基板传送装置及适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种基板传送装置及适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，该基板传送装置包括：设于刻蚀腔室(1)内的数个第一传送滚轮(2)、设于清洗腔室(3)内的数个第二传送滚轮(4)、及一用于承载基板(100)的承载件(5)；所述承载件(5)包括两第一边框(51)、连接于该两第一边框(51)末端的两第二边框(53)、设于所述两第一边框(51)与两第二边框(53)所围区域内的相互垂直交错的数个第一与第二连接部(55、57)、及设于所述数个第一与第二连接部(55、57)交点处的数个支柱(59)；所述数个第一与第二连接部(55、57)相互垂直交错形成数个镂空部(52)；所述基板(100)放置于所述承载件(5)上。
【专利说明】基板传送装置及适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种基板传送装置及使用该装置的适用于湿 制程的强酸或强碱刻蚀工艺。
【背景技术】
[0002] 在显示【技术领域】，平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广 泛的应用。液晶显示器（Liquid Crystal Display, LCD)与有机发光二极管显示器（Organic Light Emitting Diode, 0LED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器，成为了显示装置 的主流。
[0003] 0LED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近 180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点。0LED通常包 括：TFT基板、置于TFT基板上的ΙΤ0透明阳极、置于ΙΤ0透明阳极上的空穴注入层（HIL)、 置于空穴注入层上的空穴传输层（HTL)、置于空穴传输层上的发光层（EML)、置于发光层上 的电子传输层（ETL)、置于电子传输层上的电子注入层（EIL)以及置于电子注入层上的阴 极。
[0004] IXD-般包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。其中，液晶 面板的结构是由一 TFT基板、一彩色滤光片基板、以及一配置于两基板间的液晶层所构成， 其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背 光模组的光线折射出来产生画面。
[0005] 在0LED或LCD的生产过程中，均需要对玻璃基板进行清洗、镀膜、涂光刻胶、曝 光、显影、刻蚀等制程，以形成TFT基板。其中，刻蚀制程分为干法刻蚀与湿法刻蚀。湿法刻 蚀是使用刻蚀药液，通常是强酸或强碱液体，以化学腐蚀的方式去除无光刻胶覆盖的薄膜， 在基板上形成所需的电路图案。
[0006] 如图 1 所示，为一现有的低温多晶娃（Low Temperature Poly-Silicon, LTPS)TFT 基板在湿法刻蚀制程过程中所使用的基板传送装置的俯视示意图。该现有的基板传送装置 包括于刻蚀腔室10内设置的数个相互平行的第一传送滚轮200、及设于清洗腔室300内的 数个相互平行的第二传送滚轮400。所述第一传送滚轮200与第二传送滚轮400直接承载、 传送玻璃基板500,即玻璃基板500的背面直接接触刻蚀腔室10内的第一传送滚轮200与 清洗腔室300内的第二传送滚轮400。由于在刻蚀腔室10内使用氢氟（HF)酸对玻璃基板 500进行刻蚀，所述第一传送滚轮300容易接触并沾有HF酸，进而将HF酸转移至玻璃基板 500的背面，当HF酸的浓度达到3 %以上时便会对玻璃基板500产生腐蚀，造成玻璃基板 500背面产生亮度不均问题，影响产品的良率，导致产品的市场竞争力降低。
【发明内容】
[0007] 本发明的目的在于提供一种基板传送装置，能够防止基板背面在湿法刻蚀制程中 接触强酸或强碱的刻蚀药液，消除因刻蚀药液与基板背面直接接触造成基板背面腐蚀而产 生亮度不均的问题，提高产品的良率和市场竞争力，并便于对基板背面进行清洗，便于进行 基板交换。
[0008] 本发明的目的还在于提供一种适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，该工艺能够 有效避免基板背面在湿法刻蚀制程中接触强酸或强碱的刻蚀药液，解决因刻蚀药液与基板 背面直接接触造成基板背面腐蚀而产生亮度不均的问题，提高产品的良率和市场竞争力， 并便于对基板背面进行清洗，便于进行基板交换。
