用于集成电路的rf扼流器的制造方法
【专利摘要】本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D?RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
【专利说明】用于集成电路的RF扼流器
【技术领域】
[0001]本发明总的来说涉及集成电路，更具体地，涉及用于集成电路的RF扼流器。
【背景技术】
[0002]诸如移动通信设备的许多电子设备工作在不同的射频(RF)下。这种电子设备可将DC电源用作工作电源。可在电子设备内使用RF扼流器以提供存在于电子设备内的DC电源和RF信号之间的选择性电隔离。在一个实例中，RF扼流器允许与DC电源相关联的电流流过，而阻止与特定频率带宽相关联的电流流过。因为许多电子设备包括相对较小的电路，所以RF扼流器会占用相对大的表面积，诸如2.5平方毫米的面积。如果要阻止大范围的频率，则使用多个RF扼流器，诸如用于1GHz信号的第一 RF扼流器、用于20GHz信号的第二 RF扼流器以及用于60GHz信号的第三RF扼流器，这比单个RF扼流器占用更大的表面积。
【发明内容】
[0003]提供本发明的总述从而以简化的形式介绍在下文中以详细的描述进一步描述的一些概念。该总述并没有限定所要求主题的关键因素或必要特征，也不用于限制所要求主题的范围。
[0004]本发明提供了一种或多种RF扼流器以及用于形成这种RF扼流器的技术。在一些实施例中，提供了用于选择性过滤诸如集成电路内的RF信号的RF频率带宽的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的诸如钝化后互连(PPI)连线的金属连线。在一个实例中，金属连线对应于形成在钝化层上方的一个或多个介电层(诸如氧化硅、氮化硅、PB0、BCB或其他介电材料的复合层)内的再分布层或互连金属层中的至少一个。金属连线在金属连线的第一位置处连接至DC电源。DC电源提供了沿金属连线传输至通过DC电源供电的电路的DC电源信号。金属连线在金属连线的第二位置处连接至诸如PPI RF线的金属RF线。金属RF线将RF信号从RF输入端口传送至RF输出端口。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电容元件的诸如PPI开路枝节的金属开路枝节。金属开路枝节在第一位置和第二位置之间的金属连线的第三位置处连接至金属连线。对电感元件和电容元件进行配置，使得来自DC电源的DC电源信号可通过金属连线，而RF频率带宽内的RF信号被阻止通过金属连线。例如，电感元件允许电流流至由DC电源供电的电路，而电容元件阻止RF信号。
[0005]在一些实施例中，提供了用于选择性过滤集成电路内的诸如RF信号的RF频率带宽的3D RF扼流器。3D RF扼流器包括被配置为电感元件的诸如PPI连线的金属连线。金属连线在金属连线的第一位置处连接至DC电源。沿金属连线将DC电源所提供的DC电源信号传送至通过DC电源供电的电路。金属连线在金属连线的第二位置处连接至诸如PPIRF线的金属RF线。金属RF线将RF信号从RF输入端口传送至RF输出端口。3D RF扼流器包括被配置为电容元件的一个或多个通孔。在一个实例中，3D RF扼流器包括第一通孔，四位置处连接至第二金属连线部分的第三傭枝节，被配置为第二电容元件，第二金属:元件、电感元件、金属连线的阻抗和金属开频率带宽。
至少一个的尺寸在约六分之一的波长和约？扼流器的集成电路的光刻工艺相关联。
1:滤第二即频率带宽。
霧，即扼流器形成在其中。
总电容器，即扼流器被配置为半集总设计。9華性地过滤即频率带宽的系统，包括:3030即扼流器包括:金属连线，被配置为电至％电源，金属连线在金属连线的第二位3连接至即输出端口 ；以及第一通孔，包括接至接地点，第一通孔被配置为电容元件，兰属连线。或多个通孔。
[0021]优选地，根据被配置为第四电容元件的垂直环结构对3D RF扼流器进行配置，垂直环结构包括第一通孔的第一信号通孔部分、第一 PPI层内的第一金属线、第二 PPI层内的第二金属线、第二通孔的第二信号通孔部分以及第一 PPI层内的第三金属线，第三金属线将第二信号通孔部分连接至金属连线，通过第二金属线来连接第一信号通孔部分和第二信号通孔部分。
[0022]根据本发明的又一方面，提供了一种形成RF扼流器的方法，包括:在DC电源和金属RF线之间形成金属连线，DC电源位于金属连线的第一位置处，金属RF线位于金属连线的第二位置处，金属连线被形成为RF扼流器的电感元件；以及形成在第一位置和第二位置之间的金属连线的第三位置处连接至金属连线的金属线，金属线被形成为RF扼流器的电容元件。
