专利名称：进行成膜和清洗的真空处理方法
技术领域：
本发明涉及用于提高处理装置的处理工作效率的控制技术。
技术背景
如果在具有真空处理装置的真空槽内进行基板的成膜等的真空处理，则在真空槽的内壁上堆积在成膜中使用的反应气体成分。为了除去该反应气体成分的膜，向真空槽内导入清洗气体而令堆积于内壁的膜发生反应而气体化，向真空槽外进行真空排气。
以往，每次进行基板的成膜处理时，对每一张进行真空槽内的清洗，存在基板的处理效率差的问题。
另一方面，如果每处理设定的多张时从成膜作业向清洗作业转移，则难以对从前工序以一定间隔运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
如果在多个真空槽内一起开始基板的处理，则产生基板运送装置不动作的时间， 此外，各真空槽的清洗也一起开始，还产生不进行基板的成膜处理的时间。
专利文献1 日本特开平07-94486号公报专利文献2 日本特开平08-340034号公报。发明内容
本发明提供一种技术，如上所述地以一定间隔对基板进行真空处理，同时每对多张基板进行处理后，进行处理装置的清洗。
本发明为一种真空处理方法，在具有真空槽且在运入上述真空槽内的基板上形成薄膜的多个的处理装置个数M的处理装置中，比上述处理装置个数M少的动作个数m个的上述处理装置成为能够对上述基板进行成膜处理的动作状态，剩下的待机个数(M-m)个的上述处理装置为不进行上述成膜处理而能够进行上述真空槽内的薄膜除去的清洗处理的待机状态，设定连续处理次数N，处于上述动作状态的上述处理装置在进行了上述连续处理次数 N次的上述成膜处理后，从上述动作状态向上述待机状态变更而进行上述清洗处理，结束了上述清洗处理的上述处理装置从上述待机状态向上述动作状态变更，进行上述连续处理次数N次的上述基板的上述成膜处理， 其中，从能够开始向上述真空槽内运入上述基板的状态起，直到运入上述基板而进行上述成膜处理、在上述成膜处理结束后运出上述基板而开始接下来的未处理基板的运入的状态， 作为一个成膜处理动作，上述成膜处理动作以一定的处理时间T进行，在为与上述动作个数m相同的个数、上述成膜处理动作以上述处理时间T间隔反复进行的动作周期中，作为各动作周期的上述成膜处理动作的开始时刻的一处理开始时刻各相差将处理时间T除以动作个数m的时间差(T/m)，多个处于上述动作状态的上述处理装置按照各自不同的上述动作周期，若变为上述一处理开始时刻则开始上述成膜处理动作，从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置在结束第上述连续处理次数N 次的上述成膜处理动作的同时，从上述待机状态向上述动作状态变更的上述处理装置开始上述成膜处理动作，按照从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期而连续地进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。
此外，本发明为一种真空处理方法，上述待机个数(M-m)设定为多个，在处于上述待机状态的上述处理装置被设为上述动作状态时，先被设为上述待机状态的上述处理装置先被设为上述动作状态。
此外，本发明为一种真空处理方法，上述待机个数(M-m)为一个。
此外，本发明为一种真空处理方法，如果令各上述动作周期的上述连续处理次数N 次中的最初的上述成膜处理动作的上述一处理开始时刻为连续处理开始时刻，则上述动作条件间的近接的上述连续处理开始时刻的差即延迟时间比上述处理时间T长。
此外，本发明为一种真空处理方法，在上述动作个数m个的上述动作周期中，将一个上述动作周期作为基准，上述一处理开始时刻从作为基准的上述动作周期的上述一处理开始时刻各延迟上述时间差(T/m)的其他的上述动作周期为，从作为基准的上述动作周期的上述连续处理开始时刻，各延迟下述延迟时间，所述延迟时间在将上述处理时间T乘以期望的整数η倍后的值上加上上述时间差T/m而得到(η ·Τ+Τ/πι) (η为1以上的整数)。
此外，本发明为一种真空处理方法，各上述处理装置从上述动作状态变更为上述待机状态后直到回复为上述动作状态的待机时间为一定值。
