专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用了例如发光二极管元件等光源的发光装置。
背景技术：
近年来，作为例如照明器具等发光装置，正在开发使用了发光二极管 等的装置。采用了该发光二极管的发光装置，将发光二极管元件等所发出 的光由荧光材料等变换成波长不同的光，制作出白色光等的输出光。釆用 了这种发光二极管元件等的照明器具等，期待低耗电量化及长寿命化。
专利文献l:(日本)特开2003—282955号公报
上述采用了发光二极管元件等光源的发光装置在期待更普及方面上 重要的是提高发光亮度。关于该发光亮度的提高，光源所发出的光的取出 效率得到提高是重要的。
发明内容
本发明是鉴于这样的课题而构成的，其目的在于，使发光装置的发光 亮度提高。
本发明提供一种发光装置，其包括具有由光反射面及底面构成的开 口部的基体、安装于开口部的底面上的发光元件、覆盖发光元件的透光性 部件、和设于透光性部件上的光学部件。透光性部件与开口部的光反射面
隔开距离且被设于开口部的底面上。
本发明具备自开口部的光反射面隔开距离且被设于开口部的底面上 的透光性部件，由此，将由发光元件发出的光导向光射出方向的效率得到 提高，且发光装置的亮度得到提高。
图1是表示第一实施方式的结构的立体图；图2是表示第一实施方式的结构的平面透视图3是表示第一实施方式的结构的剖面图4是表示第一实施方式的透光性部件3的结构的立体图5是表示第一实施方式的光学功能的剖面图6是表示第一实施方式的透光性部件3的结构的剖面图7是表示第一实施方式的光学特性的剖面图8是表示第一实施方式的制造方法的立体图9是表示第二实施方式的结构的立体图IO是表示第二实施方式的结构的剖面图11是表示第二实施方式的基体21的结构的立体图12是表示第二实施方式的透光性部件23的结构的立体图;
图13是表示第二实施方式的光学部件24的结构的立体图14是表示第二实施方式的光学功能的剖面图15是表示第三实施方式的结构的立体图16是表示第三实施方式的结构的剖面图17是表示第三实施方式的透光性部件33的结构的立体图;
图18是表示第三实施方式的光学部件34的结构的立体图19是表示第三实施方式的光学功能的剖面图20是表示第四实施方式的结构的图21是表示第五实施方式的的结构的立体图22是表示第六实施方式的结构的剖面图23是表示第六实施方式的其它结构的剖面图24是表示第七实施方式的结构的立体图25是表示第八实施方式的结构的立体图。
符号说明
1基体
lr光反射面
lu 底面
lp开口部
2发光元件3透光性部件
4光学部件
5波长变换部件
D光射出方向
具体实施例方式
参照附图详细说明本发明的发光装置的实施方式。 (第一实施方式)
使用图1 图3说明本发明第一实施方式。图1是表示第一实施方式 的发光装置的结构的立体图。图1中，对于发光装置的一部分结构而言， 由于表示发光装置的内部的结构，故省略图示。图2是从图1所示的发光 装置的波长变换部件侧看到的平面透视图。图2中，由虚线表示通过透视 可看到的结构。图3是图2所示的发光装置的A—A'线的剖面图。
本实施方式的发光装置具备基体1、安装于基体1上的发光元件(光 源)2、覆盖发光元件2的透光性部件3、和设于透光性部件3上的光学部 件4。本实施方式的发光装置还具备覆盖发光部件4的波长变换部件(波 长变换装置)5。在此，覆盖光学部件4是指将波长变换部件5设置在自 发光部件4放射的光到达的位置。
本实施方式中，基体1具有由光反射面lr和底面lu构成的开口部lp。 在此，基体1的光反射面lr是将由发光元件2发出的光的至少一部分波长 的光向光射出方向D反射的面。光射出方向D是指从发光装置输出的光 的行进方向，在图1中为上方(假设的xyz坐标中为z轴的正方向)。图l 中，发光装置以安装在假设的xyz坐标中的xy平面的状态表示。在基体l 的表面(底面lu)上，与发光元件2所形成的多个电极对应，设有与该多 个电极电连接的第一及第二连接焊盘。
发光元件2如图4所示，是具有上端2t及侧面2s的发光二极管，其 设于基体l的开口部lp的底部lb。在图l所示的结构中，发光元件2安 装于基体1的开口部lp的底面lu，光至少从侧面2s放射。发光元件2发 出具有210nm 470nm的至少一部分波长的光。
