专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种用于增加散热效能的发 光二极管封装结构。
背景技术：
随着发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)技术的进步，发光二极管可展现的 亮度等级也越来越高，因其具有寿命长、省电、安全及反应快等特点，所以发光二极管的应 用领域相当广泛。而一般高功率发光二极管的封装导电基板，主要采用陶瓷材料做为导电 基板，但陶瓷导电基板的制作技术门坎高，且费用昂贵、脆弱易碎，因而造成发光二极管封 装设计方式的限制和生产成本的增加。而，硅晶圆的材料便宜、制作技术已成熟，且在晶圆 上容易设计结构，硅的热传导系数也与陶瓷材料相近。但即使硅导电基板材料成本低廉，然 而其制作成本却比陶瓷导电基板昂贵许多，因此利用硅晶圆制作导电基板虽可改善热传导 力与膨胀应力，但其高昂的价格使得终端产品不易普及化。在已知的表面黏着型发光二极管结构中，发光二极管芯片设置区域由封装基座定 义，仅留下一出光开口以供芯片的光线射出。当芯片发光时，会有部分非直接射出光线射入 基座侧壁因而被吸收、或产生反射及散射的现象，而只有极少部分的非直接射出光线最后 会从出光开口射出，大部分的光线在多次反射、散射过程中被封装材料吸收而消耗掉。因此 发光二极管装置实际上的输出效率将因光能被吸收而降低，造成可观的能量浪费。而散热 性不佳也为常见的问题，一般所使用的封装基座材料为不透光且耐热的材料，发光二极管 在操作时常会伴随热量的累积，尤其是高功率的发光二极管的累积就更大，而温度升高对 发光二极管的发光效率及质量会有不良影响。如图1所示，已知发光二极管封装结构包括至少两个导电基板10a、一用于连接 上述两个导电基板IOa且具有一反射凹槽的绝缘框体20a、一设置于其中一导电基板IOa上 且通过两个导线W而电性连接于上述两个导电基板IOa之间的发光二极管30a、及一填入反 射凹槽内且用于封装发光二极管30a的封装胶体40a。然而，已知绝缘框体20a通常以射出 成型的方式来连接并包覆上述两个导电基板，因此上述已知的方法(射出成型的方法)限 制了封装胶体40a的成形方式。另外，传统的导电基板IOa的大部分面积都被包覆，因此散 热效果不佳。所以，本发明人基于上述缺点，通过悉心观察且研究的，并结合理论运用，而提 出一种设计合理的本实用新型。
实用新型内容本实用新型的目的，在于提供一种发光二极管封装结构，其可用于增加散热效能。为了解决上述技术问题，本实用新型的其中一种方案如下—种发光二极管封装结构，包括一导电基板单元，其具有至少两个彼此分离了一 特定距离的导电本体及至少一个形成于上述两个导电本体之间的间隙；一第一绝缘单元， 其具有至少一个填充于所述至少一个间隙内以用于连结上述两个导电本体的第一绝缘层；一第二绝缘单元，其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过所述 至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面的开口 ；一发光单元，其具 有至少一个穿过其中一开口而设置于其中一导电本体上的发光组件，其中所述至少一个发 光组件电性连接于上述两个导电本体之间；以及一封装单元，其具有至少一个设置于该第 二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光组件的封装胶体。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的 底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充 于所述至少一个底凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的底部具有至少 一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一 个底凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的 侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充 于所述至少一个侧凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的侧面具有至少 一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一 个侧凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个第一绝缘层的上表 面与上述两个导电本体的上表面齐平，且所述至少一个第一绝缘层的下表面与上述两个导 电本体的下表面齐平。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的 上表面具有多个排列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是否正确 的定位凹槽。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述多个定位凹槽及所述至少一 个发光组件被同一个开口所裸露。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个封装胶体具有一位 于该第二绝缘单元上的底层胶体部及一位于所述至少一个发光组件上方且与该底层胶体 部一体成型的透镜胶体部。