用于带有边缘、侧边及背面保护的干蚀刻的装置及方法

用于带有边缘、侧边及背面保护的干蚀刻的装置及方法
【专利摘要】本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可定位在紧密接近基板处。该边缘保护板重叠基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边、及背面上的反射涂层提供保护。
【专利说明】用于带有边缘、侧边及背面保护的干蚀刻的装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。
【背景技术】
[0002]影印平版印刷术期间，诸如光掩膜(photomask)即光标线片(reticle)的基板通常定位在光源与受处理的晶片之间，以在晶片上形成图案化的特征。该基板含有反映待形成于晶片上的特征配置方式的图案。
[0003]光掩膜基板一般包括光学透明的硅类材料(诸如石英)的基板，该基板具有形成于工作表面上的光遮蔽金属层金属以及形成于其余表面上的高反射涂层，该光遮蔽金属层金属一般是铬，该高反射涂层诸如为氮化铬。光遮蔽金属层经图案化与蚀刻而形成界定该图案的特征，该图案与待通过影印平版印刷术工艺转移至晶片(诸如半导体晶片)的特征相对应。
[0004]沉积与蚀刻工艺通常用于制造图案化的光掩膜基板。高反射涂层在沉积或蚀刻工艺期间可能受损。例如，使用等离子体蚀刻光遮蔽金属层中的图案的同时，高反射涂层若暴露至等离子体，可能会劣化。图1是在等离子体环境中受处理的基板100的示意性侧视图。基板100包括基板102，该基板102具有光遮蔽金属层104以及光反射涂层106，该光遮蔽金属层104形成在顶面112上，而该光反射涂层106形成在底面114与侧表面116上。在传统上，于光遮蔽金属层104上形成图案的同时，将基板100配置在支撑组件108上，而光遮蔽金属层104面向等离子体110。然而，光反射涂层106 (尤其是侧表面116上的光反射涂层106)可能暴露至等离子体110,因而在工艺期间会有所折损(compromised)。
[0005]因此，需要一种于基板上形成图案而不至于损坏基板上的反射涂层的方法与设备。

【发明内容】

[0006]本发明的实施例大体上提供用于处理基板的设备与方法。更详言之，本发明的实施例提供用于在等离子体处理期间保护基板边缘及/或侧边的设备与方法。
[0007]本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该支撑组件包含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括等离子体源，该等离子体源被配置以在处理空间中生成或供应等离子体，该设备还包括边缘保护板，该边缘保护板以可移动的方式配置在处理空间中位在该支撑组件上方。该边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。
[0008]本发明的另一实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该腔室主体包含腔室壁以及腔室盖，该腔室盖配置在该等腔室壁上方。该支撑组件含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括天线，该天线配置在该腔室盖上方并且被配置以在处理空间中生成等离子体，该设备还包括边缘保护组件，该边缘保护组件配置在处理空间中。该致动的边缘保护组件包括举升箍、三个或更多个支撑销以及边缘保护板，该举升箍以可移动式配置在处理空间中，该等支撑销从该举升箍延伸，而该边缘保护板具有配置在该支撑组件上方的通孔。该边缘保护板耦接该三个或更多个支撑销并且可随该举升箍移动。
[0009]本发明的又一实施例提供一种用于处理基板的方法。该方法包括以下步骤:在支撑组件上接收基板，该支撑组件配置在等离子体腔室的处理空间中；以及将边缘保护板定位在该基板上方。该边缘保护板具有小于该基板的通孔，且该通孔具有实质上与基板相同的形状。该方法进一步包含以下步骤:在该边缘保护板上方生成等离子体以处理该基板。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]通过参考实施例(一些实施例说明于附图中)，可获得于【
