一种可控硅保护电容器的制作方法

文档序号:7141572阅读:455来源:国知局
专利名称:一种可控硅保护电容器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种电容器,具体涉及一种保护可控硅的电容器。
背景技术
可控硅整流元件是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成,它的作用不仅是整流,还可以用做无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等
坐寸ο在整流电路中,可控硅在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小,其工作状态类似于一个开关。当可控硅断开的瞬间,其阳极电压会在极短的时间内上升,且数值较大,这个短时上升的高电压会使晶闸管误导通或损坏,为保护可控硅正常工作,一般要在可控硅两端并联一只吸收电容器来抵制阳极电压的上升速率及数值。现有可控硅上并联的电容器中芯子体积较大,安装时比较麻烦,另外有时会由于密封效果不好使得电容器在潮湿环境中被腐蚀。

实用新型内容本实用新型的目的是针对上述现有技术的不足,提供一种安装简单的可控硅保护电容器。本实用新型的技术方案是以下述方式实现的:一种可控娃保护电容器,包括外壳,外壳内设有芯子,外壳内注有环氧树脂密封料,所述芯子为矩形芯子,芯子由镀锡铜连接线引到U型焊片上。所述芯子包括缠绕层,所述缠绕层包括第一白膜层,第一白膜层上设有双面金属化聚酯膜层,双面金属化聚酯膜层上方设有第二白膜层,第二白膜层上方设有单面聚丙烯金属化膜层。本实用新型中,芯子在卷绕过后通过热聚合成型为一矩形芯子,使芯子的性能更为稳定,并可使产品体积缩小三分之一,便于产品安装。矩形芯子由镀锡铜线连接到引出U型焊片,装到矩形阻燃塑料外壳中,经环氧树脂封装,保证电容器不受外界环境湿度的影响。另外,本实用新型选择双面金属化聚酯膜作为一极的极板,另一极则采用单面聚丙烯金属化膜,这样使该电容器同时具有自愈的特性。

图1是本实用新型的结构示意图。图2是芯子的结构示意图。图3是芯子缠绕层的展开示意图。图4是图3的A-A向剖示图。
具体实施方式
如附图所不,一种可控娃保护电容器,包括外壳1,外壳I内设有芯子5,外壳I内注有环氧树脂密封料6,所述芯子5为矩形芯子,芯子5由镀锡铜连接线3引到U型焊片4上。所述外壳是聚丙烯阻燃材料制备的,再加上环氧树脂封装,能够保证电容器不受外界环境湿度的影响。所述芯子5包括缠绕层,所述缠绕层包括第一白膜层7,第一白膜层7上设有双面金属化聚酯膜层8,双面金属化聚酯膜层8上方设有第二白膜层9,第二白膜层9上方设有单面聚丙烯金属化膜层10。这种结构可使得电容器具有自愈特性,缠绕层卷在芯轴上之后通过热聚合成型即可形成矩形芯子,能使芯子的性能更稳定,体积更小。本实用新型并联在可控硅上,能使非工作档可控硅能够承受较大的电压尖峰和较大的dv/dt,达到缩小电压尖峰和限制dv/dt的作用。
权利要求1.一种可控娃保护电容器,包括外壳(I),外壳(I)内设有芯子(5),外壳(I)内注有环氧树脂密封料(6),其特征在于:所述芯子(5)为矩形芯子,芯子(5)由镀锡铜连接线(3)引到U型焊片(4)上。
2.根据权利要求1所述的可控硅保护电容器,其特征在于:所述芯子(5)包括缠绕层,所述缠绕层包括第一白膜层(7),第一白膜层(7)上设有双面金属化聚酯膜层(8),双面金属化聚酯膜层(8)上方设有第二白膜层(9),第二白膜层(9)上方设有单面聚丙烯金属化膜层(10)。
专利摘要本实用新型公开一种可控硅保护电容器,包括外壳,外壳内设有芯子,外壳内注有环氧树脂密封料,所述芯子为矩形芯子,芯子由镀锡铜连接线引到U型焊片上。本实用新型中,芯子在卷绕过后通过热聚合成型为一矩形芯子,使芯子的性能更为稳定,并可使产品体积缩小三分之一,便于产品安装。矩形芯子由镀锡铜线连接到引出U型焊片,装到矩形阻燃塑料外壳中,经环氧树脂封装,保证电容器不受外界环境湿度的影响。另外,本实用新型选择双面金属化聚酯膜作为一极的极板,另一极则采用单面聚丙烯金属化膜,这样使该电容器同时具有自愈的特性。
文档编号H01G4/015GK203026373SQ20122066424
公开日2013年6月26日 申请日期2012年12月6日 优先权日2012年12月6日
发明者彭华, 王会超, 李超, 李建涛 申请人:来恩伟业(鹤壁)电子科技有限责任公司
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