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，进一步包括一防突波单元，其具 有至少一个穿过其中一个开口而设置于其中一导电本体上的防突波组件，其中所述至少一 个防突波组件电性连接于上述两个导电本体之间。为了解决上述技术问题，本实用新型的其中另一种方案如下一种发光二极管封 装结构，包括一导电基板单元，其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体、至少 一个设置于上述两个导电本体之间且与上述两个导电本体彼此分离了一特定距离的散热 本体、及至少两个分别形成于其中一导电本体与该散热本体之间及形成于另外一导电本体 与该散热本体之间的间隙；一第一绝缘单元，其具有至少两个分别填充于所述至少两个间 隙内的、以用于连结该散热本体的、且位于上述两个导电本体之间的第一绝缘层；一第二绝 缘单元，其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过所述至少一个 第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面及该散热本体的部分上表面的开口；一发光单元，其具有至少一个穿过其中一个开口而设置于该散热本体上的发光组件，其中 所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间；以及一封装单元，其具有至少 一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光组件的封装胶体。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的底部具有至少 一个连通于每一个间隙的底凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体的至少一 个底凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的侧面具有至少 一个连通于每一个间隙的侧凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体的至少一 个侧凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，该散热本体的底部具有至少两个 分别连通于所述至少两个间隙的底凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于该散热本体的每一 个底凹陷部内。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个第一绝缘层的上表 面与上述两个导电本体的上表面及该散热本体的上表面齐平，且所述至少一个第一绝缘层 的下表面与上述两个导电本体的下表面及该散热本体的下表面齐平。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，该散热本体的上表面具有多个排 列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是否正确的定位凹槽。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述多个定位凹槽及所述至少一 个发光组件被同一个开口所裸露。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个发光组件为一发光 二极管芯片。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个封装胶体具有一位 于该第二绝缘单元上的底层胶体部及一位于所述至少一个发光组件上方且与该底层胶体 部一体成型的透镜胶体部。本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，进一步包括一防突波单元，其具 有至少一个穿过其中一开口而设置于该散热本体上的防突波组件，其中所述至少一个防突 波组件电性连接于上述两个导电本体之间。因此，本实用新型的有益效果在于本实用新型的两个导电本体可通过第一绝缘 层而连接在一起，且发光组件被定位在其中一导电本体上，以增加发光组件的散热效果。为使能进一步了解本实用新型的特征及技术内容，结合附图进行以下详细说明。
图1为已知发光二极管封装结构的剖面示意图；图2A至图2F为本实用新型发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作 流程示意图；图2G为本实用新型发光二极管封装结构的第一实施例的剖面示意图；图3为本实用新型发光二极管封装结构的第二实施例的剖面示意图；图4A为本实用新型发光二极管封装结构的第三实施例的其中一视角立体分解示 意图；[0034]图4B为本实用新型发光二极-蒙封装结构的第三 实施例的另外一视角立体分解示意图[0035]图4C为本实用新型发光二极-蒙封装结构的第三 实施例的两个导电本体的仰视示意图[0036]图4D为本实用新型发光二极-蒙封装结构的第三 实施例的其中一视角部分立体组合示意图；[0037]图4E为本实用新型发光二极-蒙封装结构的第三 实施例的另外一视角部分立体组合示意图；以及[0038]图5为本实用新型发光二极管;封装结构的第四实施例的剖面示意图。