专利名称：电阻器模块及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种电阻器模块及其制造方法，且特别是有关于一种具有多层结 构的电阻器模块及其制造方法。
背景技术：
传统的电阻组件个别制作完成后再一颗颗分别固定于基板上。然而，传统电阻器 的体积较大，当基板所需的电阻组件的数量愈多时，需要较大面积的基板，导致最终产品的 尺寸过大。并且，传统电阻组件须一颗颗地插入或组装至基板中，相当耗时且耗成本。
发明内容
本发明有关于一种电阻器模块及其制造方法，电阻器模块具有多层电阻层，可同 时提供多个电阻组件。此外，通过多层电阻层的设计，可增加电阻的电性路径长度，以增加 电阻值。根据本发明的一方面，提出一种电阻器模块。电阻器模块包括一基板及数个电阻 结构。每个电阻结构形成于基板上并包括一第一电阻层、一介电层及一第二电阻层。第一 电阻层形成于基板上。介电层形成于第一电阻层的上表面上。第二电阻层形成介电层上。根据本发明的另一方面，提出一种电阻器模块的制造方法。制造方法包括以下步 骤。提供一基板；形成一第一电阻层于基板上，第一电阻层定义一第一接点及一第二接点； 形成一介电层覆盖第一电阻层的上表面，介电层具有一第一开孔及一第二开孔，第一开孔 露出第一接点且第二开孔露出第二接点；以及，形成一第二电阻层于介电层上，第二电阻层 通过第一开孔电性连接于第一接点。为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下
图1绘示依照本发明第一实施例的电阻器模块的上视图。图2绘示图1中方向2-2’的剖视图。图3绘示依照本发明第一实施例的电阻器模块的制造流程图。图4A至4D绘示图1的电阻器模块的制造示意图。图5A绘示依照本发明第二实施例的电阻器模块的上视图。图5B绘示图5A中方向5B-5B，的剖视图。图6绘示依照本发明第三实施例的电阻器模块的剖视图。图7绘示依照本发明一实施例的电阻器模块的剖视图。图8绘示图6的电阻器模块的制造示意图。图9绘示依照本发明另一实施例的电阻器模块的剖视图。图10绘示依照本发明第四实施例的电阻器模块的剖视图。
图11绘示依照本发明第四实施例的电阻器模块的制造流程图。图12A至12D绘示图10的电阻器模块的制造示意图。图13绘示依照本发明其它实施例的电阻器模块的剖视图。主要组件符号说明100、200、300、400、500、600、700 电阻器模块102 基板104、104，、204、304、604 电阻结构 106,106\206,306,606 第一电阻层108、108，、208、308、608 第二电阻层110、210、310、610 第一介电层112、212、312、612 第一开孔114、214、314、614 第二开孔116、216、316、616 第一接点118、218、318、618 第二接点120、220、320、620 第三接点122、124、126、150、224、226、326、350、624、626、650 上表面128、228、628 第二介电层130,230,630 第三开孔132、232、632 第四开孔134、234、334、434、534、634 第一电性触点136、236、336、536、636 第二电性触点238、338、638 第四接点208a:第一子电阻层208b:第二子电阻层308a:第三子电阻层308b 1 第四子电阻层308b2:第五子电阻层344、444、544、644 第三电性触点346、546、646 第四电性触点448 焊线552,752 种子层754 第一凸块金属756 第二凸块金属758:第三凸块金属760:第四凸块金属108a 一部分R 电阻器模块定义区S102-S112、S602_614 步骤W:宽度
具体实施例方式第一实施例请参照图1，其绘示依照本发明第一实施例的电阻器模块的上视图。电阻器模块 100包括基板102及数个电阻结构104。基板102例如是晶圆(wafer)、氧化硅基板或含有 塑料或树脂成份的半导体基板。电阻结构104形成于基板102上。请参照图2，其绘示图1中方向2-2’的剖视图。电阻结构104包括第一电阻层106、 第二电阻层108、第一介电层110、第二介电层128、第一电性触点(electricalcontact) 134 及第二电性触点136。其中，第一电阻层106形成于基板102上，第一介电层110形成于第 一电阻层106的上表面124上，使第二电阻层108形成于第一介电层110的上表面150上 后，第一电阻层106与第二电阻层108构成上下重迭的双层结构。本实施例中，第一电阻层106与第二电阻层108电性连接。相较于传统的单层电 阻结构，本实施例的电阻结构104经由第一电阻层106与第二电阻层108所构成的双层结 构来增加电阻层的长度，大幅提高电阻结构104的电阻值。本发明的电阻层的层数并不限 于双层，于其它实施方面中，电阻器模块的电阻层的层数亦可超过二层。
