专利名称：连接用焊盘的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种连接用焊盘的制造方法，具体而言，涉及一种半导体元件收纳用的封装中的连接用焊盘的制造方法。
背景技术：
专利文献1及专利文献2公示了内装有MEMS元件及IC芯片的半导体装置，这些半导体装置具有以覆盖封装内部的几乎整体的方式形成的电磁屏蔽用的导电层。另外，在专利文献1中，由具有凹部的盖和基板构成封装，在盖的凹部内安装有MEMS元件。作为在上述那样的盖的内侧面形成连接用焊盘、例如用于连接接合线的独立的接合用焊盘的方法，使用例如图1(a) (d)所示的方法。在如图1所示的方法中，使用上表面形成有凹部202的图1(a)那样的盖201。首先，如图1(b)所示，在凹部202的内表面及盖201的上表面形成有金属膜203。其次，通过光刻技术对金属膜203进行构图，如图1(c)及(d)所示，在规定区域设置连接用焊盘204， 同时，在其之外的大致整个面形成电磁屏蔽用的导电层205。但是，在该方法中，由于使用光刻技术对金属膜203进行构图，因而在该工序中需要光致抗蚀剂的涂敷工序、光致抗蚀剂的曝光工序、光致抗蚀剂的构图工序、光致抗蚀剂的蚀刻工序、光致抗蚀剂的剥离工序等。另外，为了使连接用焊盘204与导电层205之间的绝缘可靠，而在图1(c)及(d)的工序之后，在连接用焊盘204和导电层205之间必须将绝缘材料埋入盖201露出的区域。其结果是，在如图1所示的方法中，使连接用焊盘204的制作工序变得复杂，造成高成本。另外，作为制作连接用焊盘的其它方法，有如图2所示的方法。在如图2所示的方法中，如图2(a)所示，在成形为平板状的盖201的上表面形成金属膜203。然后，如图2(b) 所示，使用光刻技术对金属膜203进行构图，在盖201的上表面形成连接用焊盘204和导电层205。另外，如图2 (c)所示，对导电层205和盖201进行研磨而在盖201上设置凹部202。在该方法中，如图2(b)所示，为了对金属膜203进行构图并形成连接用焊盘204 而需要光刻技术。另外，在形成凹部202之后还需要在凹部202内形成导电层，因此，需要设置用于保护连接用焊盘204的保护膜。另外，该情况下为了使连接用焊盘204和导电层 205的绝缘可靠，而必须将绝缘材料埋入其间。其结果是，在图2所示的方法中，也会使工序变得复杂，造成高成本。专利文献1 美国专利申请公报第2008/(^83988号说明书(US 2008/0283988A1)专利文献2 美国专利申请公报第2007/00588 号说明书(US 2008/0058826A1)
发明内容
本发明是鉴于上述的技术课题而提出的，其目的在于，提供一种在半导体装置的封装等中能合理且可廉价地制作连接用焊盘的连接用焊盘的制造方法。本发明的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，具备第一工序，以包围要形成连接用焊盘的区域的方式在所述基材的表面突设绝缘性部件；第二工序，以覆盖所述绝缘性部件的方式在所述基材的表面形成导电层；第三工序，除去覆盖所述绝缘性部件的所述导电层，使所述绝缘性部件遍及全周从所述导电层露出，在由所述绝缘性部件包围的区域形成由所述导电层构成的连接用焊盘。在本发明中，若在基材上形成导电层之前在基材的表面形成绝缘性部件，则只要除去该导电层而使绝缘性部件露出就可制作独立的连接用焊盘。因此，不需要使用光刻技术而构图导电层，而可以通过简单的工序制作连接用焊盘，可廉价制作连接用焊盘。而且， 由于在连接用焊盘和其外侧的导电层之间埋有绝缘性部件，因而使连接用焊盘的绝缘性变得良好。本发明的连接用焊盘的制造方法中，在第一工序中，所述绝缘性部件可以与所述基材一起一体形成，或者所述绝缘性部件可以通过在所述基材的表面附加绝缘性材料而形成。将绝缘性材料和基材进行一体成形的方法在基材也是由绝缘性材料构成的情况下有效，从降低成本上来说是非常有利的。另外，在基材上附加绝缘性材料而形成绝缘性部件的方法具有通用性，在基材由难以成形的材料构成的情况下也可使用。另外，在所述第二工序中，若在基材的表面经由由绝缘性材料构成的覆盖膜而设置导电层，则也可以使用具有导电性的基材例如金属制的基材。