[0039]部件代表符号说明[0040]导电基板IOa[0041]绝缘框体20a[0042]发光二极管30a导线 W[0043]封装胶体40a[0044]发光二极管封装结构 ζ[0045]导电基板单元1导电基板组件S[0046]导电本体10[0047]散热本体10，[0048]间隙11[0049]底凹陷部100[0050]侧凹陷部101[0051]定位凹槽102[0052]第一绝缘单元2绝缘材料T[0053]第一绝缘层20[0054]第二绝缘单元3第二绝缘层30[0055]开口31[0056]发光单元4发光组件40[0057]电极E[0058]封装单元5封装胶体50[0059]底层胶体部510[0060]透镜胶体部511[0061]防突波单元6防突波组件60[0062]模具单元M下模具Ml[0063]上平整表面MlO[0064]上模具M2[0065]下平整表面M20[0066]凹陷空间M21[0067]封装材料P[0068]导线W[0069]黏着层H具体实施方式
如图2A至图2G所示，本实用新型第一实施例提供一种发光二极管封装结构的制 作方法，其至少包括下列几个步骤(步骤SlOO至步骤S112) 步骤SlOO为如图2A所示，提供一导电基板组件S，其可由同时具备导电及导热 性能的金属材料(例如铜材料)所制成，因此导电基板组件S同时具有导电及导热的功能。步骤S102为如图2A及图2B所示，移除部分的导电基板组件S，以形成至少两个 彼此分离了一特定距离的导电本体10及至少一个形成于上述两个导电本体10之间的间隙 11。其中，上述两个导电本体10可都为导电组件，且上述部分被移除的导电基板组件S可 通过蚀刻的方式或任何的成形方式来完成。再者，每一个导电本体10的底部具有至少一个 连通于间隙11的底凹陷部100。因此，间隙11与上述两个底凹陷部100连通后，则形成一 具有阶梯状的容置空间。步骤S104为如图2C所示，于上述两个导电本体10之间填充绝缘材料T。换言 之，绝缘材料T被填充于间隙11与上述两个底凹陷部100内，以使上述两个导电本体10可 通过绝缘材料T而被稳固地结合在一起。步骤S106为如图2D所示，移除绝缘材料T的一部分顶部及一部分底部，以形成 至少一个填充于间隙11与上述两个底凹陷部100内的第一绝缘层20，其中第一绝缘层20 的上表面及下表面分别与每一个导电本体10的上表面及下表面齐平。再者，由于第一绝缘 层20被填充于间隙11与上述两个底凹陷部100内，以使得上述两个导电本体10通过第一 绝缘层20而彼此稳固地连接在一起。此外，由于间隙11与上述两个底凹陷部100连通后 而形成一具有阶梯状的容置空间，所以当第一绝缘层20形成于间隙11与上述两个底凹陷 部100内时，即可用以强化第一绝缘层20连接于所述至少两个导电本体10的结合力。步骤S108为如图2E所示，(例如防焊罩(solder mask))于上述两个导电本体 10的上表面形成一第二绝缘层30，然后通过一黏着层H将至少一个发光组件40定位于其 中一导电本体10上，且将发光组件40电性连接于所述至少两个导电本体10之间。举例来 说，发光组件40的上表面具有至少两个电极E，且发光组件40的两个电极E分别通过两条 导线W而分别电性连接于所述至少两个导电本体10的上表面。此外，由于第二绝缘层30 具有多个开口 31，因此发光组件40及上述两条导线W都可穿过第二绝缘层30的开口 31以 与所述至少两个导电本体10接触。再者，其中一导电本体10的上表面具有多个环绕地排 列的定位凹槽102，以用于判定发光组件40所设置的位置是否合适，例如判定发光组件40 是否被放置在所述多个定位凹槽102所围绕的范围内。步骤Sl 10为如图2F所示，首先提供一模具单元M,其具有一下模具Ml及一位于 下模具Ml上方的上模具M2，下模具Ml的上表面具有一上平整表面M10，且上模具M2的下 表面具有一下平整表面M20及一从下平整表面M20向内凹陷的凹陷空间M21 ；接着，将上述 两个导电本体10放置于下模具Ml的上平整表面MlO上，其中上模具M2位于上述两个导电 本体10的上方，且发光组件40对应上模具M2的凹陷空间M21 ；然后，将封装材料P填充于 上模具M2与下模具Ml之间。步骤Sl 12为如图2F及图2G所示，沿着图2F的X-X线进行切割时，封装材料P可被切割成至少一个封装胶体50(如图2G所示)，最终以完成一发光二极管封装结构Z的 制作。其中封装胶体50具有一位于第二绝缘层30上的底层胶体部510及一位于发光组件 40上方且与底层胶体部510 —体成型的透镜胶体部511。因此，在步骤S112中，封装胶体 50可被成形于第二绝缘层30上，以用于覆盖发光组件40 (如图2G所示)。如图2G所示，本实用新型第一实施例提供一种发光二极管封装结构Z，其包括一 导电基板单元1、一第一绝缘单元2、一第二绝缘单元3、一发光单元4及一封装单元5。其中，导电基板单元1具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体10及至少 一个形成于上述两个导电本体10之间的间隙11，且每一个导电本体10的底部具有至少一 个连通于间隙11的底凹陷部100。此外，其中一导电本体10的上表面具有多个环绕地排列 的定位凹槽102，以用于判定发光组件40所设置的位置是否合适，例如判定发光组件40是 否被放置在所述多个定位凹槽102所围绕的范围内。另外，第一绝缘单元2具有至少一个填充于间隙11内的，以用于连结上述两个导 电本体10的第一绝缘层20，其中第一绝缘层20的上表面及下表面分别与每一个导电本体 10的上表面及下表面齐平。