电磁继电器和用于制造电磁继电器的方法

电磁继电器和用于制造电磁继电器的方法
【专利摘要】本发明涉及电磁继电器和用于制造电磁继电器的方法。电磁继电器（100）包括：铁芯（28），所述铁芯具有端面（28a）和槽（28b），所述槽穿过端面；和校正线圈（30），所述校正线圈装配在槽中；其中，通过将填塞工艺应用到端面中的夹着槽的多个区域（28c、28d、42），将校正线圈固定到铁芯。
【专利说明】电磁继电器和用于制造电磁继电器的方法

【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电磁继电器和制造电磁继电器的方法。

【背景技术】
[0002]存在着一种交流电磁继电器，所述交流电磁继电器将交流电压施加到作为电磁继电器的线圈，所述电磁继电器用电磁体驱动开关。为了保持电磁体的吸引力恒定不变和限制拍(beat)，将校正线圈附接到铁芯。因为利用校正线圈限制拍，所以交流电压的整流不是必须的。专利文献I公开了一种技术，所述技术使用永磁体和辅助磁轭作为帮助吸引力的构件。专利文献2公开了一种技术，所述技术利用螺丝机构将校正线圈附接到铁芯。专利文献3公开了一种技术，所述技术将校正线圈压向铁芯并且固定校正线圈。专利文献4公开了一种技术，所述技术通过将填塞工艺施加到铁芯的极面来固定校正线圈。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本公开专利公报N0.2008-171639
[0006]专利文献2:日本公开专利公报N0.6-53027
[0007]专利文献3:日本公开专利公报N0.1-283904
[0008]专利文献4:日本未经检验的实用新型公报N0.62-114411


【发明内容】

[0009]本发明解决的问题
[0010]因将填塞工艺应用到铁芯，故有损校正线圈拍的限制效果，并且因此电磁继电器有可能无法适当地运转。鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种能够限制拍的电磁继电器和用于制造该电磁继电器的方法。
[0011]用于解决所述问题的手段
[0012]本发明的电磁继电器包括:铁芯，所述铁芯具有端面和槽，所述槽穿过所述端面；和校正线圈，所述校正线圈装配在所述槽中；其中，通过将填塞工艺应用于所述端面中的夹着所述槽的多个区域，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
[0013]利用上述构造，填塞工艺能够在夹着所述槽的两个端部的位置中应用于所述区域。
[0014]本发明的电磁继电器包括:铁芯，所述铁芯具有端面和穿过所述端面的槽；和校正线圈，所述校正线圈装配在所述槽中；其中，通过将填塞工艺应用于所述端面，将所述校正线圈固定到所述铁芯，并且所述端面的除了应用所述填塞工艺的区域之外的至少一部分被整平。
[0015]在上述构造的情况中，Btt连应用所述填塞工艺的区域的区域能够被整平。
[0016]本发明的电磁继电器包括:铁芯，所述铁芯具有端面和穿过所述端面的槽；校正线圈，所述校正线圈装配在所述槽中；和保持单元，所述保持单元设置在插入有所述铁芯的线筒中，并且所述保持单元保持所述校正线圈的外周面。
[0017]在上述构造的情况中，所述线筒能够包括:贮存单元，所述贮存单元贮存所述校正线圈；和多个保持单元，所述多个保持单元能够从所述贮存单元的内壁朝向所述校正线圈突出。
[0018]一种用于制造本发明的电磁继电器的方法包括:将校正线圈装配在槽中，所述槽穿过铁芯的端面；和通过将填塞工艺应用于所述端面中的夹着所述槽的多个区域，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
[0019]在所述构造的情况中，通过将填塞工艺在夹着槽的两端的位置中应用于所述区域，能够将校正线圈固定到铁芯。
