孔后的器件剖面示意图； 图5为本发明通孔形成方法的流程图； 图6为本发明第一实施例中的衬底的器件剖面示意图；图7为本发明第 一实施例中形成掩膜图案后的器件剖面示意图； 图8为本发明第一实施例中完成第一预刻蚀后的器件剖面示意图； 图9为本发明第一实施例中完成第二预刻蚀后的器件剖面示意图； 图10为本发明第一实施例中完成主刻蚀后的器件剖面示意图； 图11为本发明第一实施例中形成通孔后的器件剖面示意图； 图12为本发明第二实施例中的衬底的器件剖面示意图； 图13为本发明第二实施例中形成掩膜图案后的器件剖面示意图； 图14为本发明第二实施例中完成第 一预刻蚀后的器件剖面示意图； 图15为本发明第二实施例中完成第二预刻独后的器件剖面示意图； 图16为本发明第二实施例中完成主刻蚀后的器件剖面示意图； 图17为本发明第二实施例中形成通孔后的器件剖面示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合 附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
本发明的处理方法可以被广泛地应用于各个领域中，并且可利用许 多适当的材料制作，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明 并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替 换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时， 为了便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，不 应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽 度及深度的三维空间尺寸。
图5为本发明的通孔形成方法的流程图，图6至图11为本发明第 一实施例中的器件剖面图，下面结合图5至图11对本发明的第一实施 例时行详细说明。首先，提供衬底(S501)，所述衬底上已形成刻蚀通孔前所需的各
层介质层。图6为本发明第一实施例中的村底的器件剖面示意图，如图 6所示，本实施例中，在硅衬底100上依次形成了停止层101、第一介 质层102、第二介质层103和第三介质层104。其中，由于本实施例中 需要形成的通孔的目标孔径较小，如为90nm的孔径，停止层101采用 了富含氮的碳化硅材料，其厚度大约在300A至600A之间，如为400A。 第一介质层102通常属于层间介质层，其要求具有低K值，本实施例中， 该第一介质层102为低K值的氧化硅层，如可以是掺磷、掺硼或掺磷硼 的氧化石圭层，其厚度可以在3500A至7000A之间，如为5000A。第二 介质层103作为盖层，其可以是以正硅酸乙酯(TEOS)为原料制成的 氧化珪层，厚度可以在500A至700A之间，如600A。第三介质层104 作为抗反射层(BARC),其厚度可以在800A至1200A之间，如为IOOOA。
然后，利用掩膜在第三介质层上定义通孔图案(S502)。图7为本 发明第一实施例中形成掩膜图案后的器件剖面示意图，如图7所示，本 实施例中，利用193nm光刻胶105在第三介质层上定义了通孔图案， 其中，因为受到曝光极限的限制，此时形成的通孔图案的孔径al大于 设定的孔径，如为115nm。为了兼顾形成小孔径通孔时的产生较多聚合 物的要求，和形成高质量通孔时的通孔侧壁较光滑的要求，本实施例中， 将通孔的预刻蚀过程分为了第一预刻蚀和第二预刻蚀两步。
利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀(S503 )。图8为本发明第一 实施例中完成第一预刻独后的器件剖面示意图，如图8所示，以光刻胶 105为掩膜进行第一预刻蚀，为了形成孔径小于光刻形成的图案孔径al 的小孔径通孔，该第一预刻蚀采用的第一预刻蚀气体具有较高的碳/氟 比，以在第一预刻蚀过程中产生较多的聚合物810,该聚合物810附着 在侧壁上，可以减少侧壁的横向刻蚀，达到缩小通孔孔径的目的。本实 施例中，第 一预刻独气体可以至少包含CH2F2 、 CHF3和C4F8中的 一种，其会在第一预刻蚀中产生较多的聚合物。本步第一预刻蚀完成后，在第 三介质层上形成的孔径应与最终要实现的通孔的目标孔径相同，即其要
比起光刻定义的通孔图案中的孔径al有所缩小。
本实施例中，该第一预刻蚀仅去除了未被光刻胶105保护的第三介 质层，与现有刻蚀过程相比，减少了刻蚀的时间和刻蚀的深度，减轻了 在产生较多聚合物时易发生变形的193nm光刻胶的形变程度。
再接着，利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀(S504)。图9为本 发明第一实施例中完成第二预刻蚀后的器件剖面示意图，如图9所示，