第二绝缘单元3具有至少一个设置于导电基板单元1上的第二 绝缘层30及多个穿过第二绝缘层30且用于裸露每一个导电本体10的部分上表面的开口 31。再者，发光单元4具有至少一个穿过其中一开口 31而设置于其中一导电本体10 上的发光组件40，其中发光组件40的上表面具有至少两个电极E，且发光组件40的两个电 极E分别通过两条导线W而分别电性连接于所述至少两个导电本体10的上表面。封装单 元5具有至少一个设置于第二绝缘单元3上且覆盖发光组件40的封装胶体50，其中封装胶 体50具有一位于所述至少两个导电本体10上的底层胶体部510及一位于发光组件40上 方且与底层胶体部510 —体成型的透镜胶体部511。如图3所示，本实用新型第二实施例提供一种发光二极管封装结构Z，其包括一 导电基板单元1、一第一绝缘单元2、一第二绝缘单元3、一发光单元4及一封装单元5。本 实用新型第二实施例与第一实施例最大的差别在于在第二实施例中，发光组件40的上表 面及下表面分别具有至少一个电极E，位于发光组件40的下表面的电极E直接电性接触于 其中一个导电本体10，且位于发光组件40的上表面的电极E则通过一条导线W而电性连接 于另外一个导电本体10的上表面。如图4A至图4E所示，本实用新型第三实施例提供一种发光二极管封装结构Z，其 包括一导电基板单元1、一第一绝缘单元2、一第二绝缘单元3、一发光单元4及一封装单 兀5。其中，导电基板单元1具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体10及至少 一个形成于上述两个导电本体10之间的间隙11。第一绝缘单元2具有至少一个填充于间 隙11内以用于连结上述两个导电本体10的第一绝缘层20。举例来说，第一绝缘层20的上 表面与上述两个导电本体10的上表面齐平，且第一绝缘层20的下表面与上述两个导电本 体10的下表面齐平。此外，上述两个导电本体10的其中一个的底部具有至少一个连通于 间隙11的底凹陷部100(此为第三实施例所举的例子)或每一个导电本体10的底部具有 至少一个连通于间隙11的底凹陷部100，且第一绝缘层20填充于底凹陷部100内。再者， 上述两个导电本体10的其中一个的侧面具有至少一个连通于间隙11的侧凹陷部101(此为第三实施例所举的例子)或每一个导电本体10的侧面具有至少一个连通于间隙11的侧 凹陷部101，且第一绝缘层20填充于侧凹陷部101内。另外，第二绝缘单元3具有至少一个设置于导电基板单元1上的第二绝缘层30及 多个穿过第二绝缘层30且用于裸露每一个导电本体10的部分上表面的开口 31。发光单元 4具有至少一个穿过其中一开口 31且通过一黏着层H而设置于其中一导电本体10上，其中 发光组件40电性连接于上述两个导电本体10之间。举例来说，上述两个导电本体10的其 中一个的上表面具有多个排列成一环绕状以用于判断发光组件40的放置位置是否正确的 定位凹槽102 (例如三个定位凹槽10 ，所述多个排列成环绕状的定位凹槽102类似环绕于 发光组件40的底部，且所述多个定位凹槽102及发光组件40被同一个开口 31所裸露。此外，封装单元5具有至少一个设置于第二绝缘单元3上且用于覆盖发光组件40 的封装胶体50。举例来说，封装胶体50具有一位于第二绝缘单元3上的底层胶体部510及 一位于发光组件40上方且与底层胶体部510 —体成型的透镜胶体部511。再者，本实用新型第三实施例进一步包括一防突波单元6，其具有至少一个穿过 其中一开口 31而设置于其中一导电本体10上的防突波组件60 (例如具有抗静电功能的齐 纳二极管(Zener diode))举例来说，防突波组件60也可通过一黏着层H而被定位于其中 一导电本体10上，且防突波组件60可进一步通过打线的方式而电性连接于上述两个导电 本体10之间。换言之，防突波组件60的其中一电极直接电性连接于其中一导电本体10，而 防突波组件60的另外一电极则通过一条导线W来电性连接于另外一导电本体10。如图5所示，本实用新型第四实施例提供一种发光二极管封装结构Z，其包括一 导电基板单元1、一第一绝缘单元2、一第二绝缘单元3、一发光单元4及一封装单元5。其中，导电基板单元1具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体10、至少 一个设置于上述两个导电本体10之间且与上述两个导电本体10彼此分离了一特定距离的 散热本体10’、及至少两个分别形成于其中一导电本体10与散热本体10’之间及形成于另 外一导电本体10与散热本体10’之间的间隙11。举例来说，每一个导电本体10的底部具 有至少一个连通于每一个间隙11的底凹陷部100。每一个导电本体10的侧面也可以具有 至少一个连通于每一个间隙11的侧凹陷部(图中未示，但与第四实施例相同)。散热本体 10’的底部具有至少两个分别连通于所述至少两个间隙11的底凹陷部100。再者，第一绝缘单元2具有至少两个分别填充于所述至少两个间隙11内以用于连 结散热本体10’于上述两个导电本体10之间的第一绝缘层20。举例来说，第一绝缘层20 的上表面与上述两个导电本体10的上表面及散热本体10’的上表面齐平，且第一绝缘层20 的下表面与上述两个导电本体10的下表面及散热本体10’的下表面齐平。另外，因为每一 个导电本体10的底部具有至少一个连通于每一个间隙11的底凹陷部100，所以每一个第一 绝缘层20可被填充于每一个导电本体10的至少一个底凹陷部100内。因为每一个导电本 体10的侧面也可以具有至少一个连通于每一个间隙11的侧凹陷部(图未示)，所以每一个 第一绝缘层20可被填充于每一个导电本体10的至少一个侧凹陷部内。