专利名称：波导、包含波导的转接板型基板、模块和电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在传输线之间传送信号的波导，还涉及包含该波导的转接板型基板(interposer substrate)、模块和电子装置。
背景技术：
作为在将具有微小焊盘节距的大规模集成(Large Scale Integration:LSI)芯片安装到具有宽节距的安装基板上时要使用的技术，利用被称为转接板的中继板(relayboard)的安装技术是公知的。尽管在许多情况下转接板是由诸如树脂和陶瓷等电介质制成的，但是目前硅转接板受到了关注，该硅转接板通过使用硅基板以及允许进行微加工的半导体工艺而能够应对更微小的节距。在上述硅转接板中，硅基板的前表面和后表面利用被称为贯穿硅通路(ThroughSilicon Via:TSV)的贯穿电极而相互电连接。因此，信号从硅基板的前表面传送至后表面。然而，该硅转接板具有如下缺点:在毫米波段和超出毫米波段的高频率区域中，回波损耗(或反射损耗)由于该基板的前表面上的传输线与上述TSV之间的阻抗失配而增大。作为消除上述这个缺点的措施之一，曾提出了一种同轴TSV，其通过在硅基板的垂直方向上形成同轴形式来实现与表面配线的阻抗匹配(例如参见Soon Wee Ho et al.,IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC),2008)。
发明内容
然而，上述措施存在着如下缺点:不可避免地要研发专用的特殊工艺或新型材料，因此硅转接板的制造成本增加。因此，期望提供一种能够在抑制制造成本的同时还抑制阻抗失配从而降低电信号的反射损耗的波导，并且期望提供包含这种波导的转接板型基板、模块和电子装置。本发明实施例的波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本发明实施例的转接板型基板设置有绝缘性基板和设置于所述绝缘性基板内的波导。所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本发明实施例的模块设置有转接板型基板和半导体芯片，其中，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，并且所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上。所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本发明实施例的电子装置设置有转接板型基板、半导体芯片和安装基板，其中，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上，并且所述安装基板与所述转接板型基板电连接。所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。在根据本发明上述各实施例的所述波导、包含所述波导的所述转接板型基板、所述模块和所述电子装置中，所述波导部的彼此相对的所述第一表面和所述第二表面中的所述第一表面设置有所述第一传输线，并且所述第二表面设置有所述第二传输线，所述第一传输线具有将所述信号输入至所述波导部中并且转换所述信号的所述转换结构。因此，减少了阻抗失配。根据本发明上述各实施例的所述波导、包含所述波导的所述转接板型基板、所述模块和所述电子装置，所述第一传输线和所述第二传输线分别设置于所述波导部的所述第一表面和所述第二表面上，并且所述转换结构被设置用来把来自所述第一传输线的所述信号输入至所述波导部并且转换所述信号。因此，能够抑制阻抗失配，并且由此减少电信号的反射损耗。需要理解的是，前面的一般说明和下面的详细说明都是示例性的，并且均旨在为本发明要求保护的技术提供进一步的解释。
这里所包括的附图提供了对本发明的进一步理解，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附示了实施例，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。图1A和图1B是图示了本发明第一实施例的波导的示例的透视图和截面图。图2的(A)至(C)是图示了本发明第二实施例的波导的示例的平面图和剖面图。图3是图示了模块的构造示例的剖面图,所述模块包括含有如图1A和图1B所示的波导或如图2中所示的波导的转接板型基板。图4是图示了根据模块的应用例的电子装置的功能示例的框图。