【发明内容】
】中简要总结的本发明的更特定的说明，而能详细了解于【
【发明内容】
】记载的本发明的特征。然而应注意附图仅说明此发明的典型实施例，因而不应将该等附图视为限制本发明的范畴，因为本发明可容许其他等效实施例。
[0011]图1是在等离子体环境中受处理的基板的示意性侧视图。
[0012]图2是根据本发明的一个实施例的处理腔室的示意性截面侧视图。
[0013]图3是根据本发明的一个实施例的边缘保护组件的部分透视图。
[0014]图4A是显示在下方处理位置的边缘保护板的截面侧视图。
[0015]图4B是显示在上方处理位置的边缘保护板的截面侧视图。
[0016]图4C是显示在基板传送位置的边缘保护板的截面侧视图。
[0017]图5A是根据本发明一个实施例的边缘保护板的俯视图。
[0018]图5B是图5A的边缘保护板的截面侧视图。
[0019]图6A是根据本发明一个实施例的边缘保护板的俯视图。
[0020]图6B是图6A的边缘保护板的截面侧视图。
[0021]为了助于了解，若可能则使用同一元件符号标注各图中共通的同一元件。应了解，在一个实施例中揭露的元件可有利地用于其他实施例，而无须特别记载。
【具体实施方式】
[0022]本发明的实施例大体上关于用于等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边、与背面的方法与设备。尤其，本发明的实施例提供一种处理腔室，该处理腔室包括独立致动的边缘保护板。
[0023]本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有一通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可被定位在紧邻基板处。该边缘保护板重迭基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边，及背面上的反射涂层提供保护。
[0024]术语“基板”指示在形成电子元件的工艺中所使用的任何基板，诸如半导体基板、电绝缘体基板、遮罩、光掩膜基板或光标线片。
[0025]图2是根据本发明一个实施例的处理腔室200的示意性截面侧视图。可适于与在此揭露的原理一并使用的适合的处理腔室包括例如Decoupled Plasma Source (DPS?) II反应器，或Tetra I与Tetra II Photomask蚀刻系统，所有前述反应器及系统皆可购自美国加州Santa Clara的应用材料公司。在此所显示的处理腔室200的特定实施例是供以说明之用，而不应将该等特定实施例用于限制本发明的范畴。应考量本发明可用在包括来自其他贩售商的其他的等离子体处理腔室中。
[0026]处理腔室200大体上包括由腔室壁202与腔室盖204所界定的处理空间206。处理腔室200包括等离子体源222，该等离子体源222用于在处理空间206中供应或生成等离子体。一个实施例中，等离子体源222包括天线210，该天线210配置在腔室盖204上方用于在处理空间206中生成感应耦合的等离子体。天线210可包括一个或多个同轴线圈210a、210b，如图2所示。天线210可经由匹配网络214耦接等离子体电源212。
[0027]支撑组件208配置在处理空间206内用于将受处理的基板100支撑在抬高部分230上。支撑组件208可包括静电卡盘216，该静电卡盘216具有连接夹持电源供应器220的至少一个夹箝电极218。支撑组件208可包括其他基板保持(retention)机构,该机构诸如基座(sus^ptor)夹箝环、机械式卡盘，与类似机构。支撑组件208可包括静电卡盘216之外的其他基板保持机构，诸如基座夹箝环、机械式卡盘，与类似机构。支撑组件208可包括耦接加热器电源226的电阻式加热器224与用于温度控制的散热器(heat sink) 228。