此外，本发明为一种真空处理方法，上述处理装置个数M个的上述处理装置不为上述动作状态和上述待机状态，从没有进行上述成膜处理动作的状态，上述动作个数m个的上述处理装置以上述m个的动作周期来进行上述成膜处理动作时，上述动作个数m个的上述处理装置各延迟上述时间差(T/m)而开始上述成膜处理动作，即便进行过了的上述成膜处理动作的次数不满上述连续处理次数N，也视为变成了上述连续处理次数N次而变为上述待机状态，不为上述动作状态也不为上述待机状态的上述处理装置为，与变更为上述待机状态的处理装置被设为第上述连续处理次数N次而结束上述成膜处理动作的同时，开始上述成膜处理动作，并且按照即便不满上述连续处理次数N也视为变为上述连续处理次数N次而变更为了上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期连续进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。
在本发明中，一台处理装置也可以利用一次的成膜处理动作对一张基板进行成膜，也可以向一台处理装置内运入多张基板并利用一次的成膜处理动作对多张基板进行成膜。
在各动作周期中，如果变为一处理开始时刻，则借助某一处理装置而开始成膜处理动作，进行向基板的成膜，所以能够消除全部处理装置都不进行成膜处理动作的期间。因而，根据本发明，与以往相比能够提高处理装置的工作率。
通过令多个处理装置的动作均一地错开，能够高效地使用基板运送机器人。
此外，处理对象的基板不会滞留，基板运送机器人的动作速度不会成为基板的处理的限速因素。
图1是用于说明本发明的处理装置的连接的图。
图2 (a)是用于说明表示一个成膜处理动作的四边形的图，(b)是用于说明排列该四边形而表示动作周期的列的图。
图3是用于说明动作个数m个的动作条件的一处理开始时刻和连续处理开始时刻的关系的图。
图4是用于说明动作个数m个的动作条件的一处理开始时刻与连续处理开始时刻的关系的其他情况的图。
附图标记说明51 53…动作周期，A D…处理装置，Q…延迟时间，T…处理时间， S” S2…待机时间，T/m…时间差。
具体实施方式
< 装置 >图1的符号1为成膜装置，该成膜装置1具有用于本发明的本工序装置14、进行本工序装置14的前工序的前工序装置11、进行本工序装置14的后工序的后工序装置15、令基板从前工序装置11向本工序装置14移动并且将在本工序装置14中进行了真空处理的基板向后工序装置15移动的移动装置12。
本工序装置14具有本体部13和控制本体部13的动作的控制部35。
本体部13具有运送室25、与运送室25连接的处理装置个数M个(本例中M=4)的处理装置A D、和连接运送室25和移动装置12的交接室四。
各处理装置A D分别具有真空室21 M。各真空室21 M和运送室25和交接室四构成为分别与真空排气装置28i 284连接，能够令各室21 对、25、四的内部为真空环境。
处理装置A D是借助CVD法及溅镀法而在被运入的基板表面上令薄膜生长的薄膜形成装置，在此，在各真空室21 M上连接积存有原料气体的原料气体供给系统(未图示)，构成为能够向各处理装置A D的真空槽21 M内导入薄膜的原料气体。此外，在各真空室21 M内配置等离子体形成装置(未图示)，使得在各真空室21 M内产生被导入的原料气体的等离子体，在配置于各真空室21 M内的基板表面，薄膜利用等离子体 CVD法而生长。
伴随着向基板的薄膜生长，薄膜也在各真空室21 M的内壁面上生长。
各真空室21 M与清洗气体供给系统(未图示)连接，在各真空室21 M内，如果形成被供给的清洗气体的等离子体，则曝露于清洗气体等离子体的内壁面表面的薄膜被气化而变得能够除去。在这样的清洗处理中，在各真空室21 M内没有配置形成薄膜的基板。在运送室25内配置有基板运送机器人30。
在前工序装置11中被进行了前处理的基板利用移动装置12而从前工序装置11 被运入交接室四内。
在令交接室四内变为真空环境后，利用基板运送机器人30将交接室四内的基板运入运送室25。被运入运送室25内的基板被运入处理装置A D的真空室21 M中为能够运入基板的状态的真空室21 M内。
