专利名称：半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的装置的制作方法
技术领域：
半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的装置
技术领域：
本实用新型涉及制造半导体外延设备的改进，尤其涉及一种半导体外延设备中用
于去除基座表面杂质的装置。背景技术：
单晶硅外延，是在抛光硅片表面通过化学气相沉积的方法再生长一层几微米到几 十微米单晶硅层。硅外延材料是集成电路和分立器件中重要的基础材料。硅外延片能够提 供抛光片所没有的电参数，去除许多在晶体生长和加工成衬底材料过程中形成的表面和近 表面缺陷。单晶硅外延片主要用于CMOS逻辑电路、DRAM和分立器件制造。外延技术是解 决大直径单晶硅片表面缺陷的一种重要手段。 外延炉是硅外延的关键设备，外延炉的性能直接影响硅外延片的质量。 基座是单晶硅外延设备中重要的硅片支撑和受热的部件。该部件通常由一定形状 的石墨外表面镀一层碳化硅制造而成。在国际上现在通用的平板式外延炉中，基座既起着 支撑硅片的作用，又起着加热硅片的作用。由于结构的方面的设计，现在平板式外延炉的基 座硅片支撑面(基座正面)及其背面通常有大量的杂质多晶硅沉淀。基座正面的杂质多晶 硅通常采用在高温环境下通入氯化氢，使其和杂质多晶硅反应的方法去除掉。由于平板外 延炉本身结构上的限制，上述方法只能将基座正面与气流方向对应区域的杂质多晶硅去除 掉，而基座背面大量的杂质多晶硅不能去除。而背面残留的杂质多晶硅在外延中势必影响 到硅外延晶片的质量。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种用于去除基座表面杂质的装置，能 够去除基座背面残留的杂质，提高外延工艺质量。 为了解决上述问题，本实用新型提供了一种半导体外延设备中用于去除基座表面 杂质的装置，包括第一固定件，其形状与基座正面的结构互补，用于将基座的正面固定在 所述杂质去除装置上；第二固定件，其形状与基座的背面形状相同，用于同外延设备在正常 生长状态下用于固定基座的基座固定装置相连接，以将所述杂质去除装置固定至基座固定 装置上；以及连接件，用于连接第一固定件与第二固定件。 作为可选的技术方案，所述第一固定件包括一突出水平表面的卡紧装置，所述卡 紧装置的内径等于基座表面圆环状突起的外径，所述圆环沿垂直于水平表面方向的厚度不 小于基座表面圆形凹陷的深度。 作为可选的技术方案，所述第二固定件包括两个外径不同的圆柱体，两个圆柱体 首尾相接，外径较小的一圆柱体用于卡入固定基座的装置中以将所述杂质去除装置固定在 原用于固定基座的装置的表面。 作为可选的技术方案，所述连接装装置包括一圆盘，圆 的一表面上安放有第一 固件，另一相对的表面安放第二固定件。[0010] 本实用新型的优点在于，所提供的装置能够将基座以背面向上的方式安放在反应
室中，因此可以专用于清洁基座背面的杂质。
附图1所示为本实用新型的具体实施方式
所述装置的结构示意图； 附图2为附图1的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型提供的半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的 装置的具体实施方式
做详细说明。 附图1所示为本具体实施方式
所述装置10的结构示意图，附图2为附图1的俯视 图。参考附图1与附图2，所述装置10包括第一固定件110、第二固定件120以及连接件 130。上述装置10用于将基座(图中未示出)固定在基座固定装置(图中未示出)的表面 进行清洗以去除表面杂质，所述基座固定装置是指设备处在正常生长的状态下用于固定基 座的装置。 所述第一固定件110的形状与基座正面的结构互补，用于将基座的正面固定至所 述杂质去除装置10。在外延生长过程中，为了将晶圆牢固的放置在基座的表面，因此所述 基座正面通常都具有一突出表面的圆环，其内径与晶圆的半径相同，晶圆被牢固地放置在 所述圆环所围拢的空间内，确保在生长的过程中不会发生横向移动。因此，所述第一固定件 IIO应当互补地包括一突出水平表面的卡紧装置，所述卡紧装置可以是同样是一圆环或者 多个呈环形排列的卡块等可以对圆环起到卡紧作用的装置，所述卡紧装置的内径等于基座 表面圆环的外径，以将基座的正面与第一固定件110相互固定在一起。并且所述卡紧装置 111沿垂直于水平表面方向的厚度不小于基座表面圆环的厚度，以保证卡紧装置111与基 座表面圆环相互的卡紧结构能够更为牢固。 所述第二固定件120的形状与基座的背面形状相同，用于同外延设备中的基座固 定装置相连接，以将所述杂质去除装置10固定至基座固定装置。 本具体实施方式
中，第二固定件120包括两个外径不同的圆柱体，两个圆柱体首 尾相接，外径较小的一圆柱体用于卡入固定基座的装置中以将所述杂质去除装置固定在原 用于固定基座的装置的表面。 连接件130，用于连接第一固定件110与第二固定件120。 本具体实施方式
中的连接件130是一圆盘，圆盘的一表面上安放有第一固件110， 另一相对的表面安放第二固定件120。 在清洁基座表面杂质的工艺中，将杂质去除装置10安放在反应室中，再将基座安 放在杂质去除装置10上，因此能够将基座以背面向上的方式安放在反应室中。在此状态下 通入能够与多晶硅反应的清洁气体，从而将基座背面的杂质去除。 并且，为了保护基座表面的碳化硅层，还可以在基座正面包裹一层多晶硅之后，再 将正面朝下来清洁基座背面，这样正面的多晶硅能起到保护基座上的碳化硅层免受腐蚀的 作用。 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰 也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求一种半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的装置，其特征在于包括第一固定件，其形状与基座正面的结构互补，用于将基座的正面固定在所述杂质去除装置上；第二固定件，其形状与基座的背面形状相同，用于同外延设备在正常生长状态下用于固定基座的基座固定装置相连接，以将所述杂质去除装置固定至基座固定装置上；以及连接件，用于连接第一固定件与第二固定件。
2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一固定件包括一突出水平表面的 卡紧装置，所述卡紧装置的内径等于基座表面圆环状突起的外径。
3. 根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述圆环沿垂直于水平表面方向的厚度 不小于基座表面圆形凹陷的深度。
4. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二固定件包括两个外径不同的圆 柱体，两个圆柱体首尾相接，外径较小的一圆柱体用于卡入固定基座的装置中以将所述杂 质去除装置固定在原用于固定基座的装置的表面。
5. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述连接装装置包括一圆盘，圆盘的一表 面上安放有第一固件，另一相对的表面安放第二固定件。
专利摘要一种半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的装置，包括第一固定件，其形状与基座正面的结构互补，用于将基座的正面固定在所述杂质去除装置上；第二固定件，其形状与基座的背面形状相同，用于同外延设备在正常生长状态下用于固定基座的基座固定装置相连接，以将所述杂质去除装置固定至基座固定装置上；以及连接件，用于连接第一固定件与第二固定件。本实用新型的优点在于，所提供的装置能够将基座以背面向上的方式安放在反应室中，因此可以专用于清洁基座背面的杂质。
文档编号H01L21/00GK201549481SQ200920214350
公开日2010年8月11日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者吴庆东, 胡平 申请人:上海新傲科技股份有限公司