电接触垫的制作方法
【专利摘要】本发明涉及电接触垫，其中该电接触垫被划分为至少两个相互电分离的区域。这些区域能够首先处于不同的电势。通过施加接合线或夹子，两个电势又被短路。
【专利说明】电接触垫
【技术领域】
[0001]本发明涉及电接触垫。
【背景技术】
[0002]在电子开关电路或半导体壳体的情况下外部可见的连接端子(管脚)通过在壳体的内部中的接合线与芯片连接端子(接合岛或垫)连接。该垫在其侧是金属接触，该接触借助欧姆接触与半导体电连接。接合线的任务是原本的集成电路或裸露的组件和壳体之间的电连接。在制造芯片期间和之后必须测试该芯片。在测试中，在芯片上执行必需的特殊测量，用于验证该芯片的无缺陷的工作方式。为此用于测量的经常被分离的电势是必要的，然而这些电势之后在芯片的“正常的”运行中不再需要。为此通常提供附加的接合垫，于是该接合垫在测试之后例如与接合线连接并且因此被电短路。这种解决方案有缺点，即必须提供至少两个接合垫和一条接合线。这造成对芯片面积的较高的需求和较高的材料成本。
【发明内容】
[0003]因此本发明的任务是克服该缺点并且因此提供一种电接触垫，通过该电接触垫能够节省芯片面积和成本。
[0004]该任务通过独立权利要求1的主题来解决。从属权利要求分别描述本发明的有利的实施方式。
[0005]在一个有利的实施方式中，该电接触垫被划分为至少两个相互电分离的区域。这些区域能够首先处于不同的电势。通过施加接合线或夹子，两个电势(Potentialhjilften)又被短路。该解决方案的优点在于，该芯片在其生产应用中不需要两个或更多个也作为接合垫而已知的接触垫，该接触垫随后借助接合线被短路。由此所需的芯片面积能够被显著地减小并且材料成本能够被节省。
[0006]在另一个实施方式中，电接触垫的至少两个相互分离的区域能够借助电导体在接触区中相互接触。接触区优选地沿着电接触垫的至少两个区域的地形上的分界线形成，因为在那里被分离的区域紧密相邻并且因此很容易被跨接，并且因此能够被电接触。
[0007]在另一个实施方式中，用于接触电接触垫的电分离的区域的电导体是接合线。接合线是能够容易获得的并且是能够低成本地制造的。接合线大多由金或也由制成合金的或掺杂的金构成，但是具有(小的)硅含量(AlSiI)的铝和铜也被使用。
[0008]在一个扩展实施方式中，该接合线在接合时形成在接触垫的表面上的接触面，该接触面将至少两个相互分离的电区域相互电连接。在半导体器件的顺序的接触或接合情况下的不同的方法变形方案可以是热压接合(TC接合)、热声波球一楔接合(TS接合)和/或超声波楔一楔接合(US接合)。首先提及的方法通常利用金线来工作，该US接合能够利用铝或铝硅线(AlSil)来执行。接合的另一种有利的变形方案是双针(Double Stich)方法中的接合。在此，该接合线被固定在例如IC (集成电路)的接触上，随后被拉到该IC的另一个接触并在那里同样被固定，随后从该IC离开被拉到外部的接触上并被固定。[0009]在另一个实施方式中，至少两个相互电分离的区域在地形上通过直线和/或通过曲折状或蛇线状走向的线被布置在非导电材料之内，相互电分离。该布置提供如下优点，即电接触垫的区域之间的潜在的接触区的数量借助分离区域(没有金属化，即不导电)的线走向是可调节的。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1示出一个电接触垫，其中线示出两个区域之间的电分离。在此该线例如被实施为直的，或附加地具有弯曲。
[0011]图2示出一个电接触垫，其中线示出两个区域之间的电分离。在此该线例如以多个弯曲曲线状地被实施。
[0012]图3通过下述基本上区别于图1和2，即在该实施方式中该线以很多的螺旋和/或转弯弯曲状或蛇形状来实现。
【具体实施方式】
[0013]本发明的实施例下面参考附图进一步被说明。但是本发明不局限于具体所描述的实施方式，而是能够以合适的方式被修改和被改变。以下处于本发明的范围内，即，将一个实施方式的各个特征和特征组合与另一个实施方式的特征和特征组合适当地组合，以便得到其它的根据本发明的实施方式。
[0014]在下面借助图进一步说明本发明的实施例之前，要指出，图中的相同的元件配备有相同或相似的附图标记，并且这些元件的重复性的描述被省略。此外，该图不是必然是比例正确的。重点更确切地在于基本原理的说明。