在本实施方式中，发光元件2是具备基板上、n型半导体层、发光层及p型半导体层的发光二极管。在发光元件2的n型半导体层和p型半导 体层分别设有n侧电极、p侧电极。发光元件2按照光至少朝向侧方(与 层叠方向垂直的方向)射出的方式被构成。在此，图1中，发光元件2的 层叠方向为假设的坐标中的z轴方向，发光元件2的侧方是指假设的坐标 中的x轴方向及y轴方向等。
发光元件2例如是ZnO系氧化物半导体发光二极管，发出在230nm 450nm的波长范围具有峰值波长的第一光。作为发光元件2的其它例子， 例如有碳化硅(SiC)系化合物半导体、金刚石系化合物半导体、氮化硼 系化合物半导体等化合物半导体。
本实施方式中，透光性部件3覆盖发光元件2，且从开口部lp的光反 射面lr离开而设于开口部lp的底面lu上。在此，覆盖发光元件2是指覆 盖发光元件2的侧面2s的至少一部分。在图4所示的结构中，透光性部 件3包围发光元件2的侧面ls及上端lt。透光性部件3具有侧面3s和附 着于光学部件4的上表面3u，并具有将自发光元件2的侧面放射的光导向 光射出方向D的功能。透光性部件3的侧面3s是具有将自发光元件2的 侧面2s放射的光通过全反射而导向光射出方向D的功能的光反射装置。
该透光性部件3由硅树脂、环氧树脂、有机无机混合树脂等透光性材 料构成，按照覆盖发光元件2的方式部分地设于基体1的开口部lp的底 部lb。在此，透光性是指由发光元件2发出的光的至少一部分波长可透过。 透光性部件3优选由硅树脂构成。就硅树脂而言，由于与环氧树脂等相比 其耐热性优良，因此可降低由发光元件2产生的热的影响。通过使用耐热 性优良的透光性部件3，来降低光学部件4的热改性(变色等)。
透光性部件3在开口部lp的底部lb按照与发光元件2的侧面2s和 光学部件4的下表面相接的方式设置。即，透光性部件3自基体l的开口 部lp的内周面离开而设置，且将光学部件4的下表面和发光元件2的侧 面2s覆盖。这样的透光性部件3具有将自发光元件2的侧面2s放射的光 导向光学部件4的功能。另外，将透光性部件3的折射率设为nl、将透光 性部件3和基体1的开口部lp的内周面之间的层(图1中为空气层)的 折射率设为n2时，折射率nl、 n2满足nl〉n2的关系。图1中，透光性 部件3的侧面3s与具有比透光性部件3的折射率小的折射率的空间(空气层)相接。
在本实施方式的发光装置中，透光性部件3附着于光学部件4的下表
面和基体1的底面lu这两者上，且介于光学部件4和透光性部件3之间， 透光性部件3的侧面3s形成在从光学部件4的表面至基体1的表面的范 围。本实施方式的发光装置，通过这样的结构来降低将发光元件2从侧方 射出的光导向上方(光射出方向d)时的能量损失。
在此，对透光性部件3的侧面3s的光的反射进行说明。发光元件2 从侧面2s射出的光如图4、 5所示，由透光性部件3的侧面3a反射而朝光 学部件4的下表面(光学部件4的发光元件2侧的面)行进。之后，进入 光学部件4的内部的光自光学部件4的上表面4u(光学部件4的光射出方 向D侧的面)进入开口部lp的上部，向发光装置的外部放射。
在现有的发光装置的结构中，发光元件的侧方所射出的光中的、由光 反射面反射时由该光反射面吸收了的光，在本实施方式中，如上所述，在 透光性部件3与透光性部件3的外部的界面3s被反射。在此，将现有结 构的光反射面在进行反射光时产生的光损失、和本发明的透光性部件的侧 面3s在光的反射时产生的光损失进行比较，由此，透光性部件3的侧面 3s的光损失较小。因此，本实施方式的发光装置的光输出被提高。特别是 在由发光元件2发出的第一光为紫外线光的情况下，与该第一光为可视光 的情况相比，现有的发光装置的光反射面上的光损失大，但本实施方式的 发光装置在采用发出紫外线光的发光元件的情况下，也可以提高发光亮 度。
在本实施方式中，透光性部件3的侧面3s具有凹面形状。本实施方 式的发光装置中，通过这样的结构，发光元件2从侧方放射的光在透光性 部件3的侧面3s容易产生全反射，从而自发光元件2到光学部件4的光 取出的效率提高。