在本发明的连接用焊盘的制造方法中，也可以是，在所述第三工序中，以不到达与所述绝缘性部件邻接的区域的所述导电层表面的方式除去覆盖所述绝缘性部件的所述导电层。根据这样的实施方式，由于使连接用焊盘的边缘变高，因而在使用导电性粘接剂及焊锡进行连接用焊盘的接合的情况下，不容易使导电性粘接剂及焊锡溢出到连接用焊盘之外，进而可防止与其外的导电层接触。另外，在第三工序中，也可以将覆盖所述绝缘性部件的所述导电层与所述绝缘性部件一起除去直至与所述绝缘性部件邻接的区域的所述导电层。根据这样的实施方式，由于连接用焊盘的部分变得平坦，因而容易进行引线接合。另外，在第三工序中，作为除去所述导电层的方法，也可以使用机械加工。作为该机械加工，可使用例如切削加工、磨削加工或者研磨加工。根据这些方法，与蚀刻及激光加工等相比可通过简单且廉价的方法使绝缘性材料露出。在由所述绝缘性部件包围的区域的外侧的所述导电层为电磁屏蔽用的情况下，由于不需要除去连接用焊盘之外的导电层，因而在该情况下，本发明的连接用焊盘的制造方法特别有效。作为本发明的连接用焊盘的制造方法的其它实施方式，所述基材具备凹部，在所述第一工序中，所述绝缘性部件在所述凹部的外侧的区域形成于所述基材的表面，在所述第二工序中，所述导电层形成于含有所述凹部的内表面的所述基材的整个表面。在基材具有凹部的情况下，根据这样的实施方式，也不需要如图2的现有例那样之后在凹部内设置导电层。本发明的连接用焊盘的制造方法的再其它实施方式中，所述基材为构成用于收纳半导体元件的封装的至少一部分的部件，因此，作为收纳半导体元件的封装的制造方法有用。另外，本发明中的用于解决所述课题的方法的特征在于，将以上说明的构成要素进行适当组合，本发明可根据这样的构成要素的组合而进行更多的变更。
图1(a) (d)是说明现有的连接用焊盘的制造方法的概略剖面图或者俯视图；图2(a) (C)是说明现有的连接用焊盘的其它制造方法的概略剖面图；图3是表示本发明的第一实施方式的半导体装置的剖面图；图4(a)是用于本发明的第一实施方式的半导体装置的盖的俯视图，图4(b)是用于本发明的第一实施方式的半导体装置的封装用基板的俯视图；图5(a) (e)是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图；图6 (a) (C)是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图，是表示图5(e)后续的工序；图7(a) (d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图，是表示图6(a) (c)后续的工序；图8(a) (C)是表示制作接合用焊盘的情况的立体图；图9是表示本发明第二实施方式的半导体装置的剖面图；图10(a) (C)是表示第二实施方式的半导体装置的概略剖面图；图11(a) (c)是表示第二实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图，是表示图10(c)后续的工序；图12是表示本发明的第三实施方式的半导体装置的剖面图13(a) (e)是表示第三实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图14是表示第四实施方式的半导体装置的剖面图15(a) (f)是表示第四实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
附图标记说明
41、71、81、91、101 半导体装置
42 传感器
43:电路元件
44 盖
45 基板
46 凹部
47 导电层
48 接合用焊盘
49 绝缘部
50,51 接合线
52 输入输出配线
53 连接焊盘部
56、57 导电性部件
68a 竖立部
72 切口部
83 外部连接端子
具体实施例方式下面，参照
