专利名称：高温蚀刻工艺槽的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体LED芯片制作装置。具体涉及一种高温蚀刻工艺槽，该工艺槽主要用于半导体LED芯片行业中图形化蓝宝石衬底与外延片之间的工艺段，通过高温蚀刻工艺在蓝宝石衬底上生长垂直化结构，是提高LED芯片亮度提升的必要工艺设备。
背景技术：
本发明做出以前，由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻，在工艺温度下会产生大量腐蚀性挥发气体,工艺槽内的溶液为强腐蚀性液体,不仅会增加废气处理难度及成本,还会导致工艺温度失衡、药液损耗严重等相关的由于挥发而导致的不利于生产的现象发生
发明内容
本发明的目的是提供一种高温蚀刻工艺槽，其耐高温，防腐蚀，抑制腐蚀气体挥发，减少工艺槽内药液损耗，能控制药液升温时间及药液温度的均匀性，能降温排放药液。为了达到上述目的，本发明有如下技术方案本发明的一种高温蚀刻工艺槽，包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。其中，所述槽盖包括两块盖板、开启关闭动力机构、密封减震碰撞条，开启关闭动力机构分别与两块盖板连接，密封减震碰撞条位于两块盖板关闭时的中间缝隙处，所述开启关闭动力机构用于自动开启或关闭槽盖。其中，所述防腐外壳是采用聚丙烯板材焊接加工而成的防腐外壳。其中，所述保温隔热层采用耐火材料。其中，所述加热装置为并排设置的若干个加热灯管。其中，所述抑制气体挥发装置为若干个冷凝回流盘管。其中，所述降温装置包括降温盘管、制冷装置、冷却液体，降温盘管与制冷装置连接，冷却液体是在降温盘管与制冷装置之中循环的冷却液体。其中，所述工艺槽本体采用石英材料，在工艺槽本体底部设有横截面为V形的排放口。其中，所述连接供液装置为若干个供液补液管道。由于采取了以上技术方案，本发明的优点在于本发明耐高温，防腐蚀，抑制腐蚀气体挥发，减少工艺槽内药液损耗，能控制药液升温时间及药液温度的均匀性，能降温排放药液；本发明能通过连接供液装置接通自动供液补液系统，实现工艺槽内的药液的自动补液供液。
图I为本发明整体结构的示意图；图2为图I的AA向的剖视图的示意图；图3为本发明槽盖的俯视图的放大示意图。图中1、槽盖；2、防腐外壳；3、保温隔热层；4、加热装置、5、抑制气体挥发装置；6、降温装置；7、工艺槽本体；8、连接供液装置。
具体实施例方式以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。 参见图I-图3，本发明的一种高温蚀刻工艺槽，由槽盖、防腐外壳、保温隔热层、力口热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置组成，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。所述槽盖由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻，在工艺温度下会产生大量腐蚀性挥发气体，不仅会增加废气处理难度及成本，还会导致工艺温度失衡、药液损耗严重等相关的由于挥发而导致的不利于生产的现象发生，所以该工艺槽设置有自动槽盖执行开启与关闭动作。因考虑到挥发气体的腐蚀性及耐温性和在一定温度下的热变形性以及对材料本身的洁净度要求等，故所述槽盖选用石英板材作为盖板。因考虑到石英板材的易碎性，故采用左右两块盖板模式完成槽盖的开启与关闭，减少盖板与实现盖板开启关闭动力机构连接处的扭力，防止石英盖板碎裂。因考虑到石英板材的易碎性及槽盖在关闭后的必须相对密封性和在一定温度下的热变形性以及对材料本身的洁净度要求等，故在两块对开槽盖板关闭时的中间缝隙处使用由聚四氟乙烯材料制作的密封减震碰撞条加以过渡，保证槽盖关闭时的安全性。所述防腐外壳由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻工艺，所以工艺槽所处环境充满具有腐蚀性的酸碱气体。因考虑到所述保温隔热层、加热装置的连接导线不具备防腐能力，故采用洁净防腐的PP(聚丙烯)板材焊接加工而成的壳体对该工艺槽的加热导线连接及保温隔热层进行隔离保护。所述保温隔热层由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，该工艺槽的工艺温度为最高600摄氏度，故选用耐火材料。所述加热装置由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，为满足工艺及产能的需求故对药液的升温时间及药液温度均匀性都有很高的要求，所以选用红外光波方式对其进行加热。远红外发热管具有1.热效率高，热辐射传递距离远，热交换速度快，节能环保；2.耐冷热骤变性强，热膨胀系数极小，有极高的热稳定性，能承受剧烈的温度变化而不炸裂；3.