一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法
【专利摘要】本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种提GaAs刻蚀均匀性的方法。本发明通过调节溶液配比解决了GaAs湿法刻蚀时引起的不均匀问题。其工艺步骤为：(1)将wafer进行来料清洗；(2)将清洗后的wafer通过黄光制作图形；(3)配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2～6:10之间的磷酸、过氧化氢与去离子水配置；(4)使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀；(5)将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法。 -种提高GaAs刻蚀均匀性的方法
【背景技术】
[0002] 随着电子工业技术的发展，以硅为主的半导体工业是世界上最大规模的工业。近 年，以III-V族化合物半导体GaAs为代表的半导体以其高效输运特性及异质结构带来的低 功耗等特点吸引了大量研究工作，以实现包括生产效率、产率、可集成性、成本等各方面的 产业可行性。
[0003] GaAs是一种禁带宽度比较小的直接带隙半导体材料，约为1.43eV。其电子迁移率 很高8000cm2/V.s，介电系数较小12. 9。因此载流子在GaAs中易于传导。GaAs材料有着 丰富的性能，例如，在GaAs材料中掺入磁性杂质原子Μη等，可以形成新型的稀磁半导体材 料GaMnAs，实现了半导体材料与磁性的结合；GaAs半导体在光学方面也有着广泛的应用前 景，利用GaAs制作成超晶格结构，可以制备出新型激光器，常见有AlGaAs/GaAs量子阱激光 器等。正因有着优异的性能，GaAs半导体被广泛地应用在雷达、卫星电视广播、超高速计算 和光纤通信等多方面，在工业生产和科学研究中有着重要作用。
[0004] 目前的GaAs刻蚀方法，刻蚀效果不理想，存在刻蚀不均匀，刻蚀长草现象，刻蚀后 出现彩虹纹等问题。
【发明内容】
[0005] 本发明提供一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，该方法是采用如下步骤实现的： [0006] (1)将wafer进行来料清洗；
[0007] (2)将清洗后的wafer通过黄光制作图形；
[0008] (3)配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2?6:10之间的磷酸、过氧化氢与去 离子水配置；
[0009] (4)使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀；
[0010] (5)将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。
[0011] 进一步地，所述步骤中的wafer为激光外延片。
[0012] 进一步地，所述步骤（1)中，来料清洗的溶液为丙酮，其温度为45?60°C。
[0013] 进一步地，所述步骤（2)中，光刻图形为条形，光刻法的步骤依次为：涂光刻胶，曝 光，显影，刻蚀，去胶。
[0014] 进一步地，所述步骤（3)中，腐蚀液的配比为!^04:!120 2 :!120=1:2?6:10，且配 置溶液时必须不停的顺时针搅拌，搅拌时间不得少于5min，溶液配置完成后需静置半小时 以上方可进行刻蚀。
[0015] 进一步地，所述步骤（4)中，刻蚀时，需要将wafer静止在刻蚀液中，不得进行晃 动。
[0016] 进一步地，所述步骤（5)中，去胶使用的N-甲基吡咯烷酮，其要求温度为70?
【权利要求】
1. 一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤： (1) 将wafer进行来料清洗； (2) 将清洗后的wafer通过黄光制作图形； (3) 配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2?6:10之间的磷酸、过氧化氢与去离子 水配置； (4) 使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀； (5) 将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。
2. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤中 的wafer为激光外延片。
3. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤 (1) 中，来料清洗的溶液为丙酮，其温度为45?60°C。
4. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤 (2) 中，光刻图形为条形，光刻法的步骤依次为：涂光刻胶，曝光，显影，刻蚀，去胶。
5. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤 (3) 中，腐蚀液的配比为呀04:明2:!120=1:2?6 :10，且配置溶液时不停的顺时针搅拌，搅 拌时间不少于5min，溶液配置完成后静置半小时以上后进行刻蚀。
6. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤 (4) 中，刻蚀时，将wafer静止在刻蚀液中，不得进行晃动。
7. 根据权利要求1所述的一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤 (5) 中，去胶使用的N-甲基吡咯烷酮，其温度为70?90°C，加超声，时长为20min，测试仪使 用的是台阶仪。
【文档编号】H01L21/306GK104112660SQ201410300093
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月26日 优先权日:2014年6月26日
【发明者】关永莉, 田海军, 马淑芳, 韩蕊蕊, 李天保 申请人:山西飞虹微纳米光电科技有限公司