一种提高栅氧化物介电常数的方法
【专利摘要】本发明为一种提高栅氧化物介电常数的方法，涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上制备一SiO2栅氧化层；对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层；在高于1000℃并伴随纯惰性气体的氛围对SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定Si-N键；在低于800℃的氛围下对SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复SiO2/Si界面。与传统的高温氮化处理工艺相比，采用本发明制备的SiON栅氧化层不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮含量30%左右，从而使所制备的栅氧化物具有较高的介电常数，实现了对SiON栅介质介电系数精确剪裁的目的。
【专利说明】一种提高栅氧化物介电常数的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种提高栅氧化物介电常数的方法。
【背景技术】
[0002]栅氧化层的制备工艺是半导体制造工艺中的关键技术，直接影响和决定了器件的电学特性和可靠性。当半导体技术进入45纳米时代以来，栅介质SiO2的厚度已经很薄(小于20A)，栅极漏电流中的隧道穿透机制已经起到主导作用。随着SiO2厚度的进一步降低，栅极漏电流也会以指数形式增长。栅介质厚度每降低2A，栅极漏电流就会增加10倍。另一方面，栅极、SiO2栅介质和硅衬底之间存在杂质的浓度梯度，随着栅介质厚度的不断降低，栅极里掺入的硼等杂质会从栅极中扩散到硅衬底中或者固定在栅介质中，这会影响器件的阈值电压，从而影响器件的性能。诚然，增加栅介质厚度可以有效抑制栅极漏电流和栅极中杂质的扩散，但是晶体管驱动电流、翻转延迟时间等关键性能也会大打折扣。这种驱动电流和栅极漏电对栅介质厚度要求上的矛盾，对于传统的SiO2栅介质而言是无法回避的。栅极电容不仅取决于栅极表面积和栅介质厚度，还取决于栅介质的介电常数，故减少栅介质厚度不是提高栅极电容的唯一方法。即使栅介质厚度保持不变，提高栅介质的介电系数也可达到降低等效氧化层厚度及增加栅极电容的效果。在现阶段，提高栅介质的介电系数的方法大致有两大类:一类是采用全新的高介电系数的材料作为栅介质，如氮氧化铪硅(HfSiON)等。另一类则仍保持SiO2作为栅介质，通过SiO2氧化膜里掺入氮使之成为致密的SiON来提高栅介质的介电系数。目前业界通常有三种主要的方法可实现SiO2中的氮掺杂以形成SiON，但均由于栅介质中掺入的氮原子浓度高且主要分布在栅介质的上表面，因此对后续PNA(Post Nitridation Anneal)高温退火工艺的温度、气体氛围和时间间隔必须严格控制，以防止本征氧化层和有机吸附而对氮掺杂造成的影响；此外，PNA(Post NitridationAnneal)的高温退火工艺既容易造成表面氮原子的挥发，又能使氮原子获得能量而继续扩散，造成部分氮原子聚积在Si02/Si界面处，从而对沟道中载流子的迁移速度产生负面影响。
[0003]中国专利(CN 102437143A)公开了一种低介电常数材料，包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有S1-X-Si桥的化合物，其中X为I和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端S1-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。
[0004]通过本发明提供的材料和半导体器件，克服了低介电常数(低_k)材料的形成通常具有的如机械强度差，爆板分层，蚀刻(如等离子体)工艺导致的损害的缺点。
[0005]中国专利(CN102544739A)公开了一种具有高介电常数的超材料，包括至少一个超材料片层，每个超材料片层包括基材和附着在基材上的多个人造微结构，所述人造微结构包括相互平行的第一金属线和第二金属线，还包括至少一个一端与所述第一金属线相连、另一端为自由端且朝向第二金属线的第一金属线分支；以及至少一个一端与所述第二金属线相连、另一端为自由端且朝向第一金属线的第二金属线分支，所述第一金属线分支和所述第二金属线分支依次交错分布。具有这种人造微结构的超材料的介电常数得到了大幅的提闻。
【发明内容】
[0006]鉴于上述问题，本发明能使高温氮化处理工艺不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮使所制备的栅氧化物具有较高的介电常数。
[0007]本发明解决技术问题所采用的技术方案为:
[0008]一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤:
[0009]步骤S1、提供一基底；
[0010]步骤S2、在所述基底上制备一 SiO2栅氧化层；
[0011]步骤S3、对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层；
[0012]步骤S4、在高于1000°C并伴随纯惰性气体的氛围下对所述SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键；
[0013]步骤S5、在低于800°C的氛围下对经过氮化处理后的所述SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复Si02/Si界面。
[0014]优选的，在步骤S2中，通过快速热退火工艺和/或垂直炉管工艺制备所述SiO2栅
