基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置的制作方法

专利名称：基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于清洗基板的基板清洗装置以及具有该基板清洗装 置的基板处理装置。
背景技术：
基板处理装置用于对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器 用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基 板进行各种处理。
在这样的基板处理装置中， 一般对一个基板连续进行多个不同的处理。
JP特开2003-324139号公报中记载的基板处理装置包含分度器区、反射防止 膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区。以与接口区相邻的 方式，配置有作为基板处理装置之外的外部装置的曝光装置。
在上述基板处理装置中，从分度器区搬入的基板，在反射防止膜用处理 区以及抗蚀膜用处理区中形成反射防止膜以及进行抗蚀膜的涂敷处理之后， 经由接口区搬送至曝光装置。在曝光装置中对基板上的抗蚀膜进行曝光处理 后，经由接口区将基板搬送至显影处理区。通过在显影处理区对基板上的抗 蚀膜进行显影处理而形成抗蚀图案后，将基板搬送至分度器区。
近年，伴随设备的高密度化以及高集成化，抗蚀膜图案的细微化成为重 要的课题。在以往的一般的曝光装置中，经由投影透镜将中间掩模縮小投影 在基板上而实施曝光处理。但是，在这样的以往曝光装置中，曝光图案的线 宽由曝光装置的光源的波长决定，因此抗蚀图案的细微化的程度是有界限 的。
因此，作为可使曝光图案进一步细微化的投影曝光方法，提出了浸液法 (例如参照国际公开第99/49504号小册子)。在国际公开第99/49504号小 册子中公开的投影曝光装置中，能够在投影光学系统和基板之间充满液体使 基板表面的曝光光的短波长化。由此，可以进一步使曝光图案细微化。
但是，在上述国际公开第99/49504号小册子中公开的投影曝光装置中， 因为在基板与液体接触的状态下进行曝光处理，所以若在曝光处理前在基板 上附着有污染物质，则该污染物会混入液体中。
在曝光处理前，对基板进行了各种成膜处理，但是在该成膜处理过程中， 出现基板的端部受污染的情况。这样，若在基板的端部受污染的状态下进行 基板的曝光处理，则可能污染曝光装置的透镜，产生曝光图案的尺寸缺陷以 及形状缺陷。

发明内容
本发明的目的是提供一种可以充分地清洗基板端部的必要部分的基板 清洗装置以及具有该清洗装置的基板处理装置。
本发明的一个方面的基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有处 理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于处理部的一个端部而设置， 用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部以及交接部中的至少
一个具有对曝光处理前的基板进行清洗的基板清洗装置，基板清洗装置包
括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其 以能够接触基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机 构，其使端部清洗刷围绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直 的方向的旋转轴旋转；端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由基 板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗 面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，锥状的第三 清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面侧的斜面区域接 触；第一、第二以及第三清洗面以旋转轴为中心一体设置。
在该基板处理装置中，在处理部中对基板进行规定的处理，通过交接部 使该基板从处理部交接至曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后， 曝光处理后的基板通过交接部从曝光装置返回至处理部。在曝光装置的曝光 处理之前或者曝光处理之后，通过基板清洗装置清洗基板。
在基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，通过刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似 垂直的方向的旋转轴旋转端部清洗刷。在此状态下，端部清洗刷与基板的端
部接触。
端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一 侧的斜面区域接触，由此清洗基板的一面一侧的斜面区域。另外，端部清洗 刷的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，由此清 洗基板的端面区域。而且，端部清洗刷的第三清洗面与由基板旋转保持装置 保持的基板的另一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板的另一面一侧的斜 面区域。
由此，能够充分地除去附着在基板一面一侧的斜面区域、端面区域以及 另一面一侧的斜面区域上的污染物。因此，在清洗曝光处理前的基板的情况 下，能够可靠地防止由基板的端部的污染而引起的曝光装置内的污染，并能 够防止产生曝光图案的尺寸缺陷以及形状缺陷。另外，在清洗曝光处理后的 基板的情况下，能够在基板的端部被充分地清洗的状态下进行显影处理。由 此，能够防止由基板的端部的污染而引起的显影性能的低下。
端部清洗刷还具有与由基板旋转保持装置保持的基板的所述另一面的 周缘部接触的圆环平面状的第四清洗面，第四清洗面以旋转轴为中心与第 一、第二以及第三清洗面一体设置。
此时，端部清洗刷的第四清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另 一面的周缘部接触，由此清洗基板的另一面的周边部。由此，能够充分地除 去附着在基板的另 一面的周缘部的污染物。
处理部以及交接部中的至少一个包含使基板的一面和另一面翻转的翻 转装置，基板清洗装置还包含有面清洗刷，面清洗刷与端部清洗刷一体设置， 并且可以与由翻转装置进行翻转后保持在基板旋转保持装置上的基板的另 一面接触。此时，在通过翻转装置将基板的一面和另一面翻转以后，面清洗刷与由 基板旋转保持装置保持的基板的另一面接触，由此清洗基板的另一面。由此， 能够充分地除去附着在基板的另一面上的污染物。
本发明的其他方面的基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有处 理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于处理部的一个端部而设置， 用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接，处理部以及交接部中的至少 一个具有对曝光处理前的基板进行清洗的基板清洗装置，基板清洗装置包
括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其 以能够接触基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机 构，其使端部清洗刷围绕相对于由基板旋转保持装置保持的基板的一面而倾 斜的方向的旋转轴旋转；端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由 基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能 够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触，锥状的第三 清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面的周缘部接触；第 一、第二以及第三清洗面以旋转轴为中心一体设置。
在该基板处理装置中，在处理部中对基板进行规定的处理，通过交接部 使该基板从处理部交接至曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后， 曝光处理后的基板通过交接部从曝光装置返回到处理部。在曝光装置的曝光 处理前或者曝光处理后，通过基板清洗装置清洗基板。
在基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，通过刷旋转机构绕相对于由基板旋转保持装置保持的基板的一面 倾斜的方向的旋转轴旋转端部清洗刷。在此状态下，端部清洗刷与基板的端 部接触。
端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区 域接触，由此清洗基板的端面区域。另外，端部清洗刷的第二清洗面与基板 的一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面侧的斜面区域。另外，端部 清洗刷的第三清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面的周缘部 接触，由此清洗基板另一面的周缘部。
由此，能够充分地除去附着在基板的端面区域、 一面一侧的斜面区域以 及基板另一面的周缘部上的污染物。因此，在清洗曝光处理前的基板的情况 下，能够可靠地防止由基板的端部的污染而引起的曝光装置内的污染，并能 够防止产生曝光图案的尺寸缺陷以及形状缺陷。另外，在清洗曝光处理后的 基板的情况下，能够在基板的端部被充分清洗的状态下实施显影处理。由此， 能够防止由基板的端部的污染而引起的显影性能的低下。
本发明的另一其他方面的基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有: 处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于处理部的一个端部而设 置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部以及交接部中的