如图1及图2所示，整个第二电阻层108隔着第一介电层110与第一电阻层106重 迭，使电阻结构104的铺设范围较小，可节省基板102的面积，然此非用以限制本发明。于 一实施方面中，如图1所示，电阻结构104’的第二电阻层108’中仅一部分隔着第一介电层 110 (第一介电层110未绘示于图1)重迭于第一电阻层106’。请继续参照图1，虽然电阻结构104’的铺设范围较电阻结构104大，然第二电阻层 108’的宽度W较大，使电阻结构104’的电阻值减小。进一步地说，通过电阻层的长度及宽 度的设计，可设计出不同的电阻值。一般而言，电阻层的长度愈长，电阻值愈大，而电阻层的 宽度愈宽，电阻值愈小。此外，如图1所示，数个第二电阻层108铺设出的范围大致上含盖基板102的整个 上表面122，可降低电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)的影响与干扰。如图2所示，第二电阻层108与第一电阻层106位于不同的垂直高度位置，即第二 电阻层108往基板102的厚度方向延伸发展。如此一来，在有限的基板面积下可往基板102 的厚度方向形成较多数量的电阻结构。电阻器模块100的电阻结构104的数量大约介于28 个至32个之间，然此非用以限制本发明，电阻结构104的数量可以超过32个或小于28个。第一介电层110覆盖第一电阻层106的上表面124并具有第一开孔112及第二开 孔114，第一电阻层106的上表面124定义第一接点116及第二接点118，第一开孔112露 出第一接点116，而第二开孔114露出第二接点118。第二电阻层108的上表面126定义第三接点120，第二电阻层108的一部分108a 形成于第一开孔112内并电性连接于第一接点116，使第二电阻层108电性连接于第一电阻 层106。第二电阻层108的该部分108a大致上垂直于第一电阻层106。第一接点116、第二接点118及第三接点120定义于电阻层的表面上的电性接触区 域(region)，焊线、电性触点、接垫、凸块金属、表面处理层(surface finish)或其它电性 结构可形成于该电性连接区上。第一接点116、第二接点118及第三接点120的位置决定第二接点118至第三接点120间的电性路径长度，藉此可设计出不同的电阻值。本实施例的第一接点116、第二接点 118及第三接点120的位置可视实际的电阻设计值而定，不受本发明实施所限制。第二接点118及第三接点120可作为第一电阻层106与第二电阻层108所构成的 结构的正、负极。第二接点118及第三接点120可通过焊线(solder wire)电性连接于一 外部电路，例如是触控面板的控制模块。虽然第三接点120的位置重迭于第一电阻层106，然此非用以限制本发明，第三接 点120的位置亦可不重迭于第一电阻层106。举例来说，于其它实施方面中， 第二电阻层108 的一部分亦可不重迭于第一电阻层106，而第三接点120定义于第二电阻层108的该部分 上，如此第三接点120的位置便不重迭于第一电阻层106。第二介电层128覆盖第二电阻层108并具有第三开孔130及第四开孔132。第四 开孔132露出第二开孔114及第二接点118，第三开孔130露出第三接点120。第一电性触点134形成于第三开孔130内及第三接点120上以电性连接于第二电 阻层108，并用以与外部电路电性接触。第二电性触点136形成于第二开孔114内、第四开 孔132内及第二接点118上以电性连接于第一电阻层106，并用以与外部电路电性接触。第一电性触点134及第二电性触点136例如是铝垫(pad)，其可提供较佳的电性连 接质量外，亦可保护第二接点118及第三接点120，避免其受到环境的破坏。虽然第一电性触点134及第二电性触点136以铝垫(pad)为例说明，然此非用以 限定本发明。于一实施方面中，第一电性触点134及第二电性触点136亦可为凸块金属 (Under-Bump Metallization, UBM)。以下以图3并搭配图4A至4D说明图1的电阻器模块的制造方法。图3绘示依照 本发明第一实施例的电阻器模块的制造流程图，图4A至4D绘示图1的电阻器模块的制造 示意图。