[0009] 为实现上述目的，本发明提供一种基板传送装置，包括：设于刻蚀腔室内的数个相 互平行的第一传送滚轮、设于清洗腔室内的数个相互平行的第二传送滚轮、及一用于承载 基板的承载件；所述承载件包括沿基板的传送方向设置的两第一边框、连接于该两第一边 框末端的两第二边框、设于所述两第一边框与两第二边框所围区域内的相互垂直交错的数 个第一连接部与数个第二连接部、及设于所述数个第一连接部与数个第二连接部交点处的 数个支柱；所述数个第一连接部与第二连接部相互垂直交错形成数个镂空部；所述基板放 置于所述承载件上。
[0010] 所述两第一边框、两第二边框与数个支柱的高度相等；所述基板放置于所述两第 一边框、两第二边框与数个支柱上。
[0011] 所述两第一边框具有设于其末端边缘的凸柱，所述凸柱的数量为四个，所述凸柱 关于承载件的中心对称，所述凸柱用于定位基板。
[0012] 所述两第一边框与两第二边框的高度约为5?10cm。
[0013] 所述两第一边框与两第二边框均相对于其高度方向向内倾斜15?30°。
[0014] 所述承载件由聚四氟乙烯PTFE制成。
[0015] 所述基板传送装置还包括支撑架，该支撑架包括数个与所述第一边框平行的第一 支撑板及垂直连接于该数个第一支撑板的数个第二支撑板；所述支撑架放置于所述数个第 一传送滚轮与数个第二传送滚轮上，所述承载件放置于所述支撑架上；所述支撑架由聚四 氟乙烯PTFE制成。
[0016] 所述基板传送装置还包括设于清洗腔室内的数个相互平行的升降滚轮；每一升降 滚轮的尺寸小于所述第二传送滚轮的尺寸；当相对升起所述升降滚轮时，其穿过所述承载 件的镂空部顶起并传送所述基板。
[0017] 所述数个支柱的横截面形状为矩形。
[0018] 本发明还提供一种适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，包括如下步骤：
[0019] 步骤1、将基板放置于承载件上；
[0020] 步骤2、将载有基板的承载件放置于支撑架上；
[0021] 步骤3、将载有承载件与基板的支撑架放置于第一传送滚轮上，第一传送滚轮将支 撑架传送至刻蚀腔室；
[0022] 步骤4、使用强酸或强碱刻蚀药液对基板进行湿法刻蚀；
[0023] 步骤5、第一与第二传送滚轮将支撑架传送至清洗腔室；
[0024] 步骤6、对基板的正面与背面进行清洗；
[0025] 步骤7、第二传送滚轮下降，升降滚轮相对升起，升降滚轮穿过所述承载件的镂空 部顶起并传送基板，将所述基板传送至下一制程腔室。
[0026] 本发明的有益效果：本发明基板传送装置，通过设置承载件、将基板放置于承载件 上进行传送，能够避免基板背面在湿法刻蚀制程过程中直接接触第一传送滚轮，从而防止 基板背面接触强酸或强碱的刻蚀药液，消除因刻蚀药液腐蚀基板背面而产生亮度不均的问 题，提高产品的良率和市场竞争力，并便于对基板背面进行清洗，便于进行基板交换。本发 明适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，将基板放置于承载件与支撑架上进行传送，能够 有效避免基板背面在湿法刻蚀制程过程中接触强酸或强碱的刻蚀药液，解决因刻蚀药液与 基板背面直接接触造成基板背面腐蚀而产生亮度不均的问题，提高产品的良率和市场竞争 力，并便于对基板背面进行清洗，便于进行基板交换。
【专利附图】
【附图说明】
[0027] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0028] 附图中，
[0029] 图1为一种现有的基板传送装置的俯视示意图；
[0030] 图2为本发明的基板传送装置的俯视示意图，图中虚线表示基板，实线表示承载 件，双点划线表示支撑架，单点划线表示刻蚀腔室、第一传送滚轮、清洗腔室、第二传送滚轮 与升降滚轮；
[0031] 图3为本发明的基板传送装置的承载件的俯视示意图；
[0032] 图4为本发明的基板传送装置的承载件的主视示意图；
[0033] 图5为本发明的基板传送装置的基板放置于承载件上的俯视示意图；
[0034] 图6为本发明的基板传送装置的承载件放置于支撑架上的俯视示意图；
[0035] 图7为本发明适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺的流程图；
[0036] 图8为本发明适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺的步骤7的示意图。
【具体实施方式】
[0037] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0038] 请参阅图1，本发明首先提供一种基板传送装置，包括：设于刻蚀腔室1内的数个 相互平行的第一传送滚轮2、设于清洗腔室3内的数个相互平行的第二传送滚轮4、及一用 于承载基板100的承载件5。
[0039] 所述基板100为透明基板，进一步的，所述基板100为玻璃基板，其用于形成0LED 或IXD的TFT基板。