使用寿命长，在频繁启动、关闭和长期连续工作中，发热体无氧化和击穿现象等优点。该工艺槽在工艺槽本体底部设置有若干个并排的远红外发热管，依靠热量向上游动的特性及红外光照加热的模式使药液的温度均匀性达到最佳。所述抑制气体挥发装置由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，且工艺温度最高时可达600摄氏度，所以工艺槽中的药液因为高温会产生大量的挥发气体，不但会给生产操作照成影响存在较大的安全隐患还会增加废气处理的成本。而且大量的挥发还会照成热量的丢失及照成工艺槽中药液浓度的下降及混合药液的比例失衡。故在工艺槽本体上部加装一组冷凝回流盘管，使挥发气体接触到冷凝盘管后产生凝华，凝华后药液再次流回工艺槽中有效地降低药液的挥发及热量的损耗。所述降温装置由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，且工艺温度最高时可达600摄氏度，工艺蚀刻使用若干时间或批次后的药液需更换新的药液，而工艺槽的防腐排放管道以及厂家·的厂务防腐排放管道以及废液回收处理装置均不具备承受如此高温药液的能力。所以该工艺槽在更换药液时需先对槽中的高温废液进行降温。故在该工艺槽本体内壁四周设置有降温盘管，降温盘管内为能耐600摄氏度高温的冷却液体通过制冷装置使其在工艺槽中降温盘管与制冷装置之中循环，通过热交换将工艺槽中药液的温度快速降温至防腐排放管道以及厂家的厂务防腐排放管道以及废液回收处理装置能承受的温度范围从而进行换液前的排液。所述工艺槽本体由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，工艺温度最高时可达600摄氏度，且工艺槽内的溶液为强腐蚀性液体，工艺要求对洁净度也很高，所以该工艺槽本体采用耐高温且洁净的石英材料制作。该石英工艺槽本体底部设有排放口，且工艺槽本体底板横截面为V形的排放口，方便药液的排尽。所述连接供液装置由于所述工艺槽为高温药液蚀刻工艺槽，工艺温度最高时可达600摄氏度，且槽中液体为强腐蚀性药液，多以药液的更换及补充工作不得由人工操作，须由自动供液补液系统自动完成。故该工艺槽顶部另行装置有与工艺槽本体相同材质的供液补液管道，该供液补液管道与供液补液系统的管道对接。各支对接管件可独立拆卸更换。显然，本发明的上述实施仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
权利要求
1.一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。
2.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述槽盖包括两块盖板、开启关闭动力机构、密封减震碰撞条，开启关闭动力机构分别与两块盖板连接，密封减震碰撞条位于两块盖板关闭时的中间缝隙处，所述开启关闭动力机构用于自动开启或关闭槽盖。
3.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述防腐外壳是采用聚丙烯板材焊接加工而成的防腐外壳。
4.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述保温隔热层采用耐火材料。
5.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述加热装置为并排设置的若干个加热灯管。
6.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述抑制气体挥发装置为若干个冷凝回流盘管。
7.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述降温装置包括降温盘管、制冷装置、冷却液体，降温盘管与制冷装置连接，冷却液体是在降温盘管与制冷装置之中循环的冷却液体。
8.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽,其特征在于所述工艺槽本体采用石英材料，在工艺槽本体底部设有横截面为V形的排放口。
9.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述连接供液装置为若干个供液补液管道。
全文摘要
本发明涉及一种半导体LED芯片制作装置。本发明公开了一种高温蚀刻工艺槽，包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。本发明耐高温，防腐蚀，抑制腐蚀气体挥发，减少工艺槽内药液损耗，能控制药液升温时间及药液温度的均匀性，能降温排放药液。
文档编号H01L21/67GK102842526SQ20121027032
公开日2012年12月26日 申请日期2012年7月31日 优先权日2012年7月31日
发明者耿彪 申请人:耿彪