一种板式pecvd制备氮化硅减反射膜的方法
【专利摘要】本发明公开了一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，属于光伏技术领域。光伏电池的制造包括清洗、扩散、刻蚀、PECVD、丝印烧结等工序。本发明通过改变板式PECVD的硅烷和氨气的气体流量，调节工艺速度，保证氮化硅膜的膜厚和折射率跟正常工艺保持一致，光伏电池转换效率提升0.1%以上。
【专利说明】
一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，属于光伏技术领域。
【背景技术】
[0002] 随着现代工业化的发展，不可再生能源日益减少，能源问题越来越成为制约国际 社会经济发展的瓶颈，很多国家开始实行"阳光计划"，开发太阳能资源，为经济发展提供新 的发展动力。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造商不仅竞相投入 巨资，扩大生产，还纷纷建立研发机构，研发新的太阳能电池项目，提高产品的质量和转换 效率。
[0003] 在竞争激烈的光伏行业，提高转换效率和降低生产成本成为光伏制造商的两大核 心目标。尤其是，光伏制造商可以通过光伏产品更高的光电转换效率拓宽市场，降低成本， 为企业带来更大的利润。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，提升电池转 换效率，提升产品竞争力。
[0005] -种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，具体方法为： 使用电阻率为0.5~3 Ω 的156_X156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒、扩散、洗 磷刻蚀后，进行板式PECVD镀氮化硅减反射膜，板式PECVD的工艺为设定带速为215cm /min， 腔室温度为350°C，共有6个气路，最后一个气路从左至右有3个流量计控制，前5个气路的硅 烧的流量分别为 240scccm，240scccm，180scccm，180scccm，18〇8(3(3〇11，第6个气路的硅烷的 流量为23sccm、134sccm、23sccm，前5个气路的氨气的流量分别为550scccm，550scccm， 6803(3(3〇11，6808(^〇11，6808(^〇11，第6个气路的氛气的流量为1028(3〇11、4508(3〇11、828(3〇]1。
[0006] 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，使用的设备为德国Roth & Rau。
[0007] 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，镀膜的长方形石墨载板共装载50片， 长10片，宽5片。
[0008] 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，射频功率为3600W，0n cycle time为 6ms,Off cycle time为8ms〇
[0009] 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，制备氮化硅膜的厚度为85~95nm，折 射率为2.05~2.15。
[0010] 本发明通过对工艺气体流量和速度进行优化，无需改进设备，比较容易实现，同时 提高了转换效率。
【具体实施方式】
[0011]以下所述的仅是本发明所公开的一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法的优 选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所创造构思的前 提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
[0012] 实施例： 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，具体方式如下： 使用电阻率为0.5~3 Ω 的156_X156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒、扩散、洗 磷刻蚀后，进行板式PECVD镀氮化硅减反射膜，板式PECVD的工艺为设定带速为215cm /min， 腔室温度为350°C，共有6个气路，最后一个气路从左至右有3个流量计控制，前5个气路的硅 烧的流量分别为 240scccm，240scccm，180scccm，180scccm，18〇8(3(3〇11，第6个气路的硅烷的 流量为23sccm、134sccm、23sccm，前5个气路的氨气的流量分别为550scccm，550scccm， 6803(3(3〇11，6808(^〇11，6808(^〇11，第6个气路的硅烷的流量为1028(3〇11、4508(3〇11、828(3〇]1。所用 到的板式PECVD用到的设备为德国Roth & Rau。板式PECVD镀膜的长方形石墨载板共装载50 片，长 10片，宽5片。射频功率为3600W，0n cycle time为6ms，0ff cycle time为8ms〇
[0013] 对比例： 现有技术中板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，具体工艺如下： 使用电阻率为0.5~3 Ω 的156_X156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒、扩散、洗 磷刻蚀后，进行板式PECVD镀氮化硅减反射膜，板式PECVD的工艺为设定带速为202cm /min， 腔室温度为350°C，共有6个气路，最后一个气路从左至右有3个流量计控制，前5个气路的硅 烧的流量分别为 240scccm，240scccm，150scccm，150scccm，15〇8(3(3〇11，第6个气路的硅烷的 流量为20sccm、110sccm、20sccm，前5个气路的氨气的流量分别为500scccm，500scccm， 600scccm，600scccm，600scccm，第6个气路的硅烷的流量为82sccm、436sccm、82sccm。所用 到的板式PECVD用到的设备为德国Roth & Rau。板式PECVD镀膜的长方形石墨载板共装载50 片，长 10片，宽5片。射频功率为3600W，0n cycle time为6ms，0ff cycle time为8ms〇
[0014] 采用相同的硅片原料:P型多晶硅片，电阻率0.5~3 Ω _，各选1200片分别进行常 规的清洗制绒、扩散、洗磷刻蚀，分别采用本发明的工艺和传统工艺，后续工艺均采用常规 工艺进行生产，对比最终电性能参数。
[0015] 下表为测试的膜厚(nm)/折射率数据：
电性能参数如下：
从上述数据可以看出，本发明的膜厚和折射率跟传统工艺一致，转换效率比传统工艺 高约0.1%，开压、短路电流和填充因子均有提升。
【主权项】
1. 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，使用的硅片是电阻率为0.5~3 Ω-cm 的156mm X 156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒、扩散、洗磷刻蚀后，进行板式PECVD镀氮 化硅减反射膜，其特征在于：板式PECVD的工艺为设定带速为215cm /min，腔室温度为350 °C，共有6个气路，最后一个气路从左至右有3个流量计控制，前5个气路的硅烷的流量分别 为 240scccm，240scccm，180scccm，180scccm，18〇8(3(3〇11，第6个气路的硅烷的流量为238(3〇11、 1348(^111、238(3(3111，前5个气路的氛气的流量分别为55〇8(3(3(3111，55〇8(3(^111，68〇8(3(3(3111， 6803(3(3〇11，6808(^〇11，第6个气路的氛气的流量为1028(3〇11、4508(3〇11、828(3〇]1。2. 根据权利要求1所述的一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，其特征在于:使 用的设备为德国Roth & Rau。3. 根据权利要求1所述的一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，其特征在于:镀 膜的长方形石墨载板共装载50片，长10片，宽5片。4. 根据权利要求1所述的一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，其特征在于:射 频功率为3600?，0]1。5^16 1:;[1116为61118，(^;1^。5^16 1:;[1116为81118〇5. 根据权利要求1所述的一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，其特征在于:所 得到的减反射膜的膜厚为85~95 nm，折射率为2.05~2.15。
【文档编号】C23C16/455GK105951057SQ201610015177
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年1月11日
【发明人】曹江伟, 杨晓琴, 张广路, 蒋洋洋, 林振龙, 陈园, 张明明
【申请人】江西展宇新能源股份有限公司