于步骤S 102中，提供如图4A所示的基板102。基板102定义有数个(图4A仅绘 示出单个)电阻器模块定义区R。后续步骤所形成的结构对应地形成于该些电阻器模块定 义区R内。于切割步骤中沿着电阻器模块定义区R的范围进行切割动作，即可切出多个电 阻器模块100。进一步地说，本实施例的电阻器模块的制造方法可一次制造数个电阻器模 块，提升生产量，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，基板102可仅定义单个电阻器 模块定义区R。然后，于步骤S104中，如图4A所示，形成数个第一电阻层106于基板102的上表 面122上，并于第一电阻层106的上表面124定义第一接点116及第二接点118。于本步骤S104中，可应用溅镀(sputter)方式形成一电阻材料于基板102的上表 面122上。然后再应用图案化技术图案化该电阻材料以形成该些第一电阻层106。其中，该 电阻材料例如是氮化钽(TaN)、PbTi03、二氧化钌(Ru02)、磷化镍(NiP)、铬化镍(NiCr)及 NCAlSi等高电阻值材料。上述图案化技术例如是微影工艺(photolithography)、化学蚀刻 (chemicaletching)、等离子蚀刻(plasma etching)、激光钻孔(laser drilling)、机械钻 孔(mechanicaldrilling)或激光切割。然后，于步骤S106中，如图4B所示，形成第一介电层110覆盖第一电阻层106的 上表面124。第一介电层110具有第一开孔112及第二开孔114，第一开孔112露出第一接点116，且第二开孔114露出第二接点118。为清楚表示电阻结构，图4B至4D仅绘示出单个电阻结构。于本步骤S106中，可应用数种涂布技术的一种来形成一介电材料，介电材料例如 是光阻剂。该些涂布技术例如是印刷(printing)、旋涂(spinning)或喷涂(spraying)。之 后，应用上述图案化技术图案化该介电材料以形成如图4B所示的第一介电层110。然后，于步骤S108中，如图4C所示，形成第二电阻层108于第一介电层110上，第 二电阻层108的上表面126定义第三接点120。第二电阻层108通过第一开孔112电性连 接于第一电阻层106的第一接点116。然后，于步骤Sl 10中，如图4D所示，形成第二介电层128覆盖第二电阻层108。第 二介电层128具有第三开孔130及第四开孔132，第四开孔132露出第二开孔114及第二接 点118，而第三开孔130露出第三接点120。形成第二介电层128的方法相似于形成第一介 电层110的方法，在此不再赘述。然后，于步骤S112中，应用例如是溅镀的方式，分别形成如图2所示的第一电性触 点134及第二电性触点136于第三接点120及第二接点118上。步骤S112之后，对应各电阻器模块100的电阻器模块定义区R的范围，切割第一 介电层110、第二介电层128及基板102，以形成数个如图1所示的电阻器模块100。第二实施例请参照图5A及5B，图5A绘示依照本发明第二实施例的电阻器模块的上视图，图 5B绘示图5A中方向5B-5B’的剖视图。第二实施例中与第一实施例相同之处沿用相同标 号，在此不再赘述。第二实施例的电阻器模块200与第一实施例的电阻器模块100不同之 处在于，电阻器模块200中电阻结构204的第二电阻层208具有第四接点238，其可作为第 二电阻层208的正或负极。如图5A所示，电阻器模块200包括基板102及数个电阻结构204。如图5B所示， 电阻结构204形成于基板102上。电阻结构204包括第一电阻层206、第二电阻层208、第 一介电层210、第二介电层228、第一电性触点234及第二电性触点236。第一电阻层206形 成于基板102上。第一介电层210形成于第一电阻层206的上表面224上。第二电阻层208包括第一子电阻层208a及第二子电阻层208b，第一子电阻层 208a与第二子电阻层208b在空间上彼此隔离。第一子电阻层208a通过第一开孔212电性 连接于第一接点216而第二子电阻层208b通过第二开孔214电性连接于第二接点218，使 第一子电阻层208a电性连接于第二子电阻层208b。第一子电阻层208a的一部分形成于第一开孔212内并与第一电阻层206上下重 迭，其余部分与第一子电阻层208a错开而不重迭，第二子电阻层208b亦同。由上述第一实施例及第二实施例可知，第一电阻层206与第二电阻层208的走向 以及正、负极位置配置具有多种变化，可提供多种电性路径长度及电阻值的实施方面。