[0028]支撑组件208也包括基板适配器234，该基板适配器234用于在抬高部分230与外部传送装置(诸如外部机器人)之间传送基板100。基板适配器234配置于静电卡盘216之上，且可具有开口 236，该开口 236使抬高部分230得以延伸通过该开口。基板适配器234可从静电卡盘216被耦接举升机构238的数个举升销240所举升。示范性的基板适配器描述于美国专利7，128, 806中，该专利的发明名称为“Mask Etch Processing Apparatus”(遮罩蚀刻处理装置)。
[0029]处理腔室200也可 包括离子自由基遮蔽件242，该遮蔽件242配置在支撑组件208上方。离子自由基遮蔽件242电隔离腔室壁202及支撑组件208。离子自由基遮蔽件242包括实质平坦的板246，该板具有数个贯孔248以及数个支撑脚架250，该支撑脚架250支撑平坦的板246并且将该平坦的板246定位在支撑组件208上方某一距离处。数个支撑脚架250可配置在静电卡盘216上、基板适配器234上、或挡板256上。数个贯孔248可仅分布在平坦的板246的开放区域252内。该开放区域252控制从处理空间206的上方空间254中形成的等离子体递送到下方空间244的离子量，该下方空间244位在离子自由基遮蔽件242与支撑组件208之间。示范性离子自由基遮蔽件可见于美国专利7，909，961中，该专利的发明名称是“Method and Apparatus for Photomask Plasma Etching”(用于光掩膜等离子体蚀刻的方法和装置)。
[0030]气体平板258连接入口 260用于朝向处理空间206供应一种或多种处理气体。真空泵264经由节流阀262耦接处理空间206。挡板256可配置在支撑组件208周围而位在节流阀262上游，以实现处理空间206中均匀的流动分布。挡板256包括数个水平辐条256a，该等水平辐条从基板适配器234径向向外延伸至腔室壁202。数个水平辐条256a使从处理空间206的上部流至节流阀262的流体受到限制及均匀化，因而改善处理空间206中的流体流动均匀度。挡板256也可包括数个垂直棒256b，该等垂直棒256b从挡板256的外边缘向上延伸。数个垂直棒256b的功能为限制及调整处理期间接近基板100的流体在水平方向上的流动。[0031 ] 一个实施例中，边缘遮蔽件286可耦接边缘保护板268。该边缘遮蔽件286是具有向内的阶状物288的环形管。边缘遮蔽件286安置在边缘保护板268的周边边缘，以将气体流导引于边缘保护板268周围。
[0032]根据本发明的实施例的处理腔室200包括致动边缘保护组件266，该组件266被配置以便向基板100的光反射涂层106提供保护。该致动边缘保护组件266可用于保护基板100的边缘232及/或侧表面116 (显示于图1) 二者上的光反射涂层106。
[0033]致动边缘保护组件266包括边缘保护板268、举升箍272、三个或更多个支撑销270，该等支撑销270耦接于举升箍272与边缘保护板268之间。致动器276通过轴杆274耦接举升箍272，该轴杆274以密封式延伸通过腔室壁202。
[0034]举升箍272配置在处理空间206中位于支撑组件208的径向向外处。举升箍272以实质上水平的方向装设在轴杆274上。轴杆274被致动器276驱动，以在处理空间206中垂直移动举升箍272。该三个或更多个支撑销270从举升箍272向上延伸并且将边缘保护板268定位在支撑组件208上方。该三个或更多个支撑销270可以固定式将边缘保护板268附接举升箍272。边缘保护板268随举升箍272在处理空间206中垂直移动，使得边缘保护板268能够被定位在基板100上方一期望距离处，及/或外部基板操纵装置能够进入边缘保护板268与支撑组件208之间的处理空间206，以传送基板100。
[0035]该三个或更多个支撑销270可经定位以使基板100得以被传送进出支撑销270之间的处理腔室200。一个实施例中，该三个或更多个支撑销270的每一个可被定位成靠近支撑离子自由基遮蔽件的数个支撑脚架250的其中一个支撑脚架。