在一台处理装置A D的真空室21 M内进行成膜处理，形成了薄膜后的基板被基板运送机器人30从真空室21 M移动到交接室四。
移动到交接室四的基板利用移动装置12而被向后工序装置15移动，进行后工序的处理。
〈动作〉在前工序装置11中，以一定的间隔结束基板的前工序处理，在本工序装置14中，利用移动装置12以与进行前工序处理的一定间隔相同长度的运入间隔将基板移来。因而，在本工序装置14中，要求以该运入间隔对基板进行处理。
在从各处理装置A D将进行了成膜处理后的基板运出后，或者在结束了清洗处理后，即令成为能够将未成膜的基板运入交接室四的状态后，直到运入未处理的基板而进行了成膜处理后变为能够将结束了成膜处理的基板运出到交接室四而运入下一个未成膜的基板的状态或者能够开始清洗处理的状态的处理作为一个成膜处理动作，令一个成膜处理动作所需的时间作为处理时间T，则控制部35以相同的时间T进行各处理装置A D的成膜处理动作。
在一个成膜处理动作中，包含更换处理基板和未处理基板的时间、基板运入的等待时间、基板处理开始的等待时间等。因而，处理时间中也包含更换所需要的时间及等待时间。
该一个成膜处理动作的处理时间T与下述时间长度相同，即一台处理装置开始一张基板的成膜处理动作后直到开始下一个基板的成膜处理动作的时间，总之，一个成膜处理动作能够为一台处理装置开始对一个基板的动作后直到对下一个基板开始相同的动作的处理。该动作无论是何种动作，只要一个成膜处理动作含有成膜处理且是以一定的处理时间T进行的处理即可。
另外，成膜处理在真空环境中进行，运送、基板更换等其他的动作也在真空环境中进行。因而，成膜处理动作和清洗处理在真空环境中进行。
如果令处理装置A D的台数为处理装置个数M (M彡3)，则控制部35中将作为比处理装置个数M少的整数的动作个数m (m > 2)存储为能够并列动作的台数，动作个数 m个的处理装置设定为进行处理时间T的成膜处理动作的动作状态。
动作个数m个的处理装置能够反复进行成膜处理动作，所以设定为动作个数m个的处理装置不在相同时刻开始成膜处理动作，每一台分别延迟时间差T/m (Τ是处理时间、 m是动作个数)而开始成膜处理动作，反复进行处理时间T的成膜处理动作，此时，如果以时间差T/m与向运入室运入基板的时间间隔即运入间隔相等的方式设定处理时间T和动作个数m，则能够对以运入间隔T/m运入的基板以该时间差T/m没有迟滞地进行处理。
此时，如果令全部的处理装置A D —起进行清洗处理，则从前工序装置11移动来的基板发生滞留。为了避免滞留，令需要进行清洗处理的处理装置和结束了清洗的处理装置交接即可。
控制部35令待机个数(M-m)个的处理装置为待机状态，进行清洗处理。
在控制部35，对于以处理时间T为一周期而反复进行成膜处理动作这一点相同， 但开始一个成膜处理动作的时刻即一处理开始时刻不同的动作周期以与动作个数m为相CN 102549192 A同个的方式求出并存储。
如果从一处理开始时刻早的向晚的排列各动作周期，则排列的动作周期的一处理开始时刻每个之间错开时间差T/m。
动作个数m个的处理装置以一处理开始时刻不同的方式设定相互不同的动作周期，并按照设定的动作周期动作。
在控制部35中，存储作为连续地进行成膜处理动作的次数的连续处理次数N，控制部35为，在令处理装置为动作状态而连续地将成膜处理动作进行了连续处理次数N次， 结束连续处理次数第N次的成膜处理动作时，马上变为待机状态，并且在为待机状态期间， 进行清洗处理。
S卩，在各处理装置分别连续地进行了多次对基板进行成膜的成膜处理动作时，在一台处理装置的成膜处理动作的连续的次数到达连续处理次数N之前，对基板以处理时间 T连续地反复以成膜处理动作进行处理，处于动作状态的处理装置按照设置的动作周期开始成膜处理动作，此外，若按照设置的动作周期而进行了连续处理次数N次的成膜处理动作，则从动作状态变更为待机状态，进行清洗处理。
清洗处理在各处理装置中设定为以相同长度的时间进行，结束了清洗处理的处理装置与从动作状态变更为待机状态的处理装置交接而开始成膜处理动作。
此时，从待机状态变更为动作状态的处理装置按照从动作状态变更为待机状态而交接的处理装置进行动作时的动作周期而开始成膜处理动作。一边维持该动作周期一边反复进行连续处理次数N次的成膜处理动作。
