专利名称：：高精密电容器结构及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种高精密电容器结构及其制造方法，特别是一种易于调整电容值的高精密电容器结构及其制造方法。
背景技术：
：电容器以静电的形式储存和释放电能，其构成原理是在两极导电物质之间以介质隔离，并将电能储存其间，其主要的作用是储存电荷，或者用作旁路、滤波、调谐、震荡等功能，因此，其对于每种电器、信息、通讯产品都是不可或缺的。而各种电容器由于不同的介质导电性以及物理性的不同因，而产生不同的电气特性，其功能及应用范围也有所差异。近年来，科技发展日新月异，各类电子产品日益普遍，所以需要应用大量高精度的电容器，如已知的单层式陶瓷电容器(single-walledceramiccapacitor)是以陶瓷作为介电物质，其是在陶瓷基体的两面喷涂金属，然后烧制成金属薄膜作为电极，然后电极表面焊上引线(wire)以作为可与电路板电性连接的输出入端子。例如，液晶显示器的电源供应器必须使用高精度的单层式电容器，其工作在100伏特至5000伏特之间的交流电压，电容值在数微微法拉(pF)至数十微微法拉之间，且其误差必须等于或小于±1%。在已知电容器的制造方法中，不易掌握电容值的精密度，一般的误差值约为±5%，如果需要低于±5%，则往往需要在制造完成后再利用筛选(sorting)的方法选出符合规格的电容器，因此产品的交货期不易控制，而且容易造成材料浪费，使得产品成本不易降低。
发明内容为解决上述问题，本发明的发明目的之一是提供一种高精密电容器制造方法，该方法包含电极面截断步骤，若所得的电容器的电容值大于一设定电容值，则在电容器的电极层形成绝缘的截断区域以减少电极的有效面积，由此调整电容值，以提供电路设计的准确的容抗值，有效提高产品产量、避免浪费材料以及降低产品成本。本发明的发明目的之一是提供一种高精密电容器结构，其中，在电极层形成沟槽以截断电极层，由此减少电极的有效面积，进而改变电容值。为了达到上述目的，根据本发明的一个实施例的高精密电容器结构，包括介质层，该介质层具有上表面以及下表面；二个电极层，其分别设置于所述介质层的上表面以及下表面，该电极层设置有沟槽，使得电极层具有不导电的截断区域；以及至少二条引线，其分别电连接至介质层的上表面以及下表面的电极层。为了达到上述目的，根据本发明实施例的高精密电容器方法包括提供介质层，其中该介质层的上表面以及下表面分别具有电极层；组合步骤，分别将引线焊接到所述上表面以及下表面的电极层；电容值测量步骤，测量电容器的电容值；以及电极面截断步骤，若在电容值测量步骤所得的电容值大于一设定电容值，则在上表面或下表面的电极层形成沟槽，使上表面或下表面的电极层具有不导电的截断区域。图1示出根据本发明实施例电容器结构。图2a至图2c示出根据本发明实施例的高精密电容器制造方法。图3示出根据本发明实施例的高精密电容器制造方法的制造流程图。图4示出根据本发明实施例的高精密电容器封装结构的立体图。图中符号说明:<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>具体实施例方式图1所示为根据本发明实施例的高精密电容器结构，其包括介质层10、电极层12a、12b及引线14、16、沟槽18，其中介质层10具有上表面10a以及下表面10b;两个电极层12a、12b分别设置于介质层10的上表面10a和下表面10b，电极层12a设置有沟槽18，使电极层12a具有不导电的截断区域20;及至少二个引线14、16，其分别电连接到介质层10的上表面10a以及下表面10b的电极层12a、12b。根据上述结构，电极层的沟槽的设置位置还需要依照测量电容值之后，经计算电极层有效面积的大小，决定其截断区域的面积，以将测量电容值调整至目标电容值。图2a至图2c所示为根据本发明一实施例的高精密电容器制造方法，而图3所示为根据本发明一实施例的高精密电容器制造方法的制造流程图。请分别参阅图2a及图3所示，高精密电容器制造方法为首先，提供一介质层10，其中，介质层10的一上表面10a以及一下表面10b分别具有一电极层12a、12b(Sl);接着，如图2b及图3所示，执进行一组合步骤，分别焊接将引线14、16焊接到于上表面10a以及下表面10b的电极层12a、12b(S2)，例如焊锡；接下来，如图3所示，执行一电容值量测测量步骤，量测测量电容器的电容值(S3);下一步，如图2c所示(请一并参阅图3)，执行一电极面截断步骤，若在电容值量测测量步骤中所得的电容值大于一设定电容值，则在于上表面10a或下表面10b的电极层12a、12b形成沟槽18，使上表面10a或下表面10b的电极层12a、12b具有不导电的截断区域20(S4)，例如激光切割器30可发出激光光la，以截断电极层12a、12b;而完成切割后的电容器，则可参阅图1所示。