第一电阻层206的上表面224定义第一接点216及第二接点218，第二电阻层208 的上表面226定义第三接点220及第四接点238，第三接点220及第四接点238可作为第二 电阻层208的正、负极。其中，第三接点220及第四接点238的位置不与第一电阻层206重 迭。第二介电层228具有第三开孔230及第四开孔232，第三开孔230及第四开孔232分别露出第三接点220及第四接点238。第一电性触点234及第二电性触点236分别形成 于第三接点220及第四接点238上以与外部电路电性接触。第一电性触点234及第二电性 触点236可以是铝垫或凸块金属，本实施例的第一电性触点234及第二电性触点236以铝 垫为例作说明。图5A的电阻器模块200的制造方法相似于第一实施例的电阻器模块100的制造 方法，在此不再重复赘述。第三实施例请参照图6，其绘示依照本发明第三实施例的电阻器模块的剖视图。第三实施例中 与第一实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第三实施例的电阻器模块300与第 一实施例的电阻器模块100不同之处在于，电阻器模块300的第一电阻层306与第二电阻 层308在空间上及在电性上彼此隔离。电阻器模块300包括基板102及数个电阻结构304(图6仅绘示单个电阻结构 304)。电阻结构304形成于基板102上。电阻结构304包括第一电阻层306、第二电阻层 308、第一介电层310、第二介电层328、第一电性触点334、第二电性触点336、第三电性触点 344及第四电性触点346。第一电阻层306形成于基板102上并定义第一接点316及第二接点318，第一介电 层310形成于第一电阻层306上，第二电阻层308形成于第一介电层310上并定义第三接 点320及第四接点338。第二电阻层308的第三接点320及第四接点338与第一电阻层306 电性隔离。进一步地说，电阻结构304具有电性分离的二个电阻层，分别第一电阻层306及 第二电阻层308。其中，第一接点316及第二接点318可作为第一电阻层306的正、负极，而 第三接点320及第四接点338可作为第二电阻层308的正、负极。此外，请参照图7，其绘示依照本发明一实施例的电阻器模块的剖视图。电阻器模 块400的第一电性触点434可通过焊线448电性连接于第三电性触点444。如此一来，第一 电阻层306电性连接于第二电阻层308，使第一电阻层306与第二电阻层308电性连接而成 为单一电阻。相较于分离的第一电阻层306与第二电阻层308，由第一电阻层306与第二电 阻层308所连接成的单一电阻，其电性路径增长、电阻值增大。反过来说，若欲得到电阻值 较小的电阻结构，可比照图6的电阻器模块，于电阻结构中形成多层电性分离的电阻层。以下以图3并搭配图8说明图6的电阻器模块的制造方法。图8绘示图6的电阻 器模块的制造示意图。制造电阻器模块300的步骤S102至S106相似于制造电阻器模块 100的步骤S102及S106，在此不再重复说明，以下从步骤S108开始说明。于步骤S108中，如图8所示，形成第二电阻层308于第一介电层310上。第二电 阻层308包括第三子电阻层308a、第四子电阻层308bl及第五子电阻层308b2。第三子电 阻层308a的上表面326定义第三接点320及第四接点338。第四子电阻层308bl形成于第一介电层310的第一开孔312内及第一接点316上。 第五子电阻层308b2形成于第一介电层310的第二开孔314内及第二接点318上，第四子 电阻层308bl及第五子电阻层308b2大致上垂直于第一电阻层306。于本步骤S108中，可应用溅镀技术形成上述电阻材料于第一介电层310的上表面 350上。然后再应用上述图案化技术图案化该电阻材料，以形成彼此隔离的第三子电阻层 308a、第四子电阻层308bl与第五子电阻层308b2。
