技术总结
一种超级结晶体管及其形成方法，其中，超级结晶体管包括：半导体衬底内具有第二掺杂离子；位于半导体衬底内的若干第一沟槽，第一沟槽的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，且第一沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；位于第一沟槽内的第一半导体层，第一半导体层内具有第一掺杂离子；位于相邻第一半导体层之间的半导体衬底内的第二沟槽；位于第二沟槽内的第二半导体层，第二半导体层内具有第二掺杂离子；位于第二半导体层表面的栅极结构、相邻栅极结构之间的第一半导体层内的体区以及栅极结构两侧的体区内的源区，源区内具有第二掺杂离子，体区内具有第一掺杂离子，且部分体区与栅极结构重叠。所述超级结晶体管的击穿电压提高、性能改善。
技术研发人员：刘宪周
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201310371204
技术研发日：2013.08.22
技术公布日：2017.03.01