高亮度有机发光二极管显示器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种高亮度有机发光二极管显示器。本发明提出一种有机发光二极管显示器，包括：在基板上限定像素区域的数据线、扫描线和驱动电流线；在像素区域内形成的阳极；通过使阳极的延伸部分与驱动电流线的某些部分重叠而形成的附加电容；限定阳极中发光区域的堤；在阳极上形成的有机发光层；以及在有机发光层上形成的阴极。本发明提出的高亮度有机发光二极管包括用于增加阳极电容的附加电容。
【专利说明】高亮度有机发光二极管显示器
[0001]本申请要求2012年12月12日提交的韩国专利申请N0.10-2012-0144813的优先权，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
【技术领域】
[0002]本发明涉及一种高亮度有机发光二极管显示器。本发明尤其涉及一种通过增加阳极电容及有机发光二极管自身的电容来实现低功耗的高亮度有机发光二极管显示器。
【背景技术】
[0003]目前，多种平板显示装置已被开发出来，用于克服阴极射线管的例如重量大、体积大的许多缺陷。平板显示装置包括液晶显示装置(LCD)、场致发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)和电致发光装置(EU。
[0004]根据发光材料，电致发光显示装置分类为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致发光显示装置的优点是反应速度非常快，亮度非常高，且可视角度大。
[0005]图1为显示有机发光二极管结构的示意图。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此相对的阴极和阳极，有机发光材料层位于阴极和阳极之间。有机发光材料层包括空穴注入层HIL，空穴传输层HTL，发射层EML，电子传输层ETL和电子注入层EIL。由于在激发态中空穴和电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。
[0006]由于在激发态中来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。如图1中所示，通过控制有机发光二极管的发射层EML所产生和发出的光量(或“亮度”)，有机发光二极管显示器可以呈现视频数据。
[0007]使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(OLED)可分类为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AM0LED)。
[0008]通过利用薄膜晶体管(TFT)控制提供给有机发光二极管的电流，有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)显示视频数据。
[0009]图2为显示有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3为显示AMOLED中的一个像素的结构的平面图。图4为显示AMOLED的结构的沿切割线1-1’的截面图。
[0010]参考图2和3，底部发光型的有源矩阵发光二极管显示器包括:开关薄膜晶体管ST，与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT，以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管0LED。通过布置在基板SUB上的扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定像素区域。有机发光二极管OLED形成于一个像素区域中，从而在该像素区域内限定发光区域。
[0011]开关薄膜晶体管ST形成于扫描线SL和数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择与该开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分岔的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体通道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动由开关薄膜晶体管ST所选择的像素上布置的有机发光二极管OD的阳极ΑΝ0。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体通道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。
