绝缘体上鳍片的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种绝缘体上鳍片的制造方法，包括：在衬底上形成鳍片；在鳍片侧壁上形成侧墙；各向异性刻蚀衬底，在鳍片下方留下底部结构；各向同性刻蚀衬底，减小底部结构宽度；对底部结构执行氧化或氮化工艺，使其转变为绝缘体。依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法，通过特殊的分步刻蚀工艺形成了精细化的鳍片线条，通过氧化或氮化鳍片下部来形成与衬底的良好绝缘隔离，由此提高了器件性能和可靠性。
【专利说明】绝缘体上鳍片的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体器件制造方法，特别是涉及一种在绝缘体上半导体中制造器件鳍片的方法。
【背景技术】
[0002]随着器件尺寸等比例缩减至22=0技术以及以下，诸如鳍片场效应晶体管(打必价)和三栅(廿1-职仏)器件的三维多栅器件成为最有前途的新器件技术之一，这些结构增强了栅极控制能力、抑制了漏电与短沟道效应。
[0003]对于传统工艺而言，通过如下的步骤来对包括？1必21、廿1-8社6器件的0103器件进行栅极图形化以及形成接触，以便实现隔离的功能器件:
[0004]1、采用布线-切割双光刻图形化技术以及随后刻蚀栅极堆叠来对栅极图形化；
[0005]2、采用统一特征尺寸和节距来沿一个方向印刷用于栅极图形化的平行线条；
[0006]3、仅在预定的网格节点处布置栅极线端(尖端)；
[0007]4、通过在形成器件间绝缘垫层之后光刻以及刻蚀来形成用于器件栅极电极和源/漏极的导电接触孔。
[0008]上述方法具有一些优点:
[0009]1、简化了适用于特殊照明模式的光刻；
[0010]2、消除了使得光刻、刻蚀和0？0复杂化的许多邻近效应。
[0011]？1必价和三栅器件与平面0103器件不同，是三维器件。通常，通过选择性干法或者湿法刻蚀在体衬底或者301衬底上形成半导体鳍片，然后横跨鳍片而形成栅极堆叠。三维三栅晶体管在垂直鳍片结构的三个侧边上均形成了导电沟道，由此提供了“全耗尽”运行模式。三栅晶体管也可以具有连接起来的多个鳍片以增大用于更高性能的总驱动能力。
[0012]然而，随着？器件进入22鹽技术节点并且进一步缩减，鳍片的尺寸变得越来越小，例如仅约10?30=1此时即便采用均匀性良好的外延生长，用于器件源/漏区的鳍片尺寸仍旧非常小，这使得难以在这些区域上形成有效的接触。另一方面，这些非常小尺寸的鳍片也是脆弱的，非常容易破裂，特别是对于形成在301晶片上的鳍片而言。因此，非常难以控制鳍片高度以及在体硅晶片上形成？1必21所用的浅沟槽隔离(311)0
【发明内容】
[0013]由上所述，本发明的目的在于克服上述技术困难，提高鳍片的参数控制精细度，以及提高鳍片间绝缘隔离效果。
[0014]为此，本发明提供了一种采用体衬底材料形成绝缘体上鳍片的制造方法，包括:在衬底上形成鳍片；在鳍片侧壁上形成侧墙；各向异性刻蚀衬底，在鳍片下方留下底部结构；各向同性刻蚀衬底，减小底部结构宽度；对底部结构执行氧化或氮化工艺，使其转变为绝缘体。
[0015]其中，衬底材质选自31、(^、301、6601、应变硅、31(?、&6^8、III？、1=?、石墨烯、310、碳纳管的任一及其组合。
[0016]其中，形成侧墙的步骤进一步包括:在衬底和鳍片上形成保护层；各向异性刻蚀保护层，去除衬底和鳍片顶部的保护层，仅在鳍片侧壁上留下侧墙。
[0017]其中，侧墙材质选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳的任一及其组口。
[0018]其中，各向同性刻蚀之后，底部结构宽度为鳍片宽度的2/3?1/2。
[0019]其中，氧化工艺包括热氧化、化学氧化或氮化、等离子氧化或氮化、气相氧化或氮化，或者倾斜注入氧或氮之后退火使其氧化或氮化。
[0020]其中，控制氧化或氮化工艺参数，使得底部结构完全氧化而转变为绝缘体。
[0021]其中，增加氧化或氮化工艺时间，使得衬底顶部被局部氧化或氮化以与绝缘体相接。
[0022]其中，各向同性和/或各向异性刻蚀工艺为等离子体干法刻蚀或者虹已。
[0023]其中，刻蚀气体选自即3、3？6、％、⑶?3、012的任一及其组合。