为了防止形成的聚合物过多导致的通孔侧壁粗糙、质量下降的现象，该 第二预刻蚀中所用的第二预刻蚀气体的碳/氟比较小，其产生很少的聚 合物甚至不产生聚合物；如，本实施例中，在第二预刻蚀气体中采用了 产生聚合物较少的^/氟比较小的CF4。另夕卜，在本发明的其他实施例中， 为了进 一 步减少第 一 预刻蚀过程中产生的聚合物，还可以在第二预刻蚀 气体中加入能刻蚀去除聚合物的气体，如氧气(02)。因此，在第二预 刻蚀后，可以不增加或减少刻蚀孔901内的聚合物，甚至可以实现在刻 蚀孔901内不再有聚合物。
注意到，第二预刻蚀的刻蚀时间或刻蚀深度是需要进行折衷考虑 的，如果第二预刻蚀的刻蚀时间过长，或者说刻蚀深度较大，会导致前 面第一预刻蚀中利用较多聚合物而在第三介质层内形成的小孔径变大， 结果导致在主刻蚀后形成的通孔的孔径变大，不能起到缩d、通孔孔径的 目的；但是，如果第二预刻蚀的刻蚀时间过短，或者说刻蚀深度较小， 则会对聚合物的抑制(第二预刻蚀过程中不增加聚合物)或去除(第二 预刻蚀过程中减少了聚合物)效果较差，仍会在侧壁上附着有较多的聚 合物，不能真正起到平滑通孔侧壁的作用，使得在主刻蚀后形成的通孔 侧壁仍较为粗糙，改善通孔质量的效果不明显。
本实施例中，在第二预刻蚀中将刻蚀深度设定为仅去除了未被光刻胶105保护的第二介质层，或去除了第二介质层及一 少部分的第 一介质
层的程度。此时，由于在第一预刻蚀过程中已在第三介质层104内形成 了小孔径的刻蚀孔，在第二预刻蚀完成后，即使在第三介质层104和光 刻胶105的侧壁上附着的聚合物没有增加或逐渐减少，在第二介质层 103内形成的刻蚀孔仍会以第三介质层104内形成的具有较小孔径的刻 蚀孔为准，即形成的是具有较小的孔径的(与第一预刻蚀后形成的孔径 相同的)刻蚀孔。如图9中所示，第二预刻蚀后形成的孔径为a3，其与 光刻后形成的通孔图案的孔径al相比有所缩小(应与目标孔径一致)。
预刻蚀步骤完成后，进行主刻蚀处理(S505 )。图IO为本发明第一 实施例中完成主刻蚀后的器件剖面示意图，如图10所示，本步主刻蚀 刻蚀去除了未被光刻胶105保护的通孔区域内的第一介质层，停止于位 于第一介质层102下的停止层101。对于主刻蚀而言，其刻蚀的时间较 长，刻蚀的深度也较深，刻蚀时需要具有较好的方向性，为此，在刻蚀 第一介质层时，可以利用能产生一定量的聚合物的刻蚀气体，以保护孔 侧壁，形成方向性较好的通孔。本实施例中采用了包含CHF3或CH2F2 的刻蚀气体，其刻独结果如图10所示，在刻蚀形成的孔内壁上附着了 一定量的聚合物1010。
主刻蚀后，去除光刻胶105及用作抗反射层的第三介质层104,并 清洗去孔侧壁上附着的聚合物，形成通孔。图11为本发明第一实施例 中形成通孔后的器件剖面示意图，如图11所示，采用本发明的形成方 法，在主刻蚀后，沿前面第一预刻蚀时在第三介质层内形成的较小孔径 a3形成了通孔1101，在本实施例中，a3为90nm。利用本发明的两步预 刻蚀的方法，先利用较多的聚合物形成较小的孔径(第一预刻蚀)，再 减少或去除形成通孔过程中所产生的聚合物总量(第二预刻蚀)，结果 在保持较小孔径的前提下，形成了侧壁光滑、质量较好的通孔。
本实施例中，分别由第二介质层和第三介质层作为盖层和抗反射层，在本发明的其他实施例中，也可以利用一种介质层既形成盖层，也 作为抗反射层使用。此时，第二介质层和第三介质层可以合为一层，在 第一预刻蚀时，刻蚀该层的一部分，在第二预刻蚀时，再刻蚀去除该层。
图12至图17为本发明第二实施例中的器件剖面图，下面结合图5 以及图12至图17对本发明的第二实施例时行详细说明。
首先，提供衬底(S501),且所述衬底上已形成刻蚀通孔前所需的 介质层。图12为本发明第二实施例中的衬底的器件剖面示意图，如图 12所示，本实施例中，在石圭衬底1201上形成了介质层1202，本实施例 中，该用于形成通孔的介质层为氧化硅层，其厚度在4000A至8000A 之间，如为6000A。
然后，利用掩膜在介质层上定义通孔图案(S502)。图13为本发明 第二实施例中形成掩膜图案后的器件剖面示意图，如图13所示，本实 施例中，利用光刻胶1301在介质层上定义了通孔图案1302，其中，因 为受到曝光极限的限制，此时形成的通孔图案的孔径bl可能会大于设 定的孔径，如，本实施例中需要形成的通孔孔径为100nm的孔径，但 在本步光刻后形成通孔图案的孔径bl可能为115nm。为了形成预计的 目标小孔径(100nm)通孔，要求在刻蚀时产生较多聚合物，而为了要 形成高质量通孔，要求形成的通孔的侧壁较光滑，为此，本实施例中， 将通孔的预刻蚀过程分为了第 一预刻蚀和第二预刻蚀两步。