[0012]参考图4，在底部发光型有源矩阵有机发光二极管显示器的基板SUB上，分别形成开关薄膜晶体管ST的栅极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。在栅极SG和DG上沉积有栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的栅极绝缘层GI上，分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此相对且互相分离的源极SS和DS以及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。
[0013]钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。在此后形成的阳极ANO区域形成滤色器CF。应当使滤色器CF形成为具有尽可能大的面积。例如，在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL所包围的像素区域中，滤色器CF应当具有最大化的面积。
[0014]具有滤色器CF的基板的上表面并不平坦和/或光滑，而是不平坦的和/或凹凸不平的且具有多个阶梯(steps)。为使有机发光二极管显示器在整个显示区域具有良好的发光性能，有机发光层OLE应形成于平坦或光滑的表面上。因此，为使上表面平坦和平滑，在基板SUB的整个表面上沉积保护层0C。
[0015]然后，在保护层OC上，形成有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD通过穿透保护层OC和钝化层PAS的接触孔连接。
[0016]在此期间，在一个图像帧周期内，数据电压Vdata应给阳极ANO施加足够的电压，以呈现正确的颜色值。为此，在像素区域内还可进一步包括储存电容STG，储存电容STG具有足够在一个图像帧周期内为阳极ANO充电的电容。如图2中所示，储存电容STG可形成于开关薄膜晶体管ST的漏极SD和驱动薄膜晶体管DT的漏极DD之间。具体而言，如图3和4中所示，储存电容可通过使驱动薄膜晶体管DT的栅极DG与阳极ANO重叠来形成。为了确保储存电容STG具有足够的电容，必须保证驱动薄膜晶体管DT的栅极DG与阳极ANO的重叠区域尽可能大。
[0017]在具有阳极ANO的基板SUB上，形成堤(bank) BANK来区分具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和多条线路DL、SL和VDD的非发光区域与具有有机发光二极管OLED的发光区域，以限定发光区域。堤BANK可限定有机发光层OLE与阳极ANO的重叠区域。因此，可以通过堤BANK来限定发光区域。通常，发光区域被包含在像素区域内，且具有尽可能最大的面积。
[0018]如上所述，发光区域与滤色器CF直接相关。因此，滤色器CF的面积应当比由堤BANK所限定的发光区域稍大。也就是说，即使滤色器CF形成为具有最大面积，但实际的发光区域是由堤BANK限定的。
[0019]阳极ANO被堤BANK露出。在阳极ANO和堤BANK上，沉积有机发光层OLE。在有机发光层OLE上，按顺序沉积阴极ACT。这样就形成了与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。[0020]图3中以虚线圈显示的放大图表示由堤BANK所限定的发光区域的具体结构。阳极ANO可形成为与数据线DL、扫描线SL和驱动电流线VDD不重叠。在利用电流驱动法驱动有机发光二极管时，经由驱动电流线VDD向阳极ANO提供大量电流。因此，当阳极ANO与包围阳极ANO的线路DL、SL和/或VDD重叠时，很有可能在插于其间的钝化层PAS中形成寄生电容。
[0021]因此，如图3和4所示，当形成阳极ANO时，考虑到图案形成过程中的对准边缘(alignment margin),应当与驱动电流线VDD相距第一预定距离Gl。此外，当在阳极ANO上形成堤BANK时，考虑到图案形成过程中的对准边缘，在像素区域内与阳极ANO相距第二预定距离G2。因此，由于堤BANK应形成为覆盖阳极ANO的部分面积，所以由长短交错的虚线表示且用斜线填充(hatched)的矩形区域可以是发光区域。此外，由于有机发光层OLE沉积在阳极ANO上，因此该发光区域可限定像素区域的开口率(aperture ratio)。发光区域的损失量对应于第一和第二预定距离的和G1+G2。这样，在数据线DL侧，发光区域的损失量对应于第一和第二预定距离的和G1+G2。通常，对准边缘可设置为I~3um (微米)。因此，由于制造过程中的对准边缘而造成的发光区域的总损失距离为2~6um。
[0022]这样，在一个像素区域内，可形成包括薄膜晶体管ST和DT以及储存电容STG在内的多个元件。为方便起见，图3显示了两个薄膜晶体管ST和DT。但是，可以进一步包括更多薄膜晶体管，用于补偿由元件间的各种因素引起的元件性能的降低。由于这些复杂性，根据现有技术的有机发光二极管显示器中的开口率，也就是发光区域与像素区域的比例，可以是30%。