本发明的最佳实施方式。但是，本发明并不限于以下的实施方式，在不超出本发明宗旨的范围内可进行各种设计变更。(第一实施方式)下面，参照图3 图8说明本发明的第一实施方式。半导体装置41为在由盖44(基材)和基板45构成的封装内收纳有传感器42和电路元件43的装置，在第一实施方式的半导体装置41中，盖44使用覆铜层叠板。图3是本发明第一实施方式的半导体装置41的剖面图。图4(a)是安装有传感器42和电路元件43的盖44的俯视图，图4(b)是涂敷有导电性部件56、57的基板45的仰视图。另外，附图中在基板45的下表面安装有盖44，但这表示制造工序，在使用状态下半导体装置41可以是任意方向。如图3及图4(a)所示，盖44具备做成用于收纳传感器42及电路元件43的箱状的凹部46。该盖44如在制造方法中后述，由开设有贯通孔的覆铜层叠板和底面基板构成。 凹部46的底面被堵塞，上面开口。在凹部46的底面、侧壁面及凹部46的外部的盖44的上表面大致整体形成有电磁屏蔽用的导电层47。另外，在凹部46的外部即盖44的上表面，在凹部46的附近形成有多个接合用焊盘48 (连接用焊盘)。导电层47及接合用焊盘48由金属膜形成，但是，接合用焊盘48的周围从导电层47分离，通过将光致抗蚀剂等绝缘材料构成的绝缘部49框状地埋入到接合用焊盘48的周围，从而使各接合用焊盘48和导电层47 彼此绝缘。传感器42为MEMS话筒等MEMS元件，电路元件43为IC芯片及ASIC等元件。传感器42和电路元件42收纳于凹部46内，各自的下表面通过粘接剂被固定于凹部46的底面。设于传感器42的上面的端子和设于电路元件43的上面的端子通过接合线50进行连接。另外，在设于电路元件43的上面的端子上连接有接合线51的一端，接合线51的另一端与接合用焊盘48接合。另外，在图4(a)中，在电路元件43的附近配置有接合用焊盘48， 而在传感器42和接合用焊盘48之间也用接合线连接的情况下，也可以在传感器42附近适当设置接合用焊盘48。如图3及图4(b)所示，基板45由多层配线基板构成，在基板45内设有用于信号输入输出用的输入输出配线52。在基板45的下表面，与接合用焊盘48对置地设有连接焊盘部53，在除去连接焊盘部53及其周围的几乎整个面上设有电磁屏蔽用的接地电极层54。 连接焊盘部53及接地电极层M由金属膜形成，连接焊盘部53的周围与接地电极层M分离。在除去连接焊盘部53及接地电极层M的外周部的区域，接地电极层M的下表面被抗焊料剂覆盖，在连接焊盘部53和接地电极层M之间也埋有抗焊料剂55。另外，连接焊盘部 53分别与基板45内的输入输出配线52导通。如图3所示，基板45叠置于盖44的上表面，通过导电性粘接剂及焊锡等导电材料 56使相对的接合用焊盘48和连接焊盘部53彼此之间接合。另外，在接地电极层M的基板外周部从抗焊料剂阳露出的区域通过导电性粘接剂及焊锡等导电性部件57与导电层47 的外周部接合。因此，电路元件43通过接合线51和导电性部件56等与输入输出配线52 连接。另外，由于导电层47通过导电性部件57与接地电极层M导通，因而通过将接地电极层M连接于接地电位而对半导体装置41的内部进行电磁屏蔽。
(制造方法)接着，参照图5(a) (e)、图6(a) (c)及图7(a) (d)说明上述半导体装置 41的制造工序。图5 (a)所示的是盖44的原材料，为上下两面粘贴有铜箔62a、62b的例如双层覆铜层叠板61。如图5(b)所示，其上表面的铜箔6 通过蚀刻除去要形成接合用焊盘 48的区域的周围而形成分离槽64，在要形成接合用焊盘48的区域形成有凸台(τ· 〃，>
K )63。其次，在覆铜层叠板61的上表面涂敷光致抗蚀剂，使用光刻技术以只在分离槽64 局部保留光致抗蚀剂的方式构图光致抗蚀剂。其结果是，如图5(c)所示，利用硬化后的光致抗蚀剂在凸台63的周围突框状地形成绝缘部49。其后，如图5(d)所示，使用除根机及钻头，与成为凹部46的区域相一致地在覆铜层叠板61上开设贯通孔65。而且，通过双面粘贴带67在整个覆铜层叠板61的下面粘贴底面基板66，通过底面基板66堵塞贯通孔65的下面，在覆铜层叠板61上形成凹部46。另外，底面基板66不限于硬质基板，也可以是具有耐热性的带或片。另外，作为在覆铜层叠板61上形成凹部46的方法，可以是如下的方法，S卩，在使用除根机及钻头对覆铜层叠板61进行切削加工时，在贯通至覆铜层叠板61的下面之前结束加工。但是，为了既要使保留的底面变薄而对凹部46进行加工，又要使形成的凹部46的底面平滑，则需要高精度的加工机。与此相对，在覆铜层叠板61上开设贯通孔65之后，根据粘贴底面基板66的方法，可以简单地控制凹部46的深度及底面的厚度。另外，由于底面基板66的表面成为凹部46的底面，因而还容易使凹部46的底面变得平滑。