[0023]优选地，该方法包括:形成第一通孔，第一通孔包括信号通孔部分和接地通孔部分，第一通孔被形成为RF扼流器的第二电容元件；将接地通孔部分连接至接地点；以及将信号通孔部分连接至金属线。
[0024]优选地，该方法包括:形成第二通孔，第二通孔包括第二信号通孔部分和第二接地通孔部分，第二通孔被形成为RF扼流器的第三电容元件；将第二接地通孔部分连接至第二接地点；以及将第二信号通孔部分连接至金属线。
[0025]优选地，该方法包括:在第一通孔的下方形成第一 PPI层，第一 PPI层包括金属线；在第一通孔之上形成第二 PPI层；以及基于曲折RF扼流器结构和垂直环RF扼流器结构中的至少一个形成连接至第一 PPI层和第二 PPI层中的至少一个的一个或多个附加通孔。
[0026]下面的说明书和附图描述了某些说明性的方面和实施例。这些只表明了应用一个或多个方面的各种方法的一些。当结合附图参考时，根据以下详细描述本发明的其它方面、优点或新特征将变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1是根据一些实施例的示出形成RF扼流器的方法的流程图；
[0028]图2A是根据一些实施例的RF扼流器的示意图；
[0029]图2B是根据一些实施例的RF扼流器的截面图；
[0030]图3是根据一些实施例的RF扼流器的示意图；
[0031]图4A是根据一些实施例的3D RF扼流器的示意图；
[0032]图4B是根据一些实施例的3D RF扼流器的示意图；
[0033]图4C是根据一些实施例的3D RF扼流器的截面图；
[0034]图5是根据一些实施例的3D RF扼流器的示意图；
[0035]图6A是根据一些实施例的3D RF扼流器的示意图；
[0036]图6B是根据一些实施例的3D RF扼流器的截面图；
[0037]图7是根据一些实施例的根据曲折结构形成的3D RF扼流器的示意图；以及
[0038]图8是根据一些实施例的根据垂直环结构形成的3D RF扼流器的示意图。
【具体实施方式】[0039]现在参照附图描述所要求主题，其中类似的参考标号在文中通常表示类似的元件。在以下描述中，为了解释的目的，提供了许多具体细节以理解所要求主题。然而，明显地，可在没有这些具体细节的情况下实施所要求主题。在其他情况下，以框图形式示出了结构和器件以利于描述所要求主题。
[0040]图1示出了根据一些实施例的形成RF扼流器的方法100，在图2A至图8中示出了通过这种方法形成的RF扼流器。在一些实施例中，在集成电路202内形成图2A的实例200中的RF扼流器216。集成电路202包括诸如钝化后互连(PPI) RF线的金属RF线208，其连接至RF输入端口 204和RF输出端口 206。金属RF线208被配置为将RF信号从RF输入端口 204传送至RF输出端口 206，使得RF信号经RF输出端口 206传送至集成电路202内的其他电路或模块(未示出)。通过DC电源214 (诸如来自DC电源214的DC电源信号电流)对集成电路202供电。
[0041]在102中，在位于金属连线210的第一位置处的DC电源214和位于金属连线210的第二位置处的金属RF线208之间形成诸如PPI连线的金属连线210。RF扼流器216被配置为沿金属连线210将DC电源214的DC电源信号传送至其他电路或模块，同时阻止一个或多个频率带宽内来自金属RF线208的RF信号。金属连线210形成为RF扼流器216的电感兀件。在一些实施例中，金属连线210的尺寸在约六分之一的波长(其与用于生成集成电路202的光刻工艺相关)和约十二分之一的波长之间，使得RF扼流器216在集成电路202内占用相对较小的面积。
[0042]在一些实施例中，如图2A的实例200和图2B的实例250所示，集成电路202包括一层或多层。例如，集成电路202包括诸如聚合物层的第一钝化层262。在第一钝化层262的顶部上形成第一 PPI层260。第一 PPI层260被配置为接地层。在第一 PPI层260的顶部上形成第二钝化层258。在第二钝化层258的顶部上形成第三钝化层254。在第三钝化层254内形成诸如金属RF线208或金属连线210的金属线256。在一个实例中，金属线256包括PPI线。在第三钝化层254的顶部上形成衬底252。衬底252包括玻璃或硅中介片、模塑料或其他衬底材料。
