专利名称：具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管芯片封装结构及其制造方法，尤其涉及一种具有厚导脚(thickness guiding pin)并且不需要弯折导脚的发光二极管芯片 封装结构及其制造方法。
背景技术：
请参阅图1所示，其为公知直立式发光二极管芯片封装结构的剖面示意 图。由图中可知，公知的直立式发光二极管芯片封装结构包括绝缘基底la、 导电架2a、发光二极管芯片3a及荧光胶体4a。其中，该导电架2a具有二个分别沿该绝缘基底la的两相反侧边弯折两 次的导电管脚20a、 21a，以使所述导电管脚20a、 21a的下端面可与电路板 5a产生电接触，并且该导电管脚20a、 21a分别具有正电极区域200a及负电 极区域210a。再者，该发光二极管芯片3a具有正电极端300a及负电极端310a，并且 该发光二极管芯片3a直接设置在该导电管脚20a上，以使该正电极端300a 直接与该导电管脚20a的正电极区域200a产生电接触，而该发光二极管芯片 3a的负电极端310a通过导线6a与该导电管脚21a的负电极区域210a产生 电连接。最后，该荧光胶体4a覆盖在该发光二极管芯片3a上，以保护该发光二 极管芯片3a。由此，公知的直立式发光二极管芯片封装结构可产生向上投光 (如箭头所示)的发光效果。然而，上述直立式发光二极管芯片封装结构仍有下列几个缺点1、 所述导电管脚(20a、 21a)必须经过弯折才能与电路板(5a)产生接 触，因此增加制造工艺的复杂度。2、 由于所述导电管脚(20a、 21a)的厚度太薄，因此散热面积过小，而 无法达到高散热的优点。3、由于所述导电管脚(20a、 21a)的厚度太薄，因此无法提高电源的供 应量，而使得该发光二极管芯片(3a)无法产生较好的发光效果。由上可知，目前公知不管是直立式或侧式的发光二极管芯片封装结构， 显然具有不便与缺点存在，而需加以改善。发明内容鉴于上述现有技术的不足，提出本发明。本发明所要解决的技术问 题，在于提供一种具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封 装结构及其制造方法。因此本发明具有下列优点-1. 本发明的厚导脚不需经过弯折，而能直接与电路板产生接触，因此本 发明能简化制造工艺的复杂度。2. 由于采用厚导脚，因此本发明可增加散热面积，而达到高散热的优点。3. 由于采用厚导脚，因此本发明可提高电源的供应量，而使得发光二极 管芯片可产生较好的发光效果。为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有厚 导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其包 括首先，提供金属基材，其具有多个延伸出且悬空(suspended)的导电脚， 并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；接着，通过绝缘壳体包覆所述导电脚 的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽(injection concave groove);然后，承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每 一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；接下来， 将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；最后，切割 所述导电脚，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出来的。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚的表面电镀一层电镀保护层。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中每 一个导电脚的厚度界于0.4-3 mm之间。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外 露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其包 括首先，提供金属基材，其具有多个延伸出且两端固定(two sides fixed) 的导电脚，并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；接着，通过绝缘壳体包覆 所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹 槽；然后，承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每一个发光二极 管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；接下来，将封装胶体填 充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；最后，切割所述导电脚， 以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出来的。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚的表面电镀一层电镀保护层。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中每 一个导电脚的厚度界于0.4~3 mm之间。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外 露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有厚 导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其包括首先，提供金属基材，其具有多个延伸出且悬空(suspended)的导电脚 及多个延伸出且连接于每二个导电脚之间的加强肋，并且每一个导电脚的下 表面具有凹槽；接着，通过绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于 曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽；然后，承载多个发光二极管芯片 于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于 不同的导电脚；接下来，将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光 二极管芯片；最后，切割所述导电脚及所述加强肋，以完成该具有厚导脚的 发光二极管芯片封装结构的制作。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出来的。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 金属基材及所述导电脚的表面电镀了 一层电镀保护层。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中每 一个导电脚的厚度界于0.4-3 mm之间。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外 露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该 封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有厚 导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构，其包括多个导 电脚、绝缘壳体、多个发光二极管芯片、及封装胶体。其中，所述导电脚彼 此分离。该绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导 电脚的上表面的射出凹槽。