这样，在将底面基板66粘贴于覆铜层叠板61而形成凹部46之后，如图5 (e)所示， 通过蒸镀、溅射等方法在凹部46的内表面及覆铜层叠板61的整个上表面形成金属膜69。由于绝缘部49的高度大于铜箔6 的厚度，因而如图6(b)所示，覆盖绝缘部49的金属膜68隆起得比周围高。接着，如图6(a)所示，在绝缘部49之上用切割机69将隆起的金属膜68水平切断，或者用研磨机进行研磨而使绝缘部49的上表面露出。此时，如图6 (c) 所示，通过将绝缘部49的部分不切削得平坦而是保留比周围突出，在绝缘部49的两侧面形成金属膜68的竖立部68b。当这样除去覆盖在绝缘部49的上表面的金属膜69而使绝缘部49的上表面露出时，如图7 (a)所示，将由绝缘部49包围的区域的金属膜68设为接合用焊盘48，将此外的区域设为电磁屏蔽用的导电层47。而且，由于绝缘部49及其两侧面的金属膜68向上突出，因而在用导电性部件56、57接合盖44和基板45时，可防止对接合用焊盘48和连接焊盘部53 进行接合的导电性部件56及对导电层47和接地电极层M进行接合的导电性部件57越过绝缘部49而流出，从而防止电路短路。这样完成盖44后，如图7(b)所示，将传感器42和电路元件43收纳于凹部46内并将底面粘接固定，用接合线50将传感器42和电路元件43连接，再用接合线51将电路元件43和接合用焊盘48连接。其后，在另外制作的如图4(b)那样的基板45的下表面外周部涂敷导电性部件57， 同时，在连接焊盘部53上涂敷导电性部件56，如图7 (c)那样将该基板45叠置于盖44之上，如图7 (d)那样用导电性部件56将接合用焊盘48和连接焊盘部53接合，用导电性部件 57将导电层47和接地电极层M接合。图8(a) (c)是示意性表示在上述半导体装置41的制造工序(图5 图7)中制作接合用焊盘48和导电层47的工序的图。图8 (a)表示在盖44的表面框状形成绝缘部 49的情况，与图5(c)相对应。另外，图8(b)表示用金属膜68覆盖绝缘部49的状态，与图 5(e)相对应。图8(c)表示削去覆盖绝缘部49的金属膜68的状态，与图7(a)相对应。在本发明的方法中，也可以预先用金属膜68覆盖设置成框状的绝缘部49，用切割机等对该金属膜68中覆盖绝缘部49的上表面的部分(及绝缘部49)进行切削或者研磨而只是使绝缘部49露出，不需要如现有技术那样为了构图金属膜68而使用光刻技术。另外，由于在接合用焊盘48的制作工序，在接合用焊盘48和导电层47之间埋有绝缘部49，因此，不需要后面在接合用焊盘48和导电层47之间埋设绝缘材料。因此，可通过简单的工序廉价地制作接合用焊盘48。另外，若如该实施方式那样保留绝缘部49的部分突出，则接合用焊盘48的边缘变高，导电性部件难以流出，进而可防止由导电性部件引起的短路。(第二实施方式)本发明第二实施方式的半导体装置81为使用成形品的盖44的实施方式。图9是表示该半导体装置81的剖面图。盖44为由非导电性树脂构成的树脂成形品，其上表面成形有凹部46。该盖44的凹部内表面及上表面形成有电磁屏蔽用的导电层47及接合用焊盘 48。在凹部46内的底面安装有传感器42及电路元件43，电路元件43和接合用焊盘48之间通过接合线51连接。封装用的基板45由多层配线基板构成，在基板45内设有电磁屏蔽用的接地电极层M，在基板45的上表面设有作为信号输入输出装置的外部连接端子83。另外，在基板45 的下表面以与接合用焊盘48对置的方式设有经由通孔85与外部连接端子83导通的连接焊盘部53，经由通孔86与接地电极层M导通的接地电极82被设于外周部。基板45叠置于盖44的上表面，连接接合线51的接合用焊盘48通过导电性部件 56与连接焊盘部53连接，导电层47通过导电性部件57与接地电极82连接。(制造方法)图10(a) (c)及图11(a) (c)是表示第二实施方式的半导体装置81的制造工序的概略剖面图。参照这些图说明半导体装置81的制造工序。图10(a)所表示的是由非导电性树脂成形的盖44，其上表面凹设有箱状的凹部 46，在凹部46的外部以包围要形成接合用焊盘48的区域的方式设有框状突起88。如图 10 (b)所示，在该盖44的凹部46内表面整体及凹部46之外的整个上表面，通过实施电镀金属而形成有金属膜68。