然后，于步骤SllO中，形成如图6所示的第二介电层328覆盖第二电阻层308。然后，于步骤S112中，分别形成如图6所示的第一电性触点334、第二电性触点336、第三电性触点344及第四电性触点346于第一接点316、第二接点318、第三接点320 及第四接点338上。然后，对应各电阻器模块300的电阻器模块定义区的范围，切割第一介 电层310、第二介电层328及基板102，以形成数个如图6所示的电阻器模块300。此外，于另一实施例中，请图9所示，其绘示依照本发明另一实施例的电阻器模块 的剖视图，电阻器模块500更包括种子层(seed layer) 5520电阻器模块500的制造方法中 于步骤SllO之后更包括以下步骤以溅镀或电镀方式形成种子层552于第一接点316、第 二接点318、第三接点320及第四接点338上；然后，以电镀方式形成第一电性触点534、第 二电性触点536、第三电性触点544及第四电性触点546于种子层552上，以形成如图9所 示的电阻器模块500。其中，第一电性触点534、第二电性触点536、第三电性触点544及第 四电性触点546凸块金属。第四实施例请参照图10，其绘示依照本发明第四实施例的电阻器模块的剖视图。第四实施例 中与第三实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第四实施例的电阻器模块600与 第三实施例的电阻器模块300不同之处在于，电阻器模块600的第一电性触点634及第二 电性触点636形成于第一电阻层606上。电阻器模块600包括基板102及数个电阻结构604 (图10仅绘示出单个电阻结构 604)。电阻结构604形成于基板102上。电阻结构604包括第一电阻层606、第二电阻层 608、第一介电层610、第二介电层628、第一电性触点634、第二电性触点636、第三电性触点 644及第四电性触点646。第一电性触点634及第二电性触点636接垫，其形成于第一电阻层606上，而第三 电性触点644及第四电性触点646接垫，其形成于第二电阻层608上。第一介电层610覆盖部分的第一电性触点634及部分的第二电性触点636，第一电 性触点634及第二电性触点636夹设于第一介电层610与第一电阻层606之间，使第一电 性触点634及第二电性触点636更稳固地形成于第一电阻层606上。相似于第一介电层610的技术特征，第二介电层628覆盖部分的第三电性触点644 及部分的第四电性触点646，第三电性触点644及第四电性触点646夹设于第二电阻层608 与第二介电层628之间，使第三电性触点644及第四电性触点646更稳固地形成于第二电 阻层608上。以下以图11并搭配图12A至12D说明图10的电阻器模块的制造示意图。图11 绘示依照本发明第四实施例的电阻器模块的制造流程图，图12A至12D绘示图10的电阻器 模块的制造示意图。图11的步骤S602及S604相似于图3的步骤S 102及S104，在此不再 重复赘述，以下从步骤S606开始说明。于步骤S606中，如图12A所示，形成第一电性触点634及第二电性触点636于第 一电阻层606的第一接点616及第二接点618上。第一接点616及第二接点618定义于第 一电阻层606的上表面624上。然后，于步骤S608中，如图12B所示，形成第一介电层610覆盖第一电阻层606、部 份的第一电性触点634及部分的第二电性触点636。第一介电层610具有第一开孔612及第二开孔614，其分别露出第一电性触点634及第二电性触点636。然后，于步骤S610中，如图12C所示，形成第二电阻层608于第一介电层610的上 表面650上。第二电阻层608的上表面626定义第三接点620及第四接点638，第二电阻层 608并与第一电阻层606电性分离。然后，于步骤S612中，如图12D所示，形成第三电性触点644及第四电性触点646 于第二电阻层608的第三接点620及第四接点638上。然后，于步骤S614中，形成如图10所 示的第二介电层628覆盖部分的第三电性触 点644、部分的第四电性触点646及第二电阻层608。第二介电层628具有第三开孔630及 第四开孔632，其分别露出第三电性触点644及第四电性触点646。至此，形成图10的电阻 器模块600。此外，于另一实施例中，请参照图13，其绘示依照本发明其它实施例的电阻器模块 的剖视图。相较于电阻器模块600，电阻器模块700更包括种子层752、第一凸块金属754、 第二凸块金属756、第三凸块金属758及第四凸块金属760。以下以图11说明电阻器模块 700的制造方法。于步骤S612后，电阻器模块700的制造方法更包括以溅镀或电镀方式 形成种子层752于第一电性触点634、第二电性触点636、第三电性触点644及第四电性触 点646上。然后，形成第一凸块金属754、第二凸块金属756、第三凸块金属758及第四凸块 金属760于种子层752上，以形成如图13所示的电阻器模块700。本发明上述实施例所揭露的电阻器模块及其制造方法，具有多项特征，列举部份 特征说明如下(1).第二电阻层与第一电阻层位于不同的垂直高度位置，即第二电阻层可往基板 的厚度方向延伸发展。