[0023]在上述有机发光二极管显示器中，包括有阳极ΑΝ0、有机发光层OLE和阴极CAT的有机发光二极管自然具有其自身的电容。这被称为“阳极电容”。再次参考图2，阳极电容Coled被表示为在有机发光二极管OLED的两个电极之间所形成的电容的等效电路示意图。
[0024]随着阳极电容Coled的增大，有机发光二极管的亮度会增强。也就是说，为了使相同的发光面积具有更高或更亮的亮度，阳极电容Coled应具有更大的电容以获得更好的图像质量。因此，当选择有机发光材料时，应当选择具有较高介电常数的有机材料。但是，由于介电常数是材料的自然值，因此选择具有我们所需的足够的介电常数的有机发光材料是很困难且很有限的。
[0025]参考图2，当扫描电压Vscan被施加到扫描线SL上而使得开关薄膜晶体管ST导通时，施加到数据线DL的数据电压Vdata导通驱动薄膜晶体管DT。然后，用于驱动有机发光二极管OLED的电流和电压被施加到有机发光二极管0LED。同时，数据电压Vdata储存在储存电容STG中。此时，可通过对应于储存电容Cst与阳极电容Coled之比的数据电压Vdata改变(或减小)施加到阳极ANO的电压。这种改变会使得有机发光层OLE的亮度降低。
[0026][等式1]
[0027]AVanode=V
data (Cst/C0ied)
[0028]这里，Vanode表示施加到阳极ANO的阳极电压，Cst表示储存电容STG的电容量，Coled表示有机发光二极管OLED的阳极电容。
[0029]根据等式I,为使阳极电压Vanode的变化最小,可增大Coled的电容值或减小储存电容Cst的值。如上所述，由于阳极电容Coled与有机发光层OLE的自然值有关，因此最可能的方法是减小储存电容STG的电容量Cst。但是，储存电容STG用于在一个图像帧期间为阳极ANO提供一定的电压，因此其应当具有足够的电容以维持高电容值。因此，储存电容并不能根据需要随意减小。
[0030]由于这些各种限制，现有技术中目前采用的最大开口率最多为30%。使有机发光二极管显示器具有更高亮度的一种可能的方法是增大驱动有机发光二极管OLED的电流。但是，这种方法具有另一个问题，即功耗会增加。要设计并制造一种同时满足例如具有较低寄生电容、确保足够的储存电容以及具有较高透光率等多种条件的有机发光二极管显示器十分困难。
【发明内容】
[0031]为了克服上述缺陷，本发明的目的是提出一种具有高开口率的有机发光二极管显示器，其中发光区域与像素区域的比例得以增加。本发明的另一个目的是提出一种具有高亮度的有机发光二极管显示器，其具有附加电容以用于增加在有机发光二极管上形成的阳极电容。本发明的再一个目的是提出一种即使不包含附加电容也能确保较大的发光区域从而具有高开口率的有机发光二极管显示器。
[0032]为了实现上述目的，本发明提出一种有机发光二极管显示器，包括:数据线、扫描线和驱动电流线，所述数据线、扫描线和驱动电流线限定了基板上的像素区域；阳极，形成于所述像素区域内；附加电容，所述附加电容通过重叠所述阳极的延伸部分和所述驱动电流线的某些部分而形成；堤，所述堤限定阳极中的发光区域；有机发光层，形成于阳极上；以及阴极，形成于有机发光层上。
[0033]有机发光二极管显示器进一步包括布置在像素区域内的阳极下方的滤色器；以及布置在阳极下方并覆盖滤色器的保护层。
[0034]有机发光二极管显示器进一步包括在像素区域中与数据线和扫描线连接的开关薄膜晶体管；以及与开关薄膜晶体管和驱动电流线连接的驱动薄膜晶体管。
[0035]有机发光二极管的特征在于，开关薄膜晶体管的漏极和源极之一与驱动薄膜晶体管的栅极连接，且驱动薄膜晶体管的漏极和源极之一与阳极连接。
[0036]有机发光二极管显示器进一步包括形成于驱动薄膜晶体管的栅极和阳极之间的储存电容。
[0037]此外，本发明提出一种有机发光二极管显示器，包括:数据线和扫描线，所述数据线和扫描线限定了基板上的像素区域；驱动电流线，所述驱动电流线同时配置在像素区域之间彼此相邻的第一像素列和第二像素列中；在第一像素列中形成的第一阳极，以及在第二像素列中形成的第二阳极；第一附加电容，所述第一附加电容通过延伸第一阳极并与驱动电流线的一部分重叠而形成，以及第二附加电容，所述第二附加电容通过延伸第二阳极并与驱动电流线的另一部分重叠而形成；堤，所述堤分别在第一阳极和第二阳极中限定发光区域；有机发光层，所述有机发光层位于第一阳极和第二阳极上；以及阴极，所述阴极位于有机发光层和电子传输层上。
[0038]有机发光二极管显示器进一步包括:布置在在像素区域内的第一阳极和第二阳极下方的滤色器；以及布置在第一阳极和第二阳极下方且覆盖滤色器的保护层。
[0039]有机发光二极管显示器的特征在于，第一阳极和第二阳极以预定的距离布置在驱动电流线上。[0040]有机发光二极管显示器进一步包括:在每个像素区域中与数据线和扫描线连接的开关薄膜晶体管；以及与开关薄膜晶体管和驱动电流线连接的驱动薄膜晶体管。
[0041]有机发光二极管显示器的特征在于，开关薄膜晶体管的漏极和源极之一与驱动薄膜晶体管的栅极连接，且驱动薄膜晶体管的漏极和源极之一与第一阳极和第二阳极中的至少一个连接。