其次，如图10(c)所示，通过切割机69及研磨机削去框状突起88， 在框状突起88突出的区域局部地除去金属膜68而使盖44露出。其结果是，如图11(a)所示，在被框状突起88包围的区域形成有独立的接合用焊盘48，在此外的区域形成有导电层 47。另外，接合用焊盘48的周围与导电层47分离，通过在有框状突起88的部位露出的盖 44使接合用焊盘48和导电层47彼此绝缘。其后，如图11(b)所示，将传感器42及电路元件43收纳于凹部46内并用粘接剂固定，用接合线50将传感器42和电路元件43连接。另外，通过接合线51将电路元件43 和接合用焊盘48连接。接着，将基板45叠置于盖44上，通过导电性粘接剂及焊锡等导电性部件56将接合用焊盘48和连接焊盘部53连接，通过导电性部件及焊锡等导电性部件57将导电层47
8和接地电极82的外周部彼此连接。在该实施方式中，由于接合用焊盘48平坦，因而在接合用焊盘48的引线接合时， 不会使卡具对接合用焊盘48造成影响，易于进行引线接合。(第三实施方式)本发明第三实施方式的半导体装置91为使用了由导电性树脂及金属构成的成形品的盖44的实施方式。图12是该半导体装置91的剖面图。盖44为导电性树脂或者金属制的成形品，其上表面形成有凹部46。该盖44的凹部内表面及上表面被绝缘膜92覆盖，其上形成有电磁屏蔽用的导电层47和接合用焊盘48。在凹部46内的底面，在导电层47上安装有传感器42及电路元件43，电路元件43和接合用焊盘48之间通过接合线51连接。封装用的基板45由多层配线基板构成，在基板45内设有电磁屏蔽用的接地电极层M，在基板45的上表面设有作为信号输入输出装置的外部连接端子83。另外，在基板45 的下表面以与接合用焊盘48对置的方式设有经由通孔85与外部连接端子83导通的连接焊盘部53。基板45叠置于盖44的上表面，连接接合线51的接合用焊盘48通过导电性部件 56与连接焊盘部53连接。(制造方法)图13(a) (e)是表示第三实施方式的半导体装置91的制造工序的概略剖面图。 参照这些图说明半导体装置91的制造工序。图13(a)表示的是由导电性树脂及金属材料成形的盖44，在其上表面凹设有凹部 46，在凹部46的外部以包围要形成接合用焊盘48的区域的方式设有框状突起88。如图 13(b)所示，用绝缘膜92覆盖该盖44的凹部46内表面整体及凹部46之外的整个上表面， 在绝缘膜92之上形成有金属膜68。接着，如图13(c)所示，通过切割机及研磨机削去框状突起88，使框状突起88的上表面从金属膜68中露出。其结果是，在由框状突起88包围的区域形成有接合用焊盘48，在此之外的区域形成有导电层47。另外，接合用焊盘48通过绝缘膜92与导电层47及盖44绝缘。其后，如图13(d)所示，将传感器42及电路元件43收纳于凹部46内并用粘接剂固定，用接合线50将传感器42和电路元件43连接。另外，通过接合线51将电路元件43 和接合用焊盘48连接。接着，将基板45叠置于盖44之上，通过导电性粘接剂及焊锡等导电性部件56将接合用焊盘48和连接焊盘部53连接。(第四实施方式)图14是表示本发明第四实施方式的半导体装置101的剖面图。第四实施方式的半导体装置101在盖44上使用了金属板。在该半导体装置101中，使用对铜板及铝板等金属板进行弯曲加工而形成凹部46 的盖44。该盖44的凹部内表面及上表面被绝缘膜92覆盖，在其上形成有电磁屏蔽用的导电层47和接合用焊盘48，接合用焊盘48和导电层47之间由绝缘部49进行绝缘。在凹部 46内的底面，在导电层47上安装有传感器42及电路元件43，电路元件43和接合用焊盘48 之间用接合线51接合。封装用基板45由多层配线基板构成，在基板45内设有电磁屏蔽用的接地电极层M，在基板45的上表面设有作为信号输入输出装置的外部连接端子83。另外，在基板45的下表面设有与外部连接端子83导通的连接焊盘部53和与基板45导通的接地电极层82。(制造方法)图15(a) (f)是表示第四实施方式的半导体装置的制造工序的概略剖面图。参照图15说明半导体装置101的制造方法。图15 (a)表示的是在铜板及铝板等金属板102的表面形成绝缘膜92，且其上形成绝缘层103。绝缘膜92和绝缘层103可以是同种材料，但优选蚀刻特性不同的材料。