有机发光二极管的制作方法

有机发光二极管相关专利申请的交叉引用本申请要求于2012年3月2日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0022038的优先权和权益，此处其全部内容通过引用合并于此。

背景技术：
1.技术领域本发明的一个或多个实施方式涉及一种有机发光二极管。2.相关技术说明有机发光二极管(OLED)是自发光装置，具有很多优点(例如宽视角、优异的对比度、快速反应、高亮度和优异的驱动电压)并可以提供彩色图像。常规的OLED具有包括基板和依次叠加在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极的结构。在这方面，所述HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的有机层。具有上述结构的OLED的工作原理如下所述。当在阳极和阴极间施加电压时，从阳极注入的空穴经HTL移动到EML，从阴极注入的电子经ETL移动到EML。空穴和电子在EML内重新结合产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时，便发出光来。发明概述本发明的实施方式的一个方面涉及到一种改进的有机发光二极管，包括在发光层和电子传输层之间的新颖的缓冲层，并由此具有高效率和长寿命。根据本发明的一个实施方式，提供了一种有机发光二极管，包括基板；第一电极；面对所述第一电极的第二电极；置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；置于所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层；和置于所述发光层和所述电子传输层之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括由下列通式1表示的胺类化合物：<通式1>其中，在通式1中，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；X1为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；m为1至5的整数；且所述取代的C6至C60芳基、所述取代的C2至C60杂芳基、所述取代的C6至C60亚芳基和所述取代的C2至C60杂亚芳基中的至少一个取代基为氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；C6至C60芳硫基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基、C6至C60芳氧基和C6至C60芳硫基中的一个。附图简述通过参考附图来对本发明示例性实施方式进行详细描述，将使本发明的上述和其它特征和优点更为清楚：图1是说明根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管(OLED)的结构的示意图；图2是显示根据对比例2和3制造的OLED的寿命(使用寿命)数据的图；图3是显示根据对比例1和3制造的OLED的寿命数据的图；且图4是显示根据实施例1和对比例3制造的OLED的寿命数据的图。发明详述在下文中，将参照附图对有机发光二极管(OLED)的一个或多个实施方式进行详细描述。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个关联的列举项目中的任何和所有组合。当表达方式例如“中的至少一个，”在一列项目之后时，其修饰项目列表的整体，而不修饰项目列表中的单个项目。图1是说明根据本发明的一个实施方式的OLED的结构的示意图。参见图1，所述OLED包括依次叠加的基板11、第一电极12、空穴注入层(HIL)13、空穴传输层(HTL)14、发光层(EML)15、缓冲层16、电子传输层(ETL)17、电子注入层(EIL)18和第二电极19。缓冲层16插在EML15和ETL17之间。基板11可以是用于常规OLED的基板，并可以是具有优异的机械强度、热稳定性、透光度、表面平整度、易于操控性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。第一电极12可以通过沉积或溅射在基板11上涂布第一电极材料形成。当第一电极12是阳极时，第一电极材料可以选自具有高功函以便促进空穴注入的材料。第一电极12可以是反射电极、半透明电极或透明电极。第一电极材料的实例可以包括透明且高度导电的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)。并且，当镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)或镁-银(Mg-Ag)用作第一电极材料时，第一电极12可以形成为反射电极。第一电极12可以形成为单层或具有至少两层的多层结构。例如，第一电极12可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但不限于此。HIL13形成在第一电极12上。HIL13可以通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积在第一电极12上形成。当通过真空沉积形成HIL13时，沉积条件可以根据作为用于形成HIL13的材料的化合物、要形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，所述沉淀条件可以为、但不限于约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度。当通过旋涂形成HIL13时，涂布条件可以根据作为用于形成HIL13的材料的化合物、要形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，涂布条件可以为、但不限于约2000rpm至约5000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度，在此温度下可以去除涂布后残留的溶剂。