[0024]依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法，通过特殊的分步刻蚀工艺形成了精细化的鳍片线条，通过氧化鳍片下部来形成与衬底的良好绝缘隔离，由此提高了器件性能和可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]以下参照附图来详细说明本发明的技术方案，其中:
[0026]图1为三维栅器件的顶视图；
[0027]图2至图6为依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法各步骤的剖面示意图；以及
[0028]图7为依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法的示意性流程图。
【具体实施方式】
[0029]以下参照附图并结合示意性的实施例来详细说明本发明技术方案的特征及其技术效果，公开了能有效提高鳍片的精细度、以及提高鳍片间绝缘隔离效果的绝缘体上鳍片的制造方法。需要指出的是，类似的附图标记表示类似的结构，本申请中所用的术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等等可用于修饰各种器件结构或制造工序。这些修饰除非特别说明并非暗示所修饰器件结构或制造工序的空间、次序或层级关系。
[0030]图1所示为现有技术以及本发明中？1必21、三栅器件的顶视图，其中包括衬底1以及刻蚀衬底1形成的鳍片1？。图1中八-八’线为垂直鳍片1？延伸分布方向的剖面线，8-8’线为平行于并且通过鳍片1？延伸分布方向的剖面线。特别地，在以下图2至图6中，图左部所示为器件沿图1的八-八’剖面线得到的剖视图，而图右部所示为器件沿图1的8-8’剖面线得到的剖视图。
[0031]如图2所示，在衬底1上形成鳍片1？。提供衬底1，衬底1依照器件用途需要而合理选择，可包括单晶体娃(义)、单晶体锗((^)、801 ? 6601、应变娃3:0、锗娃(8166),或是化合物半导体材料，例如氮化镓(、砷化镓(6^8)、磷化铟(匕?)、锑化铟(1^),以及碳基半导体例如石墨烯、310、碳纳管等等。出于与0103工艺兼容的考虑，衬底1优选地为体31或301。光刻丨刻蚀衬底1，在衬底1中形成多个沿第一方向(也即8-8’剖面线方向)平行分布的沟槽16以及沟槽16之间剩余的衬底1材料所构成的鳍片1？。沟槽的深宽比优选地大于5: 1。对于301、6601等绝缘体上半导体衬底而言，刻蚀形成沟槽％的停止位置为等于或者低于埋氧层(例如等于或者低于埋氧层的底面，甚至进入厚体衬底中)，由此使得在整个晶片上留下极薄的半导体材料层，这有助于保持足够的鳍片强度以承受后续侵蚀性的清洁。在本发明一个实施例中，与刻蚀工艺参数的选择相关，刻蚀形成的鳍片1？略微具有倾斜侧壁(截面上窄下宽)的剖面形态，此外该剖面也可以是具有垂直侧壁。鳍片1？例如具有10?3011111的平均宽度。
[0032]如图3所示，在整个器件也即衬底1与鳍片1？以及沟槽％上形成保护层2。保护层2的形成工艺可以包括、从0、蒸发、溅射、热氧化、化学氧化等，其材料可以选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳等及其组合。优选地，控制工艺参数，使得保护层2在鳍片1？与沟槽％上均具有均匀的厚度，例如1?1011111并优选511111。
[0033]如图4所示，对晶片进行各向异性刻蚀，例如垂直方向刻蚀速率明显大于水平横向侵蚀速率(例如垂直刻蚀速率:水平刻蚀速率〉=5:1),使得水平部分的保护层2完全被刻蚀除去而仅在鳍片1？侧壁上留下侧墙23。刻蚀工艺例如是等离子干法刻蚀、反应离子刻蚀(尺12)，刻蚀气体例如包括氟基或氯基气体，例如即3、3？6、％、4等及其组合。优选地，增加刻蚀时间，增大垂直方向的刻蚀量，使得鳍片1？之间的沟槽深度增力口，由此在图2所示鳍片1？下方留下了衬底1构成的鳍片底部结构1%。如图2所示，
宽度大于1？宽度，例如具有15?50110的宽度。此外，鳍片1？顶部的保护层2也相应地被去除，露出了其顶部以便于之后的源漏掺杂。
[0034]如图5所示，对晶片进行各向同性刻蚀，例如垂直方向刻蚀速率等于或者略小于水平方向刻蚀速率，使得鳍片底部结构1%被刻蚀而凹进、减小了宽度。各向同性刻蚀优选等离子干法刻蚀或者虹2，刻蚀气体与图4所示气体类似，也可以包括氟基或氯基气体，例如即3、3？6、％、⑶?3、012等及其组合，只是通过调整刻蚀气体的流量、配比以及其他保护性惰性气体或者氧化性气体的流量、气压、温度等工艺参数，使得垂直方向刻蚀速率等于或者略小于水平方向刻蚀速率。由于保护层2构成的侧墙23的保护，鳍片1？此时并未受到各向同性刻蚀的侵蚀，使得最终鳍片1？宽度大于底部结构的宽度，这有助于增大未来形成底部绝缘结构或者填充311的空间，可以进一步有效提高器件的隔离效果。在本发明一个实施例中，通过调节工艺参数，使得鳍片底部结构剩余宽度仅为鳍片1？宽度的2/3?1/2，例如5?2011111。
