点式电镀引线框架的制作方法

文档序号:6880566阅读:107来源:国知局
专利名称:点式电镀引线框架的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种引线框架,特别是一种适宜在三极管上使用的点式电镀 引线框架。
技术背景引线框架是制作生产半导体元件的基本部件,还需在其表面大部分地方电镀 金属层,再利用树脂塑封芯片固定成一整体的半导体元件。现有的TO-126引线框架如图3所示,根据装芯片和焊接连接线的需要,其 电镀区域覆盖了芯片部1和小焊点2的全部面积,电镀成本高。 发明内容本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种点式电镀引线框架,既能在满 足原有封装要求的同时,又增强引线框架与塑封料间的结合力和密封强度,并降 低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为点式电镀引线框架包括由芯 片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,所述的电镀层为在引线框架上呈点状分布。与现有技术相比,本实用新型的优点在于,因引线框架上还需电镀金属层及 用塑封料封装,且引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材料制作,各材料的 热物理性能、热膨胀系数都不相同,尤其电镀层与塑封料的结合力不理想,与其 这样干脆縮小电镀区域的范围,采用点电镀引线框架,仅在小焊点或芯片部进行 点状电镀,相对就增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度,既满足封装要求 又大面积减少了电镀层,减少金属镀层材料的消耗,降低了生产成本又减少了电 镀时带来的有害物质排放污染。

图l、本实用新型双点电镀结构示意图。图2、本实用新型单点电镀结构示意图。图3、现有技术结构及电镀层覆盖示意图(电镀区间L)。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。主体由带通孔的芯片部1,与芯片部1连成整体的中间管脚4和两带小焊点 2且与中间管脚4连接在一起的侧管脚3所组成。电镀金属层,在两側管脚3上端小焊点2的全部区域内进行点状电镀,电镀 层为电镀点5,其形状与小焊点2形状相匹配,电镀点5的大小为完全覆盖着原 有的小焊点2,为对称的双点电镀层,如图1所示。电镀金属层,在芯片部l下端中间需要封装芯片的位置处进行单点电镀,电 镀层为电镀点6,电镀点6为方形,边长在1.8 2.2,范围内,为单点电镀层, 如图2所示。
权利要求1、 一种点式电镀引线框架,包括由芯片部(1)、小焊点(2)、侧管脚(3)、 中间管脚(4)构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,其特征在于所述的电 镀层为在引线框架上呈点状分布。
2、 根据权利要求1所述的点式电镀引线框架,其特征在于所述电镀层为在 引线框架上的两侧管脚(3)上端小焊点(2)的全部区域的电镀点(5),电镀点(5)与小焯点(2)形状相匹配,为对称的双点电镀层。
3、 根据权利要求1所述的点式电镀引线框架,其特征在于所述电镀层为在 芯片部(1)上需要封装芯片地方的方形电镀点(6),为单点电镀层。
专利摘要一种点式电镀引线框架,包括由芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,所述的电镀层为在引线框架上呈点状分布。因引线框架上还需电镀金属层及用塑封料封装,且引线框架、电镀层、塑封料由不同的材料制作,材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同,尤其电镀层与塑封料的结合力不理想。现采用点电镀引线框架,仅在小焊点或芯片部进行双点或单点电镀,既满足封装要求又大面积减少了金属电镀层材料的消耗,降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染,且增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度。
文档编号H01L23/48GK201038156SQ20072010829
公开日2008年3月19日 申请日期2007年4月19日 优先权日2007年4月19日
发明者曹光伟, 段华平 申请人:宁波康强电子股份有限公司
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