用于形成HIL13的材料可以是已知的空穴注入材料。已知的空穴注入材料的实例包括、但不限于N,N'-联苯-N,N'-双-[4-(苯基-间-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、酞菁化合物例如酞菁铜、4,4'4”-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基对二氨基联苯(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基苯硫)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)：HIL13的厚度可以在约至约的范围内。在一些实施方式中，HIL30的厚度可以在约至约的范围内。当所述HIL13的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴注入性能而不会大幅增加驱动电压。然后，可以在HIL13上通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积形成HTL14。当通过真空沉积或旋涂形成HTL14时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述沉积和涂布条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。用于形成HTL14的材料可以是已知的空穴传输材料。已知的空穴传输材料的实例包括、但不限于咔唑衍生物例如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-联苯-[1,1-二苯基]-4,4'-二胺(TPD)、4,4',4”-三-(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)和N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基对二氨基联苯(NPB)。HTL14的厚度可以在约至约的范围内。在一些实施方式中，HTL14的厚度可以在约至约的范围内。当所述HTL14的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输性能性而不会大幅增加驱动电压。HIL13和HTL14中的至少一个可以包含由下列通式300表示的化合物和由下列通式350表示的化合物中的至少一个：<通式300><通式350>在通式300中，Ar11和Ar12可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60亚芳基。例如，Ar11和Ar12基团与下面描述的与X1有关的基团相同。在通式350中，Ar21和Ar22可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基。例如，Ar21和Ar22可以各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或取代或未取代的二苯并苯硫基。在这方面，所述取代的苯基、所述取代的萘基、所述取代的菲基、所述取代的蒽基、所述取代的芘基、所述取代的基、所述取代的芴基、所述取代的咔唑基、所述取代的二苯并呋喃基和所述取代的二苯并苯硫基中的至少一个取代基可以选自氘；卤素原子；羟基；氰基；硝基；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C10烷基；C1至C10烷氧基；苯基；萘基；芴基；菲基；蒽基；三亚苯基；芘基；基；咪唑基；咪唑啉基；咪唑并吡啶基；咪唑并嘧啶基；吡啶基；嘧啶基；吲哚基；和被氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C10烷基和C1至C10烷氧基中的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、三亚苯基、芘基、基、咪唑基、咪唑啉基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基和吲哚基。在通式300中，e和f可以各自独立地为0至5、或0、1或2的整数。例如，e可以为1，f可以为0，但e和f不限于以上实例。在通式300和350中，R51至R58、R61至R69、R71和R72可以各自独立地为氢、氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的C2至C60烯基、取代或未取代的C2至C60炔基、取代或未取代的C1至C60烷氧基、取代或未取代的C3至C60环烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C6至C60芳氧基或取代或未取代的C6至C60芳硫基。例如，R51至R58、R61至R69、R71和R72可以各自独立地为氢；氘；卤素原子；羟基；氰基；硝基；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C10烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)；C1至C10烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基等)；被氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C10烷基和C1至C10烷氧基；苯基；萘基；蒽基；芴基；芘基；以及被氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C10烷基和C1至C10烷氧基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、芴基和芘基中的一个，但不限于此。