[0042]有机发光二极管显示器进一步包括:储存电容，所述储存电容形成于驱动薄膜晶体管的栅极与第一阳极和第二阳极中的至少一个之间。
[0043]根据本发明的有机发光二极管显示器包括与有机发光二极管的阳极电容并联连接的附加电容。特别是，附加电容具有能够增大有机发光二极管显示器的发光区域的结构。因此，本发明提出一种具有增大的发光区域的有机发光二极管显示器，以保证增大的阳极电容并在相同功耗的情况下呈现出更亮的亮度。此外，根据本发明的有机发光二极管显示器包括附加电容，用于增加阳极电容同时不增大可导致开口率降低的储存电容，从而能在不增大像素区域和/或开口率的情况下呈现高亮度。
【专利附图】
【附图说明】
[0044]附图用于提供对本发明的进一步理解，其并入和构成了本说明书的一部分，例示了本发明的实施方式，并与文字描述一起用于解释本发明的原理。
[0045]附图中:
[0046]图1为显示根据现有技术的有机发光二极管的结构的示意图。
[0047]图2为显示根据现有技术的有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。
[0048]图3为显示根据现有技术的底部发光型AMOLED中的一个像素的结构的平面图。
[0049]图4为显示根据现有技术的底部发光型AMOLED的结构的、沿切割线1_1’的截面图。
[0050]图5为显示根据本发明的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
[0051]图6为显示根据本发明第一实施方式的底部发光型有机发光二极管显示器的平面图。
[0052]图7为显示根据本发明的底部发光型有机发光二极管的结构的、沿图6中的切割线11-11’的截面图。
[0053]图8为显示当包含有本发明的附加电容时的、有机发光二极管的增强特性的曲线图。
[0054]图9为显示根据本发明第一实施方式的另一个示例的有机发光二极管的结构的截面图，其中，有机发光层和阴极层沉积在整个基板上。
[0055]图10为显示根据本发明第二实施方式的底部发光型有机发光二极管显示器的平面图。
[0056]图11为显示沿图10中的线II1-1II’切割的、底部发光型有机发光二极管显示器的结构的截面图。【具体实施方式】
[0057]下面将参考附图解释本发明的优选实施方式。在整个详细说明中，相似的参数指代相似的元件。但是，本发明不仅限于这些【具体实施方式】，而是能够在不改变技术精神的情况下应用于多种变形或修改。在以下实施方式中，元件的名称是考虑到解释的方便性而选择的，因此它们可能与实际的名称有所不同。
[0058]本发明的主要特征是保证尽可能最大的阳极电容。根据上述等式I，由于减小储存电容Cst的值很困难，因此应当增大阳极电容Coled的值。参考以下表示电容量的等式2，我们将解释如何增大阳极电容Coled。
[0059]等式2
[0060]C= ε (A/d)
[0061]这里，C表示电容量，ε表示介电材料(或有机材料)的介电常数，d表示电极间的距离即介电材料的厚度。为了保证较大的电容量，可以选择具有较高介电常数的介电材料，以增大彼此相对的电极的表面积，或选择介电材料的最佳厚度。
[0062]如上所述，选择具有较高介电常数的介电材料十分困难，因为这意味着要改变有机发光材料。此外，选择介电材料的最佳厚度是一个复杂的问题，因为这会直接影响有机发光二极管的性能。最后，我们可以选择增大彼此相对的电极的表面积的方法。但仅仅增大电极的面积是没有意义的。应该增大电容。换句话说，应当增大有机发光层OLE的表面积和阳极的表面积。但是，由于有机发光层OLE的表面积被限制在像素区域内，因此增大电容量并不容易。
[0063]因此，必须改变结构，在不影响开口率的前提下进一步包含有附加电容。本发明中，如图5所示，进一步包括与有机发光二极管OLED并联连接的附加电容Cnew。例如，附加电容Cnew被设置在驱动薄膜晶体管DT的源极DS和驱动薄膜晶体管DT的漏极DD之间。图5为显示根据本发明的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
[0064]为了在满足图5所示的等效电路的同时不影响开口率，可通过使阳极ANO与驱动电流线VDD重叠来形成根据本发明的附加电容Cnew，其中驱动电流线VDD与驱动薄膜晶体管DT的源极DS连接。在下文中，参考图6和7，我们将解释根据本发明的有机发光二极管显示器。图6为显示根据本发明第一实施方式的底部发光型有机发光二极管显示器的平面图。图7为显示根据本发明的底部发光型有机发光二极管显示器的结构沿图6中的切割线11-11’的截面图。
[0065]根据本发明第一实施方式的底部发光型有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST，与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT，以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
