专利名称：一种180～186瓦72片单晶硅电池片组件及其使用的单晶硅电池片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶硅电池片，尤其是一种180 186瓦72片单晶硅电池片 组件及其使用的单晶硅电池片。
背景技术：
目前，世界上的晶体硅发电的产品中，180瓦72片的单晶硅电池片的组件是主流。 生产180瓦72片的单晶硅电池片组件，每片硅片的功率要达到2. 5瓦。由于掺硼硅片的材 料特性，其固有衰减在2. 5%，所以电池片在衰减前的功率要达到2. 564瓦。目前行业里生 产180瓦组件的硅片尺寸的标准为边长125mm，对角线长为150mm，其面积为14858mm2。则 在标准光强照射下(光强1000W/m2)，其衰减前光电转换效率应在17. 25%。 而对于目前晶体硅电池的批量生产技术，如果要做到衰减前光电转换效率 为17. 25%的的电池片，其硅料的少子寿命必须大于25ii s，硅材料间隙氧的含量小于 18ppma，替位碳含量小于lppma，金属杂质含量小于O. 5ppba。为了达到这一产品质量，必须 使用纯度为8N以上的硅材料。而目前国内的原生硅金属含量纯度仅能达到6-7N，这使得我 国硅片生产企业不得不购买国外的9N原生多晶硅来进行生产。其价格高昂，大大降低了我 国企业的竞争力。 如果不采购9N的国外原生多晶硅，而采用国内的原生多晶硅，其衰减前光电转换 效率在16. 8 %左右，2. 5 %的衰减。如果依此生产出的标准尺寸电池片，衰减后效率仅有 2. 434瓦，72片生产成组件功率为175. 2瓦，这样的组件远远无法满足市场需求。
发明内容本实用新型需要解决的技术问题是，合理选定电池片尺寸，减少组件中空白导角 面积，增加电池片的表面积，在使用纯度略低的硅材料时也能满足180 186瓦72片组件 使用的单晶硅电池片的质量要求。 本实用新型的180 186瓦72片组件使用的单晶硅电池片，其形状为边长为H的 正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其表面积为S。，其 特征是H为125. 5mm 130. 5mm， D为156mm 184mm。 作为优选，单晶硅电池片上正方形一个圆角以外部分为导角面积，导角面积S =(tf-S。)/4，单晶硅电池片导角面积之和4S与单晶硅电池片表面积S。之比为0. 01 % 5. 00%。 本实用新型的180 186瓦72片单晶硅电池片组件，单晶硅电池片排成矩形阵 列，其特征是其特征是所述的单晶硅电池片形状为边长为H的正方形，带有四个以正 方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其表面积为S。，其中H为125. 5mm 130. 5mm， D为156mm 184mm ;正方形 一 个圆角以外部分为导角面积，导角面积S = (tf-S。)/4，单晶硅电池片组件导角面积之和4S与单晶硅电池片组件表面积S。之比为0. 01% 5. 00%。 经计算，背景技术的标准单晶硅电池片组件导角面积之和与72片单晶硅电池片 表面积之和的比为5. 16%，本实用新型的设计比例明显要小。 本实用新型的单晶硅电池片及其组件的衰减后光电转换效率为14.8% 16. 8%。 本实用新型有益的效果是一、在不过多改变组件外观的情况下，减少了组件中导 角面积，增加了电池片的表面积，使得采用纯度略低的硅材料也能保证质量，达到发电功率 需求。二、在满足发电功率的条件下，材质可由国产原生多晶硅与IC级硅废料控制调配而 成，以进一步降低成本，提高企业的竞争力；三、通过对低纯度硅材料的应用，有效利用硅废 料，降低发电成本。
图1是单晶硅电池片的结构示意图； 图2是单晶硅电池片组件的结构示意图(部分)。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明 实施例1。如图l，本例单晶硅电池片，边长为H二 126mm的正方形，被以正方形中 心为圆心、直径为D二 165mm的圆相割后形成四个圆角，单片面积为15697mm2。如图2，72 片组件成12X6矩形阵列排列，72X4个导角面积之和72片单晶硅电池片表面积之和的比 为1. 14%。 以采用纯度偏低、衰减在3. 5%硅材料为例，以实例1的面积计算，如果要满足180 瓦72片电池片组件的要求，则每片电池片的衰减前光电转换效率要达到16. 5%，这对于国 内的原生多晶硅，达到此质量已经绰绰有余，因而可以在生产中适当加入一些IC级的低价 格硅废料，使生产出的电池片衰减前光电转换效率在16.6%以上即可。综合目前市场价格， 每生产一吨硅料，总成本将下降20%，本例组件的功率衰减后可以达到181瓦以上。 实施例2:见图l，本例单晶硅电池片，边长为H二 126mm的正方形，带四个半径为 D/2的圆角(D = 170mm)，单片面积为15808mm2。见图2， 72片组件成12X6矩形阵列排列， 72X4个导角面积之和72片单晶硅电池片表面积之和的比为0. 43%。 以采用纯度偏低、衰减在3. 5%硅材料为例，如果要满足180瓦72片电池片组件 的要求，则每片电池片的效率要达到衰减前光电转换16. 39%，合理的在生产中加入一些 IC级的低价格硅废料，控制生产出的电池片衰减前光电转换效率在16. 5%以上即。综合目 前市场价格，每生产一吨硅料，总成本将下降28%左右，本例组件的功率衰减后也可以达到 181瓦以上。 除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变 换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。
权利要求一种180～186瓦72片组件使用的单晶硅电池片，其形状为边长为H的正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其特征是H为125.5mm～130.5mm，D为156mm～184mm。
2. 根据权利要求1所述的180 186瓦72片组件使用的单晶硅电池片，其特征是所 述的单晶硅电池片上正方形一个圆角以外部分为导角面积，导角面积S = (tf-S。)/4，单晶 硅电池片导角面积之和4S与单晶硅电池片表面积S。之比为0. 01% 5. 00%。
3. —种180 186瓦72片单晶硅电池片组件，单晶硅电池片排成矩形阵列，其特征是 所述的单晶硅电池片形状为边长为H的正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2 的圆相割形成的圆角，其表面积为S0，其中H为125. 5mm 130. 5mm， D为156mm 184mm ; 正方形一个圆角以外部分为导角面积，导角面积S = (tf-S。)/4，单晶硅电池片组件导角面 积之和4S与单晶硅电池片组件表面积S。之比为0. 01% 5. 00%。
专利摘要本实用新型涉及一种180～186瓦72片单晶硅电池片组件及其使用的单晶硅电池。本实用新型需要解决的技术问题是，合理选定电池片尺寸，减少组件中导角面积，增加电池片的表面积。本实用新型的单晶硅电池片，其形状为边长为H的正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其特征是H为125.5mm～130.5mm，D为156mm～184mm；且单晶硅电池片导角面积之和4S与单晶硅电池片表面积S0之比为0.01％～5.00％。
文档编号H01L31/042GK201438468SQ20092011604
公开日2010年4月14日 申请日期2009年3月20日 优先权日2009年3月20日
发明者俞峰峰, 石坚 申请人:嘉兴明通光能科技有限公司