[0020]一种用于制造本发明的电磁继电器的方法包括:将校正线圈装配在穿过铁芯的端面的槽中；和在从所述端面的径向方向支撑所述铁芯的同时，通过将填塞工艺应用到所述端面，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
[0021 ] 在上述构造的情况中，在从与穿过端面的槽的方向相交的方向支撑铁芯的同时，能够实施所述固定。
[0022]在上述构造的情况中，在支撑铁芯以便包围端面的同时能够实施所述固定。
[0023]一种用于制造本发明的电磁继电器的方法包括:将校正线圈装配在穿过铁芯的端面的槽中；通过将填塞工艺应用到所述端面，将所述校正线圈固定到所述铁芯；和整平所述端面。
[0024]在上述构造的情况中，Btt连所述端面中的应用所述填塞工艺的区域的区域能够被整平。
[0025]在上述构造的情况中，在固定之后能够实施所述整平。
[0026]本发明的效果
[0027]根据本发明，电磁继电器和用于制造电磁继电器的方法能够限制拍。

【专利附图】

【附图说明】
[0028]图1是图解了电磁继电器的分解透视图；
[0029]图2A是图解了电磁体的分解透视图；
[0030]图2B是图解了组装有线筒、电枢、和电磁体的构造的透视图；
[0031]图3A是图解了组装有卡、线筒、电枢、电磁体和接触构件的构造的透视图；
[0032]图3B是图解了电磁继电器的透视图；
[0033]图4A是图解了填塞工艺的剖视图；
[0034]图4B是图解了电磁体的俯视图；
[0035]图5A是图解了根据第一实施例的填塞工艺的剖视图；
[0036]图5B是图解了电磁体的俯视图；
[0037]图6A是图解了根据第二实施例的填塞工艺的剖视图；
[0038]图6B是图解了电磁体的俯视图；
[0039]图7A是图解了填塞冲头和支撑单元的剖视图；
[0040]图7B和图7C是图解了填塞工艺的剖视图；
[0041]图8A是图解了填塞冲头和整平单元的剖视图；
[0042]图8B是图解了整平工艺的剖视图；
[0043]图8C是图解了填塞工艺的剖视图；
[0044]图9A是图解在整平工艺和填塞工艺之后的电磁体的俯视图；
[0045]图9B是图解了整平工艺和填塞工艺的另一个示例的剖视图；
[0046]图1OA是图解了根据第五实施例的电磁继电器的线筒的透视图；
[0047]图1OB是图解了线筒的正视图；
[0048]图1lA是图解了电磁体的透视图；和
[0049]图1lB是图解了电磁体的正视图。

【具体实施方式】
[0050]现在将描述电磁继电器的构造。图1是图解了电磁继电器100的分解透视图。图2A是图解了电磁体32R的分解透视图。图2B是图解了组装有线筒(bobbin) 16、电枢(armature)24和电磁体32R的构造的透视图。图3A是图解了组装有卡(card)14、线筒16、电枢24、电磁体32R和接触构件(即，可运动的接触构件18和固定的接触构件20和22)的构造的透视图。图3B是图解了电磁继电器100的透视图。
[0051]如图1所示，电磁继电器100包括盖10、壳体12、卡14、线筒16、接触构件、电枢24和电磁体32R。
[0052]如图2A和2B所示，电磁体32R包括线筒16、线圈26和铁芯28。线圈26卷绕在线筒16的区域16a上。在区域16a内部形成气孔16b。铁芯28插入到气孔16b中。如稍后描述的那样，铁芯28的端面28a用作电磁体32R的吸引表面。穿过端面28a的槽28b设置在端面28a上。可以设想的是，端面28a中由槽28b分隔开的一个区域是第一区域28c，而端面28a中的另一个区域是第二区域28d。如图2A中的虚线图解的那样，铁芯28穿过校正线圈(shading coil) 30的孔30a。校正线圈30装配到槽28b中，以便例如包围第一区域28c。如下所述,将填塞(caulking)工艺应用到第一区域28c,使得校正线圈30固定到铁芯28。线筒16的端子16c电连接到线圈26。电枢24设置成与端面28a相对。线筒16插入到壳体12的气孔12a中。