[0036]一个实施例中，边缘保护板268是平面板，该平面板尺寸大于支撑组件208的直径且稍微小于腔室壁202的内部尺寸，使得边缘保护板268能够阻挡处理气体或等离子体在处理空间206中的向下流动。一个实施例中，腔室壁202是圆柱状，且边缘保护板268可以是圆形碟，该圆形碟具有一外径，该外径稍微小于腔室壁202的内径。边缘保护板268具有形成在接近中心区域处的通孔278。该边缘保护板268可定位成实质平行支撑组件208的顶面282。通孔278对准静电卡盘216的抬高部分230。通孔278向处理气体或活性物种提供一受限制的路径，该路径导引气体向下朝向抬高部分230 (基板100所定位之处)，因而控制基板100对等离子体的暴露。
[0037]通孔278的形状可实质上类似受处理的基板100的形状。例如，通孔278的形状可以是方形、矩形、圆形、三角形、椭圆形、带有扁平的圆形、六边形、八边形、或任何受处理的基板上的处理区域的适合形状。一个实施例中，通孔278可稍微小于基板100的顶面112，以便向基板100的边缘232提供保护。一个实施例中，可以调整在边缘保护板268与抬高部分230的顶面282之间的距离280以达成期望的基板100对等离子体的暴露。另一实施例中，通孔278的尺寸可经调整以达成期望的基板100对等离子体的暴露。
[0038]或者，距离280与通孔278的尺寸可经调整以一起达成期望的基板100对等离子体的暴露。当通孔278的尺寸稍微小于基板100的尺寸时，基板100的边缘232可被边缘保护板268遮蔽以隔绝从处理空间206上方降下的处理气体中的任何物种。通孔278愈小，则边缘232的面积愈大。另一方面，改变距离280也改变边缘保护板268如何影响基板100。当通孔278的尺寸维持相同，小距离280将造成基板100上从未被保护的区块明确地界定出保护边缘区块，而大距离280将造成保护区域与未受保护的区域之间有一过渡区域。[0039]一个实施例中，边缘保护板268以可移动式定位在离子自由基遮蔽件242下方以及支撑组件208上方。边缘保护板268可具有数个贯孔284，以容纳数个支撑脚架250，这些支撑脚架支撑离子自由基遮蔽件242的平坦的板246。
[0040]处理期间，等离子体通常形成在处理空间206中。等离子体中的物种(诸如自由基与离子)通过边缘保护板268的通孔278与平坦的板246至基板100。边缘保护板268通过实体阻挡等离子体中的物种而保护基板100的边缘及/或侧边以隔绝等离子体中物种的轰击。边缘保护板268向腔室部件以及边缘保护板268下方的基板100的区域提供实体遮蔽，但不向通孔278下方的区域提供实体遮蔽。通孔278可经塑造形状及/或定位，使得通过通孔278的物种不会抵达基板100的边缘及/或侧边。如前文所讨论，可单独调整或一起调整通孔278的尺寸及/或距离280，以获得基板100上期望的保护。
[0041]边缘保护板268可由与处理的化学条件相容的材料形成。一个实施例中，边缘保护板268可由石英或陶瓷形成，除了其他陶瓷材料之外，该陶瓷尤其诸如为氧化铝、氧化钇(宇乙氧化物)、与K140 (可购自Kyocera的专有材料)。
[0042]图3是根据本发明一个实施例的致动边缘保护组件266的部分透视图，图中已移去腔室盖204、腔室壁202以及支撑组件208。如图3中所示，数个支撑销270贯穿挡板256以将边缘保护板268定位在挡板256及平坦的板246之间。数个贯孔284容纳位在挡板256上支撑平坦的板246的支撑脚架250。支撑脚架250与支撑销270的交错排列使得边缘保护板268得以独立于挡板256及平坦的板246而移动。
[0043]边缘保护板268通过举升箍272垂直移动。举升箍272可包括环形主体304，该环形主体304具有侧边延伸部302。环形主体304具有内开口 306，该内开口 306够大以环绕支撑组件208。侧边延伸部302位在环形主体304的径向向外处。侧边延伸部302使举升箍272得以从侧边连接致动器。侧边驱动的排列方式使举升箍272与边缘保护板268能够具有与离子自由基遮蔽件242的平坦的板246及挡板256分开的驱动机构，因而改善处理腔室200的工艺灵活性。
[0044]可移动的边缘保护板268可定位在支撑组件208上方不同距离处，以达成某些效应及/或实现基板100与其他腔室部件的移动。可调整地设定边缘保护板268相对于支撑组件208的高度(elevation)的能力显著地扩大处理窗,而容许较大的工艺灵活性。一个实施例中，可调整边缘保护板268的高度以在等离子体处理前惯常地配合不同处理配方。另一实施例中，可在等离子体处理期间调整边缘保护板268的高度。