氧化层。
[0015]优选的，所述快速热退火工艺具体包括原位水蒸气氧化法和/或快速热退火氧化法。
[0016]优选的，采用N2O和H2为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法；或
[0017]采用O2和H2为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法。
[0018]优选的，在步骤S3中，通过去耦等离子体氮化工艺和/或远程等离子体氮化工艺形成所述Si0N。
[0019]优选的，在步骤S3中，以Ν0、Ν20或NH3为原料，采用垂直扩散设备形成所述SiON。
[0020]优选的，在步骤S4中，所述氮化处理的温度范围为1000°C -1100°C，反应时间范围为 5sec_120seco
[0021]优选的,所述纯惰性气体氛围包含氮气或氩气中的任意一种。
[0022]优选的，在步骤S5中，所述氧化处理的温度范围为500°C -800°C，反应时间范围为5sec_120seco
[0023]优选的，采用氧气进行所述氧化处理；或
[0024]采用H2与O2的混合气体进行所述氧化处理。
[0025]本发明的技术方案与传统的高温氮化处理工艺相比，采用本发明制备的SiON栅氧化层不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮含量30%左右，从而使所制备的栅氧化物具有较高的介电常数，实现了对SiON栅介质介电系数精确剪裁的目的。
【专利附图】
【附图说明】[0026]参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
[0027]图1本发明方法一实施例的工艺步骤示意图；
[0028]图2本发明方法一实施例的步骤SI的结构示意图；
[0029]图3本发明方法一实施例的步骤S2的结构示意图；
[0030]图4本发明方法一实施例的步骤S3的结构示意图；
[0031]图5本发明方法一实施例的步骤S4的结构示意图；
[0032]图6本发明方法一实施例的步骤S5的结构示意图。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，显然，所描述的实例仅仅是本发明一部分实例，而不是全部的实例。基于本发明汇总的实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有实例，都属于本发明保护的范围。
[0034]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实例及实例中的特征可以相互自
由组合。
[0035]本发明是一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤:
[0036]步骤S1、提供一基底；
[0037]步骤S2、在所述基底上制备一 SiO2栅氧化层；
[0038]步骤S3、对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层；
[0039]步骤S4、在高于1000°C并伴随纯惰性气体的氛围下对所述SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键；
[0040]步骤S5、在低于800°C的氛围下对经过氮化处理后的所述SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复Si02/Si界面。
[0041]以下将结合附图对本发明的一个实例做具体阐释。
[0042]如图1所示的本发明的实例是一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤:
[0043]步骤S1、如图2所示，提供一基底1，并进行清洗；
[0044]步骤S2、如图3所不，在所述基底I上制备一 SiO2棚氧化层2 ;具体为对基底I执行热氧化操作和热处理操作，以制备一层具有稳定和均匀的目标厚度的SiO2栅氧化层2 ；其中，所述热氧化和热处理操作包括快速热退火(Rapid Thermal Process,简称:RTP)工艺和/或垂直炉管(Furnace)工艺；所述快速热退火工艺进一步可以包括原位水蒸汽氧化法(In-Situ Steam Generation,简称:ISSG)和 / 或快速热退火氧化法(Rapid ThermalOxidation,简称:RT0)；
[0045]步骤S3、如图4所示，对所述SiO2栅氧化层2进行氮3的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层4 ;具体为通过等离子体氮化技术对所述SiO2栅氧化层2进行氮3的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代形成S1-N键，从而将所述SiO2栅氧化层2调整为具有一定氮浓度的SiON栅氧化层4，所述等离子体氮化技术包括:
1.去稱等离子体氮化(Decoupled Plasma Nitridation,简称:DPN) ；2.远程等离子体氮化(Remote Plasma Nitridation,简称:RPN) ；3.快速热氮化(RTN) ;4.垂直扩散设备的 NO,N2O和NH3的氮化处理工艺，也就是垂直炉管(Furnace)工艺；
[0046]步骤S4、如图5所示，在高于1000°C并伴随纯惰性气体的氛围下对SiON栅氧化层4进行氮5化处理，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键，从而具有形成稳定的氮含量和介电常数的栅氧化层6 ;所述氮化处理的温度范围优选为1000°C -1lOO0C (如1000°C，1030°C，1060°C，1100°C等)，反应时间范围为 5sec-120sec (如 5sec, 40sec, 80sec, 120sec 等);纯惰性气体氛围中的纯惰性气体为N2 (氮气)或Ar (氩气)等惰性气体；
