多次可编程的内存的制作方法
【专利摘要】本发明涉及多次可编程的内存，所揭露的是一种装置。本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层设置于鳍型结构的上部表面以及栅极介电层设置于鳍型结构的侧壁上。n=2x，其中x为大于或等于1的整数。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
【专利说明】多次可编程的内存
【技术领域】
[0001]本发明有关于一种内存，且尤关于一种多次可编程的内存。
【背景技术】
[0002]举例为一次性可编程的(one-time programmable; OTP) NVM的非易失性内存(NVM)电路于程序代码与数据储存应用已广受采用。然而，许多NVM使用浮接栅极作为储存媒体并且仅可编程一次。因此，无法进行装置更新。另外，单元(cell)尺寸受限于栅极对栅极限制以及覆盖容差(overlay tolerance)。这依次限制了选择栅极(SG)驱动电流及最小可用栅极长度。
[0003]因此，期望提供一种可多次更新的高度可缩放(scalable)装置。
【发明内容】
[0004]所揭露的是一种装置。本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为η个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层置于鳍型结构的上部表面并且栅极介电层置于鳍型结构的侧壁上。η=2χ，其中X为大于或等于I的整数。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
[0005]在一具体实施例中，所呈现的是形成装置的方法。本方法包括提供基板并且形成置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为η个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层置于鳍型结构的上部表面并且栅极介电层置于鳍型结构的侧壁上。η=2χ，其中X为大于或等于I的整数。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
[0006]在又一具体实施例中，所揭露的是多位装置。多位装置包括基板以及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为串连耦接于第一与第二单元终端之间的η个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层以及栅极介电层。电荷储存层置于鳍型结构的上部表面并且栅极介电层置于鳍型结构的侧壁上。η=2χ，其中X为大于或等于I的整数。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。晶体管包含第一与第二源极/漏极端。第一晶体管的第一源极/漏极端耦接于第一单元终端。最后晶体管的第二源极/漏极端耦接于第二单元终端。相邻(adjacent)晶体管的第二源极/漏极端及第一源极/漏极端在鳍型结构中形成共享源极/漏极区。
[0007]本文所揭露具体实施例的这些及其它优点及特征透过参照底下说明及附图将变的显而易知。另外，要理解的是，本文所述各种具体实施例的特征不互斥且可用各种组合与排列存在。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]在图式中，相同的组件符号在各图标中普遍意指相同的部件。还有，图式未必依比例绘制，在描述本发明的原理时通常加强重点。在底下的说明中，本发明的各种具体实施例引用下文予以说明
[0009]图1a至图1b表示内存单元的具体实施例的俯视图及等角视图；
[0010]图1c至图1d表不内存单兀的另一具体实施例的俯视图及等角视图；
[0011]图2表不内存兀的一个具体实施例；
[0012]图3a至图3c及图4a至图4c表示内存单元的不同记忆体操作；
[0013]图5a至图5b表示内存单元的具体实施例的俯视图及等角视图；
[0014]图5c至图5d表不内存单兀的另一具体实施例的俯视图及等角视图；
[0015]图6表示内存单元的具体实施例；
[0016]图7a至图7e表示用于形成装置或IC的制程具体实施例的剖面图；
[0017]图8a至图8b表示用于形成装置或IC的制程的另一具体实施例的剖面图；以及
[0018]图9a至图9b表示用于形成装置或IC的制程的另一具体实施例的剖面图。
[0019]符号说明
[0020]
【权利要求】
1.一种装置，包含: 基板；以及 设置在该基板上的鳍型结构，该鳍型结构作为η个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，η=2χ, X为大于或等于I的整数，其中，晶体管能在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，该装置为具有η个位的多位内存单元。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，该晶体管包含η个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，该栅极包含环绕该鳍型结构的栅极电极。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。
6.根据权利要求3所述的装置，在相邻于该栅极的该鳍型结构中包含掺杂区。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，该等电荷储存层包含氧化物-氮化物-氧化物堆叠。
8.一种形成装置的方法，包含: 提供基板；以及` 形成鳍型结构设置在该基板上，该鳍型结构作为η个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，η=2χ，X为大于或等于I的整数，其中，晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，该装置为具有η个位的多位内存单元。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，该晶体管包含η个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，该栅极包含环绕该鳍型结构的栅极电极。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。
13.根据权利要求8所述的方法，包含在该等电荷储存层的侧壁上形成保护层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，该等电荷储存层包含氧化物-氮化物-氧化物堆叠。
15.根据权利要求8所述的方法，包含在相邻于该栅极的该鳍型结构中形成掺杂区。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，该等掺杂区包含耦接于选择线和位线的源极/漏极区。
17.一种多位装置，包含: 基板； 设置于该基板上的鳍型结构，该鳍型结构作为串连耦接于第一与第二单元终端之间的η个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，η=2χ，X为大于或等于I的整数，其中，晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换，其中，晶体管包含第一与第二源极/漏极终端，该第一晶体管的第一源极/漏极终端耦接于该第一单元终端，该最后晶体管的第二源极/漏极终端耦接于该第二单元终端，相邻晶体管的第二源极/漏极终端和第一源极/漏极终端在该鳍型结构中形成共享源极/漏极区。
18.根据权利要求17所述的多位装置，其中，晶体管包含η个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。
19.根据权利要求18所述的多位装置，其中，该晶体管包含环绕该鳍型结构的栅极电极。
20.根据权利要求18所述的多位装置，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。
【文档编号】H01L27/115GK103633097SQ201310363405
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年8月20日 优先权日:2012年8月20日
【发明者】卓荣发, 陈学深, 林启荣, 郭克文 申请人:新加坡商格罗方德半导体私人有限公司