[0035]如图6所示，对鳍片底部结构11?执行氧化或氮化工艺，使其转变为绝缘体3。氧化工艺包括热氧化、化学氧化或氮化、等离子氧化或氮化、气相氧化或氮化，或者倾斜注入氧或氮之后退火使其氧或氮化。控制氧化或氮化工艺速率以及时间，使得鳍片底部结构完全被氧化或氮化转变为绝缘体3，由此实现了对于鳍片1？与衬底1之间的完全绝缘隔离，有利于提高器件的性能以及可靠性。依照衬底1、鳍片1？自身材质不同，绝缘体3材质可以是氧化硅、氧化锗、氧化锗硅、氮氧化镓、氮化硅等等，此外还可以掺杂具有？、队匕3等其他元素。由于鳍片1？侧壁具有绝缘层2构成的侧墙23保护，对于鳍片1？自身的氧化或氮化是足够缓慢的，使得氧化或氮化过程主要集中在对于底部结构的氧化或氮化，也即鳍片1？顶部基本没有氧化(即便有轻微氧化，也可以在后续过程中通过册基腐蚀液清洗而去除进一步优选地，可以适当增加氧化或氮化时间，以便使得衬底1表面也部分被氧化或氮化从而与鳍片绝缘隔离层3相接，以提高对于鳍片的支撑强度，并且同时也能增加绝缘隔离效果。
[0036]至此，参照图2至图6以及图7的流程图描述了本发明的绝缘体上鳍片的制造方法。此后，可以在方向沉积并刻蚀形成栅极堆叠，在栅极堆叠沿8-8’方向的两侧的鳍片1？中掺杂形成源漏区并制作接触，完成器件结构。
[0037]依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法，通过特殊的分步刻蚀工艺形成了精细化的鳍片线条，通过氧化鳍片下部来形成与衬底的良好绝缘隔离，由此提高了器件性能和可靠性。
[0038]尽管已参照一个或多个示例性实施例说明本发明，本领域技术人员可以知晓无需脱离本发明范围而对器件结构做出各种合适的改变和等价方式。此外，由所公开的教导可做出许多可能适于特定情形或材料的修改而不脱离本发明范围。因此，本发明的目的不在于限定在作为用于实现本发明的最佳实施方式而公开的特定实施例，而所公开的器件结构及其制造方法将包括落入本发明范围内的所有实施例。
【权利要求】
1.一种绝缘体上鳍片的制造方法，包括: 在衬底上形成轄片； 在鳍片侧壁上形成侧墙； 各向异性刻蚀衬底，在鳍片下方留下底部结构； 各向同性刻蚀衬底，减小底部结构宽度； 对底部结构执行氧化或氮化工艺，使其转变为氧化物或氮化物绝缘体。
2.如权利要求1所述的方法，其中，衬底材质选自S1、Ge、SO1、GeO1、应变硅、SiGe、GaN、GaAs, InP、InSb、石墨烯、SiC、碳纳管的任一及其组合。
3.如权利要求1所述的方法，其中，形成侧墙的步骤进一步包括: 在衬底和轄片上形成保护层； 各向异性刻蚀保护层，去除衬底和鳍片顶部的保护层，仅在鳍片侧壁上留下侧墙。
4.如权利要求1所述的方法，其中，侧墙材质选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳的任一及其组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中，各向同性刻蚀之后，底部结构宽度为鳍片宽度的2/3 ?1/2。
6.如权利要求1所述的方法，其中，氧化或氮化工艺包括热氧化、化学氧化或氮化、等离子氧化或氮化、气相氧化或氮化，或者倾斜注入氧或氮之后退火使其氧化或氮化。
7.如权利要求1所述的方法，其中，控制氧化或氮化工艺参数，使得底部结构完全氧化或氮化而转变为绝缘体。
8.如权利要求1所述的方法，其中，增加氧化或氮化工艺时间，使得衬底顶部被局部氧化或氮化以与绝缘体相接。
9.如权利要求1所述的方法，其中，各向同性和/或各向异性刻蚀工艺为等离子体干法刻蚀或者RIE。
10.如权利要求9所述的方法，其中，刻蚀气体选自NF3、SF6,CF4, CH2F2, CH3F, CHF3> Cl2的任一及其组合。
【文档编号】H01L21/762GK104425346SQ201310407815
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2013年9月10日
【发明者】钟汇才, 罗军, 朱慧珑 申请人:中国科学院微电子研究所