[0040] 请参阅图3、图4,所述承载件5包括沿基板100的传送方向设置的两第一边框51、 连接于该两第一边框51末端的两第二边框53、设于所述两第一边框51与两第二边框53所 围区域内的相互垂直交错的数个第一连接部55与数个第二连接部57、及设于所述数个第 一连接部55与数个第二连接部57交点处的数个支柱59 ;每相邻两个第一连接部55之间 间隔一定距离，每相邻两个第二连接部57之间间隔一定距离，从而所述数个第一连接部55 与第二连接部57相互垂直交错形成数个镂空部52。所述基板100放置于所述承载件5上。 由于在刻蚀腔室1内使用强酸或强碱刻蚀药液，如HF酸，对基板100进行湿法刻蚀，位于该 刻蚀腔室1内的数个第一传送滚轮2不可避免的接触并沾有强酸或强碱刻蚀药液，而将所 述基板100放置于所述承载件5上，能够避免所述基板100与数个第一传送滚轮2直接接 触，从而避免与强酸或强碱刻蚀药液直接接触，防止强酸或强碱刻蚀药液腐蚀所述基板100 的背面，消除因刻蚀药液腐蚀基板背面而产生亮度不均的问题，提高产品的良率和市场竞 争力。
[0041] 进一步的，所述两第一边框51、两第二边框53与数个支柱59的高度相等。所述基 板100放置于所述两第一边框51、两第二边框53与数个支柱59上，一方面避免所述基板 100与数个第一传送滚轮2直接接触，一方面较好地支撑基板100,防止刻蚀药液喷射时，基 板100表面受压力后破片。由于所述承载件5具有数个镂空部52,便于对所述基板100的 背面进行清洗，防止因气态的刻蚀药液粘附于基板100的背面，从而防止对下一制程腔室 造成污染。
[0042] 所述两第一边框51与两第二边框53的高度约为5?10cm，且所述两第一边框51 与两第二边框53均相对于其高度方向向内倾斜15?30°，可有效防止在湿法刻蚀制程过 程中刻蚀药液回溅到基板100的背面。
[0043] 所述数个支柱59的横截面呈规则形状，优选的，所述数个支柱59的横截面形状为 矩形。
[0044] 请参阅图5,所述两第一边框51具有设于其末端边缘的凸柱54,所述凸柱54的数 量为四个，所述凸柱54关于承载件5的中心对称。所述凸柱54的作用是定位基板100,防 止所述基板100沿传送方向滑移。
[0045] 所述承载件5由耐强酸或强碱腐蚀的材料，如氟化软质材料制成，优选的，所述承 载件5由聚四氟乙烯PTFE制成。所述基板100放置于所述承载件5上时，基板100能够与 承载件5紧密接触，增加摩擦力，进一步防止基板100滑移。
[0046] 请参阅图1、图6,本发明的基板传送装置还包括支撑架7,该支撑架7包括数个与 所述第一边框51平行的第一支撑板71及垂直连接于该数个第一支撑板71的数个第二支 撑板73。所述支撑架7放置于所述数个第一传送滚轮2与数个第二传送滚轮4上，所述承 载件5放置于所述支撑架7上。当所述基板100尺寸较大时，可适当增加第一支撑板71的 数量，为所述承载件5的数个支柱59提供更稳固的支撑，防止所述基板100受刻蚀药液冲 刷时变形。
[0047] 所述支撑架7也由耐强酸或强碱腐蚀的聚四氟乙烯PTFE制成。
[0048] 本发明的基板传送装置还包括设于清洗腔室3内的数个相互平行的升降滚轮9。 每一升降滚轮9的尺寸小于所述第二传送滚轮4的尺寸，当控制所述第二传送滚轮4下降 时，所述升降滚轮9相对升起，该升降滚轮9穿过所述承载件5的镂空部52顶起并传送所 述基板100,将所述基板100传送至下一制程腔室。
[0049] 请参阅图7、图8,在上述基板传送装置的基础上，本发明还提供一种使用上述装 置的适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，包括如下步骤：
[0050] 步骤1、将基板100放置于承载件5上；
[0051] 步骤2、将载有基板100的承载件5放置于支撑架7上；
[0052] 步骤3、将载有承载件5与基板100的支撑架7放置于第一传送滚轮2上，第一传 送滚轮2将支撑架7传送至刻蚀腔室1 ;
[0053] 步骤4、使用强酸或强碱刻蚀药液对基板100进行湿法刻蚀；
[0054] 步骤5、第一与第二传送滚轮2、4将支撑架7传送至清洗腔室3 ;
[0055] 步骤6、对基板100的正面与背面进行清洗；
[0056] 步骤7、第二传送滚轮4下降，升降滚轮9相对升起，升降滚轮9穿过所述承载件5 的镂空部52顶起并传送基板100,将所述基板100传送至下一制程腔室。
[0057] 综上所述，本发明基板传送装置，通过设置承载件、将基板放置于承载件上进行传 送，能够避免基板背面在湿法刻蚀制程过程中直接接触第一传送滚轮，从而防止基板背面 接触强酸或强碱的刻蚀药液，消除因刻蚀药液腐蚀基板背面而产生亮度不均的问题，提高 产品的良率和市场竞争力，并便于对基板背面进行清洗，便于进行基板交换。本发明适用于 湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，将基板放置于承载件与支撑架上进行传送，能够有效避免 基板背面在湿法刻蚀制程过程中接触强酸或强碱的刻蚀药液，解决因刻蚀药液与基板背面 直接接触造成基板背面腐蚀而产生亮度不均的问题，提高产品的良率和市场竞争力，并便 于对基板背面进行清洗，便于进行基板交换。
