专利名称：一种制备绝缘体上硅结构的方法
技术领域：
本发明涉及一种制备方法，尤其是一种制备半导体结构的方法，确切的说是一种制备绝缘体上硅结构的方法。
背景技术：
绝缘体上的半导体是一种制作半导体器件的基本结构，具有容易隔离，寄生电容小，工作温度高，抗辐射能力强及与常规集成电路工艺相兼容的优点。
目前绝缘体上硅结构所用的主要材料是单晶硅，如对沉淀在绝缘体上的多晶硅进行晶化；利用注氧隔离或键合工艺等。这些方法能在绝缘体层表面获得较高质量的硅单晶，但工艺复杂，成本较高。
发明内容
为了解决现有绝缘体上硅工艺中存在的诸如工艺复杂，成本较高等缺点，本发明提供一种制备绝缘体上硅结构的方法，主要由绝缘体上硅工艺组成，所述的绝缘体上硅工艺是在绝缘体层上制备半导体硅层的方法，具体的，所述的半导体硅层是富氢微晶硅薄膜层，所述富氢微晶硅薄膜层中氢含量至少为5×1020原子/cm3，所述的绝缘层是二氧化硅层。进一步的，所述的绝缘层为蓝宝石层，所述的富氢微晶硅薄膜层由等离子体增强化学汽相沉淀的方法生长而成，所述的富氢微晶硅薄膜层由微波化学汽相沉淀的方法生长而成，所述的富氢微晶硅薄膜层中微晶硅颗粒直径在3-15nm之间。
本发明所述工艺的有益效果是本发明所述的方法与传统的集成电路工艺兼容，工艺简单，成本低廉。
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1为二氧化硅层上的富氢微晶硅薄膜的绝缘体上硅结构。其中1为单晶硅衬底层，2为二氧化硅绝缘层，3为富氢微晶硅薄膜作为半导体层。
图2为蓝宝石上的富氢微晶硅薄膜的绝缘体上硅结构。4为以蓝宝石作为衬底层，5为富氢微晶硅薄膜作为半导体层。
具体实施例方式
实施例1如图1所示，以单晶硅作为衬底层1，在所述的衬底层1上沉积一层二氧化硅层作为绝缘层2，在所述隔离层上利用等离子化学气相薄膜沉淀技术或微波化学气相薄膜沉淀技术制备富氢微晶硅薄膜作为半导体层3。
实施例2如图2所示，以蓝宝石作为衬底层4，在所述绝缘层4上利用等离子化学气相薄膜沉淀技术或微波化学气相薄膜沉淀技术制备富氢微晶硅薄膜作为半导体层5。
权利要求
1.一种制备绝缘体上硅结构的方法，主要由绝缘体上硅工艺组成，所述的绝缘体上硅工艺是在绝缘体上制备半导体层的方法，其特征在于所述的半导体层是富氢微晶硅薄膜层，所述富氢微晶硅薄膜层中氢含量至少为5×1020原子/cm3，所述的绝缘体是二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的制备绝缘体上硅结构的方法，其特征在于所述的绝缘体为蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的制备绝缘体上硅结构的方法，其特征在于所述的富氢微晶硅薄膜层由等离子体增强化学汽相沉淀的方法生长而成。
4.根据权利要求1所述的制备绝缘体上硅结构的方法，其特征在于所述的富氢微晶硅薄膜层由微波化学汽相沉淀的方法生长而成。
5.根据权利要求1所述的制备绝缘体上硅结构的方法，其特征在于所述的富氢微晶硅薄膜层中微晶硅颗粒直径在3-15nm之间。
全文摘要
本发明是一种制备绝缘体上硅结构的方法，所述的方法属于半导体器件制备工艺。本发明利用化学汽相沉淀方法，在绝缘层上生长一层富氢微晶硅薄膜，从而形成性能良好的绝缘体上硅结构，本发明所述的方法与传统的集成电路工艺兼容，工艺简单，成本低廉。
文档编号H01L21/02GK1536622SQ0311633
公开日2004年10月13日 申请日期2003年4月11日 优先权日2003年4月11日
发明者刘宏, 刘晓晗, 刘明, 刘 宏 申请人:上海鸿宇纳米科技发展有限公司