因为散热本体10’ 的底部具有至少两个分别连通于所述至少两个间隙11的底凹陷部100，所以每一个第一绝 缘层20可被填充于散热本体10’的每一个底凹陷部100内。此外，第二绝缘单元3具有至少一个设置于导电基板单元1上的第二绝缘层30及 多个穿过第二绝缘层30且用于裸露每一个导电本体10的部分上表面及散热本体10’的部分上表面的开口 31。另外，发光单元4具有至少一个穿过其中一开口 31而设置于散热本体10’上的发 光组件40，其中发光组件40电性连接于上述两个导电本体10之间。举例来说，发光组件 40可为一发光二极管芯片，且发光组件40可通过一黏着层H而被定位于其中一导电本体 10上。散热本体10’的上表面具有多个排列成一环绕状的、以用于判断发光组件40的放置 位置是否正确的定位凹槽102。所述多个排列成环绕状的定位凹槽102类似环绕于发光组 件40的底部，且所述多个凹槽102及发光组件40被同一个开口 31所裸露。另外，封装单元5具有至少一个设置于第二绝缘单元3上且用于覆盖发光组件40 的封装胶体50。举例来说，封装胶体50具有一位于第二绝缘单元3上的底层胶体部510及 一位于发光组件40上方且与底层胶体部510 —体成型的透镜胶体部511。再者，与第三实施例相同的是，本实用新型第四实施例也可进一步包括一防突波 单元(图未示)，其具有至少一个穿过其中一个开口 31而设置于散热本体10’上的防突波 组件(图未示)。举例来说，防突波组件也可通过一黏着层而被定位于其中一导电本体上， 且防突波组件可进一步通过打线的方式而电性连接于上述两个导电本体之间。综上所述，本实用新型可先通过一第一绝缘层将两个导电本体连接在一起，并使 得第一绝缘层的上表面与每一个导电本体的上表面齐平。因此，本实用新型可以使用具有 多个凹陷空间的上模具，以同时一次成形多个封装胶体来分别包覆多个发光组件，进而达 到大量生产的目的。此外，发光组件被定位在其中一导电本体上，以增加发光组件的散热效
^ ο以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用于局限本实用新型的实施范围， 因此凡是运用本实用新型技术构思所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的范围内。
权利要求1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括一导电基板单元，其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体及至少一个形成 于上述两个导电本体之间的间隙；一第一绝缘单元，其具有至少一个填充于所述至少一个间隙内以用于连结上述两个导 电本体的第一绝缘层；一第二绝缘单元，其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过 所述至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面的开口；一发光单元，其具有至少一个穿过其中一开口而设置于其中一导电本体上的发光组 件，其中所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间；以及一封装单元，其具有至少一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光 组件的封装胶体。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，上述两个导电本体的其中 一个的底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘 层填充于所述至少一个底凹陷部内。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个导电本体的底部具 有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述 至少一个底凹陷部内。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，上述两个导电本体的其中 一个的侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘 层填充于所述至少一个侧凹陷部内。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个导电本体的侧面具 有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述 至少一个侧凹陷部内。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述至少一个第一绝缘层 的上表面与上述两个导电本体的上表面齐平，且所述至少一个第一绝缘层的下表面与上述 两个导电本体的下表面齐平。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，上述两个导电本体的其中 一个的上表面具有多个排列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是 否正确的定位凹槽。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述多个定位凹槽及所述 至少一个发光组件被同一个开口所裸露。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述至少一个封装胶体具 有一位于该第二绝缘单元上的底层胶体部及一位于所述至少一个发光组件上方且与该底 层胶体部一体成型的透镜胶体部。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，进一步包括一防突波单 元，其具有至少一个穿过其中一个开口而设置于其中一导电本体上的防突波组件，其中所 述至少一个防突波组件电性连接于上述两个导电本体之间。