[0043]在一些实施例中，如图3的实例300所示，金属连线210包括一个或多个金属连线部分。在一个实例中，金属连线210包括第一金属连线部分210a和第二金属连线部分210b。第一金属连线部分210a沿着金属连线210在第三位置处连接至第二金属连线部分210b。第一金属连线部分210a在第二位置处连接至金属RF线208。在另一个实例中，金属连线210包括第三金属连线部分210c，其在金属连线210的第四位置(诸如被形成为RF扼流器216的电容元件的诸如第二 PPI开路枝节(open stub)的第二金属开路枝节314所处的位置)处连接至第二金属连线部分210b。这样，金属连线210可包括被配置为RF扼流器216的电感元件的一个或多个连线部分。
[0044]在104中，如图2A的实例200和图3的实例300所示，在RF扼流器216内形成诸如金属开路枝节211的金属线。在一些实施例中，金属开路枝节211包括PPI开路枝节。例如，金属开路枝节211沿金属连线210，在第一位置和第二位置之间的第三位置处连接至金属连线210。金属开路枝节211形成为RF扼流器216的电容元件。在一些实施例中，金属开路枝节211的尺寸在约六分之一的波长(其与用于生成集成电路202的光刻工艺相关)和约十二分之一的波长之间，使得RF扼流器216在集成电路202内占用相对较小的面积。这样，诸如在集成电路202的衬底层252上形成RF扼流器216。在一些实施例中，RF扼流器216被配置为选择性过滤一个或多个RF频率带宽(诸如对应于1GHz的第一 RF频率带宽、对应于20GHz的第二 RF频率带宽或对应于60GHz的第三RF频率带宽中的至少一个)内的RF信号。这样，基于与电容元件、电感元件、金属连线210的阻抗、金属开路枝节211的阻抗等相关的各种参数，RF扼流器216选择性地过滤RF信号。
[0045]应该理解，可以想到用于RF扼流器216的一个或多个电容元件的各种配置。在一些实施例中，基于金属开路枝节211被配置为集总电容器(lump capacitor),图2A的实例200和图3的实例300所示的RF扼流器216被配置为半集总设计。在一些实施例中，RF扼流器216包括一个或多个电容元件，诸如图3的实例300中的金属开路枝节211和第二金属开路枝节314。在一些实施例中，如图4A至图8所示，RF扼流器包括具有诸如通孔的一个或多个垂直电容元件的3D RF扼流器404。
[0046]在3D RF扼流器404的一些实施例中，图4A的实例400中的3D RF扼流器404包括第一通孔402，诸如穿过集成电路202的一个或多个聚合物层或一个或多个衬底层中的至少一层而形成在集成电路202内。第一通孔402包括信号通孔部分402b和接地通孔部分402a。接地通孔部分402a连接至诸如第一 PPI层260的接地点。信号通孔部分402b连接至配置为3DRF扼流器404的电容元件、诸如PPI线的金属线212，金属线212连接至金属连线210。在另一个实施例中，如图4B的实例450所示，信号通孔部分402b连接至与金属线212相对的金属连线210。这样，第一通孔402或金属线212中的至少一个被配置为3D RF扼流器404的电容元件，而金属连线210被配置为3D RF扼流器404的电感元件。例如，基于电容元件的阻抗控制因素，确定第一通孔402的高度值、间距值或直径值中的至少一个，使得第一通孔402利于阻止一个或多个RF频率带宽内的RF信号而允许DC电源信号经金属连线210流至其他电路或模块。基于电感元件的阻抗控制因素，确定金属连线210的诸如宽度值的一个或多个配置值，使得金属连线210利于阻止一个或多个RF频率带宽内的RF信号而允许DC电源信号经金属连线210流至其他电路或模块。
[0047]在一些实施例中，如图4A的实例400、图4B的实例450和图4C的实例480所示，集成电路202包括形成在衬底252的顶部上的一层或多层。例如，集成电路202包括形成在衬底252的顶部上的第四钝化层486。信号通孔部分402b连接在第四钝化层486和诸如金属连线210或金属线212的金属线256之间。在第四钝化层486的顶部上形成第五钝化层484。接地通孔部分402a连接在被配置为接地层的第一 PPI层260和第五钝化层484之间。在第五钝化层484的顶部上形成第六钝化层482。
[0048]在一个实例中，3D RF扼流器可包括被配置为3D RF扼流器的电容元件的一个或多个通孔。在3D RF扼流器404的一些实施例中，图5的实例500的3D RF扼流器404包括第一通孔402和第二通孔502。第一通孔402包括信号通孔部分402b和接地通孔部分402a。第二通孔502包括第二信号通孔部分502b和第二接地通孔部分502a。第二接地通孔部分502a连接至第二接地点。在一个实例中，第二信号通孔部分502b连接至金属连线210。第一通孔402被配置为3D RF扼流器404的第一电容元件,且第二通孔502被配置为3D RF扼流器404的第二电容元件。这样，3D RF扼流器404包括作为电容元件的第一通孔402、第二通孔502和金属线212，并且还包括作为电感元件的金属连线210。