在通式300中，R59可以为苯基；萘基；蒽基；联苯基；吡啶基；以及被氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、取代或未取代的C1至C20烷基和取代或未取代的C1至C20烷氧基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、联苯基和吡啶基中的一个。根据一个实施方式，通式300的化合物可以由下列通式300A表示，但不限于此：<通式300A>其中在通式300A中，R51、R60、R61和R59与前面描述的相同。例如，HIL13和HTL14中的至少一个可以包含化合物301至320中的至少一个，但不限于此：HIL13和HTL14中的至少一个可以进一步包含电荷生成材料以便提高所述层的电导率。所述电荷生成材料可以为例如p掺杂剂。所述p掺杂剂可以为醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的一种，但不限于此。所述p掺杂剂的非限制性实例可以包括、但不限于醌衍生物例如四氰基对醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并对醌二甲烷(F4-TCNQ)；金属氧化物例如氧化钨和氧化钼；以及含氰基化合物例如下列化合物390等。当HIL13和HTL14中的至少一个进一步包含电荷生成材料时，所述电荷生成材料可以均匀地或不均匀地分散在HIL13和HTL14中的至少一个中。此外，可以在HTL14和EML15之间插入中间层。所述中间层可以根据从EML15射出的光的波长弥补光学共振距离，由此提高OLED的效率。所述中间层可以包含已知的空穴注入材料和已知的空穴传输材料。所述中间层也可以包含与在中间层下面形成的HIL13和/或HTL14中所包含的材料之一相同的材料。接下来，可以在HTL14上通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积形成EML15。当通过真空沉积或旋涂形成EML15时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。EML15可以包含已知的发光材料。例如，EML15可以包含已知的主体材料和已知的掺杂剂。已知的主体材料的实例可以包括、但不限于Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1,3,5-三-(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘基-2-基)蒽(TBADN)、E3、联苯乙烯(DSA)、dmCBP(见下列通式)和化合物501至509。或者，所述主体材料可以是由下列通式400表示的蒽类化合物：<通式400>在通式400中，Ar111和Ar112可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60亚芳基；Ar113至Ar116可以各自独立地为取代或未取代的C1至C10烷基或取代或未取代的C6至C60芳基；且g、h、i和j可以各自独立地为0至4的整数。例如，在通式400中，Ar111和Ar112可以各自独立地为亚苯基；亚萘基；亚菲基；亚芘基；以及被苯基、萘基和蒽基中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚菲基、芴基和亚芘基中的一种，但不限于此。在通式400中，g、h、i和j可以各自独立地为0、1或2。在通式400中，Ar113至Ar116可以各自独立地为被苯基、萘基和蒽基中的至少一个取代的C1至C10烷基；苯基；萘基；蒽基；芘基；菲基；芴基；被氘、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C1至C60烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基和芴基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基和芴基；和但不限于此。例如，通式400的蒽类化合物可以为下列化合物中的一种，但不限于此：所述主体材料也可以是由下列通式401表示的蒽类化合物：<通式401>在通式401中，Ar122至Ar125与上述通式400的Ar113基团的限定相同。在通式401中，Ar126和Ar127可以各自独立地为C1至C10烷基(例如甲基、乙基或丙基)。在通式401中，k和l可以各自独立地为0至4的整数。例如，k和l可以各自独立为0、1或2。例如，通式401的蒽类化合物可以为下列化合物中的一种，但不限于此：所述EML可以包含蓝色掺杂剂、绿色掺杂剂或红色掺杂剂。所述蓝色掺杂剂的实例可以为、但不限于下列化合物。所述红色掺杂剂的实例包括、但不限于下列化合物。所述红色掺杂剂也可以为DCM或DCJTB，后面将对其进行描述。所述绿色掺杂剂的实例包括、但不限于下列化合物。所述绿色掺杂剂也可以为下面的C545T。EML中包含的掺杂剂可以为下列络合物，但不限于此：EML中包含的掺杂剂可以为下列Os络合物，但不限于此：当EML15包含主体材料和掺杂剂时，基于约100重量份的所述主体材料，EML15中的掺杂剂的含量可以通常在约0.01至约15重量份的范围内。EML15的厚度可以在约至约的范围内。在一些实施方式中，EML15的厚度可以在约至约的范围内。当EML15的厚度在这些范围内时，可以获得优异的发光性能而不会大幅增加驱动电压。接下来，在EML15上通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂或浇注形成缓冲层16。当通过真空沉积或旋涂形成缓冲层16时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述沉积和涂布条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。