至少一个具有对曝光处理前的基板进行清洗的基板清洗装置，基板清洗装置 包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，第一以及第二 清洗刷，其以能够接触基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方式设置， 第一以及第二刷旋转机构，其使第一以及第二清洗刷围绕与基板旋转保持装 置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴分别旋转；第一清洗刷具有 能够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触的锥状的 第一清洗面，第二清洗刷具有能够与由基板旋转保持装置保持的基板的另一 面侧的斜面区域接触的锥状的第二清洗面。
在该基板处理装置中，在处理部中对基板进行规定的处理，通过交接部 将该基板从处理部交接至曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后， 曝光处理后的基板通过交接部从曝光装置返回到处理部。在曝光装置的曝光 处理前或者曝光处理后，通过基板清洗装置清洗基板。
在基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，在通过第一刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一 面近似垂直的方向的旋转轴旋转第一清洗刷的同时，通过第二刷旋转机构旋 转第二清洗刷。在此状态下，第一以及第二清洗刷与基板的端部接触。
第一清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一 侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面一侧的斜面区域。另外，第二清洗刷 的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面一侧的斜面区域 接触，由此清洗基板另一面一侧的斜面区域。
此时，能够同时清洗基板一面一侧的斜面区域和另一面一侧的斜面区 域，并且能够迅速而充分地除去附着在基板一面一侧以及另一面一侧的斜面 区域上的污染物。因此，在清洗曝光处理前的基板的情况下，能够可靠地防 止由基板端部的污染而引起的曝光装置内的污染，并能够防止产生曝光图案 的尺寸缺陷以及形状缺陷。另外，在清洗曝光处理后的基板的情况下，能够 在基板的端部被充分清洗的状态下进行显影处理。由此，能够防止由基板端 部的污染而引起的显影性能的低下。
第一 以及第二清洗刷中的至少一个还具有能够与由基板旋转保持装置
保持的基板的端面区域接触的圆柱状的第三清洗面，第三清洗面以旋转轴为 中心与第一或者第二清洗面一体设置。
此时，使第三清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接 触，由此能够清洗基板端面区域。由此，能够充分地除去附着在基板端面区 域的污染物。
基板清洗装置还包含有向由基板旋转保持装置保持的基板的一面供给 清洗液的第一清洗液供给部。
此时，通过清洗液清洗基板的一面。另外，通过伴随基板旋转而产生的 离心力，将清洗液沿基板的一面引导至基板的端部。由此，能够更有效地清 洗基板的端部。
基板清洗装置还包含有向由基板旋转保持装置保持的基板的另一面供 给清洗液的第二清洗液供给部。
此时，通过清洗液清洗基板的另一面。另外，通过伴随基板旋转而产生 的离心力，将清洗液沿基板的另一面引导至基板的端部。由此，能够更有效 地清洗基板的端部。
本发明的另一其他方面的基板清洗装置，包括基板旋转保持装置，其 在保持基板的同时使基板旋转，清洗刷，其以能够接触基板旋转保持装置所 保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机构，其使清洗刷围绕与基板旋转保 持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转；清洗刷具有锥 状的第一清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面 区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板 的端面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的 基板的另一面侧的斜面区域接触，圆环平面状的第四清洗面，其能够与由基 板旋转保持装置保持的基板的另一面的周缘部接触；第一、第二、第三以及 第四清洗面以旋转轴为中心一体设置。
在该基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，通过刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似 垂直的方向的旋转轴旋转清洗刷。在此状态下，端部清洗刷与基板的端部接 触。
端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一 侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面一侧的斜面区域。另外，端部清洗刷 的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，由此清洗 基板的端面区域。而且，端部清洗刷的第三清洗面与由基板旋转保持装置保 持的基板的另一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板的另一面侧的斜面区 域。另外，端部清洗刷的第四清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另 一面的周缘部接触，由此清洗基板的另一面的周缘部。
由此，能够充分地除去附着在基板的一面一侧的斜面区域、端面区域、 另一面一侧的斜面区域以及基板的另一面的周缘部上的污染物。
本发明的另一其他方面的基板清洗装置，包括基板旋转保持装置，其 在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其以能够接触基板旋转保持装 置所保持的基板的端部的方式设置，面清洗刷，其与端部清洗刷一体设置， 并且能够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面接触，刷旋转机构，其使 端部清洗刷围绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向 的旋转轴旋转；端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由基板旋转 保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能 够与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，锥状的第三清洗面， 其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面侧的斜面区域接触；第 一、第二以及第三清洗面以旋转轴为中心一体设置。
在该基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，通过刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似 垂直的方向的旋转轴旋转端部清洗刷。端部清洗刷与由基板旋转保持装置保 持的基板的端部接触，面清洗刷与由基板旋转保持装置保持的基板的一面接 触。
端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一 侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面一侧的斜面区域。另外，端部清洗刷 的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，由此清洗 基板的端面区域。而且，端部清洗刷的第三清洗面与被基板旋转保持装置保 持的基板的另一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板的另一面一侧的斜面 区域。另外，面清洗刷与由基板旋转保持装置保持的基板的一面接触，由此 清洗基板的一面。
由此，能够充分地除去附着在基板的一面、 一面一侧的斜面区域、端面 区域以及另一面一侧的斜面区域上的污染物。
本发明的另一其他方面的基板清洗装置，包括基板旋转保持装置，其 在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其以能够接触基板旋转保持装 置所保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机构，其使端部清洗刷围绕相对 于由基板旋转保持装置保持的基板的一面而倾斜的方向的旋转轴旋转；端部 清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板 的端面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持 的基板的一面侧的斜面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由基板旋转 保持装置保持的基板的一面的周缘部接触；第一、第二以及第三清洗面以旋 转轴为中心一体设置。
在该基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，通过刷旋转机构绕相对于由基板旋转保持装置保持的基板的一面 倾斜的方向的旋转轴旋转端部清洗刷。在此状态下，端部清洗刷与基板的端 部接触。
端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区 域接触，由此清洗基板的端面区域。端部清洗刷的第二清洗面与由基板旋转 保持装置保持的基板的一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面一侧的 斜面区域。另外，端部清洗刷的第三清洗面与由基板旋转保持装置保持的基 板的一面的周缘部接触，由此清洗基板的一面的周缘部。
由此，能够充分地除去附着在基板的端面区域、 一面一侧的斜面区域以 及基板一面的周缘部上的污染物。
本发明的另一其他方面的基板清洗装置，包括基板旋转保持装置，其 在保持基板的同时使基板旋转，第一以及第二清洗刷，其以能够接触基板旋 转保持装置所保持的基板的端部的方式设置，第一以及第二刷旋转机构，其 使第一以及第二清洗刷围绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似 垂直的方向的旋转轴分别旋转；第一清洗刷具有能够与由基板旋转保持装置 保持的基板的一面侧的斜面区域接触的锥状的第一清洗面，第二清洗刷具有 能够与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面侧的斜面区域接触的锥状 的第二清洗面，第一以及第二清洗刷中的至少一个还具有能够与由基板旋转 保持装置保持的基板的端面区域接触的圆柱状的第三清洗面，第三清洗面以 旋转轴为中心与第一或者第二清洗面一体设置。