所述发光二极管芯片分别设置在该射出凹槽内， 并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚。该 封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其中该金属基材及 所述导电脚的表面电镀了 一层电镀保护层。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其中每一个导电脚的厚度界于0.4-3 mm之间。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其中该绝缘壳体填 充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外露于该绝缘 壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其中该封装胶体的 材质为环氧树脂或硅胶材料。本发明能简化制造工艺的复杂度、增加散热面积、以及提高电源的供应 量，从而使发光二极管芯片产生较好的发光效果。为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功 效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，本发明的目的、特征与特点 由此可以得到具体的了解，然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对 本发明加以限制。
图1为公知直立式发光二极管芯片封装结构的剖面示意图； 图2为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封 装结构的制造方法的第一实施例的流程图；图3为本发明第一实施例的金属基材的立体示意图； 图4为本发明第一实施例的金属基材的府视图； 图5为图3的5-5剖视图；图6为本发明第一实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图； 图7为本发明第一实施例的发光二极管芯片电连接于导电脚的立体示意图；图8为本发明第一实施例的发光二极管芯片的第一种设置方式的侧视示 意图；图9为本发明第一实施例的封装胶体填充于射出凹槽内的立体示意图；图10为本发明第一实施例的所述导电脚被切除后的立体示意图；图11为本发明第一实施例的所述导电脚被切除后的另一角度立体示意图；图12为本发明第一实施例的发光二极管芯片的第二种设置方式的侧视 示意图；图13为本发明第一实施例的发光二极管芯片的第三种设置方式的侧视 示意图；图14为本发明发光二极管芯片的第四种设置方式的侧视示意图；图15为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法的第二实施例的流程图；图16为本发明第二实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图; 图17为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法的第三实施例的流程图；图18为本发明第三实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图 图19为本发明第一实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图 图20为本发明第二实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图以及图21为本发明第三实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图。 其中，附图标记说明如下 现有技术的附图标记la绝缘基底20a、 21a导电管脚2a导电架3a发光二极管芯片200a 210a 300a 310a正电极区域 负电极区域 正电极端 负电极端荧光胶体 电路板4a本发明的附图标记 1IIIII11001101凹槽正极导电部 负极导电部2 绝缘壳体4r发光二极管芯片封装胶体 金属基材2' 绝缘壳体3'发光二极管芯片 4'导线r 金属基材2" 绝缘壳体3" 发光二极管芯片 4" 锡球110 电镀保护层20 射出凹槽21 非导电区域 30、 31正、负电极端11' 导电脚111' 凹槽20' 射出凹槽21' 非导电区域 30'、 31'正、负电极端11" 导电脚111" 凹槽1100" 正极导电部1101" 负极导电部12" 加强助20" 射出凹槽21" 非导电区域 30"、 31"正、负电极端具体实施方式
请参阅图2至图5所示，其分别为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法的第一实施例的流程图、本发明 第一实施例的金属基材的立体示意图、本发明第一实施例的金属基材的俯视 图、以及图3的5-5剖视图。由图2的流程图中可知，本发明第一实施例所提供的具有厚导脚 (thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其包括 首先，配合图3所示，提供金属基材1，其具有多个延伸出且悬空(suspended)的导电脚11，并且每一个导电脚11的下表面具有凹槽111 (S100)，其中 该凹槽111为半蚀刻凹槽(halfetchingconcave groove)。其中，该金属基材 1及所述导电脚11通过蚀刻(etching)技术、冲压(punching)或任何成形 方式成形出来。再者，通过电镀的方式，该金属基材1及所述导电脚11的 表面形成一层电镀保护层110。此外，每一个导电脚11的厚度界于0.4~3 mm 之间，因此每一个导电脚ll具有界于0.4 3mm的厚度。当然，每一个导电 脚11的厚度亦可随着使用者的需求，而设计成超过0.4mm以上的厚度。然后，请参阅图6所示，其为本发明第一实施例的金属基材与绝缘壳体 相结合的立体示意图。由图6可知，该步骤S100之后，通过绝缘壳体2包 覆所述导电脚11的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚11的上表面的 射出凹槽20 (S102)。其中，该绝缘壳体2填充于所述导电脚11之间的非 导电区域21。此外，在该步骤S102中，该绝缘壳体2可通过射出成形(Injectkm molding)或任何的成形方式，包覆所述导电脚ll的下表面。请参阅图7及图8所示，其分别为本发明第一实施例的发光二极管芯片 电连接于导电脚的立体示意图、及本发明第一实施例的发光二极管芯片的第 一种设置方式的侧视示意图。由图7及图8可知，该步骤S102之后，承载 多个发光二极管芯片3于该射出凹槽20内，并且每一个发光二极管芯片3 的正、负电极端30、 31分别电连接于不同的导电脚11 (S104)。也就是说，该发光二极管芯片3的正、负电极端30、 31分别设置于每 一个发光二极管芯片3的下表面与上表面，并且每一个发光二极管芯片3选 择性地设置于相对应的正极导电部1100上，以使每一个发光二极管芯片3 的正电极端30直接电连接于相对应的正极导电部1100，并且每一个发光二 极管芯片3的负电极端31则通过导线4而电连接于相对应的负极导电部 1101。紧接着，请参阅图9所示，其为本发明第一实施例的封装胶体填充于射 出凹槽内的立体示意图。由图9可知，该步骤S104之后，将封装胶体5填 充于该射出凹槽20内，以覆盖所述发光二极管芯片3 (S106)。其中，该封 装胶体5的材质可为环氧树脂(epoxy)或硅胶(silicone)材料。最后，请参阅图10至图11所示，其分别为本发明第一实施例的所述导 电脚被切除后的立体示意图、及本发明第一实施例的所述导电脚被切除后的另一角度立体示意图。由图10及图11可知，该步骤S106之后，切割所述 导电脚ll，以完成该具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片 封装结构的制作(S108)。其中，每一个导电脚11的两端外露于该绝缘壳 体2的两侧，以利于后续的焊锡步骤。