一种制作金属互连线的方法
【专利摘要】本发明公开了一种制作金属互连线的方法，本发明在制作铜互连线时，为铜互连线增加由钴（Co）层和碳化硅（SiC）层组成的覆盖层，防止铜互连线中的电荷迁移到层间介质层中，这样，就可以阻止所制作的铜互连线中的电荷迁移，防止所制作的半导体器件短路失效，提高半导体器件性能。
【专利说明】一种制作金属互连线的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作技术，特别涉及一种制作金属互连线的方法。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制程后段工艺中，也就是在半导体器件层形成之后，需要在半导体器件之上形成金属互连层，每层金属互连层包括金属互连线和层间介质层(ILD)，这就需要对上述层间介质层制造通孔，然后在通孔中沉积金属，沉积的金属即为金属互连线。通常，铜被用来作为沉积通孔填充薄膜及在第一金属互连层和半导体器件上的硅化物接触之间作为填充物使用。
[0003]当采用铜填充层间介质层中的通孔，实现上下层金属互连层之间的电连通时，为了防止铜扩散进入绝缘层，更好地限制在通孔内，一般采用氮化钛(TiN)结构，作为铜和层间介质层之间的阻挡膜。
[0004]图1a?图1d为现有技术中金属互连线的制作方法过程的剖面结构图，参考图1a?图ld，对铜金属互连线的制作进行详细说明。
[0005]步骤一,如图1a所示,在层间介质层100上依次沉积黑钻石(black diamond, BD)层101、正硅酸乙脂(TEOS)层102、TiN层103和氧化垫104。
[0006]在本步骤中，层间介质层100由低介电常数层组成，降低层间介质层的寄生电阻值。
[0007]在本步骤中，由于低介电常数层由大量的碳原子组成且为多孔结构，所以质地比较软，在刻蚀或抛光过程中会导致寄生电阻一致性较差，所以在其上质地比较硬且低介电常数的BD层101提高刻蚀和抛光过程中提高寄生电阻一致性，在BD层101上还沉积了 TEOS层102，保护层间介质层102和BD层101。
[0008]在本步骤中，所沉积的氧化垫102为了在后续光刻过程中保护沉积的TiN层101。
[0009]步骤二，如图1b所示，采用光刻技术依次刻蚀氧化垫104、TiN层103、TE0S层102、BD层101和层间介质层100，形成通孔105。
[0010]在本步骤中，形成通孔103的具体过程为:图案化涂覆在氧化垫102的光刻胶层，该图案化为要形成的通孔形状；以图案化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀氧化垫104、TiN层103、TEOS层102、BD层101和层间介质层100，得到通孔105，去除掉剩余的光刻胶层。
[0011]步骤三，如图1c所示，在通孔105中电镀铜层106。
[0012]步骤四，如图1d所示，将铜层106抛光至层间介质层100后，形成铜互连线107。
[0013]在这个过程完成后，在其上方再进行上一层层间介质层的沉积及上一层金属互连线的生成，过程相同，这里不再赘述。
[0014]采用上述过程虽然可以得到金属互连线，但是，由于层间介质层100中包括多孔的低介电常数层，所以导致铜互连线中的电荷迁移(EM, electromigration)到层间介质层100中，这会影响最终所制作的半导体器件性能，严重是会导致半导体器件短路失效。
【发明内容】
[0015]有鉴于此，本发明提供一种制作金属互连线的方法，该方法能够阻止所制作的铜互连线中的电荷迁移，防止所制作的半导体器件短路失效，提高半导体器件性能。
[0016]本发明的技术方案是这样实现的:
[0017]一种制作金属互连线的方法，该方法包括:
[0018]在半导体器件的层间介质层上依次沉积黑钻石BD层、正硅酸乙脂TEOS层、氮化钛TiN层和氧化垫；
[0019]采用光刻方式依次刻蚀氧化垫、TiN层、TEOS层、BD层和层间介质层，形成通孔；
[0020]在通孔中电镀铜层后，将铜层刻蚀至层间介质层表面下方，形成铜互连线；
[0021]在铜互连线上沉积钴Co层后，在Co层上沉积氮化硅层，沉积的厚度高于TiN层表面；
[0022]对氮化硅层抛光，依次抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止。
[0023]所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为:
[0024]采用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层，再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。
[0025]所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为:
[0026]用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层，再采用双氧水、再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。
[0027]所述沉积Co层的方式为:
[0028]采用硫化钴CoS04和氯化钴CoCI2的混合气体在铜表面沉积Co，气体密度为I?3埃每平方厘米。
[0029]所述抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止采用化学机械平坦化方式进行。
[0030]从上述方案可以看出，本发明在制作铜互连线时，为铜互连线增加由钴(Co)层和碳化硅(SiC)层组成的覆盖层，防止铜互连线中的电荷迁移到层间介质层中，这样，就可以阻止所制作的铜互连线中的电荷迁移，防止所制作的半导体器件短路失效，提高半导体器件性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1a?图1d为现有技术中金属互连线的制作方法过程的剖面结构图；