[0053]如图1和图3A所示,可运动接触构件18包括端子18a、以及电连接到端子18a的可运动接触件18b。固定的接触构件20包括端子20a、以及电连接到端子20a的固定的接触件20b。端子18a、20a和22a中的每一个是用于实施电磁继电器100和外部装置之间的电连接的端子。如图3A所示，接触构件安装在壳体12上，以便经由线筒16位于与端面28a相对的侧部上。从线筒16附近的位置，相继布置有固定的接触构件20、可运动接触构件18和固定的接触构件22。卡14放置在壳体12上并且与电枢24相联接。如图3B所示，盖10设置成穿过卡14覆盖壳体12。
[0054]当没有将电压施加到线圈26时，电磁体32R没有产生磁力。因此，电枢24没有被吸引到端面28a，并且与端面28a分离开。可运动接触构件18是包括例如板簧的构件，并且针对可运动接触件18b致使产生沿着Zl方向的力。因此，可运动接触件18b接触固定的接触件20b，并且与固定接触件22b分离开。当经由端子16c将电压施加到线圈26时，电磁体32R产生磁力。电枢24沿着Z2方向运动，并且吸引到端面28a (见图2B)。电枢24沿着Z2方向按压卡14，并且卡14沿着Z2方向按压可运动接触构件18 (见图3A)。S卩，卡14将电枢24的按压力传递到可运动接触构件18。可运动接触件18b沿着Z2方向运动，与固定接触件20b分离开并且接触固定接触件22b。从而，能够接通电磁继电器100。
[0055]将解释在铁芯28中发生的弯曲和变形。图4A是图解了填塞工艺的剖视图，图4B是图解了电磁体32R的俯视图。在此，将槽28b穿过端面28a的方向设定为X方向，而端面28a中垂直于X方向的方向设定为Y方向。
[0056]如图4A所示，设置在铁芯28上的填塞冲头40沿着Z2方向下降。填塞冲头40按压第一区域28c和校正线圈30，以便实施填塞工艺。如由4B中的虚线方框图解的那样，填塞区域42形成在第一区域28c的两个端部和校正线圈30上。填塞区域42中的每一个均是已经实施填塞工艺的区域。在填塞区域42中，端面28a和校正线圈30被挤压。因此，校正线圈30固定到铁芯28。填塞区域42没有形成在第二区域28d上。即，没有将填塞工艺施加到第二区域28d。
[0057]将填塞冲头40的按压力不均匀地增加到第一区域28c。因此，如图4A的箭头所示，铁芯28的第一区域28c沿着Y方向弯曲。另外，如图4B的阴影线栅格表示的那样，在第一区域28c中发生变形28e (厚度偏差)。变形28e是第一区域28c的粗糙度。在例如毗连填塞区域42的区域中易于发生变形28e。电磁体32R的磁力因弯曲和变形28e而发生变化。结果，没有限制拍，而且有损电磁继电器的功能。接下来，将参照附图描述本发明的实施例。
[0058](第一实施例)第一实施例表示了这样的示例，在所述示例中，填塞工艺应用到第一区域28c和第二区域28d。除了电磁体32之外，电磁继电器的构造与上述电磁继电器的构造相同。图5A是图解了根据第一实施例的填塞工艺的剖视图。图5B是图解了电磁体32的俯视图。
[0059]如图5A所示，将填塞工艺应用到夹着槽28b的两个区域(即，第一区域28c和第二区域28d)。结果，如图5B所示，填塞区域42形成在第一区域28c和第二区域28d上。从而，校正线圈30固定到铁芯28。
[0060]填塞冲头40按压第一区域28c和第二区域28d。从而，填塞冲头40的按压力难以偏斜，并且几乎均匀地增加到第一区域28c和第二区域28d。因此，限制了铁芯28的弯曲。从而，能够限制拍。