缓冲层16包含由下列通式1表示的胺类化合物：<通式1>在通式1中，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；X1为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；m是1至5的整数；所述取代的C6至C60芳基、所述取代的C2至C60杂芳基、所述取代的C6至C60亚芳基和所述取代的C2至C60杂亚芳基中的至少一个取代基为氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；C6至C60芳硫基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基、C6至C60芳氧基和C6至C60芳硫基中的一个。在通式1中，Ar1和Ar2可以各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的戊搭烯基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的薁基、取代或未取代的庚搭烯基、取代或未取代的引达省基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的非那烯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的萉基、取代或未取代的并六苯基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的咪唑啉基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的咪唑并嘧啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的嘌呤基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的吲哚嗪基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的吲唑基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的菲啶基、取代或未取代的吡喃基、取代或未取代的色烯基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的异噻唑基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的异噁唑基、取代或未取代的二苯并苯硫基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的四唑基或取代或未取代的异喹啉基。例如，Ar1和Ar2可以各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的咔唑基或取代或未取代的异喹啉基，但不限于此。通式1中Ar1和Ar2中的至少一个可以为取代的C6至C60芳基，且所述取代的C6至C60芳基中的至少一个取代基可以为-F；-CN；-NO2；被至少一个-F取代的C1至C60烷基；和C2至C60杂芳基中的一个。例如，通式1中Ar1和Ar2中的至少一个可以为取代的苯基、取代的萘基、取代的芴基、取代的菲基、取代的蒽基、取代的芘基或取代的基；所述取代的苯基、取代的萘基、取代的芴基、取代的菲基、取代的蒽基、取代的芘基和取代的基中的至少一个取代基可以为-F；-CN；-NO2；被至少一个-F取代的C1至C10烷基；和含有至少一个N作为成环原子的C5至C9杂芳基中的一个。特别是，通式1中Ar1和Ar2中的至少一个可以为取代的苯基或取代的萘基；所述取代的苯基和所述取代的萘基中的至少一个取代基可以为-F；-CN；硝基；吡啶基；吡嗪基；嘧啶基；喹啉基；异喹啉基；咔唑基；和喹嗪基中的一个。在通式1中，Ar1和Ar2都可以为取代或未取代的C6至C60芳基；Ar1可以为取代或未取代的C2至C60芳基且Ar2可以为取代或未取代的C6至C60杂芳基；或者Ar1和Ar2都可以各自独立地为C2至C60杂芳基。根据一个实施方式，在通式1中，Ar1和Ar2可以各自独立地为下列通式2A至2Z中的一个：在通式2A至2Z中，Z11至Z19可以各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；C6至C60芳硫基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基、C6至C60芳氧基和C6至C60芳硫基中的一个。Z11至Z19可以各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C10烷基；C1至C10烷氧基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C10烷基和C1至C10烷氧基；苯基；萘基；蒽基；芴基；芘基；基；吡啶基；吡嗪基；嘧啶基；三嗪基；喹啉基；异喹啉基；喹唑啉基；咔唑基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C10烷基和C1至C10烷氧基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、芴基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基和咔唑基中的一个，但不限于此。在通式2A至2Z中，*表示与通式1的N结合的位置。在一个实施方式中，在通式1中，Ar1可以由上述通式2A至2D中的一个表示，且Ar2可以由上述通式2E至2Z中的一个表示。在另一个实施方式中，在通式1中，Ar1可以由上述通式2A至2D中的一个表示，其中通式2A的Z11至Z17基团中的至少一个、通式2B的Z11至Z17基团中的至少一个、通式2C的Z11至Z19基团中的至少一个和通式2D的Z11至Z15基团中的至少一个可以为-F；-CN；-NO2；被至少一个-F取代的C1至C10烷基；和含有至少一个N作为成环原子的C5至C9杂芳基(例如吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、咔唑基、喹嗪基等)中的一个；且Ar2可以由上述通式2A至2Z(例如通式2E至2Z)中的一个表示。