[0066]开关薄膜晶体管ST形成于扫描线SL和数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择与开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括:从栅极线GL分岔出来的栅极SG，与栅极SG重叠的半导体通道层SA，源极SS以及漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动布置在由开关薄膜晶体管ST所选择的像素上的有机发光二极管OLED的阳极ΑΝ0。驱动薄膜晶体管DT包括:与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG，半导体通道层DA，与驱动电流线VDD连接的源极DS，以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。有机发光层OLE布置在阳极ANO和阴极CAT之间。阴极CAT连接至基极电压VSS。
[0067]具体地，根据本发明第一实施方式的有机发光二极管OLED具有这样的结构，其中阳极ANO与驱动电流线VDD的某些部分重叠。矩形阳极ANO的靠近驱动电流线VDD的一侧可以延伸/扩展以与驱动电流线VDD的某些部分重叠。结果，可以在阳极ANO的延伸部分与驱动电流线VDD的所述某些部分之间形成附加电容Cnew。
[0068]再次参考图7，我们将解释根据本发明第一实施方式的有机发光二极管显示器的横截面结构。在透明基板SUB上，沉积有开关薄膜晶体管ST的栅极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。在栅极SG和DG上，沉积有栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的栅极绝缘层GI上，分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，通过彼此相对且以预定距离相隔的方式分别形成源极SS和DS以及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD经由栅极绝缘层GI上形成的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。
[0069]在一个图像帧周期内，数据电压Vdata应当完全彻底地施加到阳极ΑΝ0。为此，形成储存电容STG以帮助对阳极ANO快速充电。如图5中所示，储存电容形成于开关薄膜晶体管ST的漏极SD与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD之间的空间处。具体来说，如图6和7所示，通过使阳极ANO与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG重叠来形成储存电容。也就是说，通过使驱动薄膜晶体管DT的栅极DG的延伸部分的宽度形成为接近像素区域的宽度，并使这些延伸部分与阳极ANO的某些部分重叠，从而形成储存电容STG。
[0070]钝化层PAS被沉积为覆盖具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板。滤色器CF可形成于与随后形成的阳极ANO相对应的区域。滤色器CF将具有尽可能大的面积。例如，在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL所包围的像素区域中，滤色器CF应当具有最大化的面积。
[0071]具有滤色器CF的基板的上表面并不平坦和/或光滑，而是不平坦的和/或凹凸不平的，且具有多个阶梯。为使有机发光二极管显示器在整个显示区域都具有良好的发光性能，有机发光层OLE应当形成于平坦或光滑的表面上。因此，为使上表面平坦或平滑，在基板SUB的整个表面上沉积保护层0C。
[0072]然后，在保护层OC上，形成有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO通过穿透保护层OC和钝化层PAS的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。
[0073]在具有阳极ANO的基板SUB上，形成堤BANK，以区分具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和多条线路DL、SL和VDD的非发光区域和具有有机发光二极管OLED的发光区域，从而限定发光区域。堤BANK可限定有机发光层OLE与阳极ANO的重叠区域。因此，可以通过堤BANK来限定发光区域。通常，发光区域被包含在像素区域内，且具有尽可能最大的面积。