在基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基 板。另外，在通过第一刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一 面近似垂直的方向的旋转轴旋转第一清洗刷的同时，通过第二刷旋转机构旋 转第二清洗刷。在此状态下，第一以及第二清洗刷与基板的端部接触。
第一清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一 侧的斜面区域接触，由此清洗基板一面一侧的斜面区域。另外，通过第二清 洗刷的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面一侧的斜面 区域接触，由此清洗基板另一面一侧的斜面区域。
此时，能够同时清洗基板一面一侧的斜面区域和另一面一侧的斜面区 域，并且能够迅速而充分地除去附着在基板一面一侧以及另一面一侧的斜面 区域上的污染物。
另外，设置在第一以及第二清洗刷中的至少一个上的第三清洗面与由基 板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，由此清洗基板的端面区域。因 此，能够充分地除去附着在基板的端面区域上的污染物。另外，在基板一面 一侧的斜面区域以及另一面一侧的斜面区域以外，能够同时清洗基板端面区 域。
基板清洗装置还具有向由基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清 洗液的第一清洗液供给部。
此时，通过清洗液清洗基板的一面。另外，通过伴随基板旋转而产生的 离心力，将清洗液沿基板的一面引导至基板的端部。由此，能够更有效地清 洗基板端部。
基板清洗装置还具有向由基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给 清洗液的第二清洗液供给部。
此时，通过清洗液清洗基板的另一面。另外，通过伴随基板旋转而产生 的离心力，将清洗液沿基板的另一面引导至基板的端部。由此，能够更有效 地清洗基板端部。
通过本发明能够充分清洗基板的端部的所需的部分。


图1是本发明一个实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置的简要侧视图。 图3是从-X方向观察图1的基板处理装置的简要侧视图。
图4是从+Y方向观察接口区的简要侧视图。
图5是用于说明清洗处理单元的结构的图。
图6是表示基板的斜面部的详细结构图。
图7是表示基板以及清洗刷的旋转方向的俯视图。
图8A 图8C是表示基板和清洗刷相接触的接触状态的图。
图9是表示清洗刷的其他的设置例的图。
图IO是用于说明图9的清洗处理单元的基板的面部的清洗处理的图。
图11是表示斜面清洗部的其他的例子的图。
图12是表示斜面清洗部的又一其他的例子的图。
图13是表示具备又一其他例子的斜面清洗部的清洗处理单元的图。
图14A、图14B是用于说明通过图13的斜面清洗部的清洗刷进行基板
斜面部的清洗处理的图。
图15是用于说明通过图13的斜面清洗部的清洗刷进行基板斜面部的清
洗处理的图。
具体实施例方式
以下，使用

本发明的实施方式的基板清洗装置以及基板处理装 置。在以下说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显 示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、 光掩模用基板等。
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的俯视图。另外，在图1 以及后述的图2 图4中，为了明确位置关系添加有表示相互垂直的X方向、 Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，Z方向 相当于铅直方向。另外，在各方向，箭头所示方向为+方向，其相反的方向
为-方向。另外，以z方向为中心的旋转方向是e方向。
如图1所示，基板处理装置500具有分度器区9、反射防止膜用处理区 10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂 盖膜除去区14以及接口区15。另外，配置有曝光装置16其与接口区15相 邻。在曝光装置16中通过液浸法对基板W实施曝光处理。
以下，将分度器区9、反射防止膜用处理区IO、抗蚀膜用处理区ll、显 影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂盖膜除去区14以及接口区15 称为处理区。
分度器区9包含有控制各处理区的动作的主控制装置(控制部)30、多 个托架装载台40以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR上设置有用于交 接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理区10包含有防反射防止膜用热处理部100、 101、反 射防止膜用涂敷处理部50以及第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂敷处 理部50隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、 101相对设 置。在第一中央机械手CR1上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、 CRH2。
在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间，设置有用于隔断环境的 隔壁17。在该隔壁17上，上下接近地设置有基板装载部PASS1、 PASS2， 所述基板装载部PASS1、 PASS2用于在分度器区9和防放射膜用处理区10 之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS1在从分度器区9向反射 防止膜用处理区10搬送基板W时被使用，下侧的基板装载部PASS2在从反 射防止膜用处理区10向分度器区9搬送基板W时被使用。
另外，在基板装载部PASS1、 PASS2上设置有用于检测有无基板W的 光学式传感器(图中未示)。由此，可以判断在基板装载部PASS1、 PASS2 上是否装载有基板W。另外，在基板装载部PASS1、 PASS2上设置有被固 定设置的多个支承销。另外，上述光学式的传感器以及支承销同样被设置在 后述的基板装载部PASS3 PASS13中。
抗蚀膜用处理区11包含有抗蚀膜用热处理部110、 111、抗蚀膜用涂敷 处理部60以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60隔着第二中央 机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对设置。在第二中央机械手CR2 上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、 CRH4。
在反射防止膜用处理区IO和抗蚀膜用处理区11之间设置有用于隔断环 境的隔壁18。在该隔壁18上，上下接近地设置有基板装载部PASS3、PASS4，
所述基板装载部PASS3、 PASS4用于在放射防止膜用处理区IO和抗蚀膜用 处理区11之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS3在从反射防止 膜用处理区10向抗蚀膜用处理区11搬送基板W时被使用，下侧的基板装 载部PASS3在从抗蚀膜用处理区11向反射防止膜用处理区10搬送基板W 时被使用。
显影处理区12包含有显影用热处理部120、 121、显影处理部70以及第 三中央机械手CR3。显影处理部70隔着第三中央机械手CR3与显影用热处 理部120、 121相对设置。在第三中央机械手CR3上，上下设置有用于交接 基板W的手部CRH5、 CRH6。
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间设置有用于隔断环境的隔壁 19。在该隔壁19上，上下接近地设置有基板装载部PASS5、 PASS6，所述 基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间 进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS5在从抗蚀膜用处理区11向显 影处理区12搬送基板W时被使用，下侧的基板装载部PASS6在从显影处理 区12向抗蚀膜用处理区11搬送基板W时被使用。
抗蚀剂盖膜用处理区13包含有抗蚀剂盖膜用热处理部130、 131、抗蚀 剂盖膜用涂敷处理部80以及第四中央机械手CR4。抗蚀剂盖膜用涂敷处理 部80隔着第四中央机械手CR4与抗蚀剂盖膜用热处理部130、 131相对设置。 在第四中央机械手CR4上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、 CRH8。
在显影处理区12和抗蚀剂盖膜用处理区13之间，设置有用于隔断环境 的隔壁20。在该隔壁20上，上下接近地设置有基板装载部PASS7、 PASS8， 所述基板装载部PASS7、 PASS8用于在显影处理区12和抗蚀剂盖膜用处理 区13之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS7在从显影处理区 12向抗蚀剂盖膜用处理区13搬送基板W时被使用，下侧的基板装载部 PASS8在从抗蚀剂盖膜用处理区13向显影处理区12搬送基板W时被使用。
抗蚀剂盖膜除去区14包含有曝光后烘焙用热处理部140、 141、抗蚀剂 盖膜除去用处理部90以及第五中央机械手CR5。曝光后烘焙用热处理部141 与接口区15相邻，如后所述，具备基板装载部PASSll、 PASS12。抗蚀剂 盖膜除去用处理部卯隔着第五中央机械手CR5与曝光后烘焙用热处理部
140、 141相对设置。在第五中央机械手CR5上，上下设置有用于交接基板 W的手部CRH9、 CRHIO。
在抗蚀剂盖膜用处理区13和抗蚀剂盖膜除去区14之间设置有用于隔断 环境的隔壁21。在该隔壁21上，上下接近地设置有基板装载部PASS9、 PASSIO，所述基板装载部PASS9、 PASS10用于在抗蚀剂盖膜用处理区13 和抗蚀剂盖膜除去处理区14之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部 PASS9在从抗蚀剂盖膜用处理区13向抗蚀剂盖膜除去区14搬送基板W时 被使用，下侧的基板装载部PASS10在从抗蚀剂盖膜除去处理区14向抗蚀剂 盖膜用处理区13搬送基板W时被使用。