[0049]在一个实例中，3D RF扼流器可包括用于连接一个或多个通孔的一个或多个PPI层。在3D RF扼流器404的一些实施例中，在第一通孔402的下方形成图6A的实例600中的第三PPI层604。在一个实例中，第三PPI层604包括金属线212。在第一通孔402之上形成第四PPI层602。在一个实例中，第四PPI层602包括连接至第二信号通孔部分502b的顶部的第一金属线602b和连接至信号通孔部分402b的顶部的第二金属线602c。这样，第一通孔402、第二通孔502以及诸如金属线212、第一金属线602b和第二金属线602c的一条或多条金属线被配置为3D RF扼流器404的电容元件。
[0050]在一些实施例中，如图6A的实例600和图6B的实例650所示，集成电路202包括形成在衬底252的顶部上的一个或多个附加层。例如，集成电路202包括在第五钝化层484和第六钝化层482之间形成的第二 PPI层652。第二 PPI层652被配置为接地层。接地通孔部分402a和接地通孔部分502a连接在第一 PPI层260和第二 PPI层652之间。信号通孔部分402b和信号通孔部分502b连接在诸如金属连线210或金属线212的金属线256和诸如第一金属线602b或第二金属线602c的第二金属线654之间。在一个实例中，金属线256包括第一 PPI线，且第二金属线654包括第二 PPI线。
[0051]在3D RF扼流器404的一些实施例中，根据曲折(meander)结构形成图7的实例700中的3D RF扼流器404。在曲折结构的实例中，3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电感元件的金属连线210。3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电容元件的第一信号通孔部分702a、第二信号通孔部分704a和第三信号通孔部分706a。3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电容元件的第一接地通孔部分702b、第二接地通孔部分704b和第三接地通孔部分706b。3D RF扼流器404包括第四PPI层，其包括连接第一信号通孔部分702a和第二信号通孔部分704a的第一金属线708。3D RF扼流器404包括第三PPI层，其包括将第二信号通孔部分704a连接至第三信号通孔部分706a的第二金属线714。第三PPI层包括将第一信号通孔部分702a连接至金属连线210的金属线212。在一个实例中，第三PPI层和第四PPI层被配置为3D RF扼流器404的电容元件。在一个实例中，第一接地通孔部分702b、第二接地通孔部分704b和第三接地通孔部分706b连接在第一 PPI层260和第二 PPI层652之间。这样，根据曲折结构形成3D RF扼流器 404。
[0052]在3D RF扼流器404的一些实施例中，根据垂直环(vertical ring)结构形成图8的实例800中的3D RF扼流器404。在垂直环结构的实例中，3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电感元件的金属连线210。3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电容元件的第一信号通孔部分802a和第二信号通孔部分804a。3D RF扼流器404包括被配置为3D RF扼流器404的电容元件的第一接地通孔部分802b和第二接地通孔部分804b。3D RF扼流器404包括第四PPI层，其包括连接第一信号通孔部分802a和第二信号通孔部分804a的第一金属线810。3D RF扼流器404包括第三PPI层，其包括将第一信号通孔部分802a连接至金属连线210的金属线212。第三PPI层包括将第二信号通孔部分804a连接至金属连线210的第二金属线806。在一个实例中，第三PPI层和第四PPI层被配置为3D RF扼流器404的电容元件。在一个实例中，第一接地通孔部分802b和第二接地通孔部分804b连接在第一 PPI层260和第二 PPI层652之间。这样，根据对应于第一信号通孔部分802a、第二信号通孔部分804a、金属线212、第一金属线810和第二金属线806的垂直环结构形成3D RF扼流器404。