[0074]如上所述，发光区域与滤色器CF直接相关。因此，滤色器CF的面积应当比堤BANK所限定的发光区域稍大。也就是说，即使滤色器CF形成为具有最大面积，但实际的发光区域是由堤BANK限定的。
[0075]阳极ANO被堤BANK露出。在阳极ANO和堤BANK上，沉积有机发光层OLE。在有机发光层OLE上，按顺序沉积阴极CAT。这样，就完成了与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
[0076]在根据本发明第一实施方式的有机发光二极管显示器中，阳极ANO通过与驱动电流线VDD的某些部分重叠而进一步形成附加电容Cnew。换句话说，即使阳极ANO的面积大于堤BANK所开放的区域，有机发光层OLE和滤色器CF也会具有与堤BANK所开放的区域对应的面积。因此，开口率(发光区域与像素区域的面积比)和现有技术相比不会有太大变化。但是，由于通过将阳极ANO的某些部分与驱动电流线VDD的某些部分重叠而重新形成了附加电容Cnew，我们就能够获得如同增大阳极电容一样的效果。
[0077]在此，附加电容形成于插入在阳极ANO和驱动电流线VDD之间且填充有保护层OC的空间内。由于保护层OC是有机材料(或介电材料)，其介电常数比无机材料小。当在阳极ANO和驱动电流线VDD之间插入高介电常数的材料时，如等式2所示，电容值就会高于预期值和/或设计值。但增大太多的电容(例如超过补偿量)会不利地影响显示质量。但在本发明中，我们使用具有低介电常数以及较厚厚度的保护层0C，因此附加电容具有足够用于补偿阳极电容Coled的最优值。
[0078]此外，当滤色器CF形成为具有较厚的厚度时，由于保护层OC的厚度太厚，附加电容的大小不足以补偿阳极电容Coled。在该情况中(图中未示出)，可进一步形成附加电极，其与栅极绝缘层GI下方的驱动电流线VDD的某些部分重叠，并与阳极ANO连接。
[0079]另一个例子是，通过改变阳极ANO的形状，可以控制其与驱动电流线VDD的重叠区域，由此控制附加电容Cnew的值。也就是说，可以利用多种方法控制附加电容Cnew的值。
[0080]在本发明的第一实施方式中，一个主要特征是形成与阳极ANO并联连接的附加电容Cnew。结果，可以减小阳极电压的变化。这就导致了驱动薄膜晶体管的补偿和/或有机发光二极管的亮度增加，从而提高了显示质量。
[0081]图8为显示包含有根据本发明的附加电容时的有机发光二极管的增强特性的曲线图。参考图5和8，可以清楚的看到，通过在驱动电流线VDD和阳极ANO之间形成附加电容Cnew，可以减小阳极ANO上的电压变化，增加有机发光二极管OLED的亮度，以及提高补偿能力。根据图8，增加的电流量约为14?15%。因此，可以在相同的功耗下获得更亮的显示，并可以提高补偿能力和灰度均匀性。
[0082]此外，可通过仅使阳极ANO与驱动电流线VDD重叠来形成附加电容Cnew，这样在制造过程中就不会有变化。仅仅通过改变用于限定阳极ANO形状的掩模图案，就能实现本发明的主要特征。也就是说，不需要任何额外的制造工艺和/或额外开销。
[0083]在本发明第一实施方式的说明中，对于每个像素区域单独/分别地形成有机发光层OLE和阴极CAT。但是，每个像素区域有其自己的滤色器CF，所以，为了简化制造工艺，可以将有机发光层OLE和阴极CAT分别沉积在一个层体中。例如，如图9所示，可以不在每个像素区域中对有机发光层OLE和阴极CAT进行图案化。相反，有机发光层OLE可以沉积为覆盖基板的整个表面，阴极CAT同样可以沉积为覆盖有机发光层OLE的整个表面。图9为显示根据本发明的第一实施方式的另一个示例的有机发光二极管的结构的横截面图，其中，有机发光层和阴极层沉积在整个基板上。
[0084]在下文中，参考图10和11，我们将解释本发明的第二实施方式。图10为显示根据本发明的第二实施方式的底部发光型有机发光二极管显示器的平面图。图11为显示沿图10中的线II1-1II’切割的底部发光型有机发光二极管显示器的结构的横截面图。
[0085]根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管的结构基本上与第一实施方式类似。不同之处在于一条驱动电流线VDD同时与分别布置在驱动电流线VDD的左侧像素区域和右侧像素区域的两个相邻的阳极ANO重叠。也就是说，当有机发光二极管显示器具有减少驱动电流线VDD数量的结构时，可应用本发明的主要特点。
[0086]参考图10和11，两个相邻的像素列共用布置在两个像素列之间的一条驱动电流线VDD。也就是说，这两个相邻的像素列相对于驱动电流线VDD对称地设计。因此，布置在左像素区域的第一阳极ANOl延伸以与驱动电流线VDD的某些部分重叠，从而可形成第一附加电容Cnewl。此外，布置在右像素区域的第二阳极AN02延伸以与驱动电流线VDD的其他部分重叠，从而可形成第二附加电容Cnew2。
[0087]对于第一实施方式的情形，由于每个像素列具有一条驱动电流线VDD，因此阳极ANO可延伸至覆盖驱动电流线VDD的两个边缘。必要时，阳极ANO可延伸至覆盖仅包括驱动电流线VDD的一个边缘的某些部分。该重叠区域可根据附加电容Cnew的预期值和/或设计值而变化。