[0061]为了将填塞工艺应用到第一区域28c和第二区域28d，填塞冲头40的宽度可以跨越槽28b，并且与第一区域28c和第二区域28d重叠。填塞冲头40可以从比较示例的位置偏移，并且可以布置在与第一区域28c和第二区域28d重叠的位置处。例如，第一区域28c的包括在填塞区域42中的每一个中的部分的尺寸可以不同于第二区域28d的包括在填塞区域42中的每一个中的一部分的尺寸。而且，第一区域28c的包括在填塞区域42中的每一个中的一部分的尺寸可以与第二区域28d的包括在填塞区域42中的每一个中的一部分相等。从而，增加到第一区域28c的按压力基本等于增加到第二区域28d的按压力，并且因此限制了弯曲。理想的是，填塞区域42位于槽28b的两个端部28b-l处。S卩，理想的是，填塞工艺在夹着槽28b的两个端部28b-l的位置处应用于第一区域28c和第二区域28d。从而，均匀增加按压力并且有效地限制弯曲。当多条槽设置在端面28a上，并且端面28a分成三个或者更多个区域时，填塞冲头40可以将填塞工艺施加到夹着所述槽夹的区域上。
[0062](第二实施例)第二实施例表明这样的示例，在所述示例中，在支撑铁芯28的同时实施填塞工艺。图6A是图解了根据第二实施例的填塞工艺的剖视图。图6B是图解了电磁体32的俯视图。
[0063]如图6A和图6B所示，支撑单元41沿着Y方向夹着铁芯28和校正线圈30。在支撑单元41沿着Y方向支撑铁芯28的侧表面的状态下，实施填塞工艺。从而，能够限制弯曲。
[0064]支撑单元41可以沿着端面28a的径向方向支撑铁芯28的侧表面(即，从铁芯28的外侧朝向铁芯28的中心的方向)。如图4A所示，容易沿着Y方向发生弯曲。因此，支撑单元41沿着Y方向支撑铁芯28，以便能够有效地限制弯曲。支撑单元41可以沿着与X方向交叉的方向而非Y方向支撑铁芯28的侧表面，并且可以将铁芯28的侧表面支撑成例如环绕端面28a。支撑单元41设置在夹具上，用于例如固定线筒16。
[0065](第三实施例)第三实施例表明了另一个不例，在所述另一个不例中，在支撑铁芯28的同时实施填塞工艺。图7A是图解了填塞冲头40和支撑单元44的剖视图。图7B和图7C是图解了填塞工艺的剖视图。省略了线筒16。将倾斜线添加到填塞冲头40。
[0066]如图7A所示，支撑单元44设置成环绕填塞冲头40。填塞冲头40能够独立于支撑单元44下降和上升。例如，支撑单元44具有覆盖端面28a的类似于穹顶的形状。接下来，解释填塞工艺。
[0067]如图7B所示，支撑单元44在填塞冲头40之前下降，并且接触端面28a的边缘部。因此，支撑单元44沿着端面28a的径向方向支撑端面28a的边缘部。此时，填塞冲头40没有接触端面28a。如图7C所示，填塞冲头40实施填塞工艺。即，在支撑单元44支撑端面28a的边缘部的状态中实施填塞工艺。因此，限制铁芯28弯曲。
[0068]理想的是，为了有效限制弯曲，在填塞冲头40接触铁芯28之前，支撑单元44接触铁芯28。支撑单元44沿着端面28a的径向方向完全环绕端面28a。因此，能够限制沿着所有方向上发生弯曲。在此，支撑单元44不需要完全环绕端面28a，并且可以例如环绕端面28a的一部分。特别地，理想的是支撑单元44沿着Y方向支撑端面28a。这是因为能够限制沿着Y方向易于发生的弯曲。支撑单元44的形状可以是除了穹顶形状之外的形状，并且支撑单元44需要具有接触端面28a的边缘部和铁芯28的侧表面的区域。
[0069]第二和第三实施例可以与第一实施例相组合。即，填塞工艺可以应用到第一区域28c和第二区域28d，同时铁芯28沿着端面28a的径向方向得到支撑。因此，能够有效地限制弯曲。
[0070](第四实施例)第四实施例表明一种示例，在所述示例中，实施整平工艺。图8A是图解了填塞冲头40和整平单元46的剖视图。图8B是图解了整平工艺的剖视图。图8C是图解了填塞工艺的剖视图。省略了线筒16。