[0032]图2为本发明实施例提供的制作金属互连线的方法流程图；
[0033]图3a?3g为本发明实施例提供的制作金属互连线的过程剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明做进一步说明。
[0035]从【背景技术】可以看出，造成所制造的铜互连线出现电荷迁移的原因为:为了降低寄生电阻，层间介质层中包括了多孔的低介电常数层，所制作的铜互连线中的电荷就从顶部迁移到层间介质层中，使得所制作的半导体器件性能降低，更严重情况会造成所制作的半导体器件失效。为了解决这个问题，就需要防止铜互连线中的电荷从顶部迁移到层间介质层中，采用的方法为:为铜互连线增加由Co层和碳化硅SiC层组成的覆盖层，防止铜互连线中的电荷迁移到层间介质层中，
[0036]图2为本发明实施例提供的制作金属互连线的方法流程图，结合图3a?3g为本发明实施例提供的制作金属互连线的过程剖面结构示意图，对本发明进行详细说明:
[0037]步骤201、如图3a所示，在层间介质层100上依次沉积BD层101、TEOS层102、TiN层103和氧化垫104。
[0038]在本步骤中，层间介质层100由低介电常数层组成，降低层间介质层的寄生电阻值。
[0039]在本步骤中，由于低介电常数层由大量的碳原子组成且为多孔结构，所以质地比较软，在刻蚀或抛光过程中会导致寄生电阻一致性较差，所以在其上质地比较硬且低介电常数的BD层101提高刻蚀和抛光过程中提高寄生电阻一致性，在BD层101上还沉积了 TEOS层102，保护层间介质层102和BD层101。
[0040]在本步骤中，所沉积的氧化垫102为了在后续光刻过程中保护沉积的TiN层101。
[0041]步骤202，如图3b所示，采用光刻技术依次刻蚀氧化垫104、TiN层103、TEOS层
102、BD层101和层间介质层100，形成通孔105。
[0042]在本步骤中，形成通孔103的具体过程为:图案化涂覆在氧化垫102的光刻胶层，该图案化为要形成的通孔形状；以图案化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀氧化垫104、TiN层
103、TE0S层102、BD层101和层间介质层100，得到通孔105，去除掉剩余的光刻胶层，在该过程中，可以采用先干法刻蚀，再湿法刻蚀的方式进行。
[0043]步骤203，如图3c所示，在通孔105中电镀铜层106。
[0044]步骤204，如图3d所示，将铜层106刻蚀至层间介质层100表面下方，形成铜互连线 107。
[0045]在该步骤中，刻蚀可以采用先抛光至TiN层103，再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式得到。
[0046]在本步骤中，刻蚀还可以直接采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。
[0047]在本步骤中，和【背景技术】不同，铜层106在抛光时抛光至层间介质层100表面下方。
[0048]步骤205、如图3e所示，在铜互连线上采用物理气相沉积(PVD)方式沉积Co层108。
[0049]在本步骤中，采用硫化钴(CoS04 )和氯化钴(CoCI2 )的混合气体在铜表面沉积Co，气体密度为I?3埃每平方厘米。
[0050]步骤206、如图3f所示，在Co层108上沉积氮化硅层109，沉积的厚度高于TiN层103表面。
[0051]步骤207、如图3g所示，采用化学机械平坦化(CMP)方对氮化硅层109抛光，依次抛光掉TiN层103、TEOS层102及BDlOl层，直到层间介质层100为止。
[0052]在这个过程完成后，在其上方再进行上一层层间介质层的沉积及上一层金属互连线的生成，过程相同，这里不再赘述。
[0053]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种制作金属互连线的方法，该方法包括: 在半导体器件的层间介质层上依次沉积黑钻石BD层、正硅酸乙脂TEOS层、氮化钛TiN层和氧化垫； 采用光刻方式依次刻蚀氧化垫、TiN层、TEOS层、BD层和层间介质层，形成通孔； 在通孔中电镀铜层后，将铜层刻蚀至层间介质层表面下方，形成铜互连线； 在铜互连线上沉积钴Co层后，在Co层上沉积氮化硅层，沉积的厚度高于TiN层表面； 对氮化娃层抛光，依次抛光掉TiN层、TEOS层及BD层,直到层间介质层为止。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为: 采用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层，再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将铜层刻蚀至层间介质层表面下方的过程为: 用先采用化学机械平坦化方式抛光至TiN层,再采用双氧水、再采用双氧水、硫酸和氯化钠湿洗刻蚀的方式进行。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积Co层的方式为: 采用硫化钴CoS04和氯化钴CoCI2的混合气体在铜表面沉积Co，气体密度为I?3埃每平方厘米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光掉TiN层、TEOS层及BD层，直到层间介质层为止采用化学机械平坦化方式进行。
【文档编号】H01L21/768GK103794545SQ201210419391
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2012年10月29日 优先权日:2012年10月29日
【发明者】周鸣, 王宗涛 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司