专利名称：一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法
技术领域：
本发明涉及芯片及制备方法，具体涉及一种钼电阻芯片及钼电阻芯片的制备方法。
背景技术：
PtlOOO钼电阻芯片是热量表配对钼电阻温度传感器的核心元件。目前国内尚不能生产，大部分生产配对钼电阻温度传感器的厂家均需向日本或德国进口，以致国家每年要花大量的外汇，而且进口价格也居高不下，传统钼电阻芯片生产工艺是将高纯度金属钼细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固， 外面再封装玻璃或石英套管，传统技术存在生产效率低，成本高，礼(芯片o°c时的电阻值) 分散性大，不适宜大规模生产的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种结构简单，成本低，生产效率高，0°C时的电阻值分散性小，适合批量大规模生产的一种钼电阻芯片。本发明的另一目的是提供一种钼电阻芯片的制备方法。为了克服传统技术的不足，本发明的技术方案是这样解决的一种钼电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝 1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3. 2士0. 1mm，宽为2. 1 士0. 1mm，厚为1.0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1mm，引线直径Φ0. 2士0.02mm。一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行
1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；
2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的
纯钼金薄膜层；
3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm ；
4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻 R0,电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 iioo°c i5oo°c的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。本发明与传统技术本质的区别在于是将纯金属钼浆料用激光喷溅方法将金属钼喷溅到陶瓷基片上，用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条作为电阻丝，电阻丝两端焊接镀钼镍线作为引线，并进行烧结，制成PtlOOO钼电阻芯片。而传统钼电阻温度传感器的生产工艺是将高纯度金属钼细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固，外面再封装玻璃或石英套管而成。显然本发明具有结构简单、成本低廉、生产效率高，0°c时的电阻值Rtl分散性小，长期稳定性好，防振动和防冲击性良好，适合批量大规模生产等优点，广可泛用于制造各种不同规格及各种不同金属材质的电阻芯片。本发明的技术参数为
1、产品性能符合IEC751-1995和JIS1604标准；
2、测温范围-50°C 450°C；
3、公称压力0.6mpa ；
4、外形尺寸3，2mmX2.ImmX 1. Omm (长 X 宽 X 高)；
5、精度与等级
A 级允许误差(单位°C) 士( 0. 15+0. 002t)； B 级允许误差(单位°C) 士( 0. 30+0. 005t)； 其中t是被测温度值(单位°C)
6、R0电阻值一致性好、偏差小，95%以上都能达到A级士0.06 W的精度； 精度等级
A 级1000士0. 06W
B 级1000士0.12W
7、耐高温性可长期工作在30(TC，且性能稳定；
8、具有良好的防振动和防冲击性
抗振动等级> 40g加速度(10 2000HZ)；
9、具有良好的绝缘性
绝缘电阻20°C时 >100 M ； 500°C时 >2 M ；
10、长期稳定性<0.1°C (250 小时 / IOO0C)； 1 1、电阻温度 / 系数RlOO / R0=L 3851;
其中Rtl为钼电阻芯片0°C时阻值，RlOO为钼电阻芯片100°C时阻值。
图1为本发明陶瓷基片细丝放大结构示意图。
具体实施例方式附图为本发明的实施例。下面结合附图和实施例对发明内容作进一步说明 实施例1
参照图1所示，一种钼电阻芯片在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3. 2士0. 1mm，宽为 2. 1 士0. 1mm，厚为1. 0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1_，引线直径Φ0. 2士0. 02mm。一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；
2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，以形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；
3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm ；
4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 iioo°c i5oo°c的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。实施例2
一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行
1 )、按质量比称取52% 54%纯金属钼粉与46% 48%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；
2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的
纯钼金薄膜层；
3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.09mm 0.12 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 09mm 0. 12 mm ；
4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R。，电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 1150°C 1300°C的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。实施例3
一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行
1)、按质量比称取53%纯金属钼粉与47%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；
2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成2mm厚的纯钼金
薄膜层；
3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0. Imm细丝；其细丝间隔距离为0. Imm ；
4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻 R。，电阻Rq值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度1200°C 的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成PtlOOO钼电阻芯片。实施例4
一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行
1)、按质量比称取50%纯金属钼粉与50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成2mm厚的纯钼金
薄膜层；
3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.Imm细丝；其细丝间隔距离为0. Imm ；
4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R。，电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度1200°C 的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成PtlOOO钼电阻芯片。 综上所述，利用本发明的技术方案除了用纯金属钼制造电阻芯片外，还可用其他纯金属材料与氢氟酸混合制成纯金属浆料，再用步骤2) 步骤5)的方法制造各种不同规格及各种不同金属材质的电阻芯片，若采用本发明的技术方案制造各种不同规格及各种不同金属材质制造的电阻芯片，同样属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种钼电阻芯片，其特征在于该钼电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体 2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4， 引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为 3. 2士0. 1mm，宽为2. 1 士0. 1mm，厚为1.0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1mm，引线直径 Φ0. 2 士 0. 02mm。
2.—种权利要求1所述的钼电阻芯片的制备方法，其特征在按下述步骤进行·1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；·2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；·3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm的相应结构；·4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R。，电阻Rq值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量； 5)、将修正电阻Rtl值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 iioo°c i5oo°c的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。
3.根据权利要求2所述的一种钼电阻芯片的制备方法，其特征按下述步骤进行·1 )、按质量比称取52% 54%纯金属钼粉与46% 48%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；·2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；·3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.09mm 0.12 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 09mm 0. 12 mm ；·4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻 ，电阻Rq值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；·5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 1150°C 1300°C的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。
全文摘要
本发明公开了一种铂电阻芯片及制备方法。该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积铂丝电阻体，铂丝电阻体上切割成长方锯齿形电阻细丝，电阻体设引线焊接点，引线焊接点一端与电阻细丝连接，另一端与镀铂镍线引线连接。方法包括按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构，即成ptl000铂电阻芯片。结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围-50℃～450℃；耐高温性可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。
文档编号H01C17/00GK102176356SQ201110048220
公开日2011年9月7日 申请日期2011年3月1日 优先权日2011年3月1日
发明者吴新潮, 段利庆 申请人:西安天衡计量仪表有限公司