具体实施例方式接下来，将参照附图来详细说明本发明的优选实施例。需要注意的是，说明是按照如下顺序进行的。
1、第一实施例(包含使用贯穿电极作为转换结构的波导部的转接板型基板)2、第二实施例(包含使用锥形微带(tapered microstrip)作为转换结构的波导部的转接板型基板)3、应用例(模块的示例和电子装置的示例)1、第一实施例转接板型基板IA的构造图1A是本发明第一实施例的包含波导10的转接板型基板IA的示例的透视图。图1B图示了沿着图1A中的点划线1-1截取的转接板型基板IA的截面构造的示例。转接板型基板IA是如下类型的基板:使用波导部11作为传输路径(波导10)，信号沿着该传输路径从配线层14A (第一传输线)传送至配线层14B (第二传输线)，配线层14A布置于基板2的前表面上并且在配线层14A与基板2的前表面之间夹着电介质膜16A,配线层14B布置于基板2的后表面上并且在配线层14B与基板2的后表面之间夹着电介质膜16B。波导部11包括:基板2 ;—对导电膜12A和12B，这对导电膜12A和12B分别在基板2的前表面和后表面的至少一部分上彼此相对地布置着；以及多个导电柱13，这些导电柱13将导电膜12A和导电膜12B电连接在一起。第一实施例的波导部11是通常被称为基板集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide:SIff)的波导部，并且上述那些柱13如图1A所示按照用作反射表面的伪壁(false wall)的形式规则地布置着，波导部11由此起到矩形波导的作用。为了符合稍后说明的半导体芯片30的材料，优选使用例如电阻率为大约1000 Ω.cm以上的高电阻硅(Si)基板或者厚度在从大约50 μ m到大约400 μ m(包含两端点)范围内的碳化硅(SiC)基板作为基板2。这是因为基板2的热膨胀系数与半导体芯片30的热膨胀系数变得几乎彼此相等，于是通过使用与半导体芯片30的材料相同的材料(或相似的材料)增大了将半导体芯片30接合至转接板型基板IA的可靠性。需要注意的是，基板2的材料不限于上述材料。作为替代方案，可以使用其它的半导体材料和电介质材料。其它的半导体材料的示例包括但不限于SiGe和GaAs。电介质材料的示例包括但不限于:诸如低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics:LTCC)等陶瓷；玻璃(诸如Pyrex (注册商标)玻璃、SD2和石英)；树脂(诸如玻璃环氧树脂和双马来酰亚胺三嗪(Bismaleimide Triazine:BT)树脂)；以及有机聚合物。波导10包括:基板2 ;分别形成于基板2的前表面上和后表面上的一对导电膜12A和12B ;以及如上所述规则地布置为矩形形式并且将导电膜12A和导电膜12B电连接在一起的柱13。导电膜12A和导电膜12B由导电材料制成，该导电材料例如是(但不限于)诸如Al(铝)和AlCu(铜铝合金)等金属材料。尽管可以根据使用的信号的频率来适当地调节导电膜12A和导电膜12B各者的厚度，但是对于例如大约60GHz的频率而言，厚度为大约3μπι以上是优选的。在导电膜12Α和导电膜12Β中彼此相对的位置处分别形成有开口 12a和开口 12b。这些开口 12a和12b适用于将配线层14A和配线层14B连接至稍后说明的布置于波导部11内的信号转换结构(第一转换结构和第二转换结构)。柱13将导电膜12A与导电膜12B电连接，并且可以是硅贯穿电极(TSV:贯穿硅通路)。尽管优选使用例如铜(Cu)作为柱13的材料，但是可以使用诸如铝(Al)等金属材料。也即是，对于使用的材料没有特别的限制。另外，只要能让导电膜12A和导电膜12B电连接，可以使用任何电极直径(φ)，其例如可以为大约50 μ m。需要注意的是，为了确定如同一般波导中那样的截止频率，波导部11的一侧的长度(I)可以适当地被设定为与使用的信号频率相符合，所述长度(I)是由上述伪壁(该伪壁是通过将柱13规则地布置为矩形形式而形成的)定义的。具体来讲，例如，当制成相关基板用的Si的相对介电常数为大约11.9时，为了获得大约44GHz的截止频率，长度⑴优选为大约1mm。在本实施例中，配线层14A和配线层14B是微带线(microstrip line),并且例如分别包括:膜厚度为大约10 μ m至大约20 μ m(包含两端点)的镀Cu配线层；膜厚度为大约3 μ m至大约6 μ m(包含两端点)的聚酰亚胺层间膜；以及膜厚度为大约3 μ m至大约6 μ m(包含两端点)的聚酰亚胺绝缘膜。