例如，在通式1中，Ar1和Ar2可以各自独立地为下列通式3(1)至3(30)中的一个，但不限于此：在通式3(1)、3(2)和3(8)中，Z11至Z13可以各自独立地为氢、-F、-CN或-NO2；且*表示与通式1的N结合的位置。根据一个实施方式，在通式1中，Ar1可以由上述通式3(1)至3(8)中的一个表示，且Ar2可以由上述通式3(9)至3(30)中的一个表示。在另一个实施方式中，在通式1中，Ar1可以由通式3(1)至3(8)中的一个表示，其中通式3(1)、3(2)和3(8)中的Z11至Z13基团可以各自独立地为-F、-CN或-NO2；且Ar2可以由通式3(1)至3(30)中的一个表示。在通式1中，X1可以为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚戊搭烯基、取代或未取代的亚茚基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚薁基、取代或未取代的亚庚搭烯基、取代或未取代的亚引达省基、取代或未取代的亚苊基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚萉基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚荧蒽基、取代或未取代的亚三亚苯基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚基、取代或未取代的亚并四苯基、取代或未取代的亚苉基、取代或未取代的亚苝基、取代或未取代的亚萉基、取代或未取代的亚并六苯基、取代或未取代的亚吡咯基、取代或未取代的亚吡唑基、取代或未取代的亚咪唑基、取代或未取代的亚咪唑啉基、取代或未取代的亚咪唑并吡啶基、取代或未取代的亚咪唑并嘧啶基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚吲哚基、取代或未取代的亚嘌呤基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚酞嗪基、取代或未取代的亚吲哚嗪基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚噌啉基、取代或未取代的亚吲唑基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚吩嗪基、取代或未取代的亚菲啶基、取代或未取代的亚吡喃基、取代或未取代的亚色烯基、取代或未取代的亚呋喃基、取代或未取代的亚苯并呋喃基、取代或未取代的亚苯硫基、取代或未取代的亚苯并苯硫基、取代或未取代的亚异噻唑基、取代或未取代的亚苯并咪唑基、取代或未取代的亚异噁唑基、取代或未取代的亚二苯并苯硫基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚三嗪基、取代或未取代的亚噁二唑基、取代或未取代的亚哒嗪基、取代或未取代的亚三唑基或取代或未取代的亚四唑基。当通式1的X1基团具有至少一个取代基时，所述取代基与以上限定的相同。根据一个实施方式，在通式1中，X1可以为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚三亚苯基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并苯硫基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚三嗪基、取代或未取代的亚哒嗪基、取代或未取代的亚三唑基或取代或未取代的亚四唑基，但不限于此。特别是，在通式1中，X1可以由下列通式5(1)至5(14)中的任何一个表示。在通式5(1)至5(14)中，Z1至Z8可以各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；硝基；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C20烷基；C1至C20烷氧基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C20烷基和C1至C20烷氧基；C6至C20芳基；C2至C20杂芳基；和被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C20烷基、C1至C20烷氧基、C6至C20芳基和C2至C20杂芳基中的至少一个取代的C6至C20芳基和C2至C20杂芳基中的一个。例如，在通式5(1)至5(14)中，Z1至Z8可以各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；硝基；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；甲基；乙基；丙基；丁基；戊基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；丁氧基；戊氧基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧基；苯基；萘基；蒽基；菲基；芘基；芴基；吡啶基；嘧啶基；三嗪基；喹啉基；咔唑基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C20烷基和C1至C20烷氧基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基和咔唑基中的一个，但不限于此。在通式1中，m可以是1至5的整数，例如1或2，但不限于此。通式1的胺类化合物可以为下列化合物1至98中的一个，但不限于此：缓冲层16的厚度可以在约至约的范围内，例如，约至约在一个实施方式中，当缓冲层16的厚度在这些范围内时，可以获得优异的效率特性而不会大幅增加驱动电压。缓冲层16包含通式1的胺类化合物，由此电子可以容易地被注入到EML15中。此外，通式1的基团A(参见下列通式1')可以去除至少一些没有被注入到EML15中且由此无助于激子的形成的过剩电子。由此，通过形成缓冲层16，可以降低出现在EML15和ETL17之间并由此降低OLED的效率和寿命的激子至极化子的猝灭。