背镀金属led的切割方法
【专利摘要】本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤生长SiO2层、涂覆光刻胶、光刻、蚀刻SiO2沟槽、GaN刻蚀、去光刻胶、SiO2腐蚀、隐形切割。由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。
【专利说明】背镀金属LED的切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种LED切割方法。
【背景技术】
[0002]现有技术中针对背镀金属的LED，其切割通常采用正表面激光普通切割；这种切割方式带来的缺点是，正表面激光普通切割对LED侧壁出的光吸收较大，影响出光效率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提高背镀金属LED的出光效率，增加侧壁出光，提高出光效率。
[0004]为了达到上述技术目的，本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤:
(a)生长5102层:生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2
层；
(b)涂覆光刻胶:在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶；
(c)光刻:通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；
Cd)蚀刻SiO2沟槽:蚀刻除去位于分割位置处的SiO2 ；
(e) GaN刻蚀:蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；
Cf)去光刻胶:去除剩余的光刻胶；
(g)SiO2腐蚀:去除剩余的SiO2 ；
(h)隐形切割:通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。
[0005]优选地，所述的基板为蓝宝石基板。
[0006]优选地，所述的金属背板为铝背板。
[0007]由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]附图1为背镀金属LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的步骤(a)的示意图；
附图3为根据本发明的步骤(b)的示意图；
附图4为根据本发明的步骤(C)的示意图；
附图5为根据本发明的步骤(d)的示意图；
附图6为根据本发明的步骤(e)的示意图； 附图7为根据本发明的步骤(f)的示意图；
附图8为根据本发明的步骤(g)的示意图；
附图9为根据本发明的步骤(h)的示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0010]参见附图1至附图9，为根据本发明的背镀金属LED的切割方法的生产加工流程示意图。如附图1所示，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，其中，基板为蓝宝石基板，金属背板为铝背板。
[0011]本实施例中的背镀金属LED的切割方法，包括如下步骤:
(a)生长SiO2层:如附图2所不,生长一层覆盖于N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层；
(b)涂覆光刻胶:如附图3所示，在SiO2层上方涂覆光刻胶；
(c)光刻:如附图4所示，通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；
Cd)蚀刻SiO2沟槽:如附图5所示，蚀刻除去位于分割位置处的SiO2 ；
(e) GaN刻蚀:如附图6所示，蚀刻除去位于分割位置处的GaN ；
Cf)去光刻胶:如附图7所示，去除剩余的光刻胶；
(g)SiO2腐蚀:如附图8所示，去除剩余的SiO2 ；
(h)隐形切割:如附图9所示，通过隐形切割的方式于分割位置切割基板与金属背板。
[0012]由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率。隐形切割系将激光聚光于工件内部，在工件内部形成变质层，通过扩展胶膜分割晶粒，由于隐形切割可缩小切割道宽度(切害I]宽度)，因此，与一般的切割相比增加由芯片制造长形晶粒个数；由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度；因此可以抑制加工屑的产生，适用于抗污能力差的工件，适用于抗负荷能力差的工件，且采用不需清洗的干式加工制程，简化了前制程的工艺。
[0013]以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，其特征在于:该方法包括依次进行的如下步骤: (a)生长5102层:生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层； (b)涂覆光刻胶:在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶； (c)光刻:通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶； Cd)蚀刻SiO2沟槽:蚀刻除去位于分割位置处的SiO2 ； (e) GaN刻蚀:蚀刻除去位于分割位置处的GaN层； Cf)去光刻胶:去除剩余的光刻胶； (g)SiO2腐蚀:去除剩余的SiO2 ； (h)隐形切割:通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。
2.根据权利要求1所述的背镀金属LED的切割方法，其特征在于:所述的基板为蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的背镀金属LED的切割方法，其特征在于:所述的金属背板为铝背板。
【文档编号】H01L33/00GK103956412SQ201110458142
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日
【发明者】李虹 申请人:聚灿光电科技(苏州)有限公司