[0071]如图8A所示，填塞冲头40位于整平单元46内部。填塞冲头40能够独立于整平单元46下降和上升。接下来，解释了填塞工艺和整平工艺。
[0072]如图8B所示，填塞冲头40在整平单元46之前下降，并且实施填塞工艺。如图8C所示，在填塞工艺之后，整平单元46下降并且按压端面28a。因此，实施了整平工艺，并且端面28a变平整。
[0073]图9A是图解了整平工艺和填塞工艺之后的电磁体32的俯视图。如图9A所示，通过整平工艺移除了变形部28e (见图4B)，并且整平区域28f形成在端面28a上。整平区域28f比变形部28e更平整。因此，能够有效地限制拍。
[0074]为了移除变形，整平单元46整平了端面28a中除了填塞区域42之外的区域的至少一部分。特别地，理想的是整平单元46整平毗连填塞区域42的区域。这是因为变形部28e容易产生在毗连填塞区域42的区域中。另外，整平单元46可以整平除了填塞区域42之外的整个区域。因此，能够进一步提高端面28a的整平。
[0075]图9B是图解了整平工艺和填塞工艺的另一个示例的剖视图。如图9B所示，在填塞冲头40接触端面28a之前整平单元46接触端面28a，并且随后在整平单元46按压端面28a的状态中可以实施整平工艺。即，可以同时实施填塞工艺和整平工艺。因此，能够限制产生变形。
[0076]第一至第三实施例可以与第四实施例相组合。因此，能够限制弯曲，并且能够移除变形。因此，能够有效地限制拍。
[0077](第五实施例)第五实施例表示一种示例，在所述示例中，通过推动校正线圈30的外周面将校正线圈30固定到铁芯28。图1OA是图解了根据第五实施例的电磁继电器的线筒16的透视图。图1OB是图解了线筒16的正视图。铁芯28和校正线圈30没有设置在线筒16上。图1lA是图解了电磁体32的透视图。图1lB是图解了电磁体32的正视图。
[0078]如图1OA至图1lB所示，气孔16d (B卩，贮存单元)形成在线筒16中。五个突出部16e (即，保持单元)形成在线筒16的环绕气孔16d的内壁中。突出部16e从内壁突出到气孔16d的内部。
[0079]如图1lA和IlB所示，铁芯28插入到线筒16中，并且校正线圈30装配在铁芯28中。校正线圈30位于气孔16d中。突出部16e朝向校正线圈30突出，并且保持校正线圈30的外周面。因此，校正线圈30固定到铁芯28。根据第五实施例，不需要填塞工艺。因此，能够限制因填塞工艺所导致产生的弯曲和变形。
[0080]理想的是，突出部16e保持校正线圈30，以牢固固定校正线圈30。还理想的是，突出部16e从多个方向保持校正线圈30。在第五实施例中，因为突出部16e从X方向和Y方向保持校正线圈30，所以能够牢固固定校正线圈30。因此，理想的是突出部16e从多个方向保持校正线圈30。突出部16e可以从X方向和Y方向中的任意一个方向保持校正线圈30。可替代地，突出部16e可以从除了 X方向和Y方向之外的方向保持校正线圈30。尽管突出部16e的数量是五个,但是突出部16e的数量可以等于或者小于四个、或者等于或者大于六个。
[0081 ] 而且在第五实施例中，可以如第一至第四实施例那样实施填塞工艺。因此，更加牢固固定校正线圈30。
[0082]尽管详细描述了本发明的实施例，但是本发明并不受限于具体描述的实施例和变形方案，而是在不悖离所声明的发明的范围的前提下可以实施其它实施例和变形方案。
[0083]附图标记的解释
[0084]16线筒；16d气孔；16e突出部；28铁芯；28a端面；28b槽；28c第一区域；28d第二区域；28e变形部；28f整平区域；30校正线圈；32电磁体；40填塞冲头；41、44支撑单元；42填塞区域；46整平单元；100电磁继电器
【权利要求】