接口区15包含有翻转单元RT、清洗处理单元SDK第六中央机械手 CR6、边缘曝光部EEW、搬出缓冲部SBF、搬回缓冲部RBF、装载兼冷却单 元PASS-CP (以下简略为P-CP)、基板装载部PASS13、接口用搬送机构IFR 以及干燥处理单元SD2。另外，清洗处理单元SD1对曝光处理前的基板W 进行清洗处理，干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行干燥处理。
另外，在第六中央机械手CR6上，上下设置有用于交接基板W的手部 CRHll、 CRH12 (参照图4)，在接口用搬送机构IFR上，上下设置有用于 交接基板W的手部H1、 H2 (参照图4)。在后面详细描述接口区15。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿着Y方向，依次排列设置有分 度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、 抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂盖膜除去区14以及接口区15。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500的简要侧视图。图3是 从-X方向观察图1的基板处理装置500的简要侧视图。另外，在图2中主要 表示设置在基板处理装置500的+X —侧的的部分，在图3中主要表示设置 在基板处理装置500的-X —侧的部分。
首先，使用图2说明基板处理装置500的+X—侧的结构。如图2所示， 在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂敷处理部50 (参照图1)上， 上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具备旋转卡盘51 和供给喷嘴52，所述旋转卡盘51以水平姿势吸附保持基板W并使基板W 旋转，所述供给喷嘴52向保持在旋转卡盘51上的基板W供给反射防止膜 的涂敷液。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂敷处理部60 (参考图1)上，上下
层叠设置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具备旋转卡盘61和供给喷 嘴62，所述旋转卡盘61以水平姿势吸附保持基板W并使基板W旋转，所 述供给喷嘴62向保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液。
在显影处理区12的显影处理部70上，上下层叠设置有5个显影处理单 元DEV。各显影处理单元DEV具备旋转卡盘71和供给喷嘴72,所述旋转 卡盘71以水平姿势吸附保持基板W并使基板W旋转，所述供给喷嘴72向 保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液。
在抗蚀剂盖膜用处理区13的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80上，上下层叠 设置有3个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具备旋转卡盘81和供给喷嘴 82，所述旋转卡盘81以水平姿势吸附保持基板W并使基板W旋转，所述供 给喷嘴82向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀剂盖膜的涂敷液。作 为抗蚀剂盖膜的涂敷液，能够使用与抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗 蚀剂以及水的反应性低的材料)。例如氟树脂。涂敷单元COV通过在旋转 基板W的同时向基板W上涂敷涂敷液，在形成在基板W上的抗蚀膜上形成 抗蚀剂盖膜。
在抗蚀剂盖膜除去区14的抗蚀剂盖膜除去用处理部90上，上下层叠设 置有3个除去单元REM。各除去单元REM具备旋转卡盘91和供给喷嘴92， 所述旋转卡盘91以水平姿势吸附保持基板W并使基板W旋转，所述供给喷 嘴92向保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)。除去 单元REM通过在旋转基板W的同时向基板W上涂敷剥离液，除去形成在 基板W上的抗蚀剂盖膜。
另外，除去单元REM的抗蚀剂盖膜的除去方法并不限于上述例子。例 如，可以通过在基板W的上方移动狭缝喷嘴同时向基板W供给剥离液，除 去抗蚀剂盖膜。
在接口区15内的+X —侧，上下层叠设置有边缘曝光部EEW以及3个 干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具备旋转卡盘98和光照射器99， 所述旋转卡盘98以水平姿势吸附保持基板W并使基板W旋转，光照射部 99用于使保持在旋转卡盘98上的基板W的边缘曝光。
接着，使用图3说明基板处理装置500的-X—侧的结构。如图3所示，
在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100、 101上，分别层叠 设置有两个加热单元(加热板)HP以及两个冷却单元(冷却板)CP。另外，
在反射防止膜用热处理部100、 101上，分别设置有在最上部控制加热单元 HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部100、 101上，分别层叠设置 有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀膜用热处理部100、 101上，分别设置有在最上部控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部 控制器LC。
在显影处理区12的显影用热处理部120、 121上，分别层叠设置有两个 加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在显影用热处理部120、 121上 分别设置有在最上部控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器 LC。
在抗蚀剂盖膜用处理区13的抗蚀剂盖膜用热处理部130、 131上，分别 层叠设置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀剂盖膜用 热处理部130、 131上分别设置有在最上部控制加热单元HP和冷却单元CP 的温度的局部控制器LC。
在抗蚀剂盖膜除去区14的曝光后烘焙用热处理部140上，上下层叠设 置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP，在曝光后烘焙用热处理部141 上，上下层叠设置有两个加热单元HP、两个冷却单元CP以及基板装载部 PASSll、 PASS12。另夕卜，在曝光后烘焙用热处理部140、 141上分别设置有 在最上部控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
接着，使用图4详细说明接口区15。
图4是从+Y—侧观察接口区15的简要侧视图。如图4所示，在接口区 15内，在-X—侧，层叠设置有翻转单元RT以及三个清洗处理单元SD1。另 外，在接口区15内，在+X—侧的上部设置有边缘曝光部EEW。
在边远曝光部EEW的下方，在接口区15内的近似中央部，上下层叠设 置有搬出缓冲部SBF、搬回缓冲部RBF、两个装载兼冷却单元P-CP以及基 板装载部PASS13。在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15内的+X—侧， 上下设置有三个干燥处理单元SD2。
另外，在接口区15内的下部，设置有第六中央机械手CR6以及接口用
搬送机构IFR。中央机械手CR6可上下移动并且可旋转地被设置在反转单元
RT以及清洗处理单元SD1，和边缘曝光部EEW、搬出缓冲部SBF、搬回缓 冲部RBF、装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13之间。接口用搬 送机构IFR可上下移动并且可旋转地设置在装载兼冷却单元P-CP以及基板 装载部PASS13和干燥处理单元SD2之间。 (2)基板处理装置的动作 接着，参照图1 图4，对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
(2-1)分度器区 抗蚀剂盖膜除去区的动作 首先，简单说明分度器区9 抗蚀剂盖膜除去区14的动作。 向分度器区9的托架装载台40上，搬入多层地容纳有多张基板W的托 架C。分度器机械手IR使用手部IRH取出容纳在托架C内的未处理基板W。 此后，分度器机械手IR在士X方向上移动同时在士e方向旋转移动，并将
未处理基板W装载在基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，作为托架C采用了 FOUP (front opening unified pod: 晶元传送盒)，但并不仅限于此，可以使用SMIF (Standard Mechanical Inter Face:机械标准界面)盒或者使容纳基板W暴露在外的OC (open cassette: 开放式盒)等。
进一步，在分度器机械手IR、第一 第六中央机械手CR1 CR6以及接 口用搬送机构IFR上，分别使用相对于基板W直线滑动并进行手部的进退 动作的直动型机械手，但并不仅限于此，可以使用通过移动关节直线地进行 手部的进退动作的多关节型搬送机械手。
装载在基板装载部PASS1上的未处理基板W被反射防止膜用处理区10 的第一中央机械手CR1接受。第一中央机械手CR1将该基板W搬入至反射 防止膜用热处理部IOO、 101。
此后，第一中央机械手CRl从反射防止膜用热处理部lOO、 101取出经 过热处理的基板W，并将该基板W搬入至反射防止膜用涂敷处理部50。在 该反射防止膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光时所产生的驻波或者光晕， 通过涂敷单元BARC向基板W上涂敷形成反射防止膜。
其次，第一中央机械手CR1从反射防止膜用涂敷处理部50取出经过涂
敷处理的基板W，并将该基板W搬入至反射防止膜用热处理部100、 101。
此后，第一中央机械手CR1从反射防止膜用热处理部100、 101取出经过热 处理的基板W，并将该基板W装载在基板装载部PASS3上。
装载在基板装载部PASS3上的基板W被抗蚀膜用处理区11的第二中央 机械手CR2接受。第二中央机械手CR2将该基板W搬入至抗蚀膜用热处理 部110、 111.