在本实施方式中，透光性部件3设于发光元件2的上端2t和发光部件 4的下表面之间。如图6所示，设于发光元件2的侧面2s的透光性部件3 的厚度X比设于发光元件2和光学部件4之间的透光性部件3的厚度Y 更厚。通过这样的结构，透光性部件3和光学部件4的接合面积比透光性 部件3的侧面3s的面积大，且自发光元件2射出的光中直接入射到光学
9部件4的光(一次光)的量比透光性部件3的侧面3s反射的光的量多。 因此，自发光元件2发出的光被高效地导向发光装置的光射出方向D，而 使发光装置的亮度提高。在厚度X为厚度Y的2倍以上时，透光性部件3 和光学部件4的接合面积比透光性部件3的侧面3s的面积大。
光学部件4配置于发光元件2的上方(发光装置的光射出方向D)， 例如由树脂、玻璃等透光性材料构成。在此，透光性是指可透过由发光元 件2发出的光的至少一部分的波长。
光学部件4及透光性部件3相对于380nm 830nm的光而言为透明或 半透明。相对于380nm 830nm而言为透明是指380nm 830nm的光的透 射率为80 100%，相对于380nm 830nm而言为半透明是指380nm 830nm的光的透射率为50 80% 。
光学部件4具有将自发光元件2放射且由透光性部件3导光的光向光 射出方向D扩散并放射的功能。在本实施方式中，光学部件4具有平板形 状，是将自发光元件2放射且由透光性部件3导光的光向上方(波长变换 部件5的方向)扩散并放射的部件。作为光学部件4的构成例，有具有凸 型状的上表面且将由发光元件2放射且由透光性部件3导光的光向上方 (波长变换部件5的方向)放射的部件。
光学部件4通过使由发光元件2发出的光扩散并将其导向光射出方向 D，使发光元件2的点发光成为面发光，降低发光装置的发光面的发光不 均。
在本实施方式中，波长变换部5具有薄板形状。波长变换部件5 (波 长变换装置)将由发光元件2发出的光进行波长变换并放射。图l所示的 结构中，波长变换部件5配置于发光元件2的上方，堵塞基板l的开口部 lp。波长变换部件5是在树脂中混入了荧光物质的部件，其具有将自发光 元件2放出的第一光变换成在与第一光的波长范围不同的第二波长范围内 具有峰值波长的第二光并将其输出的功能。
本发明的发光装置是输出白色光的装置，作为发光元件2和荧光物质 的组合有如下结构。在发光元件2发出具有440nm 470nm (蓝色)的至 少一部分波长的第一光时，作为荧光物质，使用放射具有与发光元件2的 发光色持有补色关系的565nm 590nm (黄色)的至少一部分波长的第二光的物质。该荧光物质优选(Y、 Gd) 3 (Al、 Ga) 5012: Ce等。在该发 光元件2和荧光物质的组合的情况下，发光装置发出由发光元件2发出且 透过了波长变换部件5的蓝色光与自波长变换部件5放射的红色光的混合 光即白色光。
作为发光元件2和荧光物质的其它组合，在发光元件2发出具有 440nm 470nm (蓝色)的至少一部分波长的第一光的情况下，作为荧光 物质，使用放射第二光和第三光的物质，该第二光具有520nm 565nm(绿 色)的至少一部分波长；该第三光具有625nm 740nm (红色)的至少一 部分波长。在该发光元件2和荧光物质的组合的情况下，发光装置射出由 发光元件2发出且透过了波长变换部5的蓝色光与自波长变换部件5放射 的绿色光及红色光的混合光即白色光。
作为发光元件2和荧光物质的其它组合，在发光元件2发出具有 210nm 400nm (紫外线)的至少一部分波长的第一光的情况下，作为荧 光物质，使用放射第二光、第三光及第四光的物质，该第二光具有440nm 470nm (蓝色)的至少一部分波长；该第三光具有520nm 565nm (绿色) 的至少一部分波长；该第四光具有625nm 740nm (红色)的至少一部分 波长。在该发光元件2和荧光物质的组合的情况下，发光装置射出自波长 变换部件5放射的蓝色光、绿色光、及红色光的混合光即白色光。
在本实施方式中，发光装置的发光面(波长变换部件5的上表面)相 对于位于光学部件4的发光面侧之面平行地配置。通过这样的结构，自光 学部件4的上表面到发光装置的发光面的距离全体相等，从而，自发光部 件4向光射出方向D放射的光路长度均匀，并且降低发光面的光的强度不 均及色不均。