请参阅图12所示，其为本发明第一实施例的发光二极管芯片的第二种 设置方式的侧视示意图。由图中可知，该发光二极管芯片3的正、负电极端 30、 31分别设置在每一个发光二极管芯片3的下表面与上表面，并且每一个 发光二极管芯片3依序地设置在相对应的正极导电部1100'上，以使每一个 发光二极管芯片3的正电极端30直接电连接于相对应的正极导电部1100', 并且每一个发光二极管芯片3的负电极端31则通过导线4而电连接于相对应的负极导电部iior。请参阅图13所示，其为本发明第一实施例的发光二极管芯片的第三种 设置方式的侧视示意图。由图中可知，该绝缘壳体2还进一步包括多个分 别成形于每两个导电脚11之间的非导电区域21'。再者，该发光二极管芯片 3'的正、负电极端30'、 31'分别设置于每一个发光二极管芯片3'的上表面，并 且每一个发光二极管芯片3'间隔地(separately)设置在每一个非导电区域21' 上；由此，通过打线(wire-bounding)的方式，使得每一个发光二极管芯片 3'的正、负电极端30'、 31'分别通过两导线4'而电连接于相邻的正极导电部 1100'及负极导电部1101'。请参阅图14所示，其为本发明发光二极管芯片的第四种设置方式的侧 视示意图。由图中可知，该发光二极管芯片3"的正、负电极端30"、 31"分别 设置在每一个发光二极管芯片3"的下表面，并且每一个发光二极管芯片3' 横跨相对应的非导电区域21";由此，通过覆晶(flip-chip)的方式，使得每 一个发光二极管芯片3"的正、负电极端30"、 31"分别通过多个相对应的锡球 4"而电连接于相邻的正极导电部1100"及负极导电部1101"。请参阅图15及图16所示，其分别为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法的第二实施例的流程图、及第二 实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图。由图15的流程图中可 知，本发明第二实施例所提供的具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光 二极管芯片封装结构的制造方法，其包括首先，配合图16所示，提供金属基材l',其具有多个延伸出且两端固定(two sides fixed)的导电脚11'，并且每一个导电脚ir的下表面具有凹槽iir (S200)，其中该凹槽iir为半蚀刻凹槽(halfetching concave groove)。接着，通过绝缘壳体2'包覆所述导电脚ir之下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚ir的上表面的射出凹槽20'(S202)。并且，该绝缘壳体2'填充于所述导电脚11'之间的非导电区 域21'。接下来，与第一实施例的步骤S104及S108相同，承载多个发光二极管 芯片(图未示)于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极 端分别电连接于不同的导电脚11' (S204)。然后，将封装胶体(图未示) 填充于该射出凹槽20'内，以覆盖所述发光二极管芯片(S206)。最后，切割所述导电脚ir，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作(S208)。请参阅图17及图18所示，其分别为本发明具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法的第三实施例的流程图、及第三 实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图。由图17的流程图中可 知，本发明第三实施例所提供的具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光 二极管芯片封装结构的制造方法，其包括首先，配合图18所示，提供金 属基材l"，其具有多个延伸出且悬空(suspended)的导电脚ll"及多个延伸 出且连接于每两个导电脚ll"之间的加强肋12"，并且每一个导电脚ll"的下 表面具有凹槽Hi" (S300),其中该凹槽lll"为半蚀刻凹槽(halfetching concave groove)。然后，通过绝缘壳体2"包覆所述导电脚1 l"的下表面，以 形成用于曝露出每一个导电脚11"的上表面的射出凹槽20" (S302)。并且， 该绝缘壳体2"填充于所述导电脚ll"之间的非导电区域21"。接下来，与第二实施例的步骤S204及S206相同，承载多个发光二极管 芯片(图未示)于该射出凹槽20"内，并且每一个发光二极管芯片的正、负 电极端分别电连接于不同的导电脚11" (S304);然后，将一封装胶体(图 未示)填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片(S306)。最后， 切割所述导电脚ll"及所述加强肋12"，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯 片封装结构的制作(S308)。请参阅图19至图21所示，其分别为本发明第一、二、三实施例的金属基材与绝缘壳体相结合的立体示意图。由图19可知，多个第一实施例的具 有金属基材1与导电脚11的金属基材1与绝缘壳体2相结合的结构串联成 三排；此外，由图20可知，多个第二实施例的具有金属基材l'与导电脚ll' 的金属基材1'与绝缘壳体2'相结合的结构串联成三排；并且，由图21可知，多个第三实施例的具有金属基材r与导电脚ir的金属基材r与绝缘壳体2" 相结合的结构串联成三排。由此，上述三种不同实施例的导电脚(ii、 ir、11")与绝缘壳体(2、 2'、 2")的组合可以整片(all-in-one)的方式制造出 来。综上所述，本发明所提供的具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光 二极管芯片封装结构及其制造方法，具有下列优点1. 本发明的厚导脚不需经过弯折，而能直接与电路板产生接触，因此本 发明能简化制造工艺的复杂度。2. 由于采用厚导脚，因此本发明可增加散热面积，而达到高散热的优点。3. 由于采用厚导脚，因此本发明可提高电源的供应量，而使得发光二极 管芯片可产生较好的发光效果。以上所述，仅为本发明的一个最佳的具体实施例的详细说明与附图，但 是本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范围应 以下述的权利要求为准，凡符合本发明权利要求的精神与其类似变化的实施 例，皆应包含于本发明的范围中，任何所属领域技术人员在本发明的领域内， 作出的变化或修饰皆可涵盖在以下本发明的专利范围内。
权利要求
1. 一种具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供金属基材，其具有多个延伸出且悬空的导电脚，并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；通过绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽；承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；以及切割所述导电脚，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作。
2、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出 来的。
3、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚的表面电镀一层电镀保护层。
4、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于每一个导电脚的厚度界于0.4 3mm之间。
5、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。
