专利名称：高度较高磁体辐射充磁导磁结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高度较高磁体福射充磁导磁结构。
背景技术：
目前，磁性材料的应用领域非常广泛，但磁体并不是生产出来就具备磁性的，在磁体生产过程中，必须对磁体进行充磁。不同领域的磁路设计不尽相同，所用的磁体形状和充磁方向也各不相同，磁体形状主要有柱形、环形、方形、瓦形，充磁方向可以分为轴向和径向，在大部分领域中磁体的工作是单一的，对于这些磁体可以利用辐射磁场充磁来对磁体进行充磁操作，在实际生产中，对于较低高度的磁体，充磁比较简单，得到的磁体磁力比较均匀，但对于高度较高的磁体，仍存在着充磁不均等问题，而且充磁需要消耗大量电能，生产过程中充磁瞬间会产生大量的热，易损坏充磁线圈。
实用新型内容本实用新型的目的即在于克服现有技术的不足，提供一种耐高温，能够对高度较高的磁体进行均匀充磁的高度较高磁体辐射充磁导磁结构。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现高度较高磁体辐射充磁导磁结构，包括由线圈绕制的上螺旋管和下螺旋管，上螺旋管的下底面和下螺旋管的上底面为平面，在下螺旋管的上底面中心设置有导磁定位柱和能自由活动的圆柱环形导磁套。导磁定位柱的半径与导磁套的内圆半径之差等于磁体元件的厚度。本实用新型的有益效果是采用耐高温线圈，延长设备的使用寿命；采用双向导磁结构，能使磁体元件均匀受力，保证磁体内外磁力均匀，使磁体获得较高的磁通密度；结构简单、操作方便。
图I为本实用新型的工作状态结构示意图；图2为本实用新型工作状态下螺旋管平面俯视图；图中，I-上螺旋管,2-下螺旋管,3-定位柱,4-导磁套,5-磁体元件。
具体实施方式
以下结合附图进一步说明本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。如图1，图2所示，高度较高磁体辐射充磁导磁结构，包括由线圈绕制的上螺旋管I和下螺旋管2，上螺旋管I和下螺旋管2的接触面为平面，在下螺旋管2的面中心设置有导磁定位柱3和能自由活动的圆柱环形导磁套4。导磁定位柱3的半径与导磁套4的内圆半径之差等于磁体元件5的厚度。在充磁时，将磁体元件5放置在下螺旋管2上方，将磁体元件5套接于导磁定位柱3上，再将可以自由移动的导磁套4套在磁体元件5的外径上，打开开关，进行充磁操作。上螺旋管I的上方连有气缸，气缸通过总线与充磁控制机相连，通过控制机设定充磁时间、充磁电压等，可以根据不同的需要设置不同的参数，对不同型号的磁体进行充磁。·
权利要求1.高度较高磁体辐射充磁导磁结构，其特征在于它包括由线圈绕制的上螺旋管(I)和下螺旋管(2)，上螺旋管(I)的下底面和下螺旋管(2)的上底面为平面，在下螺旋管(2)的上底面中心设置有导磁定位柱(3)和能自由活动的圆柱环形导磁套(4)。
2.根据权利要求I所述高度较高磁体辐射充磁导磁结构，其特征在于所述的导磁定位柱(3)的半径与导磁套(4)的内圆半径之差等于磁体元件(5)的厚度。
专利摘要本实用新型公开了一种高度较高磁体辐射充磁导磁结构，包括由线圈绕制的上螺旋管(1)和下螺旋管(2)，上螺旋管(1)的下底面和下螺旋管(2)的上底面为平面，在下螺旋管(2)的上底面中心设置有导磁定位柱(3)和能自由活动的圆柱环形导磁套(4)。充磁时，将磁体元件(5)放置在导磁定位柱(3)和导磁套(4)之间。本实用新型的优点在于采用耐高温线圈，提高设备的使用寿命；采用双向导磁结构，能使磁体元件均匀受力，保证磁体内外磁力均匀，保证磁体获得较高的磁通密度。
文档编号H01F13/00GK202771892SQ20122045916
公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月11日 优先权日2012年9月11日
发明者周勇 申请人:成都图南电子有限公司