根据本发明的原理，由于电容器的电容值是由电极层交集的有效面积所决定，所以先测量电容器的初始电容值，若初始电容值大于设定电容值，在计算并决定欲截断的电极面积后，截断部分电极层，使得电极层交集的有效面积减少，以调整电容值。在较佳的实施例中，沟槽可以通过激光、放电加工或蚀刻所制成，以精确第形成沟槽；另外，电极层的材料可以是银，而介质层的材料可以是陶瓷。另外，电容器经电极面截断步骤后，可重复电容值测量步骤，由此判定截断步骤后的电容值是否在设定范围内。在较佳的实施例中，高精密电容器制造方法还包含封装步骤，其封装步骤为首先，将介质层、电极层及部分引线设置在壳体中；接着，利用封胶体包覆介质层、电极层及部分引线。封胶体的材料可以是环氧树脂(epoxy)，而壳体的材料可以是塑料。图4所示为根据上述封装方法的电容器封装结构的立体图，说明电容器结构及其部分引线44a、44b在壳体42中，并利用封胶体40灌入壳体42内并包覆电容器结构及部分引线44a、44b。综合上述，本发明的高精密电容器制造方法，包含电极面截断步骤，若所得的电容值大于一设定电容值，则电容器的电极可截断，以形成无效的截断区域，由此减少电极的有效面积，调整电容值至某一误差范围内，例如，可调整电容值在±1%的误差范围，以提供电路设计的准确的容抗值，有效地提高产品产量、避免浪费材料以及降低产品成本。如上所述的实施例仅仅是为了说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域技术人员能够了解本发明的内容并据以实施；而不是用于限定本发明的专利范围，即，所有根据本发明所公开的精神所作的等效变化或修改，仍应被涵盖在本发明的专利范围之内。权利要求1.一种高精密电容器结构，其特征在于，包括介质层，该介质层具有上表面以及下表面；二个电极层，其分别设置于该介质层的上表面以及下表面，该电极层设有沟槽，使该电极层具有不导电的截断区域；及至少二根引线，其分别电连接到该介质层的上表面以及下表面的电极层。2.如权利要求1所述的高精密电容器结构，其特征在于，高精密电容器结构还包括封装结构，该封装结构包括壳体，该壳体收纳所述介质层、电极层以及引线的一部分；及封胶体，其密封所述壳体内的所述介质层、电极层及引线的一部分。3.如权利要求2所述的高精密电容器结构，其特征在于，所述封胶体的材料是环氧树脂。4.如权利要求2所述的高精密电容器结构，其特征在于，所述壳体的材料是塑料。5.—种高精密电容器制造方法，其特征在于，包括提供介质层，其中，该介质层的上表面以及下表面分别具有电极层；组合步骤，分别将引线焊接到所述上表面以及下表面的电极层；电容值测量步骤，测量该电容器的电容值；以及电极面截断步骤，如果所述电容值测量步骤中所得的电容值大于一设定电容值，则在所述上表面或下表面的电极层形成沟槽，使该上表面或该下表面的该电极层具有不导电的截断区域。6.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述沟槽是通过选自激光、放电加工或蚀刻中的一种方法所制成的。7.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述电极面截断步骤后，重复所述电容值测量步骤，由此获得所述电极面截断步骤后的电容值。8.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述高精密电容器制造方法还包括封装步骤，其中该封装步骤包含将所述介质层、电极层及引线的一部分放置于壳体中；及以封胶体包覆所述介质层、该电极层及引线的一部分。9.如权利要求8所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述封胶体的材料是环氧树脂。10.如权利要求8所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述壳体的材料是塑料。全文摘要一种高精密电容器制造方法，包含电容值测量步骤，该步骤测量电容器的电容值。若该电容值测量步骤所测得的电容值大于一设定电容值，则进行电极面截断步骤，在电极层形成一沟槽，使电极层形成绝缘的截断区域。本发明能够减少电极的有效面积，调整电容值的误差范围达到±1％，由此有效地提高产品产量、避免浪费材料以及降低产品成本，另外，本发明还公开了一种高精密电容器结构。文档编号H01G4/005GK101582327SQ200810098209公开日2009年11月18日申请日期2008年5月15日优先权日2008年5月15日发明者纪彦玨申请人:兆宥科技股份有限公司