微带线14A和微带线14B中的一者(在本实施例中是微带线14A)与基板2上搭载的半导体芯片30连接。另一者(在本实施例中是微带线14B)连接到安装基板50的将要安装转接板型基板IA的那一侧。转换探头(conversion probe) 15A是在波导部11与微带线14A之间转换信号的信号转换结构，并且转换探头15B是在波导部11与微带线14B之间转换信号的信号转换结构。类似于上述的柱13，转换探头15A和转换探头15B在波导部11内部被形成为贯穿电极。在本实施例中，转换探头15A的第一端和转换探头15B的第一端分别与微带线14A和微带线14B连接，而转换探头15A的第二端和转换探头15B的第二端均是电气开路的。优选地，转换探头15A和转换探头15B分别布置于这样的位置处:该位置是波导部11的短边方向上的中央位置，并且与短边上的用作反射表面的伪壁在波导部11的长边方向上相距的距离为A。距离A是根据转换探头15A和转换探头15B的反射特性来确定的。需要注意的是，转换探头15A和转换探头15B的反射特性根据使用的信号的频率而变化。例如，当使用的信号的频率为大约60GHz时，距离A优选为例如大约400 μ m。电介质膜16A和电介质膜16B是由对于高频率信号而言损耗小的电介质材料制成的，其例如是但不限于:诸如SiO2等无机材料；以及聚酰亚胺。电介质膜16A和电介质膜16B各者的膜厚度是根据诸如电特性等因素来确定的，并且例如可以在大约0.5μπι至大约5μπι(包含两端点)的范围内。需要注意的是，除了可以使用上述材料之外，电介质膜16Α和电介质膜16Β也可以使用诸如(但不限于)苯并环丁烯(benzocyclobutene:BCB)和类金刚石碳(Diamond-Like Carbon:DLC)等材料。操作和效果在第一实施例中，诸如毫米波信号等高频率信号以如下方式在转接板型基板IA中传输。首先，经由微带线14A传播的准TEM(Transverse Electromagnetic:横向电磁)模式信号通过转换探头15A而被输入至波导部11中，并且由发射电场转换为例如TElO (Transverse Electric 10:横向电10)模式(波导模式)信号。然后，已在波导部11内部传播的信号再被转换探头15B转换为准TEM模式信号并且被输出至微带线14B。整体来说，经由布置于转接板型基板IA的前表面上的微带线14A传播的信号通过被转换为波导模式信号一次而从微带线14A传输至布置于转接板型基板IA的后表面上的微带线14B。如前所述，已经报道了这样的方法:其中，为了使用转接板来将节距彼此不同的半导体芯片和安装基板连接起来，形成了同轴TSV来代替现有的TSV以改善在毫米波段和超过毫米波段的高频率区域中的阻抗失配。然而，该方法存在如下缺点:因为要使用专用的特殊工艺在基板内形成同轴TSV，所以制造步骤复杂，不得不进行新型材料的研发，因此增加了制造成本。作为消除上述缺点的方法，可以考虑如下方法:该方法中，使用的传输线是可以通过配线层来实现的传输线，该配线层包括如同在转接板中通常使用的微带线和共面线中那样的两层或更少的层。然而，该方法的缺点在于:因为电场向外展开至上述线的外部，所以可能发生与诸如另一信号线或电源线等线路的串扰。这一现象在超过毫米波频率的高频率处尤为显著。尽管可以通过在线路之间保持预定的距离来抑制串扰，但是在上述情况下就会伴随着配线面积增大的缺点。相反，在包含第一实施例的波导10的转接板型基板IA中，在基板2内形成有通过如下方式构造出来的波导10:波导部11具有一对相对表面；并且微带线14A和微带线14B分别布置于波导部11的前表面和后表面上。因此，能够抑制在波导部11的前表面与后表面之间传输的电信号的阻抗失配。如前所述，在第一实施例中，波导部11形成于基板2内，波导部11设置有分别形成于波导部11的那一对相对表面中的前表面和后表面上的微带线14A和微带线14B，并且使用波导部11作为从转接板型基板IA的前表面传播至后表面(反之亦然)的信号的波导