<通式1'>此外，激子可以进一步通过存在于通式1的部分A的氮中的非共价电子对在缓冲层16上的ETL17中形成，且所述激子迁移到EML15中，由此有助于光发射。因此，包括含通式1的胺类化合物并插入在EML15和ETL17之间的缓冲层16的OLED可以具有高效率和长寿命。接下来，在缓冲层16上通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂或浇注形成ETL17。当ETL17通过真空沉积或旋涂形成时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述沉积和涂布条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。用于形成ETL17的材料可以是已知的可以稳定传输由第二电极19注入的电子的电子传输材料。已知的电子传输材料的实例可以包括、但不限于喹啉衍生物例如三(8-羟基喹啉盐)铝(Alq3)、TAZ、BAlq和铍双(苯并10-羟基喹啉)(Bebq2)。ETL17可以包括由下列通式10A至10C中的一个表示的蒽类化合物。<通式10C>在通式10A至10C中，Ar41和Ar42可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；L1和L2可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；a和b可以各自独立地为0、1或2；R1和R2可以各自独立地为取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并嘧啶基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的芴基或取代或未取代的菲基；且R3和R4可以各自独立地为C1至C20烷基；C6至C20芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C20烷基和C6至C20芳基中的一个。在通式10A至10C中，Ar41和Ar42可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基。例如，Ar41和Ar42可以各自独立地为C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C6至C60芳基和C2至C60杂芳基。例如，Ar41和Ar42可以各自独立地为苯基；萘基；蒽基；芘基；芴基；吡啶基；吡嗪基；嘧啶基；以及被苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、吡啶基、吡嗪基和嘧啶基中的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、吡啶基、吡嗪基和嘧啶基中的一个。Ar41和Ar42基团可以彼此相同，但不限于此。在通式10A至10C中，L1和L2可以各自独立地为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基。例如，L1和L2可以各自独立地为C6至C60亚芳基；C2至C60杂亚芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C6至C60亚芳基和C2至C60杂亚芳基中的一个。例如，L1和L2可以各自独立地为亚苯基；亚萘基；亚蒽基；亚芘基；亚芴基；亚吡啶基；亚吡嗪基；亚嘧啶基；以及被苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、吡啶基、吡嗪基和嘧啶基中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚吡啶基、亚吡嗪基和亚嘧啶基中的一个，但不限于此。在通式10A至10C中，a和b可以各自独立地为0、1或2。例如，a和b可以各自独立地为0或1。在通式10A至10C中，R1和R2可以各自独立地为取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并嘧啶基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的芴基或取代或未取代的菲基。例如，在通式10A至10C中，R1和R2可以各自独立地为苯并咪唑基；苯并噁唑基；苯并噻唑基；苯并嘧啶基；咪唑并吡啶基；喹啉基；异喹啉基；喹唑啉基；吡啶基；嘧啶基；吡嗪基；苯基；萘基；芘基；基；芴基；菲基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并吡啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、苯基、萘基、芘基、基、芴基和菲基中的一个。在通式10C中，R3和R4可以各自独立地为C1至C20烷基；C6至C20芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C20烷基和C6至C20芳基中的一个。例如，R3和R4可以各自独立地为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、苯基或萘基，但不限于此。例如，R1和R2可以各自独立地为下列通式11(1)至11(24)中的一个，但不限于此：在通式11(1)至11(24)中，R10可以为取代或未取代的C1至C60烷基或取代或未取代的C6至C60芳基；Z40可以为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的一个；且c可以是1至5的整数。例如，R10可以为甲基；乙基；丙基；丁基；戊基；己基；庚基；辛基；苯基；萘基；蒽基；芴基；菲基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、苯基、萘基、蒽基、芴基和菲基中的一个。