1.一种电磁继电器(100),所述电磁继电器的特征在于包括: 铁芯(28)，所述铁芯具有端面(28a)和穿过所述端面的槽(28b);和 校正线圈(30)，所述校正线圈装配在所述槽中； 其中，通过将填塞工艺应用于所述端面中的夹着所述槽的多个区域(28c，28d，42)，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
2.根据权利要求1所述的电磁继电器，其特征在于，所述填塞工艺在夹着所述槽(28b)的两个端部(28b-l)的位置中应用于所述区域(28c，28d，42)。
3.—种电磁继电器(100),其特征在于包括: 铁芯(28 )，所述铁芯具有端面(28a)和穿过所述端面的槽(28b );和 校正线圈(30)，所述校正线圈装配在所述槽中； 其中，通过将填塞工艺应 用于所述端面，将所述校正线圈固定到所述铁芯，并且所述端面的除了应用所述填塞工艺的区域(42)之外的至少一部分(28f)被整平。
4.根据权利要求3所述的电磁继电器，其特征在于，Btt连应用所述填塞工艺的区域(42)的区域(28f)被整平。
5.—种电磁继电器(100),所述电磁继电器的特征在于包括: 铁芯(28 )，所述铁芯具有端面(28a)和穿过所述端面的槽(28b ); 校正线圈(30)，所述校正线圈装配在所述槽中；和 保持单元(16e)，所述保持单元设置在插入有所述铁芯的线筒(16)中，并且所述保持单元保持所述校正线圈的外周面。
6.根据权利要求5所述的电磁继电器，其特征在于，所述线筒包括:贮存单元(16d)，所述贮存单元贮存所述校正线圈；和多个保持单元(16e)，所述多个保持单元从所述贮存单元的内壁朝向所述校正线圈突出。
7.一种用于制造电磁继电器(100)的方法，其特征在于包括: 将校正线圈(30)装配在槽(28b)中，所述槽穿过铁芯(28)的端面(28a);和通过将填塞工艺应用于所述端面中的夹着所述槽的多个区域(28c，28d，42)，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
8.根据权利要求7所述的用于制造电磁继电器的方法，其特征在于，通过将填塞工艺在夹着所述槽(28b)的两个端部(28b-l)的位置中应用于所述区域(28c，28d，42)，将所述校正线圈固定到所述铁芯。
9.一种用于制造电磁继电器(100)的方法，其特征在于包括: 将校正线圈(30)装配在穿过铁芯(28)的端面(28a)的槽(28b)中；和在从所述端面的径向方向支撑所述铁芯(28 )的同时，通过将填塞工艺应用到所述端面(28a),将所述校正线圈固定到所述铁芯。
10.根据权利要求9所述的用于制造电磁继电器的方法，其特征在于，在从与穿过所述端面(28a)的所述槽(28b)的方向交叉的方向支撑所述铁芯(28)的同时，实施所述固定。
11.根据权利要求9或者10所述的用于制造电磁继电器的方法，其特征在于，在支撑所述铁芯(28)的同时，实施所述固定以便包围所述端面(28a)。
12.一种用于制造电磁继电器(100)的方法，其特征在于包括: 将校正线圈(30)装配在穿过铁芯(28)的端面(28a)的槽(28b)中；通过将填塞工艺应用到所述端面，将所述校正线圈固定到所述铁芯；和 整平所述端面。
13.根据权利要求12所述的用于制造电磁继电器(100)的方法，其特征在于，毗连所述端面中的应用所述填塞工艺的区域(42)的区域(28f)被整平。
14.根据权利要求12或者13所述的用于制造电磁继电器的方法，其特征在于，在所述固定之后实施所 述整平。
【文档编号】H01H49/00GK104078283SQ201310625006
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年11月28日 优先权日:2012年11月29日
【发明者】小林超, 高野哲 申请人:富士通电子零件有限公司