[0015]图1示出一个电接触垫100，其中线150示出两个区域110、120之间的电分离。该电接触垫的分离有利地在制造集成开关电路时在前端中实现。在那里于是可以在被分离的接触垫100上执行特殊测量。因为这些特殊测量之后不必再被执行，所以电接触垫100的区域110、120又被短路。在此电接触垫100的区域110、120可以位于相同的或不同的电势上，该电势随后被短路。该线150 (或也可称作间隙)显示导电材料的缺少。优选地，该区域可以具有聚酰亚胺、酰亚胺或氧化物或者至少部分地利用模制复合物来填充。替代地，该中间区域或间隙区域可以具有空腔。该线150或该间隙可以优选地具有从几个nm直到100μ m的宽度。有利地，该线150可以具有在I μπι到2μπι的范围中的宽度，或该线150可以具有在2μπι到5μπι的范围中的宽度，或该线150可以具有在5μπι到10 μπι的范围中的宽度，或该线150可以具有在ΙΟμπι到20 μπι的范围中的宽度，或该线150可以具有在20 μ m到50 μ m的范围中的宽度，或该线150可以具有大于50 μ m的范围中的宽度。在此，该线例如被实施为直的，或附加地具有弯曲。此外，图1示出用于电接触该接触垫的两个区域110、120的接触区300的例子。该接触区300沿着线走向150延伸，并且在此可以具有不同的尺寸和/或形状。在该实施方式中仅提供小的潜在的接触区300。接合线在接触区之外被接合305以及因此电接触垫的区域110、120没有电接触的风险是高的。接合线或夹子大多数具有金或者也具有制成合金的或掺杂的金，但是具有硅含量的铝(AlSil)和铜也被使用。在此，较细的接合线允许较窄的垫几何形状并且因此允许较高的封装密度。在功率电子领域中应用纯的(99.99% Al含量和更高的)铝材料，在分立的半导体(二极管、晶体管)中大多使用高纯金(当前铜线处于测试阶段中)。在用于使用高电流负载的功率半导体中使用直径在100 μ m到500 μ m之间的粗线或粗线小带。如果这不够用，那么多倍接合。
[0016]图2示出一个电接触垫100，其中线150示出两个区域110、120之间的分离。在此，该线150例如以多个弯曲曲线状地被实施。此外，图2示出用于电接触该接触垫的两个区域110、120的接触区的例子。接触垫有利地可以具有铜、铜合金、金、金合金、铝、铝合金。该接触区300在这里也沿着线走向150延伸。在该实施方式中提供明显更多的潜在的接触区300用于区域110、120的电接触。接合线造成电接触垫的两个区域110、120之间没有短路305的风险被减小。
[0017]图3与图1和2的区别基本上在于，在该实施方式中该线150以很多的螺旋和/或弯曲曲折状或蛇状地被实施。接触区300在这里也沿着线走向150延伸。在该实施方式中，因此用于电接触区域110、120的潜在的接触区300的数量几乎被最大化。接合线造成电接触垫的两个区域110、120之间没有短路的风险几乎被最小化。接触区300也引起区域110、120的电接触。特别有利的是电接触垫的利用，该电接触垫至少一半已经处于所显示的电势上，例如在MOSFET中并且作为源极传感器，抽头已经被安装在芯片上。在区域110、120的电接触之后整个区域处于源极电势。因此用于接触的附加的芯片面积不是必要的。此外，在此所描述的被划分成区域的接触垫可以有利地在如下处被采用，在该处不同的金属线路应该被相互电短路。特别是在被实现在芯片上(芯片上(ON-Chip))的传感器结构中，在沟槽中的多个电极(每个沟槽3个多晶硅(Polys)或更多)中或在沟槽到沟槽的有针对性地想要的连接中，电连接可以借助电接触垫100的区域110、120的电接触来实现。具有相互电分离的区域110、120的电接触垫100能够在极大不同的组件类型中被使用，例如在二极管、MOS、IGBT、IC中被使用，但是也可以在垂直导通MOS和在沟槽中具有一个或多个电极的相/沟槽晶体管中被使用。在双多晶(DualPoly)和沟槽MOS中该采用或使用也是特别有利的。
【权利要求】
1.电接触垫，其中所述电接触垫具有至少两个相互电分离的区域。
2.根据权利要求1所述的电接触垫，其中至少两个相互分离的区域借助电导体在接触区中相互接触。
3.根据权利要求2所述的电接触垫，其中所述电导体是接合线或夹子。
4.根据权利要求3所述的电接触垫，其中所述接合线在接合时在分离的区域的接触范围中形成接触面，所述接触面将至少两个相互分离的电区域相互电连接。
5.根据上述权利要求之一所述的电接触垫，其中地形上基本上通过直线和/或通过曲折状走向的线和/或通过蛇线状走向的线示出至少两个相互电分离的区域的分离。
6.多个根据上述权利要求之一所述的电接触垫，其中多个电接触垫借助电导体在接触区中相互电接触。
【文档编号】H01L23/488GK103779301SQ201310466705
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月9日 优先权日:2012年10月9日
【发明者】E.J.福格尔, M.温克勒, M.聪德尔 申请人:英飞凌科技股份有限公司