[0053]根据本发明的一个方面，提供了一种用于选择性过滤RF频率带宽的系统。该系统包括被配置为过滤诸如与集成电路相关联的RF信号的一个或多个频率带宽的RF扼流器。RF扼流器包括配置为RF扼流器的电感元件的诸如钝化后互连(PPI)连线的金属连线。金属连线连接在金属连线的第一位置处连接至DC电源，使得通过金属连线传送DC电源信号。金属连线连接在金属连线的第二位置处连接至诸如PPI RF线的金属RF线。金属RF线将RF输入端口连接至RF输出端口，使得金属RF线传送RF信号。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电容元件的诸如PPI开路枝节的金属开路枝节。金属开路枝节在第一位置和第二位置之间的金属连线的第三位置处连接至金属连线。确定RF扼流器的电感元件和电容元件的诸如阻抗值、电容值、电感值和其他值的各种参数，使得RF扼流器传输DC电源信号，但阻止一个或多个频率带宽内的RF信号。
[0054]根据本发明的一个方面，提供了一种用于选择性过滤RF频率带宽的系统。该系统包括配置为过滤诸如与集成电路相关联的RF信号的一个或多个频率带宽的3D RF扼流器。3D RF扼流器包括被配置为3D RF扼流器的电感元件的诸如钝化后互连(PPI)连线的金属连线。金属连线在金属连线的第一位置处连接至DC电源，使得通过金属连线传送DC电源信号。金属连线在金属连线的第二位置处连接至诸如PPI RF线的金属RF线。金属RF线将RF输入端口连接至RF输出端口，使得金属RF线传送RF信号。3D RF扼流器包括被配置为3D RF扼流器的电容元件的诸如第一通孔的一个或多个通孔。第一通孔包括信号通孔部分和接地通孔部分。接地通孔部分连接至接地点。信号通孔部分在金属连线的第三位置处连接至金属连线。确定3D RF扼流器的电感元件和电容元件的诸如阻抗值、电容值、电感值、宽度值、高度值、直径值、间距值和其他值的各种参数，使得3D RF扼流器传输DC电源信号但阻止一个或多个频率带宽内的RF信号。
[0055]根据本发明的一个方面，提供了一种形成诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器的方法。该方法包括在金属连线的第一位置处的DC电源和金属连线的第二位置处的诸如PPI RF线的金属RF线之间形成诸如钝化后互连(PPI)连线的金属连线。金属连线形成为RF扼流器的电感元件。在一些实施例中，形成在第一位置和第二位置之间的金属连线的第三位置处连接至金属连线的诸如金属开路枝节的金属线。诸如PPI线的金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在一些实施例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。在一些实施例中，在一个或多个通孔之上或下方形成一个或多个PPI层，使得第一通孔通过至少一个PPI层连接至第二通孔。
[0056]虽然已用具体语言描述主题的结构特征和方法动作，但应当理解，所附权利要求的主题不一定限于以上所描述的具体特征或动作。相反，上文描述的具体特征和动作以实施权利要求的实例形式来公开。
[0057]本发明提供了实施例的各个操作。对这些操作中的一些或全部操作的描述顺序不能被理解为这些操作隐含地依赖一定顺序。受益于该描述，本领域技术人员可想到其他顺序。而且，应当理解，不是所有的操作都必需存在于本发明所提供的每个实施例中。应当理解，本发明所描述的层、部件、元件等以相对于另一部分的具体尺寸示出，诸如结构尺寸或定向，例如，在一些实施例中，为了简化和容易理解的目的，其实际尺寸与本发明示出的尺寸基本不同。例如，此外，本发明提及了存在多种用于形成层、部件、元件等的技术，诸如蚀刻技术、注入技术、掺杂技术、旋涂技术、诸如磁控或尚子束派射的派射技术、诸如热生长的生长技术或诸如化学汽相沉积(CVD)的沉积技术。
[0058]此外，本发明使用的“示例性的”表示用作实例、情况、说明等，但未必是有益效果。如在本申请中所使用的，“或”旨在表示兼容性的“或”而不是排他性的“或”。此外，除非另有说明或从上下文明确得到是单数形式，否则本申请中所使用的“一个(a)”和“一个(an)”通常被解释为表示“一个或多个”。并且，A和B等中的至少一个等通常表示A或B或者A以及B。此外，对于在详细说明或权利要求中使用的“包括”、“具有”、“有”、“具有”或它们的变形的范围来说，这些术语用于包括与术语“包含”类似的意思。