6、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且 每一个导电脚的两端外露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。
7、 如权利要求1所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。
8、 一种具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在 于，包括下列步骤提供金属基材，其具有多个延伸出且两端固定的导电脚，并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；通过绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电 脚的上表面的射出凹槽；承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片 的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；以及切割所述导电脚，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作。
9、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出 来的。
10、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚的表面电镀一层电镀保护层。
11、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于每一个导电脚的厚度界于0.4 3mm之间。
12、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造 方法，其特征在于该绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。
13、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于该绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。
14、 如权利要求8所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于该封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。
15、 一种具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供金属基材，其具有多个延伸出且悬空的导电脚及多个延伸出且连接 于每两个导电脚之间的加强肋，并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；通过绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电 脚的上表面的射出凹槽；承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片 的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；以及 切割所述导电脚及所述加强肋，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片 封装结构的制作。
16、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制 造方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形 出来的。
17、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制 造方法，其特征在于该金属基材及所述导电脚的表面电镀了一层电镀保护 层。
18、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制 造方法，其特征在于每一个导电脚的厚度界于0.4 3mm之间。
19、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制 造方法，其特征在于该绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。
20、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制 造方法，其特征在于该绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。
21、 如权利要求15所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其特征在于该封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。
22、 一种具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，包括 多个彼此分离的导电脚；绝缘壳体，其包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽；多个发光二极管芯片，其分别设置于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；以及封装胶体，其填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片。
23、 如权利要求22所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其 特征在于该金属基材及所述导电脚的表面电镀了一层电镀保护层。
24、 如权利要求22所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其 特征在于每一个导电脚的厚度界于0.4 3mm之间。
25、 如权利要求22所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其 特征在于该绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导 电脚的两端外露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。
26、 如权利要求22所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构，其 特征在于该封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。
全文摘要
本发明提供一种具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构及其制造方法。其中，具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构包括多个彼此分离的导电脚、绝缘壳体、多个发光二极管芯片及封装胶体。该绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽，并且所述导电脚的两侧延伸出该绝缘壳体的外部；所述发光二极管芯片分别设置在该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；该封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片。本发明能简化制造工艺的复杂度、增加散热面积、以及可提高电源的供应量，从而使发光二极管芯片产生较好的发光效果。
文档编号H01L21/56GK101256963SQ200710084480
公开日2008年9月3日 申请日期2007年3月2日 优先权日2007年3月2日
发明者庄峰辉, 汪秉龙, 黄惠燕 申请人:宏齐科技股份有限公司