[0058] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利 要求的保护范围。
【权利要求】
1. 一种基板传送装置，其特征在于，包括：设于刻蚀腔室（1)内的数个相互平行的第 一传送滚轮（2)、设于清洗腔室（3)内的数个相互平行的第二传送滚轮（4)、及一用于承载 基板（100)的承载件（5);所述承载件（5)包括沿基板（100)的传送方向设置的两第一边 框（51)、连接于该两第一边框（51)末端的两第二边框（53)、设于所述两第一边框（51)与 两第二边框（53)所围区域内的相互垂直交错的数个第一连接部（55)与数个第二连接部 (57)、及设于所述数个第一连接部（55)与数个第二连接部（57)交点处的数个支柱（59); 所述数个第一连接部（55)与第二连接部（57)相互垂直交错形成数个镂空部（52);所述基 板（100)放置于所述承载件（5)上。
2. 如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框（51)、两第二边框 (53)与数个支柱（59)的高度相等；所述基板（100)放置于所述两第一边框（51)、两第二边 框（53)与数个支柱（59)上。
3. 如权利要求2所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框（51)具有设于其 末端边缘的凸柱（54)，所述凸柱（54)的数量为四个，所述凸柱（54)关于承载件（5)的中心 对称，所述凸柱（54)用于定位基板（100)。
4. 如权利要求2所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框（51)与两第二边 框（53)的高度约为5?10cm。
5. 如权利要求4所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框（51)与两第二边 框（53)均相对于其高度方向向内倾斜15?30°。
6. 如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述承载件（5)由聚四氟乙烯 PTFE制成。
7. 如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，还包括支撑架（7)，该支撑架（7) 包括数个与所述第一边框（51)平行的第一支撑板（71)及垂直连接于该数个第一支撑板 (71)的数个第二支撑板（73);所述支撑架（7)放置于所述数个第一传送滚轮（2)与数个第 二传送滚轮（4)上，所述承载件（5)放置于所述支撑架（7)上；所述支撑架（7)由聚四氟乙 烯PTFE制成。
8. 如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，还包括设于清洗腔室（3)内的数个 相互平行的升降滚轮（9);每一升降滚轮（9)的尺寸小于所述第二传送滚轮（4)的尺寸；当 相对升起所述升降滚轮（9)时，其穿过所述承载件（5)的镂空部（52)顶起并传送所述基板 (100)。
9. 如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述数个支柱（59)的横截面形状 为矩形。
10. -种适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、将基板（100)放置于承载件（5)上； 步骤2、将载有基板（100)的承载件（5)放置于支撑架（7)上； 步骤3、将载有承载件（5)与基板（100)的支撑架（7)放置于第一传送滚轮（2)上，第 一传送滚轮（2)将支撑架（7)传送至刻蚀腔室（1); 步骤4、使用强酸或强碱刻蚀药液对基板（100)进行湿法刻蚀； 步骤5、第一与第二传送滚轮（2、4)将支撑架（7)传送至清洗腔室（3); 步骤6、对基板（100)的正面与背面进行清洗； 步骤7、第二传送滚轮（4)下降，升降滚轮（9)相对升起，升降滚轮（9)穿过所述承载件 (5)的镂空部（52)顶起并传送基板（100)，将所述基板（100)传送至下一制程腔室。
【文档编号】H01L21/677GK104051311SQ201410323970
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年7月8日 优先权日:2014年7月8日
【发明者】邓海峰, 李嘉 申请人:深圳市华星光电技术有限公司