利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀(S503 )。图14为本发明第二 实施例中完成第一预刻蚀后的器件剖面示意图，如图14所示，以光刻 胶1301为掩膜进行第一预刻蚀，为了形成孔径小于光刻形成的图案孔 径bl的小孔径通孔，该第一预刻蚀采用的第一预刻蚀气体需要具有4交 高的碳/氟比，其可以产生较多的聚合物。该聚合物附着在侧壁上，可 以减少侧壁的横向刻蚀，达到缩小孔径的目的。本实施例中，第一预刻 蚀气体至少包含CH2F2、 CHF3和C4F8中的一种。本实施例中，该第一预刻蚀仅去除了未被光刻胶1301保护的介质 层的一小部分，如仅刻蚀去除300 A至600A左右，其刻蚀的时间较短 或刻蚀的深度较小，因该步刻蚀而产生的聚合物1410对光刻胶1301侧 壁形状的影响不会^[艮大，同时，因其在该步所用的仍是聚合物较多的第 一预刻蚀气体，其在介质层上形成的浅刻蚀孔的孔径b2要小于光刻后 形成的通孔图案的孔径bl。第一预刻蚀完成后，形成的浅刻蚀孔的孔径 即为最终要形成的通孔的目标孔径，即，在本实施例中，第一预刻蚀后 的孔径b2应为100nm。
再接着，利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀(S504)。图15为本 发明第二实施例中完成第二预刻蚀后的器件剖面示意图，如图15所示， 为了防止形成的聚合物过多导致的通孔侧壁粗糙、质量下降的现象，该 第二预刻蚀中所用的第二预刻蚀气体的碳/氟比较小，其产生很少的聚 合物甚至不产生聚合物。另外，在刻蚀过程中，还可以加入能刻蚀去除 第一预刻蚀时产生的聚合物的气体，因此，在本步第二预刻蚀后，可以 减少刻蚀孔1501内的聚合物，甚至在本步后实现刻蚀孔1501内不再有 聚合物。
本实施例中，采用的第二预刻蚀气体包含产生聚合物较少的碳/氟 比较小的CF4，以及可以去除部分聚合物的02,在本发明的其他实施例 中，还可以釆用包含其他碳/氟比较小的碳氟气体的刻蚀气体为第二预 刻蚀气体。
注意到，第二预刻蚀的刻蚀时间或刻蚀深度是需要进行折衷考虑 的，如果第二预刻蚀的刻蚀时间过长，或者说刻蚀深度较大，将使形成 的通孔的孔径变大，而如果第二预刻蚀的刻蚀时间过短，或者il刻蚀深 度较小，将不能真正起到平滑通孔侧壁的作用，不能实现改善通孔质量 的目的。本实施例中，在第二预刻蚀中将刻蚀深度设定为再去除一小部 分未被光刻胶1301保护的介质层，如可以在第二预刻蚀中再刻蚀去除400A至IOOOA左右的介质层。此时，由于在第一预刻蚀过程中已在介 质层1202内形成了小孔径的刻蚀孔，在第二预刻蚀完成后，仍可以在 介质层1202内形成较小孔径的刻蚀孔。另外，由于在第二预刻蚀过程 中，介质层1202和光刻胶1301的侧壁上附着的聚合物不会增加或逐渐 减少，因聚合物过多而导致的孔侧壁粗糙的现象也会有所改善。
预刻蚀步骤完成后，进行主刻蚀处理(S505 )。图16为本发明第二 实施例中完成主刻蚀后的器件剖面示意图，如图16所示，本步主刻蚀 将未被光刻胶1301保护的通孔区域内的介质层全部刻蚀去除。主刻蚀 的刻蚀时间较长，为了能在主刻蚀过程中保护孔侧壁，实现方向性较好 的刻蚀，其所用的刻蚀气体仍需要产生一定量的聚合物，如可以采用包 含CHF3的刻蚀气体。主刻蚀后的结果如图16所示，在刻蚀形成的孔内 壁上附着了一定量的聚合物1610。
主刻蚀后，去除光刻胶1301,并进行清洗去孔内壁上附着的聚合物， 形成通孔。图17为本发明第二实施例中形成通孔后的器件剖面示意图， 如图17所示，采用本发明的形成方法后，最终形成了孔径为b2的通孔 1701。本实施例中，需要形成的是100nm的通孔，但光刻后形成的通 孔图案的孔径bl为115nm,利用本发明的两步预刻蚀的方法，最终形 成了满足目标的100nm的通孔，且形成的通孔侧壁光滑、质量l交好。
本发明的通孔形成方法，将预刻蚀分为了两步，第一预刻蚀主要是 实现较小的孔径，为此其需要产生较多的聚合物；第二预刻蚀主要是令 通孔壁光滑，为此其需要不产生聚合物或去除第一预刻蚀过程中产生的 聚合物(总之，是减少整个通孔形成过程中侧壁上附着的聚合物的问 题)。注意到，为了防止在后续的第二预刻蚀中减少聚合物而引起形成 的通孔孔径有所变大，在本发明的其他实施例中，还可以将第一预刻蚀 过程中产生的聚合物的量设置得比通常现有的预刻蚀中的更多(相同刻 蚀深度时)，这样可以确保第二预刻蚀去除聚合物提高通孔质量的同时，仍能保持通孔的小孔径。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明， 任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1、 一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤 提供衬底，且在所述衬底上具有介质层； 利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第 一预刻蚀气体进行第 一预刻蚀；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳 /氟比小于所述第一预刻蚀气体的-1/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。