此后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、 lll取出经过热 处理的基板W，并将该基板W搬入至抗蚀膜用涂敷处理部60。在该抗蚀膜 用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES在涂敷形成有防反射防止膜的基板 W上涂敷形成抗蚀膜。
接着，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用涂敷处理部60取出经过涂敷处 理的基板W，并将该基板W搬入至抗蚀膜用热处理部110、 111。此后，第 二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出经过热处理的基板W， 并将该基板W装载在基板装载部PASS5上。
装载在基板装载部PASS5上的基板W被显影处理区12的第三中央机械 手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W装载在基板装载部PASS7 上。
装载在基板装载部PASS7上的基板W被抗蚀剂盖膜用处理区13的第四 中央机械手CR4接受。第四中央机械手CR4将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜 用涂敷处理部80。在该抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80中，通过涂敷单元COV 向涂敷形成有抗蚀膜的基板W上涂敷形成抗蚀剂盖膜。
接着，第四中央机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80取出经过涂 敷处理的基板W,并将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜用热处理部130、 131。 此后，第四中央机械手CR4，从抗蚀剂盖膜用热处理部130、 131取出经过 热处理的基板W，并将该基板W装载在基板装载部PASS9上。
装载在基板装载部PASS9上的基板W被抗蚀剂盖膜除去区14的第五中 央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5将该基板W装载在基板装载部 PASSU上。
装载在基板装载部PASSU上的基板W被接口区15的第六中央机械手 CR6接受，如后所述，在接口区15以及曝光装置16上被实施规定的处理。
在接口部15以及曝光装置16上实施了规定的处理之后，该基板W通过第
六中央机械手CR6，搬入至抗蚀剂盖膜除去区14的曝光后烘焙用热处理部 141。
在曝光后烘培用热处理部141中，对基板W进行曝光后烘培(PEB:后 烘)。此后，第六中央机械手CR6从曝光后烘培用热处理部141取出基板W， 并将该基板W装载在基板装载部PASS12上。
另外，在本实施方式中通过曝光后烘培用热处理部141进行了曝光后烘 培，但是也可以通过曝光后烘培用热处理部140进行曝光后烘培。
装载在基板装载部PASS12上的基板W被抗蚀剂盖膜除去区14的第五 中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜 除去用处理部90。在抗蚀剂盖膜除去用热处理部90中除去抗蚀剂盖膜。
接着，第五中央机械手CR5从抗蚀剂盖膜除去用处理部卯取出基板W， 并将该基板W装载在基板装载部PASS10上。
装载在基板装载部PASS10上的基板W被抗蚀剂盖膜用处理区13的第 四中央机械手CR4装载在基板装载部PASS8上。
装载在基板装载部PASS8上的基板W被显影处理区12的第三中央机械 手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W搬入至显影处理部70。在显 影处理部70中，对曝光后的基板W实施显影处理。
接着，第三中央机械手CR3从显影处理部70取出经过显影处理的基板 W，并将该基板W搬入至显影用热处理部120、 121。此后，第三中央机械 手CR3从显影用热处理部120、 121取出热处理后的基板W，并将该基板W 装载在基板装载部PASS6上。
装载在基板装载部PASS6的基板W通过抗蚀膜用处理区11的第二中央 机械手CR2装载在基板装载部PASS4上。装载在基板装载部PASS4上的基 板W被反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1装载在基板装载部 PASS2上。
装载在基板装载部PASS2上的基板W被分度器区9的分度器机械手IR 容纳在托架C内。由此，结束了基板处理装置500中的基板W的各处理。 (2-2)接口区的动作 接着，对接口区15的动作进行详细说明。
如上所述，搬入至分度器区9的基板W在经过规定的处理后，被装载 在抗蚀剂盖膜除去区14 (图l)的基板装载部PASS11上。
装载在基板装载部PASSU上的基板W被接口区15的第六中央机械手 CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬入至边缘曝光部EEW(图4)。 在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中央机械手CR6从边缘曝光部EEW取出经过边缘曝光的基 板W，并将该基板W搬入至清洗任意一个处理单元SD1中。在清洗处理单 元SD1中，如上所述对曝光处理前的基板W实施清洗处理。
在此，曝光装置16的曝光处理时间通常比其他处理工序以及搬送工序 长。其结果，曝光装置16无法接受随后的基板W的情况比较多。此时，基 板W暂时由搬出缓冲部SBF (图4)容纳保管。在本实施方式中，第六中央 机械手CR6从清洗处理单元SD1取出经过清洗处理后的基板W，并将该基 板W搬送至搬送缓冲部SBF。
接着，第六中央机械手CR6取出容纳保管在搬送缓冲部SBF上的基板 W，并将该基板W搬入至装载兼冷却单元P-CP。搬入至装载兼冷却单元P-CP 上的基板W被维持为与曝光装置16相同的温度(例如23'C)。
另外，在曝光装置16具有足够的处理速度的情况，可以不在搬出缓冲 部SBF上容纳保管基板W，将基板W从清洗处理单元SD1搬送至装载兼冷 却单元P-CP。
接着，在装载兼冷却单元P-CP中维持为上述规定温度的基板W被接口 用搬送机构IFR的上侧手部H1 (图4)接受，并搬入至曝光装置16内的基 板搬入部16a (图1)。
在曝光装置16中实施完曝光处理的基板W被接口用搬送机构IFR的下 侧手部H2 (图4)搬出基板搬出部16b (图1)。接口用搬送机构IFR通过 手部H2将该基板W搬入至任意一个干燥处理单元SD2中。在干燥处理单 元SD2中，如上所述进行曝光处理后的基板W的干燥处理。具体来说，例 如水平地保持曝光处理后的基板W，并在该基板W上充满纯水等的冲洗液。 而且，在基板W高速旋转的同时向基板W的中心部喷射惰性气体。由此， 附着在基板W上的液体与冲洗液一起向基板W的外方移动。结果，基板W 上的液体被除去，基板W被干燥。
在干燥处理单元SD2中实施完干燥处理的基板W被接口用搬送机构IFR
的手部H1 (图4)取出。接口用搬送机构IFR通过手部H1将该基板W装 载在基板装载部PASS13上。
装载在基板装载部PASS13上的基板W被第六中央机械手CR6接受。 第六中央机械手CR6将该基板W搬送至抗蚀剂盖膜除去区14 (图1)的曝 光后烘培用热处理部141。
另外，在由于除去单元REM (图2)的故障等，抗蚀剂盖膜除去区14 暂时无法接受基板W时，能够在搬回缓冲部RBF上暂时容纳保管曝光处理 后的基板W。
(3)清洗处理单元
接着，对清洗处理单元SD1进行详细说明。图5是用于说明清洗处理单 元SD1的结构的图。如图5所示，清洗处理单元SD1具备旋转卡盘521，所 述旋转卡盘521在水平地保持基板W的同时，使基板W绕贯穿基板W的中 心的铅垂轴旋转。
旋转卡盘521固定在被卡盘旋转驱动机构522旋转的旋转轴523的上端。 另外，在旋转卡盘521上形成有吸气通路(图中未示)。通过在旋转卡盘521 上装载基板W的状态下向吸气通路内排气，能够将基板W的下表面真空吸 附在旋转卡盘521上，以水平姿势保持基板W。
在旋转卡盘521的附近，向着外侧上方设置有多个(在本例子中2个) 下表面喷嘴524。另外，在旋转卡盘521的上方，向着斜下方设置有上表面 喷嘴525。在各下表面喷嘴524上连接有清洗液供给管524a，在上表面喷嘴 525上连接有清洗液供给管525a。经由清洗液供给管524a、 525a，向下表面 喷嘴524以及上表面喷嘴525供给清洗液。在本实施方式中，作为清洗液使 用纯水。
在对基板W进行清洗处理时，在基板W被保持旋转卡盘521上的状态 下旋转基板W。从下表面喷嘴524向旋转的基板W的下表面供给清洗液。 另外，从上表面喷嘴525向旋转的基板W的上表面供给清洗液。从下表面 喷嘴524以及上表面喷嘴525喷出的清洗液通过离心力向外方扩散。由此， 清洗基板W的表面以及基板W的背面的周缘区域。
在旋转卡盘521的旁边，配置有斜面清洗部530。斜面清洗部530具备
清洗刷531。清洗刷531被保持构件532、 533保持并可绕铅垂轴旋转，而且 通过刷旋转驱动机构534驱动清洗刷531旋转。
在保持构件532上连接有臂535。臂535通过臂驱动机构536在上下方 向以及水平方向移动。伴随通过臂驱动机构536移动的臂535的移动，清洗 刷531在上下方向以及水平方向移动。
清洗刷531具有相对于铅垂轴对称旋转的形状，并且具有上斜面清洗面 531a、端面清洗面531b以及下斜面清洗面531c。端面清洗面531b是以铅垂 方向为轴心的圆筒面。上斜面清洗面531a从端面清洗面531b的上端向外侧 上方倾斜延伸，下斜面清洗面531c从端面清洗面531b的下端向外侧下方倾 斜延伸。
