专利名称：一种超高压半导体整流器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，特别涉及一种超高压半导体整流器。
背景技术：
普通型超高压半导体整流二极管，它是一种半导体整流器件，广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压据芯片规格不同有1000V、 2000V、3000V、4000V、5000V等类别。目前，产品反向电压可以达到4000V及5000V的标准， 但因晶粒重叠层数过多，从而生产成本一直居高不下。
实用新型内容针对上述工艺条件要求高导致成本过高的问题，本实用新型公开了一种超高压半导体整流器，该超高压半导体包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是结构简单，并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒， 因此本实用新型不仅有耐压高的特点，而且以满足工艺条件降低成本为目的，提高产品市场竞争能力。
图1为本实用新型结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型更容易被理解，
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型做更详细说明。参阅图1，一种超高压半导体整流器，包括多层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体 1，多层硅芯片3位于两铜引线2端面之间，通过焊料与两铜引线2端面焊接，硅橡胶5将两铜引线2端面间的多层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中，形成硅胶层，而整个超高压半导体整流器除两铜引线2的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的环氧塑封体1 内。铜引线2的端头为其与多层硅芯片3焊接的端面对应的另一端，并将晶粒尺寸从原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒。
权利要求1. 一种超高压半导体整流器，其特征在于包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体， 多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为36mi 1。
专利摘要本实用新型公开了一种超高压半导体整流器，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是结构简单，并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒，因此本实用新型不仅有耐压高的特点，而且以满足工艺条件降低成本为目的，提高产品市场竞争能力。
文档编号H01L29/861GK201975394SQ20102056385
公开日2011年9月14日 申请日期2010年10月18日 优先权日2010年10月18日
发明者王艳明 申请人:重庆平伟实业股份有限公司