[0059]并且，虽然已参照一个或多个实例示出并描述了本发明，但基于阅读和理解本说明书和附图，本领域的技术人员将做出等同的变更和修改。本发明包括所有的这些修改和变更并且仅限于以下权利要求书的范围。
【权利要求】
1.一种用于选择性地过滤RF频率带宽的系统，包括: RF扼流器，被配置为选择性地过滤RF频率带宽，所述RF扼流器包括: 金属连线，被配置为电感元件，所述金属连线在所述金属连线的第一位置处连接至DC电源，所述金属连线在所述金属连线的第二位置处连接至金属RF线，所述金属RF线将RF输入端口连接至RF输出端口 ；以及 金属开路枝节，被配置为电容元件，所述金属开路枝节在所述第一位置和所述第二位置之间的所述金属连线的第三位置处连接至所述金属连线。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述金属连线包括第一金属连线部分和第二金属连线部分，所述第一金属连线部分在所述第三位置处连接至所述第二金属连线部分且在所述第二位置处连接至所述金属RF线。
3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述金属连线包括在所述金属连线的第四位置处连接至所述第二金属连线部分的第三金属连线部分，并且所述RF扼流器包括: 第二金属开路枝节，被配置为第二电容元件，所述第二金属开路枝节在所述第四位置处连接至所述金属连线。
4.根据 权利要求1所述的系统，其中，所述RF扼流器被配置为: 基于所述电容元件、所述电感元件、所述金属连线的阻抗和所述金属开路枝节的阻抗中的至少一个来选择性地过滤所述RF频率带宽。
5.一种选择性地过滤RF频率带宽的系统，包括: 3D RF扼流器，被配置为选择性地过滤所述RF频率带宽，所述3D RF扼流器包括: 金属连线，被配置为电感元件，所述金属连线在所述金属连线的第一位置处连接至DC电源，所述金属连线在所述金属连线的第二位置处连接至金属RF线，所述金属RF线将RF输入端口连接至RF输出端口 ；以及 第一通孔，包括信号通孔部分和接地通孔部分，所述接地通孔部分连接至接地点，所述第一通孔被配置为电容元件，所述信号通孔部分在所述金属连线的第三位置处连接至所述金属连线。
6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述3DRF扼流器包括: 第二通孔，被配置为第二电容元件，所述第二通孔包括第二信号通孔部分和第二接地通孔部分，所述第二通孔通过金属线连接至所述金属连线。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述金属线被配置为形成在所述第二通孔下方的第一 PPI层，并且所述3D RF扼流器包括: 第二 PPI层，形成在所述第二通孔之上，所述第二 PPI层包括被配置为第三电容元件的一条或多条第二金属线。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，根据被配置为第四电容元件的曲折结构对所述3D RF扼流器进行配置，所述曲折结构包括所述第一 PPI层、所述第二 PPI层以及连接至所述第一 PPI层和所述第二 PPI层中的至少一个的一个或多个通孔。
9.根据权利要求7所述的系统，其中，根据被配置为第四电容元件的垂直环结构对所述3D RF扼流器进行配置，所述垂直环结构包括所述第一通孔的第一信号通孔部分、所述第一 PPI层内的第一金属线、所述第二 PPI层内的第二金属线、所述第二通孔的第二信号通孔部分以及所述第一 PPI层内的第三金属线，所述第三金属线将所述第二信号通孔部分连接至所述金属连线，通过所述第二金属线来连接所述第一信号通孔部分和所述第二信号通孔部分。
10.一种形成RF扼流器的方法，包括: 在DC电源和金属RF线之间形成金属连线，所述DC电源位于所述金属连线的第一位置处，所述金属RF线位于所述金属连线的第二位置处，所述金属连线被形成为所述RF扼流器的电感元件；以及 形成在所述第一位置和所述第二位置之间的所述金属连线的第三位置处连接至所述金属连线的金属线，所述金属线被形成为所述RF扼流器的电容元件。
【文档编号】H01L23/522GK104037157SQ201310226499
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2013年6月7日 优先权日:2013年3月7日
【发明者】谢政宪, 吕孟升, 蔡仲豪, 赖威志, 叶恩祥, 王垂堂, 余振华 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司