如此一来，在有限的基板面积下可形成较多数量的电阻结构。(2).数个第一电阻层及数个第二电阻层铺设成的范围大致上含盖基板的上表面， 具有降低EMI干扰的效果。(3).第一电阻层可与第二电阻层电性连接或电性分离，实际应用可视设计需求而 定。若第一电阻层及第二电阻层电性连接，则可增加电性路径的长度以提高电阻值；若第一 电阻层及第二电阻层电性分离，则可增加电阻的数目。(4).电阻器模块以半导体技术完成，大幅地缩小最终电阻器模块的体积。综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发 明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动 与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
一种电阻器模块，包括一基板；以及数个电阻结构，形成于该基板上，各该电阻结构包括一第一电阻层，形成于该基板上；一介电层，形成于该第一电阻层的上表面上；及一第二电阻层，形成该介电层上。
2.如权利要求1所述的电阻器模块，其中该第一电阻层与该第二电阻层电性连接。
3.如权利要求2所述的电阻器模块，其中该介电层具有一第一开孔及一第二开孔，该 第一电阻层定义一第一接点及一第二接点，该第一开孔露出该第一接点且该第二开孔露出 该第二接点，该第二电阻层通过该第一开孔电性连接于该第一接点。
4.如权利要求3所述的电阻器模块，该第二电阻层包括一第一子电阻层及一第二子电 阻层，该第一子电阻层与该第二子电阻层彼此隔离，且该第一子电阻层通过该第一开孔电 性连接于该第一接点而该第二子电阻层通过该第二开孔电性连接于该第二接点。
5.如权利要求3所述的电阻器模块，其中该第二电阻层更定义一第三接点，各该电阻 结构更包括一电性触点，形成于该第三接点上。
6.如权利要求5所述的电阻器模块，其中该电性触点凸块金属或铝垫。
7.如权利要求5所述的电阻器模块，其中各该电阻结构更包括 一种子层，形成于该电性触点上；以及一凸块金属，形成于该种子层上。
8.如权利要求5所述的电阻器模块，其中各该电阻结构更包括 一种子层，形成于该电性触点与该第二电阻层之间。
9.如权利要求1所述的电阻器模块，其中该第二电阻层的至少一部分隔着该介电层重 迭于该第一电阻层。
10.如权利要求1所述的电阻器模块，其中该第二电阻层更定义一第三接点及一第四 接点，该第三接点及该第四接点与该第一电阻层电性隔离。
11.如权利要求10所述的电阻器模块，其中各该电阻结构更包括 一焊线，电性连接该第一接点与该第三接点。
12.如权利要求1所述的电阻器模块，其中该第一电阻层及该第一电阻层的材质氮化 钽TaN、PbTiO3、二氧化钌RuO2、磷化镍(NiP)、铬化镍(NiCr)与NCAlSi中至少一者。
13.—种电阻器模块的制造方法，包括 提供一基板；形成一第一电阻层于该基板上，该第一电阻层定义一第一接点及一第二接点； 形成一介电层覆盖该第一电阻层的上表面，该介电层具有一第一开孔及一第二开孔， 该第一开孔露出该第一接点且该第二开孔露出该第二接点；以及形成一第二电阻层于该介电层上，该第二电阻层通过该第一开孔电性连接于该第一接点ο
14.如权利要求13所述的制造方法，其中于形成该第二电阻层的该步骤中，该第二电 阻层包括一第一子电阻层及一第二子电阻层，该第一子电阻层与该第二子电阻层电性隔离，且该第一子电阻层通过该第一开孔电性连接于该第一接点，而该第二子电阻层通过该 第二开孔电性连接于该第二接点。
15.如权利要求13所述的制造方法，其中于形成该第二电阻层的该步骤中，该第二电 阻层更定义一第三接点，更包括形成一电性触点于该第三接点上。
16.如权利要求15所述的制造方法，更包括 形成一种子层于该电性触点上；以及形成一凸块金属于该种子层上。
17.如权利要求15所述的制造方法，其中该电性触点凸块金属或铝垫。
18.如权利要求13所述的制造方法，其中该第二电阻层更定义一第三接点，该制造方 法更包括形成一种子层于该第三接点上；以及 形成一电性触点于该种子层上。
全文摘要
一种电阻器模块及其制造方法。电阻器模块包括基板及数个电阻结构。每个电阻结构形成于基板上并包括第一电阻层、介电层及第二电阻层。第一电阻层形成于基板上。介电层形成于第一电阻层的上表面上。第二电阻层形成介电层上。
文档编号H01C17/00GK101937748SQ20101024088
公开日2011年1月5日 申请日期2010年7月23日 优先权日2010年7月23日
发明者李德章, 陈建桦 申请人:日月光半导体制造股份有限公司