10。因此,能够抑制在前表面与后表面之间传输的电信号的阻抗失配,从而减小电信号的反射损耗。另外，由于减小了反射损耗的转接板型基板IA被形成为具有如上所述的简单结构，因此能够通过使用现有的制造步骤和材料来形成转接板型基板1A，由此能够抑制制造成本的增加。此外，由于波导10被多个柱13(这些柱13用作形成上述伪壁的TSV)以及彼此相对的一对导电膜12A包围，所以能够实现优良的电磁兼容(electromagneticcompatibility:EMC)特性。因此，不需要设置用于防止噪声的缓冲区域，并由此能够实现与其它配线的更高密度集成。另外，在转接板型基板IA内能够设置有用于更高频率(特别是但不限于从毫米波频率至太赫兹波频率的范围)的配线。此外，归因于阻抗匹配的制造精度，第一实施例的转接板型基板IA的公差优于具有上述结构的现有转接板型基板的公差，并因此呈现出优良的制造稳健性(manufacturingrobustness)。2、第二实施例图2的(A)和⑶图示了转接板型基板IB的前表面(图2的(A))和后表面(图2的(B))的平面构造的示例，转接板型基板IB包括本发明第二实施例的波导20。图2的(C)图示了沿着图2的(A)和(B)中的点划线I1-1I获取的剖面构造的示例。布置于第二实施例的转接板型基板IB内的波导部21包括:分别布置于基板2的前表面和后表面上且彼此相对的一对导电膜(第一层22A和第六层22F);以及彼此相对地布置着从而将第一层22A与第六层22F电连接在一起的矩形导体壁23A和23B。第一层22A通过锥形微带25A与微带线24A连接，微带线24A是布置于基板2的前表面上的第一传输线。第六层22F通过锥形微带25B与微带线24B连接，微带线24B是布置于基板2的后表面上的第二传输线。需要注意的是，与第一实施例中的那些组成元件相同的组成元件用相同的附图标记标示，并省略对它们的说明。在本实施例中，基板2具有层叠结构(例如，六层结构)，并且导电膜22 (第二层22B至第五层22E)如稍后详细描述的那样布置于该基板的对应各层之间。尽管对于各层的膜厚度没有特别的限制并且可以根据使用的信号的频率来适当地调节膜厚度，但是优选地，例如对于大约60GHz的频率，膜厚度为至少大约3 μ m。尽管可以使用与第一实施例中的基板2的材料相同的材料作为基板2的材料，但是在第二实施例中优选使用LTCC基板。如上所述，波导部21包括:彼此相对地分别布置于基板2的前表面和后表面上的第一层22A和第六层22F ;以及彼此相对地布置着从而在长边方向上将第一层22A与第六层22F电连接在一起的导体壁23A和导体壁23B。由于导体壁23A和导体壁23B用作构成波导部的导体壁，所以可以如第一实施例中那样根据使用的信号的频率来适当地设定导体壁23A与导体壁23B之间的距离B。具体而言，例如，当用作基板的LTCC的相对介电常数为大约7时，为了获得大约44GHz的截止频率，距离B为大约1.3mm是优选的。需要注意的是，在导体壁23A和导体壁23B的形成过程中，在形成了包含六层和布置于基板2的相应各层之间的导电膜22 (第二层22B至第五层22E)的基板2之后，通过蚀刻等工艺去除从基板2的前表面延伸至后表面的预定区域。然后，可以通过例如与在形成贯穿电极时使用的方法相同的方法来形成导体壁23A和导体壁23B。在形成导体壁23A和导体壁23B之后，通过电镀等工艺在基板2的前表面和后表面上分别形成最终用作导电膜22 (第一层22A和第六层22F)以及锥形微带25A和25B的金属膜。如上所述，导电膜22具有六层结构，其包括:分别布置于基板2的前表面和后表面上的第一层22A和第六层22F ；以及布置于含有六层的基板2的相应各层之间的第二层22B至第五层22E。第二层22B至第五层22E相互独立地布置于构成基板2用的相应各层的平面内的分别对应于锥形微带25A和锥形微带25B的位置处。具体而言，如图2的(C)中所示，第二层22Bi至第五层22Ei依次呈阶梯式地形成在形成于基板2的前表面上的锥形微带25A下方。如图2的(C)中所示，第五层22E2至第二层22B2依次呈阶梯式地形成在形成于基板2的后表面上的锥形微带25B上方。在第二实施例中，锥形微带25A以及第二层22Bi至第五层22Ei (第二层22Bi至第五层22Ei在锥形微带25A下方形成阶梯状)构成第一转换结构25a。锥形微带25B以及第二层22B2至第五层22E2 (第二层22B2至第五层22E2在锥形微带25B上方形成阶梯状)构成第二转换结构25b。需要注意的是，第二层22Bi至第五层22Ei分别通过贯穿电极26a(26ai至26a3)电连接在一起，并且第五层22Ei通过贯穿电极26&4与第六层22F连接。另外，构成第二转换结构25b的第五层22E2至第二层22B2也分别通过贯穿电极26b (26b4至26b2)电连接在一起，并且第二层22B2通过贯穿电极26bi与第一层22A连接。需要注意的是，第一转换结构25a和第二转换结构25b的反射特性根据锥形微带25A和锥形微带25B的长度(I)及宽度(w)而改变。具体而言，值1/V越大，就越能够抑制反射特性，并且值1/w满足大约l/w> I是优选的。