在交接时，从动作状态变更为待机状态的处理装置的第连续处理次数N次的成膜处理动作的结束时刻为处于待机状态的处理装置开始成膜处理动作的时刻，在一个动作周期的一处理开始时刻之间对基板进行成膜。
处于待机状态的处理装置的待机个数(M-m)为多个时，设定为从先结束清洗处理的处理装置开始先从待机状态返回动作状态。
这样地以设定的一动作周期反复进行成膜处理动作的一台处理装置，以处理时间 T间隔反复进行连续处理次数N次的成膜处理动作，接着从动作状态变更为待机状态，并且处于待机状态的处理装置按照该动作周期开始成膜处理动作。若看一动作周期，则每经过 NXT (N为连续处理张数、T为处理时间)的时间进行处理装置的交接。
另外，无论在相同的处理装置连续进行了连续处理次数N次成膜处理动作的期间中、还是在处理装置交接时，一个成膜处理动作结束的时刻、和开始下一个成膜处理动作的时刻都为相同时刻。此外，各动作周期的成膜处理动作的处理时间T为相同长度。
接着，说明动作周期间的关系。
首先，如图2 (a)所示，如果利用一个四边形30表示一个成膜处理动作，则将该四边形30配置在时间轴31上时相对于时间轴31而垂直的左边61表示一个成膜处理动作的一处理开始时刻 ，右边62表示该成膜处理动作的结束时刻 。一个成膜处理动作的处理时间T以连结四边形30的左边61和右边62之间的边63、64的长度表示。
如果将这样的四边形30排列多个而表示动作周期，则如图2 (b)所示，多个四边形30将左边和右边密接而排列在时间轴31上。
m个的动作周期中一个成膜处理动作的一处理开始时刻各错开T/m，所以如果将m个的动作周期用排列四边形30的m个的列表示，并且排列在共用的时间轴上，则如图3所示，排列四边形30的列令一处理开始时刻各延迟T/m，能够从上方朝向下方而一列列地顺次排列(也可以相反地从下方朝向上方排列)。该图中，符号51 53表示根据各列而示出的动作周期。符号M表示处于待机状态的处理装置。
图3的四边形中的符号A D表示处理装置A D中进行四边形所示的成膜处理动的处理装置，符号A D的下标表示该处理装置进行的成膜处理动作的清洗后的次数。图中的时间轴的刻度与刻度之间的时间为T/m。
动作周期决定该动作周期内的一个成膜处理动作的一处理开始时刻，所以各动作周期的一处理开始时刻以从一处理开始时刻早的起向晚的的顺序从第二个起各错开一刻度，使得各延迟T/m的时间。
图3的符号tx表示当前时刻，则该当前时刻tx时，处理装置D、A、B为并列动作中， 以处理装置D、A、B的顺序一处理开始时刻变早，处理装置D、A、B以该顺序分别结束一个成膜处理动作。
令开始连续处理次数N次中的最初的成膜处理动作的时刻为连续处理开始时刻， 令结束连续处理次数N次中的最后的成膜处理动作的时刻为连续处理结束时刻，则在一个动作周期中，一个连续处理的连续处理结束时刻和下一个连续处理的连续处理开始时刻设定为相同时刻。
在与动作个数m个相同个数的动作周期中，以任一动作周期作为基准而令其为最初的动作周期，则从第二动作周期的一处理开始时刻直到最后的第m个动作周期的一处理开始时刻，各动作周期分别从最初的动作周期的一处理开始时刻延迟T/m，连续处理开始时刻也从第二个动作周期直到最后的第m个的动作周期，分别延迟。
该连续处理开始时刻的延迟能够为，在将处理时间T乘以零以上的整数η倍后的值η· T上加上一处理开始时刻的时间差T/m而得到的值(η ·Τ+Τ/πι) (η为零以上的整数、 m为动作个数、T为处理时间)，若令从第二个动作周期到最后的动作周期的延迟为第一延迟时间Q，令整数η为一定值，则第一延迟时间Q设定为，Q=n · T+T/m...... (1)而为一定值。
一处理开始时刻从最初的动作周期的一处理开始时刻延迟了时间差T/m的整数k 倍的时间&·Τ/πι (k=l m-1 )] (k=l m-1 )的动作周期为第k+1个动作周期，该动作周期的连续处理开始时刻从作为基准的最初的动作周期的连续处理开始时刻看，延迟了第一延迟时间Q (=n · T+T/m)的整数k倍(QXk) (k、η为整数，η为1以上，k为1 m_l。T 为处理时间)。
