发光二极管封装结构的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的一侧凸伸出的接触部，所述第一电极、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极、第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。在本发明中所述第一电极、第二电极与反射杯结合得更紧密，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。
【专利说明】发光二极管封装结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管的封装结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管(light emitting diode, LED)作为一种高效的发光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛运用于各种领域。
[0003]在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
[0004]发光二极管封装结构通常分为侧面发光型发光二极管(side-view lightemitting diode)封装结构和顶部发光型发光二极管(top-view light emitting diode)封装结构。顶部发光型发光二极管(top-view light emitting diode)封装结构的电极一般设置于封装结构的底部，与顶部型发光二极管封装结构不同的是，侧面发光型发光二极管的电极位于其侧壁上，这能有效降低整个封装结构的整体厚度，因而侧面发光型发光二极管被广泛运用于显示成像领域，特别是在背光模组中侧面发光型发光二极管常作为背光模组的背光源使用以减小整个背光设备的厚度。
[0005]然而，一般的侧面发光型发光二极管封装结构通常在反射杯成型之后将电极直接贴设于反射杯的底面以及侧面上，电极与反射杯的结合不紧密，侧面发光型发光二极管封装结构的密合度不佳，电极在使用过程中容易松动或脱落。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，有必要提供一种密合度较佳的发光二极管封装结构。
[0007]一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的一侧凸伸出的接触部，所述第一电极、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极、第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。
[0008]在本发明中所述第一电极、第二电极与反射杯结合得更紧密，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。
[0009]下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明第一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。
[0011]图2是图1中所示发光二极管封装结构沿I1-1I线的剖视示意图。
[0012]图3是图1中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。
[0013]图4是图1中所示发光二极管封装结构的第一电极和第二电极的立体示意图。[0014]图5是本发明第二实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。
[0015]图6是图5中所示发光二极管封装结构沿V1-VI线的剖视示意图。
[0016]图7是图5中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。
[0017]图8是图5中所示发光二极管封装结构的第一电极和第二电极的倒置立体示意图。
[0018]主要元件符号说明__
【权利要求】
1.一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，其特征在于:所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的一侧凸伸出的接触部，所述第一电极的本体部和第二电极的本体部均嵌置于所述反射杯内，所述第一电极的接触部和第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一电极和第二电极均为L形电极，所述第一电极的接触部自该第一电极的本体部的一端朝向该第一电极的一侧垂直延伸而出，所述第二电极的接触部自该第二电极的本体部的一端朝向该第二电极的一侧垂直延伸而出，所述第一电极的接触部和第二电极的接触部位于该第一电极和第二电极的同侧。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一电极和第二电极均为T形电极，所述第一电极的接触部自该第一电极的本体部的一端朝向该第一电极的相对两侧垂直延伸而出，所述第二电极的接触部自该第二电极的本体部的一端朝向该第二电极的相对两侧垂直延伸而出。
4.如权利要求1-3项中任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极和第二电极分别从反射杯相对两侧凸伸而出。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一电极和第二电极均包括相对设置的顶面和底面，所述容置槽形成于第一电极和第二电极的顶面和/或底面并向上和/或向下贯穿反射杯，发光二极管芯片设置于容置槽内并分别与第一电极和第二电极电连接。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述容置槽包括形成于第一电极和第二电极的顶部的正向容置槽以及形成于第一电极和第二电极的底部的反向容置槽，所述发光二极管芯片分别设置于正向、反向设置的容置槽内，且设置于正向、反向的容置槽内的发光二极管芯片的出光波长不相同。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述容置槽包括形成于第一电极和第二电极的顶部的正向容置槽以及形成于第一电极和第二电极的底部的反向容置槽，所述发光二极管芯片分别设置于正向、反向容置槽的其中之一内。
8.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一电极和第二电极相互靠近的两端分别朝向远离第一电极和第二电极的底面或顶面的方向凸出延伸形成一第一增厚部和一第二增厚部。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一增厚部的远离第一电极的表面和第二增厚部的远离第二电极的表面均外露于反射杯。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一增厚部和第二增厚部均位于第一电极和第二电极的同一侧，所述容置槽位于该第一电极和第二电极的与该第一增厚部和第二增厚部相对的另一侧。
【文档编号】H01L33/62GK103887398SQ201210561828
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月22日 优先权日:2012年12月22日
【发明者】林厚德, 陈滨全, 陈隆欣 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司