专利名称：一种实现太阳能电池选择性发射极的方法
技术领域：
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。
背景技术：
传统的太阳能电池选择性发射极进行重扩散时，需要制作掩膜，然后采用一些浆料腐蚀掩膜部分，再对腐蚀浆料进行清洗等多重工艺步骤，步骤繁琐且工艺成本投入较大， 清洗亦不彻底。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种实现选择性发射极工艺的方法，操作简单，生产成本 低，能够有效腐蚀阻挡层。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤(I)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层；(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；(3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；(4)取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层；步骤(4)中，太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为O 60ohm/sq0(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。步骤(5)中，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60 200ohm/sq。本发明的有益效果是本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机，但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要，电池栅线区域由于HF的腐蚀作用，电池删线区域形成高掺杂深扩散区，非栅线区域由于Si02阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区，这样太阳能电池片形成选择性发射极。本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺， 直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。
具体实施例方式一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤(I)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层Si02阻挡层。
(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域。(3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体。(4)取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层。太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为O 60ohm/sq。(5)采用0_50%HF溶液浸泡清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60 200ohm/sq。本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机，但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要，电池栅线区域由于HF的腐蚀作用，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，非栅线区域由于SiO2阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区，这样太阳能电池片形成选择性发射极。本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺， 直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。 以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
1.一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于具有以下步骤 (1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层； (2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域； (3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiOJl挡层全部去除后抽走残留HF气体； (4)取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层； (5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
2.根据权利要求I所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于步骤(4)中，太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0 60ohm/Sq。
3.根据权利要求I所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于步骤(5)中，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60 200ohm/Sq。
全文摘要
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤(1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上生长一层SiO2阻挡层；(2)压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；(3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；(4)将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散。本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺，直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低。
文档编号H01L31/18GK102709388SQ20121014180
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月8日 优先权日2012年5月8日
发明者叶权华 申请人:常州天合光能有限公司