本实施方式的发光装置为通过透光性部件3的侧面3s的光全反射而 将由发光元件2发出的光导向上方的结构，由此，其具有相对于发光面5u 的光轴(中心轴)C为30度 70度的半值角e。在此，半值角e是指， 如图7所示，由在假设的照明区域R中发光强度达到峰值的光轴C上的点 A、和在假设的照明区域R中发光强度达到峰值的一半的点B、和发光面 5u的光轴C上的点O构成的角度e 。
在此，使用图8说明本实施方式的发光装置的制造方法。本实施方式的发光装置的制造方法由如下工序(a) (e)构成。图8所示的工序(a ) (e )对应如下说明的工序(a) (e)。
(a) 在基体1的开口部lp的底面lu安装发光元件2。
(b) 在安装有发光元件2的底面lu，通过浇注或喷射从发光元件2 的上方吹附由硅树脂等构成的透光性部件3，由此，通过熔融的透光性部 件3将发光元件2密封。
(c) 在熔融状态的透光性部件3上载置预先成形的由玻璃等构成的 光学部件5。此时，透光性部件3沿光学部件5的下表面润湿扩散，从而 透光性部件3的侧面成为凹面形状。
(d) 将透光性部件3加热或干燥而使其硬化。
(e) 在基体1的开口部lp设置波长变换部件5。
在此，在工序(b)中，也可以在底面lu设有将透光性部件3浇铸成 形为所希望的形状的框部件，并在该框部件的内侧填充熔融了的透光性部 件3。
(第二实施方式)
对本发明第二实施方式进行说明。图9是表示第二实施方式的发光装 置的结构的立体图。图IO是表示本实施方式的发光装置的结构的剖面图。 图11是表示本实施方式的基体21的结构的立体图。图12,是表示本实施 方式的透光性部件23的结构的立体图。图13是表示本发明实施方式的光 学部件24的结构的立体图。
本实施方式的发光装置具备基体21、安装于基体21上的发光元件 (光源)22、覆盖发光元件22的透光性部件23、设于透光性部件23上的 光学部件24。本实施方式的发光装置还具备覆盖光学部件24的波长变换 部件(波长变换装置)25。在此，覆盖光学部件24是指将波长变换部件 25设置在自发光部件24放射的光到达的位置。
基体21如图11所示，具有由光反射面21r及底面lu构成的开口部 21p。在此，基体21的光反射面2r是将由发光元件22发出的光的至少一 部分波长的光向光射出方向D反射的面。光射出方向D是自发光装置输 出的光的行进方向，图9中为上方(假设的xyz坐标中为z轴的正方向)。 图9中，发光装置以被安装在假设的xyz坐标中的xy平面的状态表示。
12发光元件22如图12所示，与第一实施方式的结构相同，安装于基体 21的开口部21p的底面21u上，至少从侧面放射出光。透光性部件23如 图12所示，与第一实施方式的结构相同，覆盖发光元件22，且自开口部 21p的光反射面21r离开并被设于开口部21p的底面21u上。在此，覆盖 发光元件22是指覆盖发光元件22的侧面的至少一部分。图12所示的结 构中，透光性部件23包围发光元件22的侧面及上端。透光性部件23具 有侧面和附着于光学部件24的上表面，且具有将自发光元件22的侧面放 射的光导向光射出方向D的功能。透光性部件23的侧面是具有通过全反 射将自发光元件22的侧面放射的光导向光射出方向D的功能的光反射单 元(光反射部件)。透光性部件23的侧面与具有比透光性部件23的折射 率小的折射率的空间(空气层)相接。
光学部件24如图13所示，与第一实施方式的结构相同，被配置于发 光元件22的上方(发光装置的光射出方向D)。在此，透光性是指可透过 由发光元件2发出的光的至少一部分波长。光学部件24具有将自发光元 件22放射且由透光性部件23导光的光向光射出方向D扩散并放射的功 能。
在本实施方式中，光学部件24具有圆顶(dome)形状的上表面，将 由发光元件22放射且由透光性部件23导光的光向波长变换部件25放射。 在本实施方式中，光学部件24附着于透光性部件23上，并被载置于基体 21的表面。光学部件24将由发光元件22发出的光扩散并导向波长变换部 件25，使得发光元件22的点发光成为面发光，并且降低发光元件的发光 面上的发光不均。