11.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括一导电基板单元，其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体、至少一个设置于上述两个导电本体之间且与上述两个导电本体彼此分离了一特定距离的散热本体、及至 少两个分别形成于其中一导电本体与该散热本体之间及形成于另外一导电本体与该散热 本体之间的间隙；一第一绝缘单元，其具有至少两个分别填充于所述至少两个间隙内的、以用于连结该 散热本体的、且位于上述两个导电本体之间的第一绝缘层；一第二绝缘单元，其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过 所述至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面及该散热本体的部分 上表面的开口；一发光单元，其具有至少一个穿过其中一个开口而设置于该散热本体上的发光组件， 其中所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间；以及一封装单元，其具有至少一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光 组件的封装胶体。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个导电本体的底部 具有至少一个连通于每一个间隙的底凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体 的至少一个底凹陷部内。
13.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个导电本体的侧面 具有至少一个连通于每一个间隙的侧凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体 的至少一个侧凹陷部内。
14.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该散热本体的底部具有 至少两个分别连通于所述至少两个间隙的底凹陷部，且每一个第一绝缘层填充于该散热本 体的每一个底凹陷部内。
15.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述至少一个第一绝缘 层的上表面与上述两个导电本体的上表面及该散热本体的上表面齐平，且所述至少一个第 一绝缘层的下表面与上述两个导电本体的下表面及该散热本体的下表面齐平。
16.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该散热本体的上表面具 有多个排列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是否正确的定位凹 槽。
17.如权利要求16所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述多个定位凹槽及所 述至少一个发光组件被同一个开口所裸露。
18.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述至少一个发光组件 为一发光二极管芯片。
19.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述至少一个封装胶体 具有一位于该第二绝缘单元上的底层胶体部及一位于所述至少一个发光组件上方且与该 底层胶体部一体成型的透镜胶体部。
20.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，进一步包括一防突波单 元，其具有至少一个穿过其中一开口而设置于该散热本体上的防突波组件，其中所述至少 一个防突波组件电性连接于上述两个导电本体之间。
专利摘要一种发光二极管封装结构，其包括导电基板单元、第一绝缘单元、第二绝缘单元、发光单元及封装单元。导电基板单元具有两个分离了的导电本体及一形成于两个导电本体之间的间隙。第一绝缘单元具有一填充于间隙内以连结两个导电本体的第一绝缘层。第二绝缘单元具有一设置于导电基板单元上的第二绝缘层。发光单元具有一穿过第二绝缘层且设置于其中一导电本体上的发光组件，其电性连接于两个导电本体之间。封装单元具有一用于覆盖发光组件的封装胶体。因此两个导电本体可通过第一绝缘层而连接在一起，且发光组件被定位在其中一导电本体上，以增加发光组件的散热效果。
文档编号H01L33/64GK201893375SQ20102061252
公开日2011年7月6日 申请日期2010年11月16日 优先权日2010年11月16日
发明者汪秉龙, 萧松益, 郑淯仁, 陈政吉 申请人:宏齐科技股份有限公司