但是，从最后的动作周期的连续处理开始时刻直到该时刻之后开始最初的动作周期的连续处理开始时刻的延迟不限定于与其他的动作周期间的第一延迟时间Q相等。
在图3中，当前时刻tx之后，马上为最初的动作周期51的连续处理开始时刻t1; 相对于该连续开始时刻t1;从第二个到最后的动作周期52、53的连续处理开始时刻t2、t3相对于比各动作周期52、53之前一个的动作周期的连续处理开始时刻、、t2，设定为分别延迟相同的第一延迟时间Q (=4 · T/3)。
令连续处理次数N次的成膜处理动作为连续处理动作，令分别延迟第一延迟时间Q而开始的从最初的动作周期51的连续处理动作到最后的动作周期53的连续处理动作的 m个的连续处理动作作为连续处理动作的组，将从连续处理动作的一组的最初的动作周期 51的连续处理开始时刻、直到最后的动作周期53的连续处理结束时刻t4的期间作为循环期间，则在一组的循环期间内开始接下来的组的循环期间，在图3中，从一组的最后的动作周期53的连续处理开始时刻t3与接下来的组的最初的动作周期51的连续处理开始时刻 t3Q之间的第二延迟时间用符号q (q=N · T- (m-1) · Q=7 · T/3)表示。在此，该第二延迟时间q与从第二个动作周期52到最后的动作周期53的第一延迟时间Q不相等。
一个动作周期中进行了连续处理次数N次的成膜处理动作的处理装置被设为待机状态后直到返回动作状态的时间是能够进行该处理装置的清洗的的待机时间，在处理装置变为待机状态的组的循环期间内中回复到其他的组的动作状态的第一待机时间S1能够为第一延迟时间Q乘以待机个数P (p=M-m)的值，S1=QXp...... (2)。
处理装置被设为待机状态的组的循环期间结束后，该处理装置回复为其他的组的动作状态时的第二待机时间&能够为，S2=q+QX (p-1) =N · T- (m_l) · Q+QX (p_l) ...... (3)。
第一、第二待机时间S1, S2不同时，如果以至少较小的待机时间S1或&比清洗时间长的方式设定M、m、η、T等的值，则动作个数m个的处理装置能够稳定地进行连续处理次数N次的成膜处理动作和清洗处理。
连续处理次数N为一定值，清洗所需要的时间也为一定值，所以如果设定为(2)式与(3)式相等、第一待机时间S1相互相等、第二待机时间&也相互相等、第一待机时间S1和第二待机时间&也相互相等，则能够减少各处理装置A D在待机时间中没有进行清洗而等待的时间。
例如在待机个数ρ为1个时令第一、第二待机时间S1A2相等时，(2)式=(3)式， 所以Q=N · T- (m-1) · Q为其条件，整理后为下述(4)式，Q=N ‘ T/m...... (4)，若该(4)式和(1)式成立则能够令S1=S215
该(4)式可改写为下述(5)式， Q= (N-I) · T/m+T/m...... (5)若比较该(5)式和(1)式，则以(N-1) /m为整数的方式选择N、m即可。
另外，图3时，第一待机时间S1与第一延迟时间Q相等，第二待机时间&与第二延迟时间q相等。
令第一延迟时间Q的式(Q=n · T+T/m)中的任意的整数η为零(n=0)时，第一延迟时间Q变为作为最小值的时间差T/m的大小。连续处理次数N被设定为多次，难以在时间差T/m的待机时间中完成多次的成膜处理动作的清洗。
在图3中，M=4，m=3, N=5, n=l, p=l，相对于从最初的动作周期51到倒数第二个动作周期52的连续处理开始时刻、 t2，从第二个动作周期52到最后的动作周期53的连续处理开始时刻t2、、从前向后分别错开相同大小的第一延迟时间Q (=4·Τ/3)。处理装置处于待机状态的组的循环期间内回复到动作状态时的第一待机时间S1为与第一延迟时间Q 相同的时间(=4 · Τ/3)，另一方面，处理装置处于待机状态的组的循环期间结束后回复到动作状态时的第二待机时间&为比第一待机时间S1长的时间(7 · T/3)。
与之相对，在图4的情况下，为与图3相同的处理装置个数M (=4)、动作个数m (=3)，待机个数ρ (=1)，动作条件的个数，但第一、第二待机时间Sp &相等，所以第一延迟时间Q (=η ·Τ+Τ/πι)和第二延迟时间q (= N-T-Q-Cm-I))相等，且以满足(1)式的方式， 令N=7，n=2，令第一、第二待机时间S1J2为7 · T/m。
