专利名称：高温瓷介穿心电容器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元件中的陶瓷电容器制造技术领域。
背景技术：
瓷介穿心电容器是滤波电路的主要部件。现有的瓷介穿心电容器由多层穿心电容器芯片、与芯片的内端电极焊接的信号传输引线、与芯片的外端电极焊接的金属外壳和树脂封装层构成。这种瓷介穿心电容器的缺点是由于其芯片的外电极和内电极与外端电极、 内端电极的接触面积较小，其电极端面结合强度较小，在环境温度较高的情况下，由于封装层的变形容易将芯片的端电极拉脱或将芯片拉裂，造成产品短路失效。随着滤波电路工作环境温度要求越来越高，有的甚至达到了 200°C，使得现有的其最高工作温度为125°C的瓷介穿心电容器难以满足滤波电路150°C 200°C的高温工作环境要求。
实用新型内容本实用新型的目的旨在解决现有瓷介穿心电容器耐温度不高的问题，提供一种工作温度为_55°C +200°C的高温瓷介穿心电容器。实现本实用新型目的的高温瓷介穿心电容器的构成包括封装在树脂封装层中的多层穿心电容器芯片、与穿心电容器芯片的内端电极焊接的信号传输引线和与穿心电容器芯片的外端电极焊接的金属外壳，在所述的各层芯片的外电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的内端电极相接的电极式内圈加强环，在所述的各层芯片的内电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的外端电极相接的电极式外圈加强环，在所述的芯片与树脂封装层之间设有一耐热封装层。本高温瓷介穿心电容器通过增设“电极式加强环”来与芯片的内、外端电极相连接，增加了芯片本体与内、外端电极的接触面积，从而增加了芯片本体与内、外端电极的连接强度，提高了芯片的抗形变的能力；增设的耐热封装层可采用热膨胀系数非常小的耐高温热固性改性树脂来构成，利用该改性树脂在高温下具有的防形变特性，可避免产品在温度冲击试验和高温环境中出现形变而拉裂穿心芯片的情况。本高温瓷介穿心电容器从减小产品的受热形变量和加大产品自身的结构强度两方面着手，有效地解决了现有瓷介穿心电容器存在的高温下易变形而拉裂芯片导致电容器损坏的问题。其最高工作温度可达200°C，满足了目前滤波电路150°C 200°C的高温工作环境要求。具有高温电性能优越、可靠性高、结构对称、工艺成熟、制作方便等特点。特别适用于各种工作在高温环境中的仪器、仪表、电子设备中使用。
以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步详细说明。
图1是本实用新型的结构示意图图2是本实用新型的芯片的结构示意图[0010]图3是现有瓷介穿心电容器的结构示意图图4是现有瓷介穿心电容器的芯片的结构示意图
具体实施方式
参见图1 2，本高温瓷介穿心电容器以五层电极芯片的电容器为例，其构成包括封装在树脂封装层1中的多层穿心电容器芯片3、与穿心电容器芯片3的内端电极7焊接的信号传输引线6和与穿心电容器芯片3的外端电极8焊接的金属外壳5，其特征是在所述的各层芯片的外电极9层面上设置有一与穿心电容器芯片的内端电极7相接的电极式内圈加强环11，在所述的各层芯片的内电极10层面上设置有一与穿心电容器芯片的外端电极8相接的电极式外圈加强环12，在所述的芯片3与树脂封装层1之间设有一耐热封装层2。该耐热封装层2可采用热膨胀系数非常小的耐高温热固性改性树脂，采用常规的封装工艺来构成。也可以采用具有类似功能的其它材料来构成。内圈和外圈加强环采用电极式以及设置在芯片的电极层面上，主要是考虑到其制作更为方便，即加强环可在制备芯片的内、外电极的同时制备。显然，加强环设在芯片的其它层面上也是可以的，只要它不与芯片的内、外电极相触及即可。加强环不做成电极式也可，只要它能与芯片的端电极固接就可。为方便比对，图3和图4给出了现有的瓷介穿心电容器和芯片的结构示意图。在本实施例中，本高温瓷介穿心电容器较现有的瓷介穿心电容器多了三个内圈加强环11与内端电极7相接，多了两个外圈加强环12与外端电极8相接。
权利要求1.高温瓷介穿心电容器，包括封装在树脂封装层中的多层穿心电容器芯片、与穿心电容器芯片的内端电极焊接的信号传输引线和与穿心电容器芯片的外端电极焊接的金属外壳，其特征是在所述的各层芯片的外电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的内端电极相接的电极式内圈加强环，在所述的各层芯片的内电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的外端电极相接的电极式外圈加强环，在所述的芯片与树脂封装层之间设有一耐热封装层。
专利摘要高温瓷介穿心电容器，涉及电子元件中的陶瓷电容器制造技术领域。其构成包括封装在树脂封装层中的多层穿心电容器芯片、与穿心电容器芯片的内端电极焊接的信号传输引线和与穿心电容器芯片的外端电极焊接的金属外壳，在所述的各层芯片的外电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的内端电极相接的电极式内圈加强环，在所述的各层芯片的内电极层面上设置有一与穿心电容器芯片的外端电极相接的电极式外圈加强环，在所述的芯片与树脂封装层之间设有一耐热封装层。工作温度可达200℃。特别适用于各种工作在高温环境中的电子设备中使用。
文档编号H01G4/224GK202008925SQ20102062212
公开日2011年10月12日 申请日期2010年11月24日 优先权日2010年11月24日
发明者吴晓东, 李少奎, 王新, 赵碧全, 陈亚东, 黄俭帮 申请人:成都宏明电子科大新材料有限公司