专利名称：降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法
技术领域：
本发明涉及一种湿法腐蚀工艺，特别涉及一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的 方法。
背景技术：
在传统的湿法腐蚀过程中会先在衬底上生长一层薄膜，然后利用光刻工艺形成腐 蚀窗口，再利用湿法腐蚀液对薄膜进行腐蚀，由于湿法腐蚀液对于薄膜，衬底和光刻胶都有 很高的选择比所以可以近似认为薄膜和光刻胶没有损失。同时湿法腐蚀液对于水平方向和 垂直方向的腐蚀速率几乎一致或小于垂直方向的腐蚀速率，所以薄膜和衬底的接触角度一 般大于45度。图1为传统湿法腐蚀的工艺流程，腐蚀后的最终形貌见图ld，横向腐蚀量和纵向 腐蚀量基本相等，或小于纵向腐蚀量，使得最后薄膜和衬底的接触角c 一般大于45°。而在 半导体制造和微机械制造等微细加工领域，比如超高电压器件应用，常常需要腐蚀后的薄 膜和衬底之间有一个很小的角度，并且这种工艺的实现应该是可以精确控制的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法。为解决上述技术问题，本发明的降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法，在进行 湿法腐蚀之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击，在薄膜表面形成一损伤层，之后进行常规 的湿法腐蚀。采用本发明的方法，因离子轰击后在薄膜表面形成了损伤层，使得湿法腐蚀时腐 蚀液能沿着损伤层表面渗透，从而增强了湿法腐蚀中侧向腐蚀的速度，因此腐蚀后得到薄 膜和衬底的接触角小于45°，以满足微细加工领域的要求。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1为与现有常见的湿法腐蚀流程相应的截面结构示意图；图2为与本发明的湿法腐蚀流程相应的截面结构示意图。
具体实施例方式本发明的方法旨在降低湿法腐蚀后薄膜的接触角，采用的方法是在进行湿法腐蚀 之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击，在薄膜表面形成一损伤层，之后进行常规的湿法腐 蚀。图2为与本发明的方法相应的一具体截面结构示意图，描述如下(1)先在衬底之上淀积薄膜(见图2a和图2b)。(2)之后采用离子束对薄膜表面进行轰击，使其表面形成一损伤层(见图2c)，轰击采用的离子束优选为大质量离子，如氩，硅，锗等。损伤层的厚度(即离子注入的深度) 与最终要形成的接触角大小有关，该层越厚，最终形成的接触角越小。该步离子束轰击可采 用半导体制造中常用的离子注入设备来实施。损伤层的厚度可以通过离子的能量和轰击时 间来控制，一般来讲，注入能量越大，轰击时间越大，损伤层越厚。 (3)利用光刻工艺形成湿法腐蚀的窗口(见图2d)，之后进行湿法腐蚀。因在湿 法腐蚀过程中，腐蚀液会沿着损伤层表面渗透，因此侧墙腐蚀的速度增强，最终形成如图2e 所述的形貌，薄膜和衬底的接触角较小。
权利要求
一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法，其特征在于在进行湿法腐蚀之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击以在薄膜表面形成一损伤层，而后进行常规的湿法腐蚀。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述离子束中的离子选用氩、硅，或锗离子。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于湿法腐蚀后薄膜的接触角的大小由所述 损伤层厚度控制。
全文摘要
本发明公开了一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法，其在进行湿法腐蚀之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击以在薄膜表面形成一损伤层，而后进行常规的湿法腐蚀。采用本发明的方法，通过湿法腐蚀液沿损伤层渗透，增强侧面的腐蚀速度，从而使湿法腐蚀后薄膜和衬底之间的接触角变小。
文档编号H01L21/321GK101908466SQ200910057388
公开日2010年12月8日 申请日期2009年6月8日 优先权日2009年6月8日
发明者熊涛, 罗啸, 陈华伦, 陈瑜, 陈雄斌 申请人:上海华虹Nec电子有限公司