可以使用与第一实施例中的导电膜12A和导电膜12B的材料相同的材料作为第一层22k至第六层22F以及锥形微带25A和锥形微带25B的材料。类似于上述第一实施例中的微带线14A和微带线14B，微带线24A和微带线24B分别包括例如:膜厚度为大约I μ m至大约2 μ m(包含两端点)的镀Cu配线层；膜厚度为大约6 μ m至大约10 μ m(包含两端点)的聚酰亚胺层间膜；以及膜厚度为大约6 μ m至大约10 μ m(包含两端点)的聚酰亚胺绝缘膜。微带线24A通过锥形微带25A与第一层22A连接，微带线24B通过锥形微带25B与第六层22F连接。在如上构造的第二实施例中的转接板型基板IB中，诸如毫米波信号等高频率信号以如下方式传输。首先，经由微带线24A传播的处于TEM模式的信号借助第一转换结构25a的锥形结构在保持着垂直电场分布的同时被输入至波导部21,并且被转换为处于TE10模式的信号。接着，在波导部21内传播后的信号借助与第一转换结构同样的第二转换结构25b的锥形结构在保持着垂直电场分布的同时再次被转换为准TEM模式信号，并且被输出至微带线24B。整体来说，经由布置于转接板型基板IB的前表面上的微带线24A传播的信号通过被转换为波导模式信号一次而从微带线24A传输至布置于转接板型基板IB的后表面上的微带线24B。第二实施例的包含波导20的转接板型基板IB获得了与上述第一实施例的转接板型基板IA的效果相似的效果，并且除此之外，还减少了宽波段上的反射损耗。3、应用例接下来，将说明将上述第一实施例的转接板型基板IA和上述第二实施例的转接板型基板IB应用于电子装置的示例。模块图3图示了使用上述波导10或波导20的在毫米波段中的无线电通信模块3的截面构造的示例。模块3的结构包括:用于产生例如毫米波信号的半导体芯片30 ;用于向半导体芯片30供电的电源线40 ;安装基板50，其提供基带信号，并且通过天线18收发由半导体芯片30提供过来的毫米波信号；以及转接板型基板1，并且半导体芯片30、安装基板50和转接板型基板I通过突块(bump) 17连接在一起。该模块3借助转接板型基板I将节距互不相同的半导体芯片30与安装基板50连接在一起，在转接板型基板I中例如内置有上述波导10和波导20中的波导10，从而接收从半导体芯片30提供过来的毫米波信号，并且将该信号发送至安装基板50侦U。本应用例中的模块3通过使用如上述第一(第二)实施例中所描述的含有波导10(20)的转接板型基板IA(IB)，能够将半导体芯片30生成的诸如毫米波信号等高频率信号以低损耗和低反射的方式传输至安装基板50。电子装置如图4中所示，上述模块3例如被安装到电子装置中。具体而言，模块3适用于例如(但不限于)下列任何领域中的电子装置:个人数字助理(personal digitalassistant:PDA)、无线LAN设备、电视机、数码相机、笔记本电脑、包括手机的便携式终端、以及摄像机。换言之，上述模块3适用于对从外部输入的信号或者在装置内部生成的信号进行收发的任何领域中的电子装置。尽管已经通过上述的第一实施例、第二实施例和各应用例说明了本发明，但是本发明不限于上述各实施例和各应用例，而是可以以各种方式进行修改。例如，可以使用共面波导(Coplanar Waveguide:CPff)代替微带线作为传输线。另外，尽管在上述第一实施例中使用了硅基板作为波导部，但是该硅基板的内部可以是空的。然而，在此情况下，由于该波导部内的介电常数减小至大约1，所以该波导部可能被设计为具有更宽的宽度。此外，尽管在上述各示例性实施例中第一传输线与第二传输线具有相同的结构，但是也可以使用不同结构的传输线。
因此，根据本发明的上述各示例性实施例、变形例和应用例，至少能够实现如下构造。(I) 一种波导，所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。(2)根据(I)所述的波导，还包括第二转换结构，所述第二转换结构将所述信号从所述波导部输出至所述第二传输线，并且转换所述信号。(3)根据⑴或⑵所述的波导，其中所述波导部包括彼此相对的一对导电膜，且包括多个导电柱，所述多个导电柱将所述一对导电膜连接在一起。(4)根据(I)或(2)中任一项所述的波导，其中所述波导部包括彼此相对的一对导电膜，且包括一对导体壁，所述一对导体壁在所述一对导电膜之间彼此相对地布置着。(5)根据(I)至(4)中任一项所述的波导，其中所述第一传输线和所述第二传输线中的至少一者包括微带线。(6)根据(2)至(5)中任一项所述的波导，其中所述第一转换结构和所述第二转换结构分别包括贯穿电极。