本实施方式中，波长变换部件25具有圆顶形状，附着于透光性部件 24的上表面。该波长变换部件25将由发光元件22发出且由透光性部件 24导光的光进行波长变换并将其放射。发光元件22的光学特性及波长变 换部件25的荧光物质的例子与第一实施方式的相同。
在此，使用图14说明本实施方式的发光装置的功能。自发光元件22 的侧面放射的光在透光性部件23的侧面被全反射并被导向光学部件24。 被导向光学部件24的光通过光学部件24向波长变换部件25放射。被放 射到波长变换部件25的光通过波长变换部件25被变换成不同的波长并放射到发光装置的外部。
这样，本实施方式的发光装置中，通过透光性部件23的内部与外部 的折射率差所引起的光的全反射，将由发光元件22发出的光导向光学部
件24，由此提高光自发光元件22到波长变换部件25的取出效率，提高发
光亮度。
本实施方式的发光装置中，由于光学部件24还具有圆顶形状的上表 面，从而可降低导向波长变换部件25的光的量度不均，且降低发光色的 不均。
(第三实施方式)
对本发明第三实施方式进行说明。图15是表示第三实施方式的发光 装置的结构的立体图。图16是表示本实施方式的发光装置的结构的剖面 图。图17是表示本实施方式的透光性部件33的结构的立体图。图18是 表示本实施方式的光学部件34的结构的立体图。
本实施方式的发光装置具备基体31、安装于基体31上的发光元件 (光源)32、覆盖发光元件32的透光性部件34、设于透光性部件34上的 光学部件35。本实施方式的发光装置还具备覆盖透光性部件33及光学部 件34的波长变换部件35。在此，覆盖透光性部件33是指在由发光元件 33发出且透过了透光性部件33的光到达的位置设有波长变换部件35。覆 盖光学部件34是指在自光学部件34放射的光到达的位置设置有波长变换 部件35。
本实施方式的结构中，与第二实施方式的结构不同之处在于，波长变 换部件35设于与搭载有发光元件32的基体31的表面(上表面31u)相同 的面上。本实施方式的其它结构与第二实施方式的结构相同。
透光性部件33覆盖发光元件32并设于基体31的上表面31u上。在 此，覆盖发光元件32是指覆盖发光元件32的侧面的至少一部分。图17 所示的结构中，透光性部件33包围发光元件32的侧面及上端。透光性部 件33具有通过全反射将自发光元件32的侧面放射的光导向光学部件34 的侧面、和附着于光学部件34上的上表面。
光学部件34在自基体31的上表面31u浮起了透光性部件33的厚度 H的状态下附着于透光性部件33的上表面。光学部件34具有圆顶形状的上表面。
波长变换部件35经由在其与透光性部件33之间具有比透光性部件33 的折射率小的折射率的透光性层36来包围透光性部件33。在此，包围透 光性部件33是指在由发光元件32发出且透过了透光性部件33的光到达 的位置设置有波长变换部件35。图19所示的结构中，透光性层36是空气 层。在此，层36的透光性是指可透过由发光元件32发出的光的至少一部 分波长。作为透光性层36的其它例，还有由持有比透光性部件33的折射 率小的折射率的树脂材料构成的层。
本实施方式的发光装置如图19所示，通过将自发光元件放射的光在 透光性部件33的侧面反射并导向光学部件34，提高光自发光元件32到波 长变换部件35的取出效率，提高发光亮度。
本实施方式的发光装置构成如下，即，将由发光元件32发出的光经 由透光性部件33导向光学部件34，并自光学部件34放射到波长变换部件 35，由此，与由发光元件发出的光直接到达波长变换部件的结构相比，降 低了发光的色不均。 (第四实施方式)
对本发明第四实施方式进行说明。图20 (a)是表示本发明的发光装 置的第四实施方式的光学部件的结构的剖面图。该发光装置与第一实施方 式所示的装置的不同点在于，光学部件44的外周部位于比透光性部件3 更靠外侧。即，在图20 (b)所示的发光装置的平面透视(自发光装置的 发光面侧的透视)中，光学部件44的外缘位于比透光性部件3的外缘更 靠外侧。
本实施方式中，可降低透光性部件3爬上光学部件44的上表面。因 此，光学部件44难以倾斜，可降低发光装置的发光面上的光的强度不均。 (第五实施方式)