在图4中，以时刻、 t4表示一循环的期间。
在图4的设定中，各处理装置的待机时间相同，所以能够令清洗时间尽可能长。
另外，在图3、4中，在最后的动作周期53中进入待机状态的处理装置在两个后(下一个再下一个)的组的最初的动作周期51时回复。
接着，说明预先相互设定动作周期而按照该动作周期开始基板的成膜处理动作的方法。
在处理装置个数M个的处理装置中，在没有基板的成膜处理动作中的处理装置及清洗处理中的处理装置、全部的处理装置为结束了清洗处理的状态的初期状态中，首先，令全部的处理装置位于作为结束了清洗处理的待机状态，若以T/m的间隔运入基板，则一台台地变为动作状态而开始被运入的基板的成膜处理动作。
此时，与上述例同样地，预先在控制部35中存储处理装置个数M、动作个数m、处理期间T、连续处理次数N，令一处理开始时刻从第二个开始分别延迟时间差T/m而设定动作个数m个的动作周期，进而，与上述例同样地，各动作周期的连续处理开始时刻也以分别延迟第一延迟时间Q的方式设定，令运入最初的基板而成为能够向处理装置运入时作为最初动作的处理装置的一处理开始时刻，开始在各动作周期下的成膜处理动作。若令该开始时刻为整体的开始时刻，则若求取图3及图4那样的定常状态下的各动作周期的连续处理开始时刻与动作的处理装置的关系，则在时间轴上的哪个刻度位置的时刻，都能够令该时刻为整体的开始时刻。
例如，在以图3中的时刻t5为整体的开始时刻而开始成膜处理动作时，运入到初期状态的本体部13的最初的基板，在作为第一延迟时间Q的基准的动作周期51中，处理装置A以连续处理次数N次中的第四次的成膜处理动作进行成膜。
此时，时间差T/m后运入的下一个基板为，在一处理开始时刻延迟的动作周期52 中的比时刻t5延迟了时间差T/m的时刻t6，利用处理装置B而以连续处理次数N次中的第三次的成膜处理动作进行处理。
此外，再下一个被运入的基板为，在一处理开始时刻进一步延迟的处理周期53 中，在处理装置C中以连续处理次数N次中的第二次的成膜处理动作进行处理。
由于预先将各动作周期、各动作周期中的一处理开始时刻及连续处理开始时刻与处理装置A D、从连续处理开始时刻进行的成膜处理动作的次数关联，而对每个一处理开始时刻求得，所以能够从求得的结果的图3、4的那样的图表中，无论是图表上的哪个一处理开始时刻，都能够令被设为该一处理开始时刻开始成膜处理动作的处理装置A D的成膜处理动作开始。
接着，能够在每次到达一处理开始时刻时，令被设为在该一处理开始时刻开始成膜处理动作的处理装置A D的成膜处理动作开始。
在各处理装置A D开始最初的成膜处理动作时，该成膜处理动作与从连续处理时刻开始进行了的成膜处理动作的次数关联，所以开始了成膜处理动作的各处理装置， 作为进行了被关联了的次数成膜处理动作的装置，每次进行成膜处理动作时对次数进行加算，如果达到连续处理次数N次，则变更为待机状态，能够与未开始成膜处理动作的处理装置A D交接。
如以上说明的那样，进行从初期状态下被运入的最初直到动作个数m张的基板的成膜处理动作的处理装置若设为能够在真空处理张数为连续处理次数N以下的张数时从动作状态变更为待机状态，则在定常状态的哪一处理开始时刻下，初期状态的本体部13都能够开始基板的处理而到达连续进行连续处理次数N的连续处理的定常状态。
权利要求
1.一种真空处理方法，在具有真空槽且对运入上述真空槽内的基板形成薄膜的多个的处理装置个数M的处理装置中，比上述处理装置个数M少的动作个数m个的上述处理装置成为能够对上述基板进行成膜处理的动作状态，剩下的待机个数(M-m)个的上述处理装置为不进行上述成膜处理而能够进行上述真空槽内的薄膜除去的清洗处理的待机状态，设定连续处理次数N，处于上述动作状态的上述处理装置在进行了上述连续处理次数 N次的上述成膜处理后，从上述动作状态向上述待机状态变更而进行上述清洗处理，结束了上述清洗处理的上述处理装置从上述待机状态向上述动作状态变更，进行上述连续处理次数N次的上述基板的上述成膜处理， 