(7)根据(2)至(6)中任一项所述的波导，其中所述第一转换结构和所述第二转换结构分别包括锥形微带。(8) 一种转接板型基板，所述转接板型基板具有绝缘性基板和设置于所述绝缘性基板内的波导，所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。(9)根据⑶所述的转接板型基板，其中所述绝缘性基板包括下列中的任一种:具有大约1000 Ω.Cm以上电阻率的高电阻硅基板、玻璃和陶瓷。(10)根据(9)所述的转接板型基板，其中，所述陶瓷是低温共烧陶瓷，所述玻璃是石英。(11) 一种具有转接板型基板和半导体芯片的模块，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，并且所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上，所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。(12) 一种具有转接板型基板、半导体芯片和安装基板的电子装置，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上，并且所述安装基板与所述转接板型基板电连接，所述波导包括:波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求书或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。
权利要求
1.一种波导，所述波导包括: 波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面； 第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上； 第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及 第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。
2.根据权利要求1所述的波导，还包括第二转换结构，所述第二转换结构将所述信号从所述波导部输出至所述第二传输线，并且转换所述信号。
3.根据权利要求1或2所述的波导，其中所述波导部包括彼此相对的一对导电膜且包括多个导电柱，所述多个导电柱将所述一对导电膜连接在一起。
4.根据权利要求1或2所述的波导，其中所述波导部包括彼此相对的一对导电膜且包括一对导体壁，所述一对导体壁在所述一对导体膜之间彼此相对地布置着。
5.根据权利要求1或2所述的波导，其中所述第一传输线和所述第二传输线中的至少一者包括微带线。
6.根据权利要求2所述的波导，其中所述第一转换结构和所述第二转换结构分别包括贯穿电极。
7.根据权利要求2所述的波导，其中所述第一转换结构和所述第二转换结构分别包括锥形微带。
8.一种转接板型基板，所述转接板型基板具有绝缘性基板和设置于所述绝缘性基板内的波导，所述波导是如权利要求1至7中任一项所述的波导。
9.根据权利要求8所述的转接板型基板，其中所述绝缘性基板包括下列中的任一种:电阻率为大约1000 Ω.Cm以上的高电阻硅基板；玻璃；以及陶瓷。
10.根据权利要求9所述的转接板型基板，其中所述陶瓷包括低温共烧陶瓷，所述玻璃包括石英。
11.一种模块，所述模块具有: 权利要求8至10中任一项所述的转接板型基板；以及 半导体芯片，所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上。
12.一种电子装置，所述电子装置具有: 权利要求8至10中任一项所述的转接板型基板； 半导体芯片，所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上；以及安装基板，所述安装基板与所述转接板型基板电连接。
全文摘要
本发明公开了波导、包含波导的转接板型基板、模块和电子装置。所述波导包括波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部并且转换所述信号。根据本发明，在抑制了制造成本的同时还能够抑制阻抗失配从而降低电信号的反射损耗。
文档编号H01L23/48GK103165966SQ20121051777
公开日2013年6月19日 申请日期2012年12月5日 优先权日2011年12月14日
发明者盛田伸也, 池田浩一, 秋叶朗, 桥本光生 申请人:索尼公司