[0088]在此期间，对于第二实施方式的情况，一条驱动电流线VDD被分配给两个相邻的像素列。因此，布置在一侧(左侧)像素区域中的第一阳极ANOl与驱动电流线VDD的一侧部分(右侧部分)重叠，以形成第一附加电容Cnewl。同样，布置在另一侧(右侧)像素区域中的第二阳极AN02与驱动电流线VDD的另一侧部分(左侧部分)重叠，以形成第二附加电容Cnew2。
[0089]虽然已经参照附图详细描述了本发明的实施方式，但本领域技术人员可以理解的是，可以在不改变本发明的技术精神或实质特点的情况下以其他具体形式实现本发明。因此，应当注意的是，前述实施方式仅仅以各种角度进行了例示，并不表示限制本发明。本发明的范围由附加的权利要求来限定，而非本发明的详细描述所限定。在权利要求的含义和范围内所做出的所有修改或变形应解释为落在本发明的范围内。
【权利要求】
1.一种有机发光二极管显不器，包括: 数据线、扫描线和驱动电流线，所述数据线、扫描线和驱动电流线在基板上限定像素区域； 阳极，形成于所述像素区域内； 附加电容，所述附加电容通过使所述阳极的延伸部分与所述驱动电流线的某些部分重叠而形成； 堤，所述堤限定所述阳极中的发光区域； 有机发光层，形成于所述阳极上；以及 阴极，形成于所述有机发光层上。
2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括: 滤色器，所述滤色器布置在所述像素区域内的所述阳极下方；以及 保护层，所述保护层覆盖所述滤色器并布置在所述阳极下方。
3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括: 在所述像素区域中与所述数据线和所述扫描线连接的开关薄膜晶体管；以及 与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电流线连接的驱动薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述开关薄膜晶体管的漏极和源极之一与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，以及` 所述驱动薄膜晶体管的漏极和源极之一与所述阳极连接。
5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括: 储存电容，形成于所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述阳极之间。
6.—种有机发光二极管显不器,包括: 数据线和扫描线，所述数据线和扫描线在基板上限定像素区域； 驱动电流线，所述驱动电流线被公共分配给所述像素区域中彼此相邻的第一像素列和第二像素列； 在所述第一像素列处形成的第一阳极，以及在所述第二像素列处形成的第二阳极；通过延伸所述第一阳极并与所述驱动电流线的一部分重叠而形成的第一附加电容，以及通过延伸所述第二阳极并与所述驱动电流线的另一部分重叠而形成的第二附加电容； 堤，所述堤分别在所述第一阳极和所述第二阳极处限定发光区域； 有机发光层，所述有机发光层位于所述第一阳极和所述第二阳极上；以及 阴极，所述阴极位于所述有机发光层和电子传输层上。
7.根据权利要求6所述的装置，进一步包括: 滤色器，所述滤色器布置在所述像素区域中的所述第一阳极和所述第二阳极的下方；以及 保护层，所述保护层覆盖所述滤色器并布置在所述第一阳极和所述第二阳极的下方。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一阳极和所述第二阳极以预定距离布置在所述驱动电流线上。
9.根据权利要求6所述的装置，进一步包括: 在每个所述像素区域中与所述数据线和所述扫描线连接的开关薄膜晶体管；以及 与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电流线连接的驱动薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述开关薄膜晶体管的漏极和源极之一与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；以及 所述驱动薄膜晶体管的漏极和源极之一与所述第一阳极和所述第二阳极中的至少一个连接。
11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括: 储存电容，所述储存电容形成于所述第一阳极和所述第二阳极中的至少一个与所述驱动薄膜晶体管的栅极之 间。
【文档编号】H01L51/52GK103872082SQ201310674363
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年12月11日 优先权日:2012年12月12日
【发明者】郑己文, 黄淳载, 沈钟植 申请人:乐金显示有限公司