加强型压塑三相整流桥的制作方法

文档序号:7189779阅读:306来源:国知局
专利名称:加强型压塑三相整流桥的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种半导体整流器件,尤其涉及一种具有较高机械高强的加 强型压塑三相整流桥。
背景技术
传统塑封三相桥的生产流程如下.装配将框架、芯片、焊片按照工艺文件 的要求组装在烧结模具内,扣上平整的石墨上模送入烧结站;烧结烧结站员工 按照烧结工艺将组装好的材料放在烧结链条上进入高温焊接炉进行高温焊接,形 成焊接好的半成品框架;测试利用测试设备测试半成品框架的烧结合格率,将 短路、开路废品直接筛选来出;电镀将铜底板电镀一层镍;打磨将已电镀好 的底板正面打磨至发毛状态; 一次压塑在已打毛的铜底板上压塑一层相应厚度 绝缘层;二次压塑将测试合格的半成品和已压好绝缘层的底板放入塑封压机, 按照工艺要求设定各项参数后直接进行封装形成最终成品外形;测试按照产品 规格的不同设置各项测试参数和测试条件,将废品彻底淘汰;印字在产品的侧 面印上产品的型号、批号、电极;包装将测试品按照客户的包装要求进行包装。
采用传统工艺形成的三相桥主要存在以下不足 一、传统三相桥的底板为铜 板,在铜板上加一层绝缘环氧层,不仅生产成本高,并且增加了生产工序。二、 传统三相桥是直接压塑环氧塑封体,产品机械强度较低。

实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有三相桥存在的上述问题,提供一种加强型压 塑三相整流桥,本实用新型不仅工艺简单,并且降低了生产成本,提高了产品机 械强度和散热性能,加强了产品的稳定性。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下
一种加强型压塑三相整流桥,包括基板、框架和芯片,其特征在于所述基 板为铝基板,铝基板上自带有绝缘层,铝基板上设置有螺旋柱,环氧塑封体压塑 在铝基板上,螺旋柱、框架和芯片均包裹在环氧塑封体中。
本实用新型还包括上缓冲片和下缓冲片,芯片设置在上缓冲片和下缓冲片之间。
所述螺旋柱为四个,均匀分布在环氧塑封体的四个角上。所述铝基板上设置有螺纹孔,螺旋柱与螺纹孔连接。 采用本实用新型的优点在于
一、 本实用新型中,基板为铝基板,成本大大降低,铝基板上自带有绝缘层, 减少了底板打磨、 一次压塑两项工序,提高了散热性能,并且由于减少了生产时 间,从而提高了生产效率,铝基板上设置有螺旋柱,环氧塑封体压塑在铝基板上, 螺旋柱、框架和芯片均包裹在环氧塑封体中,使环氧塑封体与铝基板连接更紧密, 提高了产品机械强度。
二、 本实用新型还包括上缓冲片和下缓冲片,芯片设置在上缓冲片和下缓冲 片之间,在芯片两侧加上缓冲片后,减少了外部应力对芯片的冲击,提高了产品 稳定性。
三、 本实用新型中螺旋柱为四个,均匀分布在环氧塑封体的四个角上,使环 氧塑封体四个角与铝基板紧密连接,形成一整体,机械强度得到充分保证。
四、 本实用新型中,铝基板上设置有螺纹孔,螺旋柱与螺纹孔连接,便于螺 旋柱安装和拆卸。


图1为本实用新型结构示意图
图2为本实用新型铝基板俯视结构示意图 图3为本实用新型铝基板侧视结构示意图
图中标记为1、铝基板,2、螺旋柱,3、环氧塑封体,4、引线端子。
具体实施方式

一种加强型压塑三相整流桥,包括基板、框架和芯片,其中,基板为铝基板 1,在铝基板l上自带有绝缘层,并且在铝基板1上设置有螺旋柱2,环氧塑封体 3压塑在铝基板1上,螺旋柱2、框架和芯片均包裹在环氧塑封体3中,引线端子 4位于环氧塑封体3外。
本实用新型还包括上缓冲片和下缓冲片,芯片设置在上缓冲片和下缓冲片之 间,上缓冲片和下缓冲片可选用钼片等。螺旋柱2设置为四个,均匀分布在环氧 塑封体3的四个角上。并且在铝基板1上设置有螺纹孔,螺旋柱2与螺纹孔连接。
本实用新型的生产工艺如下
装配将钼片置于芯片两侧,用焊片放于芯片与钼片之间组装在烧结模具内,
扣上平整的石墨上模送入烧结站;
烧结,.烧结站员工按照烧结工艺将组装好的材料放在烧结链条上进入高温焊
接炉进行高温焊接,形成焊接好的半成品框架;
测试利用测试设备测试半成品框架的烧结合格率,将短路、开路废品直接
4筛选出来;
钻孔攻丝在自带绝缘层的铝基板固定位置钻孔,攻丝后加上一定高度和大 小的螺母;
压塑将测试合格的半成品和加工好的铝基板放入塑封压机,按照工艺要求 设定各项参数后直接进行封装形成最终成品外形;
测试按照产品规格的不同设置各项测试参数和测试条件,将废品彻底淘汰; 印字在产品的侧面印上产品的型号、批号、电极; 包装将测试品按照客户的包装要求进行包装。
显然,本领域的普通技术人员根据所掌握的技术知识和惯用手段,根据以上 所述内容,还可以作出不脱离本实用新型基本技术思想的多种形式,这些形式上 的变换均在本实用新型材料的保护范围之内。
权利要求1、一种加强型压塑三相整流桥,包括基板、框架和芯片,其特征在于所述基板为铝基板(1),铝基板(1)上自带有绝缘层,铝基板(1)上设置有螺旋柱(2),环氧塑封体(3)压塑在铝基板(1)上,螺旋柱(2)、框架和芯片均包裹在环氧塑封体(3)中。
2、 根据权利要求1所述的加强型压塑三相整流桥,其特征在于还包括上缓冲片和下缓冲片,芯片设置在上缓冲片和下缓冲片之间。
3、 根据权利要求1或2所述的加强型压塑三相整流桥,其特征在于所述螺旋柱(2)为四个,均匀分布在环氧塑封体(3)的四个角上。
4、 根据权利要求3所述的加强型压塑三相整流桥,其特征在于所述铝基板 (1)上设置有螺纹孔,螺旋柱(2)与螺纹孔连接。
专利摘要本实用新型公开了一种加强型压塑三相整流桥,包括基板、框架和芯片,其基板为铝基板,铝基板上自带有绝缘层,铝基板上设置有螺旋柱,环氧塑封体压塑在铝基板上,螺旋柱、框架和芯片均包裹在环氧塑封体中。本实用新型不仅工艺简单,并且降低了生产成本,提高了产品机械强度和散热性能,加强了产品的稳定性。
文档编号H01L23/31GK201430132SQ20092008169
公开日2010年3月24日 申请日期2009年6月11日 优先权日2009年6月11日
发明者邓华鲜 申请人:乐山希尔电子有限公司
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