所述蒽类化合物可以由下列通式10A(1)至10A(12)、下列通式10B(1)至10B(12)和下列通式10C(1)至10C(6)中的任何一个表示，但不限于此：在通式10A(1)至10A(12)、10B(1)至10B(12)和10C(1)至10C(6)中，L1、L2、a、b和R1至R4与上述相同。根据一个实施方式，所述蒽类化合物由通式10A(1)至10A(6)、10B(1)至10B(6)和10C(1)至10C(6)中的一个表示，其中R1和R2可以各自独立地为取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并嘧啶基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基或取代或未取代的吡嗪基(例如通式11(1)至11(22)中的一个)。在另一个实施方式中，所述蒽类化合物由通式10A(1)至10A(6)、10B(1)至10B(6)和10C(1)至10C(6)中的一个表示，其中R1和R2可以各自独立地为取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基或取代或未取代的苯并噻唑基(例如通式11(1)至11(3)中的一个)。在另一个实施方式中，所述蒽类化合物由通式10A(7)至10A(12)和10B(7)至10B(12)中的一个表示，其中R1和R2可以各自独立地为取代或未取代的苯基或取代或未取代的萘基(例如通式11(23)或11(24))，但不限于此。所述蒽类化合物可以为化合物200至210中的一个，但不限于此：<化合物210>所述ETL除上述蒽类化合物之外，可以进一步包含n掺杂剂。所述n掺杂剂的实例包括Li络合物、LiF、CsF、Al2O3、SiO2、Si3N4和Cs2CO3。在一个实施方式中，所述n掺杂剂可以为下列化合物250或251，但不限于此。ETL17的厚度可以在约至约的范围内，例如，约至约当ETL17的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输性能而不会大幅增加驱动电压。还可以在ETL17上形成促进电子由阴极注入的EIL18，且用于形成EIL18的材料没有特别限制。用于形成EIL18的材料可以包括众所周知的用于形成EIL的材料，例如LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO。EIL18的沉淀条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。EIL18的厚度可以在约至约的范围内，例如，约至约当EIL18的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子注入性能而不会大幅增加驱动电压。在EIL18上形成第二电极19。第二电极19可以是作为电子注入电极的阴极。这里，用于形成第二电极19的金属可以包括具有低功函的金属，例如金属、合金、导电化合物或其混合物。特别地，第二电极19可以使用锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)或镁-银(Mg-Ag)形成为薄膜，由此是透明的。为了获得顶发射型OLED，第二电极19可以通过使用ITO或IZO形成为透明电极。已经参照图1中描述了OLED，但不限于此。例如，当EML15包含磷光掺杂剂时，可以在ETL17和EML15之间通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积形成空穴阻挡层(HBL)以防止三重态激子或空穴扩散进入ETL17中。当通过真空沉积或旋涂形成HBL时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述沉积和涂布条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。用于形成HBL的材料可以为已知的空穴阻挡材料，例如噁二唑衍生物、三唑衍生物或菲咯啉衍生物。例如，用于形成HBL的材料可以为下列BCP。HBL的厚度可以在约至约的范围内，例如，约至约当HBL的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴阻挡性能而不会大幅增加驱动电压。或者，可以不形成任何一个的EIL18。所述未取代的C1至C60烷基表示具有1至60个碳原子的直链或支链烷基。所述未取代的C1至C60烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基和己基。在所述取代的C1至C60烷基中，至少一个氢原子被氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；硝基；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基和C6至C60芳氧基中的一个所取代。所述未取代的C1至C60烷氧基具有通式-OA(A是所述未取代的C1至C60烷基)且可以为例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基等。所述烷氧基的至少一个氢原子可以被与上述取代的C1至C60烷基的取代基相同的取代基所取代。所述未取代的C2至C60烯基表示在所述未取代的C2至C60烷基的中间或末端含有至少一个碳双键的端基。所述未取代的C2至C60烯基的实例可以包括乙烯基、丙烯基、丁烯基等。所述C2至C60烯基的至少一个氢原子可以被与上述取代的C1至C60烷基的取代基相同的取代基所取代。所述未取代的C2至C60炔基表示在所述未取代的C2至C60烷基的中间或末端含有至少一个碳叁键的端基。所述未取代的C2至C60炔基的实例可以为乙炔基、丙炔基等。所述C2至C60炔基的至少一个氢原子可以被与上述取代的C1至C60烷基的取代基相同的取代基所取代。所述未取代的C6至C60芳基表示具有C6至C60碳环系统且包含至少一个芳环的单价基团。所述未取代的C6至C60亚芳基表示具有C6至C60碳环系统且包含至少一个芳环的二价基团。当所述芳基和所述亚芳基包含至少两个环时，所述至少两个环可以彼此稠合。