专利名称：一种真空灭弧室一匝线圈触头结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种触头结构，特别是一种用于真空灭弧室的触头结构。
背景技术：
目前真空断路器大量应用于中压领域，而在126kV及以上高压和超高压领域内SF6 断路器占绝对统治地位。但SF6气体是《联合国气候变化框架公约》京都议定书中限定的六 种主要温室效应气体之一，其地球温暖化系数是C02气体的23900倍，大气中寿命长达3200 年。与SF6断路器相比，真空断路器具有环境友好、产品可靠性高、维护工作量小、产品技术 性能高等优点，因此发展高压真空断路器是减少SF6放的一种非常好和选择。目前真空断 路器中，触头结构的线圈一般使用四分之一匝线圈、三分之一匝线圈、二分之一匝线圈，由 于导电路径长度的限制，磁场强度也不容易提高，因此很难提高触头结构在真空断路器的 开断能力。而一味延长线圈长度，容易造成线圈体积过大，不适宜在真空断路器中的使用。
实用新型内容本实用新型的目的在于，提供一种真空灭弧室一匝线圈触头结构。它可以在不增 加线圈体积的前提下，获得更高的磁场强度以提高触头结构在真空断路器中的开断能力。 本实用新型的技术方案一种真空灭弧室一匝线圈触头结构，包括导电杆、线圈、 加强筋和触头，其特征在于所述线圈包括一个导电杯体，导电杯体顶部开有两个凹槽，凹 槽在导电杯体顶部分割出两个凸起面，在凹槽的一端开有上连接槽与沿导电杯体中部圆周 旋转180°的中槽一端相连，中槽另一端开有下连接槽与导电杯体底部的底槽相连，底槽贯 穿杯底。 上述的真空灭弧室一匝线圈触头结构中，所述触头为CuCr合金，并开有两个直槽。 前述的真空灭弧室一匝线圈触头结构中，所述导电杯体顶部的凸起面与触头平面 对接，触头上的直槽与凹槽未开上连接槽的一端对齐。 与现有技术相比，本实用新型通过在导电杯体上开设各种槽，使线圈成为双层的 两瓣一匝线圈，在不增加线圈体积的前提下，增加了线圈长度，即增加了导电路径，提高了 磁场强度，从而提高了触头结构在真空断路器中的开断能力。在实现相同的开断能力下，本 实用新型可以减小触头结构的体积，对真空断路器的小型化发展有积极的作用。
图1是本实用新型线圈的结构示意图； 图2是本实用新型的结构示意图； 图3是本实用新型触头的结构示意图。 附图中的标记为l-导电杆，2-线圈，3-加强筋，4-触头，5-底槽，6-突起面，7-凹 槽，8_下连接槽，9-上连接槽，10-中槽，11-导电杯体，12-直槽。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，但并不作为对本实用新型 限制的依据。 实施例。 一种真空灭弧室一匝线圈触头结构，如图1 图3所示，包括导电杆1、线 圈2、加强筋3和触头4，其特征在于所述线圈2包括一个导电杯体11，导电杯体11顶部 开有两个凹槽7 (即顶槽)，凹槽7在导电杯体11顶部分割出两个凸起面6，在凹槽7的一 端开有上连接槽9与沿导电杯体11中部圆周旋转180°的中槽10 —端相连，中槽10另一 端开有下连接槽8与导电杯体11底部的底槽5相连，底槽5贯穿杯底。触头4为CuCr合 金，并开有两个直槽12。导电杯体11顶部的凸起面6与触头4平面对接，触头4上的直槽 12与凹槽7未开上连接槽9的一端对齐。 线圈2和触头4采用焊料焊接，加强筋3在线圈2与触头4之间起连接及加强的 作用。其材料可以为不锈钢或其它导电性能相对较差的材料。导电杆1和线圈2的连接采 用焊料焊接，用导电杆1上的台阶与线圈2底部的孔定位。本实用新型通过在导电杯体11 上开设各种槽，使线圈2成为双层的两瓣一匝线圈，在不增加线圈2体积的前提下，增加了 线圈2长度，即增加了导电路径，提高了磁场强度，从而提高了触头结构在真空断路器中的 开断能力。在实现相同的开断能力下，本实用新型可以减小触头结构的体积，对真空断路器 的小型化发展有积极的作用。
权利要求一种真空灭弧室一匝线圈触头结构，包括导电杆(1)、线圈(2)、加强筋(3)和触头(4)，其特征在于所述线圈(2)包括一个导电杯体(11)，导电杯体(11)顶部开有两个凹槽(7)，凹槽(7)在导电杯体(11)顶部分割出两个凸起面(6)，在凹槽(7)的一端开有上连接槽(9)与沿导电杯体(11)中部圆周旋转180°的中槽(10)一端相连，中槽(10)另一端开有下连接槽(8)与导电杯体(11)底部的底槽(5)相连，底槽(5)贯穿杯底。
2. 根据权利要求1所述的真空灭弧室一匝线圈触头结构，其特征在于所述触头(4) 为CuCr合金，并开有两个直槽(12)。
3. 根据权利要求1或2所述的真空灭弧室一匝线圈触头结构，其特征在于所述导电 杯体(11)顶部的凸起面(6)与触头(4)平面对接，触头(4)上的直槽(12)与凹槽(7)未 开上连接槽(9)的一端对齐。
专利摘要本实用新型公开了一种真空灭弧室一匝线圈触头结构，包括导电杆(1)、线圈(2)、加强筋(3)和触头(4)，其特征在于所述线圈(2)包括一个导电杯体(11)，导电杯体(11)顶部开有两个凹槽(7)，凹槽(7)在导电杯体(11)顶部分割出两个凸起面(6)，在凹槽(7)的一端开有上连接槽(9)与沿导电杯体(11)中部圆周旋转180°的中槽(10)一端相连，中槽(10)另一端开有下连接槽(8)与导电杯体(11)底部的底槽(5)相连，底槽(5)贯穿杯底。本实用新型可以在不增加线圈体积的前提下，获得更高的磁场强度以提高触头结构在真空断路器中的开断能力。
文档编号H01H33/664GK201508802SQ20092031268
公开日2010年6月16日 申请日期2009年10月16日 优先权日2009年10月16日
发明者康一 申请人:中国振华电子集团宇光电工有限公司