在对基板W经行清洗处理时，通过斜面清洗部530的清洗刷531清洗 基板W的斜面部R。
在此，对基板W的斜面部R进行说明。图6是表示基板W的斜面部R 的详细结构的图。如图6所示，斜面部R位于基板W的外周部，包含有与 基板W的平坦的表面连续地连结并倾斜的上斜面区域A、在基板W的平坦 背面连续地连结并倾斜的下斜面区域C、以及端面区域B。另外，基板W的 表面是形成有电路图案等的各种图案的基板W的面，基板W的背面是与基 板W的表面相对反向一侧的基板W的面。
相对于垂直面的上斜面区域a的倾斜面ei和相对于垂直面的下斜面区
域C的倾斜面02近似相等。图5所示的清洗刷531的上斜面清洗面531a以 及下斜面清洗面531c的相对于铅垂面的倾斜面近似与基板W的上斜面区域
A以及下斜面区域c的倾斜面ei、 e2相同。
在对基板W进行清洗处理时，图5所示的清洗刷531在通过刷旋转驱 动机构534旋转的同时，通过臂驱动机构536向基板W的斜面部R移动。 进一步，在上下方向移动清洗刷531使得清洗刷531的上斜面清洗面531a、 端面清洗面53lb以及下斜面清洗面53lc分别与基板W的斜面部R的上斜 面区域A、端面区域B以及下斜面区域C (图6)接触。
另外，从下面喷嘴524以及上面喷嘴525喷出的清洗液通过伴随基板W 的旋转而引起的离心力，沿基板W的背面以及表面被引导至斜面部R。艮口， 向清洗刷531和基板W的斜面部R的接触部分供给清洗液。图7是表示基板W以及清洗刷531的旋转方向的俯视图，图8A 图8C 是表示基板W和清洗刷531的接触状态的图。
如图7所示，清洗刷531和基板W向相同的方向旋转。此时，在清洗 刷531和基板W的接触部分，清洗刷531和基板W的相对旋转速度变高。 由此，基板W的斜面部R可以高效地被清洗。
如图8A所示，通过使清洗刷531的上斜面清洗面531a与基板W的上 斜面区域A接触，清洗基板W的上斜面区域A。如上所述，基板W的上斜 面区域A的倾斜面和清洗刷531的上斜面清洗面531a的倾斜面近似相等。 因此，能够使清洗刷531的上斜面清洗面531a与基板W的上斜面区域A的 整个区域接触。由此，能够可靠地清洗上斜面区域A的整个区域。
另外，如图8B所示，通过使清洗刷531的下斜面清洗面531c与基板W 的下斜面区域C接触，清洗基板W的下斜面区域C。如上所述，基板W的 下斜面区域C的倾斜面和清洗刷531的下斜面清洗面53lc的倾斜面近似相 等。因此，能够使清洗刷531的下斜面清洗面531c与基板W的下斜面区域 C的整个区域接触。因此，能够可靠地清洗下斜面区域C的整个区域。
进一步，如图8C所示，通过使清洗刷531的端面清洗面53lb与基板W 的端面区域B接触，清洗基板W的端面区域B。
由此，通过使清洗刷531的上斜面清洗面531a、端面清洗面531b以及 下斜面清洗面531c与基板W的上斜面区域A、端面区域B以及下斜面区域 C接触，能够可靠地清洗基板W的斜面部R的整个区域。由此，能够可靠 地除去附着在基板W的斜面部R上的污染物。
在清洗基板W的上斜面区域A、端面区域B以及下斜面区域C之后， 清洗刷531从基板W离开。接着，由于提高旋转轴553 (图5)的旋转速度， 从而通过离心力甩掉附着在基板W上的清洗液。由此，基板W被干燥。另 外，为了高效并且可靠地干燥基板W，进一步设置有向基板W喷射N2 (氮 气)等惰性气体的惰性气体供给喷嘴。 (3-a)清洗刷的其他的设置例
图9是表示清洗刷531的其他的设置例的图。在图9的清洗处理单元SD1 中，清洗刷531相对于铅垂轴倾斜。设定清洗刷531的倾斜面使得斜面清洗 面531c与水平面平行。图10是用于说明图9的清洗处理单元SD1中的基板W的斜面部R的清洗处理的图。如图IO所示，在该清洗处理单元SD1中，能够通过清洗刷531 的下斜面清洗面531c清洗基板W下表面的周缘区域。由此，能够更可靠地 除去附着在基板W下表面的周缘区域的污染物。
另外，通过使清洗刷531的端面清洗面531b与基板W的下斜面区域C 接触，能够清洗基板W的下斜面区域C。进一步，通过使清洗刷531的上斜 面清洗面53la与基板W的端面区域B接触，能够清洗基板W的端面区域B。
另外，可以是可任意控制清洗刷531的倾斜面的结构。此时，能够如图 8A 图8C所示在清洗刷531为垂直姿势的状态下，清洗基板W的斜面部R 的上斜面区域A、端面区域B以及下斜面区域C。进一步，如图IO所示通 过倾斜清洗刷531 ，能够清洗基板W下面的周边区域。 (3-b)斜面清洗部的其他的例子
图11是表示斜面清洗部530的其他的例子的图。图11的斜面清洗部530 与图5所示斜面清洗部530的不同之处是具备用于代替清洗刷531清洗刷 540。
清洗刷540与图5所示清洗刷531不同之处如下。在清洗刷540的下部， 以向外方突出的方式形成有下表面清洗部541 。下面清洗部541的上表面(以 下称为下表面清洗面)541a从下斜面清洗面531c的下端沿水平面向外方延 伸。
在使用该清洗刷540的情况，在基板W的上斜面区域A、断面与去B 以及下斜面区域C以外，能够通过下表面清洗面541a清洗基板W背面的周 缘区域。
(3-c)斜面清洗部的又一个其他的例子
图12是表示斜面清洗部530的又一个其他的例子的图。在图12的斜面 清洗部530中，在保持构件533下表面安装有背面清洗刷545。
在该斜面清洗部530中，在基板W的上斜面区域A、端面区域B以及 下斜面区域C以外，能够通过里面清洗刷545清洗基板W整个背面区域。 具体来说，首先，如图8A 图8C所示，基板W的上斜面区域A、端面区域 B以及下斜面区域C通过清洗刷531进行清洗。而且，在附着在基板W上 的清洗液被甩掉基板W被干燥之后，通过第六中央机械手CR6 (图4)，从
清洗处理单元SD1暂时搬出基板W。
接着，该基板W被搬入到翻转单元RT (图4)。在翻转单元RT中， 基板W的表面与背面被翻转。g卩，基板W的背面向着上方。该基板W再次 被搬入到清洗处理单元SD1。再次被搬入清洗处理单元SD1中的基板W在 背面向着上方的状态下保持在旋转卡盘521上。
在此状态下，在旋转基板W的同时从上表面喷嘴525供给清洗液。而 且，在斜面清洗部530的背面清洗刷545与基板W的背面接触的状态下从 基板W的中心部扫描至周缘部。由此，通过背面清洗刷545清洗基板W的 背面的整个区域，并且可靠地除去附着在基板W背面的污染物。
另外，可以是通过刷旋转驱动机构534将背面清洗刷545与清洗刷531 一体地旋转驱动的结构。另外，在此例子中，在清洗基板W的斜面部之后 清洗基板W的背面，但是可以在清洗基板W的背面之后清洗基板W的斜面 部R。
另外，在使用图12的斜面清洗部530的情况下，优选例如用多个保持 销保持基板W的斜面部R，并且可以通过使这些多个保持销绕铅垂轴旋转， 使基板W旋转的旋转卡盘代替真空吸附式旋转卡盘521。此时，能够在不会 损伤形成在基板W表面的膜的情况下，在背面向着上方的状态下旋转基板 W。
(3-d)斜面清洗部的另一个其他的例子
可以使用图13所示斜面清洗部560、 570代替斜面清洗部530。图13是 表示具有斜面清洗部560、 570的清洗处理单元SD1的图。
如图13所示，斜面清洗部560、 570分别与图5的斜面清洗部530相同， 具备保持构件532、 533、刷旋转驱动机构534、臂535以及臂驱动机构536。
斜面清洗部560与斜面清洗部530 (图5)的不同之处是具备清洗刷561 用于代替清洗刷531 。清洗刷561具有相当于清洗刷531的上斜面清洗面53la 和端面清洗面53 lb的上斜面清洗面561a和端面清洗面561b。
斜面清洗部570与斜面清洗部530的不同之处是具有清洗刷571用于代 替清洗刷531。清洗刷571具有相当于清洗刷531的端面清洗面53 lb和下斜 面清洗面53lc的端面清洗面571b和下斜面清洗面571c。
在对基板W进行清洗处理时，清洗刷561、 571分别被刷旋转驱动机构
534以及臂驱动机构536单独驱动。
图14A、图14B以及图15是用于说明通过斜面清洗部560、 570的清洗 刷561、 571进行的基板W的斜面部R的清洗处理的图。如图14A所示，在 清洗刷561的上斜面清洗面561a与基板W的上斜面区域A接触的同时清洗 刷571的下斜面清洗面571c与基板W的下斜面区域C接触，由此清洗基板 W的上斜面区域A以及下斜面区域C。
另外，如图14B所示，清洗刷561的端面清洗面561b和清洗刷571的 端面清洗面571b与基板W的端面区域B接触，由此清洗基板W的端面区 域B。
如上，在使用斜面清洗部560、 570的情况下，能够同时清洗基板W的 上斜面区域A和下斜面区域C。因此，与依次清洗基板W的上斜面区域A 和下斜面区域C的情况相比能够縮短清洗时间。
另外，如图15所示，可以同时使清洗刷561的上斜面清洗面561a、清 洗刷571的下斜面清洗面571c以及清洗刷561、571的端面清洗面561b、571b 与基板W的上斜面区域A、端面区域B以及下斜面区域C接触。此时，能 够同时清洗基板W的上斜面区域A、端面区域B以及下斜面区域C。
(4)实施方式的效果
(4-1)基板的斜面部的清洗效果 在上述实施方式中，在曝光装置16中进行基板W的曝光处理之前，在 清洗处理单元SD1中清洗曝光处理前的基板W的斜面部R。由此，能够防 止因基板W的斜面部R污染而引起的曝光装置内的污染，并且能够防止产 生曝光图案的尺寸缺陷以及形状缺陷。
(4-2)基板表面的清洗效果 在曝光装置16中进行基板W的曝光处理之前，在清洗处理单元SD1中 清洗曝光处理前的基板W的表面。在进行该清洗处理时，基板W上的抗蚀 剂盖膜的部分成分洗提至清洗液中，而被洗出。因此，即使在曝光装置16 中基板W与液体接触，基板W上的抗蚀剂盖膜的成分也几乎无法洗提至液 体中。另外，能够除去附着在曝光处理前的基板W上的尘埃等。结果，能 够防止曝光装置16内的污染。
(4-3)曝光处理后基板的干燥处理的效果