对本发明第五实施方式进行说明。图20是表示本发明第五实施方式 的光学部件的立体图。该发光装置与第一实施方式所示的发光装置不同点 在于，在光学部件54的上表面的中央部设有突出部57。即，本实施方式 的发光装置中，光学部件54的中央区域的厚度形成为比外周区域的厚度 更厚。其它结构与第一实施方式的相同。说明书第12/13页
在本实施方式中，例如即使未硬化的透光性部件3爬上光学部件54
的上表面，透光性部件3也难以包覆于光学部件54的光射出面即突出部 57上。因此，在光学部件54的光射出面上，可降低透光性部件3包覆所 引起的光的吸收，提高发光亮度。 (第六实施方式)
对本发明第六实施方式进行说明。图22是表示本发明的发光装置的 第四实施方式的光学部件的剖面图。该发光装置中，在光学部件64的发 光元件2侧的面(图22中为光学部件64的下表面)形成有透光性的保护 膜68。
作为这样的保护膜68，使用无机绝缘膜(SiN膜、SiNO膜等)、以碳 为主成分的薄膜(DLC膜、CN膜、无定形碳膜)、金属氧化物膜(W02、 CaF2、八1203等)。特别是在使用SiN膜时，可保护发光元件2不受水分影 响，从而发光装置的动作可靠性提高。
另外，图22中，表示了只是光学部件64的下表面被保护膜68覆盖 的结构，但作为其它结构，如图23所示，有保护膜68将光学部件64的 下表面和透光性部件3的侧方覆盖的结构。通过这样的结构，进一步降低 水分对发光元件2造成的影响。图23中使用的保护膜68使用在透光性部 件3的侧面或保护膜68的表面将自发光元件2的侧面射出的光全反射的 材料。
(第七实施方式)
对本发明第七实施方式进行说明。图24是表示本发明的发光装置的 第七实施方式的基体71的结构的图。该发光装置中，在基体71的设有透 光性部件3的区域设置有凹部73。图24中，在位于接合了透光性部件3 的区域的外周的基体71的表面形成有凹部73。通过这样的结构，降低基 体71的表面上的透光性部件3的润湿扩散。因此，可将透光性部件3的 形状作成所希望的形状，提高发光亮度。凹部73的截面形状为矩形。凹 部73的截面形状的其它例子为曲面形状。由于为这样的曲面形状，从而 流入到凹部73的透光性部件3沿凹部73的内面进行充填，从而降低巻入 的气泡(气体)的量。由此，基体71和透光性部件3难以产生剥离。 (第八实施方式)对本发明第八实施方式进行说明。图25是表示本发明的发光装置的 第十实施方式的结构的图。在基体1的开口部的内周面和第一透光性部件
3之间，设有覆盖第一透光性部件3的侧面且折射率比第一透光性部件3 低的第二透光性部件86。
在本实施方式中，将第一透光性部件3的折射率设为nl、第二透光性 部件86的折射率设为n3、第二透光性部件86和开口部的内周面的间隙的 折射率设为n2时，折射率nl、 n2、 n3满足nl >n3>n2的关系。
第二透光性部件86及第一透光性部件3都附着于光学部件4的下表 面，通过这样的结构，本实施方式的发光装置中，不由第一透光性部件3 的侧面反射而透过了第一透光性部件3的光，在第二透光性部件86的侧 面被反射并被导向光学部件4。
权利要求
1、一种发光装置，其特征在于，具备基体，其具有由光反射面及底面构成的开口部；发光元件，其安装于所述开口部的所述底面上；透光性部件，其覆盖所述发光元件，并与所述开口部的所述光反射面隔开距离，且被设于所述开口部的所述底面上；和光学部件，其设于所述透光性部件上。
2、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述透光性部件 包围所述发光元件的侧面及上端。
3、 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述透光性部件 具有比所述发光元件的所述上端侧的厚度大的所述发光元件的所述侧面 侧的厚度。
4、 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，自所述发光元件 的侧面放射的光介由所述透光性部件向光射出方向行进。
5、 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述透光性部件 具有侧面、和附着于所述光学部件上的上表面。