[0045]图4A是显示边缘保护板268在下方处理位置的截面侧视图。下表面406定位在支撑组件208的抬高部分230上方的一段距离402处。在下方处理位置，距离402相对短，而使边缘保护板268置于接近受处理的基板100。在下方处理位置，边缘保护板268可作用如遮荫环(shadow ring),该遮荫环防止等离子体进出任何实质上在穿过通孔278的直准线(direct line of sight)外的区域,且基板100边缘232受到遮荫而免于暴露至离子。
[0046]图4B是显不边缘保护板268处于上方处理位置时的截面侧视图。下表面406定位在支撑组件208的抬高部分230上方的一段距离404处。距离404大于距离402，因此容许更多离子及反应性物种与基板100原本在下方处理位置处已受边缘保护板268遮荫的边缘交互作用。在上方处理位置，边缘保护板268可保护基板100的边缘及侧边免于暴露至等离子体，并且调节接近基板的边缘区域的蚀刻速率，因此改善了遍及基板100的整体处理均匀度。
[0047]图4C是显示边缘保护板268在传送位置的截面侧视图，边缘保护板268在传送位置而使得基板100能够传送到支撑组件208并且从支撑组件208传送。举升箍272与边缘保护板268被抬高至紧密地接近离子自由基遮蔽件242处，因而在边缘保护板268与抬高部分230之间建立足够的空间以使机器人叶片得以进出以供传送基板。
[0048]根据本发明的实施例的边缘保护板大体上包括平面主体，该平面主体具有形状类似于受处理的基板的通孔。一个实施例中，该通孔是方形。然而，通孔278的形状可以是任何适合受处理的基板上的处理区域的形状，诸如方形、矩形、圆形、三角形、椭圆形、带着扁平的圆形、六边形、或八边形。
[0049]图5A是根据本发明一个实施例的边缘保护板268的俯视图。图5B是边缘保护板268的截面侧视图。边缘保护板268具有平面碟状主体502。平面碟状主体502可以是圆形，以用于具有圆柱状侧壁的处理腔室中。通孔278形成为穿过平面碟状主体502的中心区域。通孔278可以是方形以供处理方形基板100。通孔278是由实质上垂直的内壁504所界定，一个实施例中，通孔278的尺寸可以稍微小于26平方英寸,26平方英寸小于基板100的尺寸。处理期间，通孔278共轴对准基板100与支撑组件208的中心，以提供基板100的边缘与侧边周围均匀的保护。
[0050]一个实施例中，三个或更多个贯孔284沿着平面碟状主体502的周围形成。贯孔284被配置以容纳离子自由基遮蔽件242的支撑脚架250。诸如支撑销270的支撑特征结构可在位置506附接平面碟状主体502。位置506可被定位成接近贯孔284并且径向对准贯孔284，使得基板100可在相邻的支撑销270之间传送。
[0051]应注意，边缘保护板268与通孔278各别取决于腔室形状与基板的形状而可具有不同的形状。
[0052]图6A是根据本发明另一实施例的边缘保护板600的俯视图。图6B是边缘保护板600的截面侧视图。边缘保护板600被配置以便向基板100的侧边612提供额外的保护，该额外的保护在图6B中以阴影显示。
[0053]边缘保护板600类似于边缘保护板268，不同处是边缘保护板600具有由阶梯状侧壁界定的通孔610。通孔610可被塑形成实质上类似于受处理的基板100的形状。通孔610是由上内壁604、阶状物606与下内壁608所界定。上内壁604形成小于基板100的上方开口 610a，而下内壁608形成大于基板100的下方开口 610b。
[0054]处理期间，基板100可定位在下方开口 610b内，使得下内壁608直接遮蔽基板100的侧边612以免于暴露至等离子体，同时上方开口 610a使等离子体中的物种得以处理基板100。
[0055]根据本发明的实施例的边缘保护板的优点可包括以下内容。