所述C6至C60芳基和所述C6至C60亚芳基的每个中的至少一个氢原子可以被与上述取代的C1至C60烷基的取代基相同的取代基所取代。所述取代或未取代的C6至C60芳基的实例包括苯基、C1至C10烷基苯基(例如乙基苯基)、C1至C10烷基联苯基(例如乙基联苯基)、卤代苯基(例如邻-、间-和对-氟苯基、二氯苯基)、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、邻-、间-和对-甲苯基、邻-、间-和对-异丙苯基、荚基、苯氧基苯基、(α,α-二甲基苯)苯基、(N,N'-二甲基)氨基苯基、(N,N'-二苯基)氨基苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、卤代萘基(例如氟萘基)、C1至C10烷基萘基(例如甲基萘基)、C1至C10烷氧基萘基(例如甲氧基萘基)、蒽基、薁基、庚搭烯基、苊基、非那烯基、芴基、蒽喹啉基、甲基蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、乙基基、苉基、苝基、氯苝基、萉基、并五苯基、四邻亚苯基、六苯基、并六苯基、玉红省基、蔻基、三亚萘基、七苯基、并七苯基、吡蒽基和卵苯基。所述取代的C6至C60芳基的实例根据上述未取代的C6至C60芳基和取代的C1至C60烷基的实例将容易地被本领域普通技术人员所了解。所述取代或未取代的C6至C60亚芳基的实例根据上述取代或未取代的C6至C60芳基的实例将容易地被本领域普通技术人员所了解。所述未取代的C2至C60杂芳基表示包含至少一个含有至少一个选自由N、O、P和S组成的组的杂原子的环的单价基团。所述未取代的C2至C60杂亚芳基表示包含至少一个含有至少一个选自由N、O、P和S组成的组的杂原子的环的二价基团。在这方面，当所述杂芳基和所述杂亚芳基包含至少两个环时，所述至少两个环可以彼此稠合。所述杂芳基和所述杂亚芳基的每一个中的至少一个氢原子可以被与上述取代的C1至C60烷基的取代基相同的取代基所取代。所述未取代的C2至C60杂芳基的实例包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基等。所述未取代的C2至C60杂亚芳基的实例根据上述取代或未取代的C2至C60亚芳基的实例将容易地被本领域普通技术人员所了解。所述取代或未取代的C6至C60芳氧基表示通式-OA2(A2是所述取代或未取代的C6至C60芳基)，且所述取代或未取代的C6至C60芳硫基表示通式-SA3(A3是所述取代或未取代的C6至C60芳基)。现在将根据下列实施例对根据本发明的一个实施方式的OLED进行更详细地描述。这些实施例仅出于说明性的目的，并不旨在限制本发明的范围。实施例合成实施例1：化合物2的合成根据下列反应流程1合成化合物2：<反应流程1>将6.96g(20.0mmol)硼酸(中间体A)、6.48g(20.0mmol)4-溴三苯胺(中间体B)、1.15g(1.0mmol)四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)和8.29g(60.0mmol)K2CO3溶于60mlTHF/H2O(体积比2:1)混合溶液中，然后将所得到的溶液在70℃下搅拌5小时。将获得的反应溶液冷却至室温，向其中加入40ml水，然后将所得到的反应溶液用50ml乙醚萃取三次。将获得的有机层用硫酸镁干燥，并将其中的溶液蒸发以获得粗制品。将粗制品用硅胶柱层析法提纯以获得9.55g化合物2(产率87％)。将获得的化合物2用质谱分析/快原子轰击(MS/FAB)进行确认。C41H23N2:计算值548.23，得到548.61。实施例1作为阳极，将15Ω/cm2的CorningITO玻璃基板切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，将每个样品在异丙醇和纯水中用超声波清洗5分钟，然后用UV和臭氧净化30分钟。将所述ITO玻璃基板固定在真空沉积器上。将2-TNATA沉积在所述ITO玻璃基板上以形成具有厚度的HIL，将4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPS)沉积在所述HIL上以形成具有厚度的HTL。接下来，将9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯胺)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi)以98:2的重量比共沉积在所述HTL上以形成具有厚度的EML。其后，将化合物2的胺类化合物沉积在所述EML上以形成具有厚度的缓冲层。然后，将蒽类化合物(下列化合物200)和Li络合物(下列化合物250)共沉积在所述缓冲层上以形成具有厚度的ETL，将LiF沉积在所述ETL上以形成具有厚度的EIL，并将Al沉积在所述EIL上以形成具有厚度的第二电极(阴极)，由此完成了OLED的制造。对比例1除不形成所述缓冲层、并且将化合物2(胺类化合物)沉积在所述EML上以形成有厚度的ETL外，按照与实施例1中的相同的方法制造OLED。对比例2除在所述缓冲层的形成中使用BCP(见下面)代替化合物2外，按照与实施例1中的相同的方法制造OLED。<BCP>对比例3除不形成所述缓冲层、并且将所述ETL的厚度调整至外，按照与实施例1中的相同的方法制造OLED。评估实施例1测定根据实施例1和对比例3制造的每一个OLED的驱动电压、电流密度、效率、功率效率、亮度、彩色座标、量子效率和寿命，其结果示于下列表1和图2至4中。寿命测定在720nit的亮度下进行。如表1和图2至4所示，可以证实实施例1的OLED与对比例1至3的OLED相比具有优异的电特性，特别是效率和寿命特性。如上所述，根据本发明的一个或多个实施方式，包含所述胺类化合物的OLED可以具有低驱动电压、高亮度、高效率和长寿命。本发明已通过其示例性的实施方式进行了详细地展示和说明，对于本领域普通技术人员可以理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以对其在形式和细节上作出各种改变，本发明的范围通过下列权利要求及其等效内容限定。