6、 根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述透光性部件 的所述侧面通过全反射将自所述发光元件的所述侧面放射的光导向光射 出方向。
7、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还具备覆盖所述 光学部件的波长变换部件。
8、 根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述波长变换部 件将由所述光学部件扩散并放射的光进行波长变换并放射。
9、 根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述波长变换部 件具有薄板形状。
10、 根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述波长变换部 件具有圆顶形状。
11、 根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述光学部件 具有附着于所述波长变换部件的圆顶形状的上表面。
12、 一种发光装置，其特征在于，具备 基体；发光元件，其安装于所述基体上；透光性部件，其覆盖所述发光元件，且其被设于所述基体上，； 光学部件，其设于所述透光性部件上；和波长变换部件，其覆盖所述光学部件及所述透光性部件，且其被设于 所述基体上，该波长变换部件经由在其与所述透光性部件之间具有比所述透光性 部件的折射率小的折射率的透光性层来包围所述透光性部件。
13、 根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于， 所述波长变换部件具有圆顶形状，所述光学部件具有粘接在所述波长变换部件上的圆顶形状的上表面。
14、 根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述透光性层是空气层。
15、 根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述透光性层 由树脂材料构成。
16、 一种发光装置，其特征在于，具备-光源；光反射单元，其通过全反射将所述光源所放射的光导向光射出方向；和光学单元，其将由所述光反射单元导光的光进行扩散并放射。
17、 根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于， 所述光源发出具有210nm 470nm的至少一部分波长的光。
18、 根据权利要求17所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还 具备将自所述光学装置放射的光进行波长变换并进行放射的波长变换单 元。
19、 根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述波长变换 单元将所述光源所发出的光中的一部分光进行波长变换使其为565nm 590nm的至少一部分波长。
20、 根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述波长变换单元放射具有520nm 565nm的至少一部分波长的光、和具有625nm 740nm的至少一部分波长的光。
全文摘要
本发明提供一种发光装置，其中，发光装置的发光亮度得到提高。该发光装置包括具有由光反射面(1r)及底面(1u)构成的开口部(1p)的基体(1)、安装于开口部(1p)的底面(1u)上的发光元件(2)、覆盖发光元件(2)的透光性部件(3)、和设于透光性部件(3)上的光学部件(4)构成。透光性部件(3)自开口部(1p)的光反射面(1r)离开，且被设于开口部(1p)的底面(1u)上。
文档编号H01L33/60GK101410993SQ20078001067
公开日2009年4月15日 申请日期2007年3月28日 优先权日2006年3月28日
发明者三宅彻, 作本大辅, 形部浩介, 松浦真吾, 森裕树, 田渊智也 申请人:京瓷株式会社