在接口区15的干燥处理单元SD2中，进行曝光处理后的基板W干燥处 理。由此，能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体落入基板处理装
置500内。
另外，通过进行曝光处理后的基板W的干燥处理，防止在曝光处理后 的基板W上附着环境中的尘埃等，因此，能够防止基板W的污染。
另外，因为能够防止附着有液体的基板W搬送至基板处理装置500内， 所以能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体影响基板处理装置500内 的环境。由此，容易调整基板处理装置500内的温湿度。
另外，因为能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体附着在分度器 机械手IR以及第一 第六中央机械手CR1-CR6上，所以能够防止液体附着 在曝光处理前的基板W上。由此，因为能够防止环境中的尘埃等附着在曝 光处理前的基板W上，所以能够防止基板W受污染。结果，在能够防止曝 光处理时的分辨性能的恶化的同时能够防止曝光装置16内受污染。
另夕卜，在从干燥处理单元SD2向显影处理部70搬送基板W时，能够可 靠地防止抗蚀剂成分或者抗蚀剂盖膜成分洗提至残留在基板W上的清洗液 以及冲洗液中。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图案变形。其结果能 够可靠地防止在显影处理时线宽精度的降低。
其结果，在能够防止基板处理装置500的电系统的异常等的不良动作的 同时，能够可靠地防止基板W的不良处理。 (4-4)抗蚀剂盖膜的涂敷处理的效果
在曝光装置16中进行基板W的曝光处理之前，在抗蚀剂盖膜用处理区 13中，在抗蚀膜上形成有抗蚀剂盖膜。此时，在曝光装置16中，即使基板 W与液体接触，也通过抗蚀剂盖膜防止抗蚀膜与液体接触，因此能够防止抗 蚀剂成分洗提至液体中。
(4-5)抗蚀剂盖膜的除去处理的效果
在显影处理区12中进行基板W的显影处理之前，在抗蚀剂盖膜除去区 14中，进行抗蚀剂盖膜的除去处理。此时，因为在显影处理前可靠地除去了 抗蚀剂盖膜，所以能够可靠地进行显影处理。 (4-6)接口用搬送机构的效果
在接口区15中，在从装载兼冷却单元P-CP向曝光装置16搬送基板W
时、从干燥处理单元SD2向基板装载部PASS13搬送基板W，此时使用接口 用搬送机构IFR的手部Hl，在从曝光装置16向干燥处理单元SD2搬送基板 时，使用接口用搬送机构IFR的手部H2。
艮口，在搬送没有附着有液体的基板W的过程中使用手部H1，在搬送附 着有液体的基板W的过程中使用手部H2。
此时，因为能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体附着在手部Hl 上，所以能够防止在曝光处理前的基板W上附着液体。另外，因为手部H2 设置在手部Hl的下方，所以即使从手部H2及其所保持的基板W落下液体， 也能够防止在手部H1及其所保持的基板W上附着液体。由此，能够可靠地 防止在曝光处理前的基板W上附着液体。其结果，能够可靠地防止曝光处 理前的基板W受污染。
(4-7)配设装载兼冷却单元P-CP所带来的效果
在接口区15中，通过设置装载兼冷却单元P-CP，能够消减搬送工序， 所述装载兼冷却单元P-CP具有装载由通过曝光装置16进行的曝光处理前的 基板W的功能，和用于将基板W的温度调节为曝光装置16内的温度的冷却 功能。在通过要求严格管理基板温度的浸液法进行曝光处理上，消减搬送工 序变得非常重要。
如上，在可提高生产效率的同时，因为能够减少搬送的存取位置，所以 能够提高可靠性。
尤其，因为设置两个装载兼冷却单元P-CP，所以进一步提高生产效率。 (5)其他的实施方式
在上述实施方式中，在清洗处理单元SD1中，使用纯水作为清洗液，但 可以使用表面活性剂、溶剂或者IPA (异丙醇isopmpyl alcohol)等的醇类 药液代替纯水。此时，能够通过化学清洗得到高的清洗效果。
另外，可以在干燥处理单元SD2中设置斜面清洗部530、 560、 570。此 时，在干燥处理单元SD2中，在清洗曝光处理后的基板W的斜面部R之后 干燥基板W。通过清洗曝光处理后的基板W的斜面部R，能够在显影处理 区12中以基板W的斜面部R被充分清洗的状态进行显影处理。由此，能够 可靠地防止因斜面部R污染而引起的显影性能的低下。
另外，清洗处理单元SD1或者干燥处理单元SD2可以设置在接口区15
以外的区中。
另外，清洗处理单元SD1、干燥处理单元SD2、涂敷单元BARC、 RES、 COV、斜面研磨单元BP、基板清洗单元WC、显影处理单元DEV、翻转单 元RT、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP以及装载兼冷却单元 P-CP的个数可以根据各处理区的处理速度进行适当变更。例如，在设置2 个边缘曝光部EEW的情况下，可以将干燥处理单元SD2的个数设置成两个。 (6)权利要求的各构成要素和实施方式的各要素之间的对应
以下，对权利要求的各构成要素和实施方式的各要素之间的对应例子进 行说明，但本发明并不仅限于下述例子。
在上述实施方式中，分度器区9、反射防止膜用处理区IO、抗蚀膜用处 理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13以及抗蚀剂盖膜除去区14 是处理部的例子，接口区15是交接部的例子，清洗处理单元SD1或者干燥 处理单元SD2是基板清洗装置的例子。
另外，旋转卡盘521以及卡盘旋转驱动机构522是基板旋转保持装置的 例子，刷旋转驱动机构534是刷旋转机构的例子，清洗刷531、 540是端部 清洗刷的例子，上斜面清洗面531a是端部清洗刷的第一清洗面的例子，端 面清洗面531b是端部清洗刷的第二清洗面的例子，下斜面清洗面531c是端 部清洗刷的第三清洗面的例子，下表面清洗面541a是端部清洗刷的第四清 洗面的例子。
另外，翻转单元RT是翻转装置的例子，背面清洗刷545是面清洗刷的 例子，清洗刷561是第一清洗刷的例子，清洗刷571是第二清洗刷的例子， 上斜面清洗面561a是第一清洗刷的第一清洗面的例子，下斜面清洗面571c 是第二清洗刷的第二清洗面的例子，端面清洗面561b、 571b是第一以及第 二清洗刷的第三清洗面的例子。
作为权利要求的各构成要素，能够使用具有权利要求中所记载的结构或 者功能的其他的各种的要素。
权利要求
1.一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，具有处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于所述处理部的一个端部而设置，用于在所述处理部和所述曝光装置之间进行基板的交接；所述处理部以及所述交接部中的至少一个具有对曝光处理前的基板进行清洗的基板清洗装置，所述基板清洗装置包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机构，其使所述端部清洗刷围绕与所述基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转；所述端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面侧的斜面区域接触；所述第一、第二以及第三清洗面以所述旋转轴为中心一体设置。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述端部清洗刷 还具有与由所述基板旋转保持装置保持的基板的所述另一面的周缘部接触 的圆环平面状的第四清洗面，所述第四清洗面以所述旋转轴为中心与所述第一、第二以及第三清洗面 一体设置。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理部以及 所述交接部中的至少一个包含使基板的所述一面和所述另一面翻转的翻转 装置，所述基板清洗装置还包含有面清洗刷，所述面清洗刷与所述端部清洗刷 一体设置，并且可以与由所述翻转装置进行翻转后保持在所述基板旋转保持 装置上的基板的所述另一面接触。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装 置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第 一清洗液供给部。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装 置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的 第二清洗液供给部。
6. —种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，具有 处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于所述处理部的一个端部而设置，用于在所述处理部和 所述曝光装置之间进行基板的交接，所述处理部以及所述交接部中的至少一个具有对曝光处理前的基板进 行清洗的基板清洗装置，所述基板清洗装置包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转， 端部清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基板的端 部的方式设置，刷旋转机构，其使所述端部清洗刷围绕相对于由所述基板旋转保持装 置保持的基板的一面而倾斜的方向的旋转轴旋转； 所述端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 端面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板 的一面侧的斜面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 一面的周缘部接触；所述第一、第二以及第三清洗面以所述旋转轴为中心一体设置。
7. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装 置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第一清洗液供给部。
8. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装 置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的 第二清洗液供给部。
9. 一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，具有 处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于所述处理部的一个端部而设置，用于在所述处理部和 所述曝光装置之间进行基板的交接；所述处理部以及所述交接部中的至少一个具有对曝光处理前的基板进 行清洗的基板清洗装置，所述基板清洗装置包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转， 第一以及第二清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的 基板的端部的方式设置，第一以及第二刷旋转机构，其使所述第一以及第二清洗刷围绕与所述 基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴分别旋转；所述第一清洗刷具有能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的一 面侧的斜面区域接触的锥状的第一清洗面，所述第二清洗刷具有能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的另 一面侧的斜面区域接触的锥状的第二清洗面。
10. 如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一以及第 二清洗刷中的至少一个还具有能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板 的端面区域接触的圆柱状的第三清洗面，所述第三清洗面以所述旋转轴为中心与所述第一或者第二清洗面一体 设置。
11. 如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第 一清洗液供给部。
12. 如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板清洗装 置还包含有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的 第二清洗液供给部。
13. —种基板清洗装置，其特征在于，包括 基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方 式设置，刷旋转机构，其使所述清洗刷围绕与所述基板旋转保持装置所保持的基 板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转； 所述清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板 的端面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 另一面侧的斜面区域接触，圆环平面状的第四清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的 基板的所述另一面的周缘部接触；所述第一、第二、第三以及第四清洗面以所述旋转轴为中心一体设置。
14. 如权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第一清洗液供给部。
15. 如权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所 述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的第二清洗液供给部。
16. —种基板清洗装置，其特征在于，包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转， 端部清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基板的端部 的方式设置，面清洗刷，其与所述端部清洗刷一体设置，并且能够与由所述基板旋转 保持装置保持的基板的一面接触，刷旋转机构，其使所述端部清洗刷围绕与所述基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转； 所述端部清洗刷具有 锥状的第一清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板 的端面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 另一面侧的斜面区域接触；所述第一、第二以及第三清洗面以所述旋转轴为中心一体设置。
17. 如权利要求16所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第一清洗液供给部。
18. 如权利要求16所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的第二清洗液供给部。
19. 一种基板清洗装置，其特征在于，包括基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转， 端部清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基板的端部 的方式设置，刷旋转机构，其使所述端部清洗刷围绕相对于由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面而倾斜的方向的旋转轴旋转；所述端部清洗刷具有锥状的第一清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的 端面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板 的一面侧的斜面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的一面的周缘部接触；所述第一、第二以及第三清洗面以所述旋转轴为中心一体设置。
20. 如权利要求19所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所 述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第一清洗液供给部。
21. 如权利要求19所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所 述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的第二清洗液供给部。
22. —种基板清洗装置，其特征在于，包括 基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，第一以及第二清洗刷，其以能够接触所述基板旋转保持装置所保持的基 板的端部的方式设置，第一以及第二刷旋转机构，其使所述第一以及第二清洗刷围绕与所述基 板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴分别旋转；所述第一清洗刷具有能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的一 面侧的斜面区域接触的锥状的第一清洗面，所述第二清洗刷具有能够与由所述基板旋转保持装置保持的基板的另 一面侧的斜面区域接触的锥状的第二清洗面，所述第一以及第二清洗刷中的至少一个还具有能够与由所述基板旋转 保持装置保持的基板的端面区域接触的圆柱状的第三清洗面，所述第三清洗面以所述旋转轴为中心与所述第一或者第二清洗面一体 设置。
23. 如权利要求22所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所 述基板旋转保持装置保持的基板的一面供给清洗液的第一清洗液供给部。
24. 如权利要求22所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有向由所述基板旋转保持装置保持的基板的另一面供给清洗液的第二清洗液供给部。
全文摘要
一种基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置，具有清洗处理单元，所述清洗处理单元具有旋转卡盘，所述旋转卡盘用于在水平保持基板的同时，使基板绕贯穿基板中心的铅垂轴旋转。在旋转卡盘的外侧，设置有斜面清洗部。斜面清洗部具有清洗刷。清洗刷具有与铅直轴旋转对称的形状，并且具有上斜面清洗面、端面清洗面以及下斜面清洗面。端面清洗面是以垂直方向为轴心的圆筒面。上斜面清洗面从端面清洗面的上端向外侧上方倾斜延伸，下斜面清洗面从端面清洗面的下端向外侧下方倾斜延伸。
文档编号H01L21/00GK101355019SQ200810144319
公开日2009年1月28日 申请日期2008年7月25日 优先权日2007年7月26日
发明者吉井弘至, 西山耕二, 西村让一 申请人:株式会社迅动