专利名称：一种聚光光伏电池芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光伏发电部件，具体涉及一种聚光光伏电池芯片，属太阳能发电技术领域。
背景技术：
通常，高倍聚光光伏光电转换接收器所寻求的主要益处是在聚光光伏电池芯片的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳辐射光。透镜的倍数越高，得到太阳辐射光的密度越高，相同面积上使用的聚光光伏电池芯片越少，单位面积上的发电成本就越低。随着透镜倍数的增大，汇聚到聚光光伏电池片上的光强就越大，聚光光伏电池片上转换出来的电流就越大。目前所有的聚光光伏电池片都是按照光强为1000W/m2的常温下进行测试和量产的，其负电极宽度都在0. 5mm以内，故其额定电流相对比较小，在大聚光 倍数和很强光强条件下容易熔断负电极。同时，在电池表面两边焊接或者绑定加工时，超过200um的连接线的线头会进入到聚光光伏电池片的有效面积内，这样就会大大降低聚光光伏电池片的转换效率。
发明内容本实用新型的目的是提供一种聚光光伏电池芯片，该电池片在于克服现有技术的不足。为了实现上述技术目的，本实用新型采取的技术方案是一种聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光光伏电池基材层和正电极层。所述聚光光伏电池基材层一面为正电极层，另一面为负电基层。所述聚光光伏电池基材层为GalnP/GaAs/Ge三层结合体。所述正电极层面积形状和聚光光伏电池基材层面积形状完全一样。所述负电极层为U形状的电极层，并放置在聚光光伏电池基材层的三个端面。所述每个负电极层的宽度为0. 5 I. 5mm,厚度为0. 2 1mm。本实用新型的优点和积极效果是1.宽度为0. 5^1. 5_和厚度为0. 2^1mm的负电极能够承受超过1(T50安培的额定电流；2。在焊接或者绑定加工时，能保证Imm以内线径的连接线线头不会进入到聚光光伏电池片的有效面积内；3.该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，能将电池芯片的转换效率整体提高。
图I为一种聚光光伏电池芯片主视图图2为一种聚光光伏电池芯片侧视图其中I、负电极层，2、聚光光伏电池基材层，3、正电极层。
具体实施方式
[0014]
以下结合附图对本实用新型作进一步的说明。—种聚光光伏电池芯片，如图1 2所不,聚光光伏电池基材层2 —面为正电极层3,另一面为负电基层I。聚光光伏电池基材层2通过特殊工艺将正电极3和负电极I巧妙地结合在一起，既能保证大电流很顺畅地通过正电极3和负电极I引导出来，同时也能保证各电极和连接线能承受1(Γ50安培的额定电流。在聚光光伏电池基材层2上加工负电极1，负电极I的宽度为O. 5^1. 5mm，厚度为
O.2 1mm，便于大电流的顺利导通。负电极层I为U形电极，可以迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞概率。
本实用新型中，U形负电极可以任意布局在电池表面的任何三端面。
权利要求1.一种聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光光伏电池基材层和正电极层；所述聚光光伏电池基材层一面为正电极层，另一面为负电基层。
2.根据权利要求I所述的一种聚光光伏电池芯片，其特征是，所述聚光光伏电池基材层为GalnP/GaAs/Ge三层结合体。
3.根据权利要求I所述的一种聚光光伏电池芯片，其特征是，所述正电极层面积形状和聚光光伏电池基材层面积形状完全一样。
4.根据权利要求I所述的一种聚光光伏电池芯片，其特征是，所述负电极层为U形状的电极层，并放置在聚光光伏电池基材层的三个端面。
5.根据权利要求I或4所述的一种聚光光伏电池芯片，其特征是，所述每个负电极层的宽度为0. 5^1. 5_，厚度为0. 2 1_。
专利摘要本实用新型涉及一种聚光光伏电池芯片，属太阳能发电技术领域。包括负电极层，聚光光伏电池基材层和正电极层，聚光光伏电池基材层通过特殊工艺将正电极和负电极巧妙地结合在一起。本实用新型的电池片在超过1000倍的聚光倍数和很强的光线地域条件下，能保证大电流很顺畅地通过正电极和负电极引导出来，而不损坏电池片，同时该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，达到提高电池芯片的转换效率的目的。
文档编号H01L31/0224GK202585437SQ201220259350
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月4日 优先权日2012年6月4日
发明者王永向 申请人:成都聚合科技有限公司