其中，从能够开始向上述真空槽内运入上述基板的状态起，直到运入上述基板而进行上述成膜处理、在上述成膜处理结束后运出上述基板而变为开始接下来的未处理基板的运入的状态，作为一个成膜处理动作，上述成膜处理动作以一定的处理时间T进行，在与上述动作个数m为相同的个数、上述成膜处理动作以上述处理时间T间隔反复进行的动作周期中，作为各动作周期的上述成膜处理动作的开始时刻的一处理开始时刻各相差将处理时间T除以动作个数m的时间差(T/m)，多个处于上述动作状态的上述处理装置按照各自不同的上述动作周期，若变为上述一处理开始时刻则开始上述成膜处理动作，从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置在结束上述第连续处理次数N 次的上述成膜处理动作的同时，从上述待机状态向上述动作状态变更的上述处理装置开始上述成膜处理动作，按照从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期而连续地进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。
2.根据权利要求1所述的真空处理方法，其特征在于，上述待机个数(M-m)设定为多个，在将处于上述待机状态的上述处理装置设为上述动作状态时，将先被设为上述待机状态的上述处理装置先设为上述动作状态。
3.根据权利要求1所述的真空处理方法，其特征在于， 上述待机个数(M-m)为一个。
4.根据权利要求1 3的任意一项所述的真空处理方法，其特征在于，若令各上述动作周期的上述连续处理次数N次中的最初的上述成膜处理动作的上述一处理开始时刻为连续处理开始时刻，则上述动作条件间的近接的上述连续处理开始时刻的差即延迟时间比上述处理时间T长。
5.根据权利要求4所述的真空处理方法，其特征在于，在上述动作个数m个的上述动作周期中，将一个上述动作周期作为基准， 上述一处理开始时刻从作为基准的上述动作周期的上述一处理开始时刻各延迟上述时间差(T/m)的其他的上述动作周期为，从作为基准的上述动作周期的上述连续处理开始时刻，各延迟下述延迟时间，所述延迟时间在将上述处理时间T乘以期望的整数η倍后的值上加上上述时间差T/m而得到(η · T+T/m) (η为1以上的整数)。
6.根据权利要求1 5的任意一项所述的真空处理方法，其特征在于，各上述处理装置从上述动作状态变更为上述待机状态后直到回复为上述动作状态的CN 102549192 A待机时间为一定值。
7.根据权利要求1 6的任意一项所述的真空处理方法，其特征在于， 上述处理装置个数M个的上述处理装置不为上述动作状态和上述待机状态，从没有进行上述成膜处理动作的状态，上述动作个数m个的上述处理装置以上述m个的动作周期来进行上述成膜处理动作时，上述动作个数m个的上述处理装置各延迟上述时间差(T/m)而开始上述成膜处理动作，即便进行了的上述成膜处理动作的次数不满上述连续处理次数N，也视为变成了上述连续处理次数N次而变为上述待机状态，不为上述动作状态也不为上述待机状态的上述处理装置为，与变更为上述待机状态的处理装置被设为上述第连续处理次数N次而结束上述成膜处理动作的同时，开始上述成膜处理动作，并且按照即便不满上述连续处理次数N也视为变为上述连续处理次数N次而变更为上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期而连续进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。
全文摘要
一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间(n·T+T/m)(n为1以上的整数)，进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
文档编号H01L21/31GK102549192SQ20108004704
公开日2012年7月4日 申请日期2010年10月15日 优先权日2009年10月19日
发明者下田圭介, 加藤修, 加藤裕子, 桧山雅树, 菊池正志, 阿部庆子, 阿部智伸, 龟崎厚治 申请人:株式会社爱发科