[0047]步骤S5、如图6所示，在低于800°C的氛围下对经过氮5化处理后的所述栅氧化层6进行氧7化处理，以修复Si02/Si界面，形成新的栅氧化层8 ;其中，所述氧化处理的温度范围优选为 500°C _800°C(如 500°C，600°C，700°C，80(rC等)，反应时间范围为 5sec_120sec(如5sec, 40sec, 80sec, 120sec等)；所述氧化处理中的氧化气体为O2或者H2与O2的混合气体。
[0048]本发明的核心是通过高温氮化处理和低温氧化工艺来提高栅氧化物的氮含量和介电常数。本发明对传统SiON栅氧化层制备过程中高温退火工艺的单一高温退火工艺的温度、气体氛围做了优化。首先通过高温和纯惰性气体氮5化处理工艺，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键，从而形成稳定的氮含量和介电常数；然后在低温的氛围下对SiON栅氧化层6进行氧7化处理，以修复Si02/Si界面。
[0049]本发明解决了目前半导体业界广泛接受的SiON栅氧化层的制备工艺流程中，由于栅介质中掺入的氮原子浓度高且主要分布在栅介质的上表面，因此对后续高温退火工艺的温度、气体氛围和时间间隔必须严格控制，以防止本征氧化层和有机吸附而对氮掺杂造成的影响；此外，传统高温退火工艺既容易造成表面氮原子的挥发，又能使氮原子获得能量而继续扩散，造成部分氮原子聚积在SiO2和沟道的界面处，从而对沟道中载流子的迁移速度产生负面影响。
[0050]本发明与传统SiON栅氧化层的制备方法不同，本发明是在对所述氮化后的SiON栅氧化层进行传统高温退火处理前，首先通过高温和纯惰性气体氮5化处理工艺，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键，从而形成稳定的氮含量和介电常数；然后在低温(5000C -800°C)的氛围下对SiON栅氧化层6进行氧7化处理，以修复Si02/Si界面。实验证明，与传统的高温氮化处理工艺相比，采用本发明制备的SiON栅氧化层2不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮含量30%左右，从而使所制备的栅氧化物具有较高的介电常数，实现了对SiON栅介质介电系数精确剪裁的目的。
[0051]以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所做出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种提高栅氧化物介电常数的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 步骤S1、提供一基底； 步骤S2、在所述基底上制备一 SiO2栅氧化层； 步骤S3、对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层； 步骤S4、在高于1000°C并伴随纯惰性气体的氛围下对所述SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定S1-N键； 步骤S5、在低于800°C的氛围下对经过氮化处理后的所述SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复Si02/Si界面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，通过快速热退火工艺和/或垂直炉管工艺制备所述SiO2栅氧化层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述快速热退火工艺具体包括原位水蒸气氧化法和/或快速热退火氧化法。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用N2O和H2为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法；或 采用O2和H2为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过去耦等离子体氮化工艺和/或远程等离子体氮化工艺形成所述SiON。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，以Ν0、Ν20或NH3为原料，采用垂直扩散设备形成所述SiON。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述氮化处理的温度范围为IOOO0C -1100°c，反应时间范围为 5sec-120sec。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯惰性气体氛围包含氮气或氩气中的任意一种。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S5中，所述氧化处理的温度范围为5000C _800°C，反应时间范围为 5sec-120sec。
10.如权利要求1或9所述的方法，其特征在于，采用氧气进行所述氧化处理；或 采用H2与O2的混合气体进行所述氧化处理。
【文档编号】H01L21/314GK103943475SQ201410060296
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2014年2月21日
【发明者】张红伟 申请人:上海华力微电子有限公司