如图15(b)所示，对绝缘部49进行蚀刻，以包围要设置接合用焊盘48的区域的方式框状地构图。另外，除去绝缘膜92的外周部而使金属板102的外周部露出。接着，如图 15 (c)所示，从绝缘膜92及绝缘部49上在金属板102的整体上涂敷导电材料而形成导电膜 104。另外，如图15 (d)所示，通过切割机及研磨机局部削去覆盖绝缘部49的导电膜104，使绝缘部49的上表面从导电膜104露出。其结果是，通过导电膜104而在被绝缘部49包围的区域形成接合用焊盘48，在此之外的区域形成导电层47。其后，如图15 (e)所示，对金属板102进行弯曲加工使其弯曲，形成具备凹部46的盖44。其次，如图15(f)所示，在凹部46内收纳传感器42及电路元件43并通过粘接剂进行固定，用接合线50连接传感器42和电路元件43。另外，通过接合线51连接电路元件43 和接合用焊盘48。最后，将基板45叠置于盖44之上，用导电性部件56连接接合用焊盘48 和连接焊盘部53，另外，用导电性部件57连接导电层47和接地电极82而得到如图14那样的半导体装置101。
权利要求
1.一种连接用焊盘的制造方法，其特征在于，具备第一工序，以包围要形成连接用焊盘的区域的方式在所述基材的表面突设绝缘性部件；第二工序，以覆盖所述绝缘性部件的方式在所述基材的表面形成导电层； 第三工序，除去覆盖所述绝缘性部件的所述导电层，使所述绝缘性部件遍及全周从所述导电层露出，在由所述绝缘性部件包围的区域形成由所述导电层构成的连接用焊盘。
2.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，所述绝缘性部件通过在所述基材的表面附加绝缘性材料而形成。
3.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，所述绝缘性部件与所述基材一起一体成形。
4.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，在具有导电性的基材的表面经由由绝缘性材料构成的覆盖膜而设置有所述导电层。
5.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，覆盖所述绝缘性部件的所述导电层以不到达与所述绝缘性部件邻接的区域的所述导电层表面的方式被除去。
6.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，覆盖所述绝缘性部件的所述导电层与所述绝缘性部件一起被除去至与所述绝缘性部件邻接的区域的所述导电层表面。
7.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，所述导电层通过机械加工而被除去。
8.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，由所述绝缘性部件包围的区域的外侧的所述导电层为电磁屏蔽用。
9.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于， 所述基材具备凹部，在所述第一工序中，所述绝缘性部件在所述凹部的外侧的区域形成于所述基材的表在所述第二工序中，所述导电层形成于含有所述凹部的内表面的所述基材的整个表
10.如权利要求1所述的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，所述基材为构成用于收纳半导体元件的封装的至少一部分的部件。
全文摘要
一种连接用焊盘的制造方法，以包围要形成接合用焊盘(48)的区域的方式，在盖(44)的上表面框状地突设绝缘部(49)。接着，以覆盖绝缘部(49)的方式在盖(44)的整个上表面形成金属膜(68)。其后，利用切割机等切削覆盖绝缘部(49)的金属膜(68)，使绝缘部(49)遍及全周从金属膜(68)露出，形成独立于由绝缘部(49)包围的区域的接合用焊盘(48)。绝缘部(49)的外侧的金属膜(68)成为电磁屏蔽用的导电层(47)。
文档编号H01L21/60GK102194720SQ201010570948
公开日2011年9月21日 申请日期2010年12月2日 优先权日2010年3月3日
发明者前川智史, 大野和幸, 鞍谷直人 申请人:欧姆龙株式会社