[0056]可独立致动边缘保护板，使得从基板边缘至边缘保护板的距离可受到调节。独立的致动使边缘保护板得以位在紧密接近基板的位置。边缘保护板紧密接近基板使得边缘保护板得以有效遮荫及阻挡反应性等离子体蚀刻或以其他方式损坏基板的侧边或背侧上的反射涂层。于是，边缘保护板显著减少基板侧边与背侧上的蚀刻速率，因而保护基板上的反射涂层免于受到等离子体攻击。
[0057]再者，边缘保护板也可用于调节接近基板边缘的蚀刻速率，因而影响基板上蚀刻工艺的整体均匀度。
[0058] 前述内容是涉及本发明的实施例，可不背离本发明的基本范畴而设计其他及进一步的实施例，而本发明的范畴由随后的权利要求所决定。
【权利要求】
1.一种用于处理基板的设备，包含: 腔室主体，界定处理空间； 支撑组件，配置在所述处理空间中，其中所述支撑组件包含抬高部分，所述抬高部分用于在处理期间支撑基板； 等离子体源，被配置以在所述处理空间中生成或供应等离子体；以及边缘保护板，以可移动式配置在所述处理空间中位在所述支撑组件上方，其中所述边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。
2.如权利要求1所述的设备，进一步包含举升箍，所述举升箍耦接所述边缘保护板，其中所述举升箍在所述处理空间中可垂直移动。
3.如权利要求2所述的设备，进一步包含轴杆，所述轴杆从所述举升箍延伸，其中所述举升箍配置在所述支撑组件周围，且所述轴杆将所述举升箍连接至致动器。
4.如权利要求2所述的设备，进一步包含数个支撑销，所述支撑销以固定式将所述边缘保护板附接所述举升箍。
5.如权利要求4所述的设备，进一步包含边缘遮蔽件，所述边缘遮蔽件配置在所述边缘保护板的周边周围。
6.如权利要求2所述的设备，进一步包含: 离子自由基遮蔽件，配置在所述处理空间中位于所述边缘保护板上方；以及 数个支撑脚架，所述支撑脚架支撑所述离子自由基遮蔽件。
7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述边缘保护板具有数个贯孔，所述数个支撑脚架的每一个通过所述边缘保护板的所述数个贯孔的一个贯孔，以使所述边缘保护板得以独立于所述离子自由基遮蔽件而移动。
8.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述通孔被塑造成在形状上实质类似于所述受处理的基板并且小于所述基板。
9.一种用于处理基板的设备，包含: 腔室主体，界定处理空间，其中所述腔室主体包含多个腔室壁与腔室盖，所述腔室盖配置在所述腔室壁上方； 支撑组件，配置在所述处理空间中，其中所述支撑组件包含抬高部分，所述抬高部分用于在处理期间支撑基板； 天线，配置在所述腔室盖上方，被配置以在所述处理空间中生成等离子体；以及 边缘保护组件，配置在所述处理空间中，其中所述边缘保护组件包含: 致动器；以及 边缘保护板，具有通孔且配置在所述支撑组件上方，其中所述边缘保护板耦接所述致动器，且所述边缘保护板的高度由所述致动器所控制。
10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述边缘保护板的所述通孔是方形。
11.如权利要求1或9所述的设备，其特征在于，所述边缘保护板由石英或陶瓷形成。
12.如权利要求9所述的设备，进一步包含: 离子自由基遮蔽件，配置在所述处理空间中位于所述边缘保护板上方；以及 数个支撑脚架，所述支撑脚架穿过所述边缘保护板支撑所述离子自由基遮蔽件。
13.一种用于等离子体处理腔室的边缘保护板，包含:碟状物，所述碟状物具有至少约6英寸的外径，其中通孔形成为穿过所述碟状物的中心部分，所述通孔具有矩形形状，数个开口形成在所述碟状物的周边部分，且所述碟状物包含石英或陶瓷。
14.如权利要求13所述的边缘保护板，其特征在于，所述通孔的内壁具有阶梯状的截面形状。
15.如权利要求8、10或14的任一项所述，其特征在于，所述通孔由上方开口与下方开口所界定，且所述下方开口大于所述上方开口。
【文档编号】H01L21/3065GK103620744SQ201280026219
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2012年4月25日 优先权日:2011年5月31日
【发明者】S·辛格, G·J·斯科特, A·萨布哈瓦尔, A·库玛 申请人:应用材料公司