集成系统、集成系统操作方法以及膜处理方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成系统、集成系统操作方法和膜处理方法。
【背景技术】
[0002]随着科学和技术的发展，存在用于施加连续处理的不同种类的工艺设备以制造诸如TFT器件、LED器件和晶圆衬底的半导体产品。
[0003]为了控制半导体产品的质量，需要用于测量衬底的沉积膜的计量设备。例如，湿蚀刻设备可以蚀刻形成在衬底上的膜。蚀刻膜之后，可以通过载体将衬底移动至检验台，诸如可以测量衬底的膜厚度的椭圆偏振计。如果膜的厚度太厚，需要设定用于干蚀刻设备或湿蚀刻设备的蚀刻配方以来降低膜的厚度。如果膜的厚度太薄，可以将衬底刮掉或需要通过膜沉积工具升高衬底。
[0004]然而，检验台可以远离上述的工艺设备，检查、沉积和蚀刻衬底的膜的循环时间难以减小。而且，需要根据从椭圆偏振计测得的膜信息手动地计算沉积时间或蚀刻时间。因此，由于不同的使用者的经验，不能改进衬底的工艺控制。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成系统，包括:工艺装置，用于对衬底施加膜处理；计量装置，直接邻近所述工艺装置以测量所述衬底的膜；以及转移装置，用于在所述工艺装置和所述计量装置之间移动所述衬底。
[0006]在上述集成系统中，所述计量装置包括:发送器，用于将光发射至所述衬底的膜；以及接收器，电连接至所述发送器并且接收由所述衬底的膜反射的光以获得膜信息。
[0007]在上述集成系统中，还包括:膜分析单元，电连接至所述接收器以根据所述膜信息自动地选择用于所述工艺装置的配方。
[0008]在上述集成系统中，所述膜分析单元位于所述计量装置或所述工艺装置内。
[0009]在上述集成系统中，所述计量装置包括:工作台，用于支撑所述衬底；以及电动机，连接至所述工作台以使所述工作台旋转。
[0010]在上述集成系统中，所述转移装置电连接至所述工艺装置和所述计量装置。
[0011]在上述集成系统中，所述工艺装置是化学汽相沉积室、物理汽相沉积室、干蚀刻室或湿蚀刻室。
[0012]在上述集成系统中，所述计量装置包括椭圆偏振计或自动光学检查装置。
[0013]根据本发明的另一方面，还提供了一种集成系统操作方法，包括:通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息；将所述衬底从所述计量装置移动至邻近转移装置的工艺装置；将所述膜信息发送至所述工艺装置；以及根据所述膜信息对所述衬底施加膜处理。
[0014]在上述集成系统操作方法中，测量所述衬底的膜还包括:驱动发送器和接收器以获得所述膜?目息。
[0015]在上述集成系统操作方法中，测量所述衬底的膜还包括:使支撑所述衬底的工作台旋转。
[0016]在上述集成系统操作方法中，还包括:根据所述膜信息自动地选择用于所述工艺装置的配方。
[0017]在上述集成系统操作方法中，将所述膜信息发送至所述工艺装置还包括:将所述膜信息发送至与所述工艺装置和所述计量装置电连接的控制系统。
[0018]根据本发明的又一方面，还提供了一种膜处理方法，包括:将衬底载入包括计量装置和工艺装置的集成系统中；通过所述集成系统的计量装置测量所述衬底的膜以获得第一膜信息；以及根据所述第一膜信息自动地选择用于所述集成系统的工艺装置的第一配方。
[0019]在上述膜处理方法中，还包括:根据所述第一配方通过所述工艺装置对所述衬底施加第一膜处理，从而改进所述膜的厚度。
[0020]在上述膜处理方法中，还包括:通过所述计量装置测量所述衬底的改进的膜以获得第二膜信息。
[0021]在上述膜处理方法中，还包括:确定所述第二膜信息是否达到目标值。
[0022]在上述膜处理方法中，当所述改进的膜达到所述目标值时，所述膜处理方法还包括:卸载所述衬底并且将所述衬底发送至下一个工艺步骤。
[0023]在上述膜处理方法中，当所述改进的膜未达到所述目标值时，所述膜处理方法还包括:根据所述第二膜信息自动地选择用于所述工艺装置的第二配方。
[0024]在上述膜处理方法中，还包括:根据所述第二配方通过所述工艺装置对所述衬底的改进的膜施加第二膜处理，从而再次改进所述改进的膜以达到所述目标值。
【附图说明】
[0025]通过阅读下面的各个实施例的详细描述、参照如下附图，可以更充分地理解本发明。附图如下:
[0026]图1是根据本发明的一些实施例的集成系统的顶部示意图；
[0027]图1A是根据本发明的一些实施例的工艺装置、计量装置、转移装置的位置布置的顶部示意图；
[0028]图1B是根据本发明的一些实施例的工艺装置、计量装置、转移装置的位置布置的顶部示意图；
[0029]图2是图1中所示的计量装置在测量衬底时的侧视图；
[0030]图3是电连接至控制系统的图1中所示的集成系统的框图；
[0031]图4是传输信息时的图3中所示的框图；
[0032]图5是根据本发明的一些实施例的集成系统操作方法的流程图；
[0033]图6是根据本发明的一些实施例的膜处理方法的流程图；
[0034]图7是根据本发明的一些实施例的膜处理方法的流程图；
[0035]图8是根据本发明的一些实施例的膜处理方法的流程图；
[0036]图9是根据本发明的一些实施例的膜处理方法的流程图；以及
[0037]图10是根据本发明的一些实施例的膜处理方法的流程图；
【具体实施方式】
[0038]在以下描述中，呈现具体细节以提供对本发明的实施例的深入的理解。然而，本领域普通技术人员应意识到，在没有一个或多个具体细节或与其他组件结合的情况下可以实行本发明。未详细示出或描述公知的实施方式和操作以避免模糊本发明的各个实施例的各方面。
[0039]本说明书中所使用的术语通常具有本领域的普通含义并且每个术语用于特定的环境中。在本说明书中实例的使用，包括本文所讨论的任何术语的实例，并且使用的实例仅是说明性的，并且绝不限制本发明或任何示例性术语的范围和含义。同样地，本发明并不限于本说明书给定的各个实施例。
[0040]应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等以描述各个元件，但是这些元件不应当被这些术语所限制。这些术语用于区分一个元件与其他元件。例如，在不背离实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括所列举的一个或多个相关部件的任何一个和所有组合。
[0041]如本文所使用的，术语“由…组成”、“包括”、“具有”、“包含” “涉及”等要理解为开放式的，意思是包括但不限于。
[0042]参考整个说明书，“一个实施例”或“实施例”意思是结合实施例所描述的特定部件、结构、实施方式或特性包括在本发明的至少一个实施例中。在整个说明书的各个位置处使用的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的不必全部指的是相同的实施例。而且，可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式对特定的部件、结构、实施方式或特性进行组合。
[0043]图1是根据本发明的一些实施例的集成系统100的顶部示意图；如图1所示，集成系统100包括工艺装置110、计量装置120和转移装置130。计量装置120直接邻近工艺装置110。此外，转移装置130电连接至工艺装置110和计量装置120。
[0044]当集成系统100处于操作状态时，可以将衬底210移动至集成系统100的端口220。随后，转移装置130可以将衬底210从端口 220移动至计量装置120，从而使得计量装置120可以测量衬底210的膜(例如，测量衬底210的膜厚度)。接下来，转移装置130将衬底210从计量装置120移动至工艺装置110，从而使得工艺装置110可以对衬底210施加膜处理(例如，沉积