2、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述介质层为氧 化硅层。
3、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述第一预刻蚀 气体至少包含CH2F2、 CHF3和C4F8中的一种。
4、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述第二预刻蚀气体包含CF4和Cb。
5、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述通孔的孔径 由所述第一预刻蚀确定。
6、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述介质层的厚 度在4000至8000A之间。
7、 如权利要求6所述的形成方法，其特征在于所述第一预刻蚀 的刻蚀深度在300A至600A之间。
8、 如权利要求6所述的形成方法，其特征在于所述第二预刻蚀 的刻蚀深度在400A至1000A之间。
9、 一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤提供衬底，且在所述衬底上具有第一介质层、位于第一介质层之上 的第二介质层和位于第二介质层上的第三介质层；利用掩膜在所述第三介质层上定义通孔图案； 利用第 一预刻蚀气体进行第 一预刻蚀；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的^/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。
10、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于在所述第一预刻 蚀中去除未被所述掩膜保护的所述第三介质层；在所述第二预刻蚀中至 少去除未被所述掩膜保护的所述第二介质层。
11、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述第一预刻蚀 气体至少包含CH2F2 、 CHF3和C4F8中的 一种。
12、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述第二预刻蚀 气体包含CF4。
13、 如权利要求12所述的形成方法，其特征在于所述第二预刻 蚀气体还包含02。
14、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述掩膜为193nm 光刻胶。
15、 如权利要求9或IO所述的形成方法，其特征在于所述第一 介质层厚度在3500A至7000A之间。
16、 如权利要求15所述的形成方法，其特征在于所述第二介质 层厚度在500A至700A之间。
17、 如权利要求15所述的形成方法，其特征在于所述第三介质 层厚度在800A至1200A之间。
18、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于在所述衬底与所 述第 一介质层之间还包含一层停止层。
19、 如权利要求18所述的形成方法，其特征在于所述停止层为 氮化硅层或含氮的碳化硅层。
20、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述通孔的孔径 由所述第一预刻蚀确定。
全文摘要
本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤提供衬底，且所述衬底上具有介质层；利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀，去除未被所述掩膜保护的所述介质层的一部分；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。采用本发明的通孔形成方法，可以在保持较小孔径的情况下，形成质量较好的通孔。
文档编号H01L21/311GK101312149SQ200710040980
公开日2008年11月26日 申请日期2007年5月21日 优先权日2007年5月21日
发明者乒 刘, 武 孙, 沈满华, 王新鹏 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司