薄膜晶体管的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极并列设置在所述栅极的上方，所述源极包括第一边，所述漏极包括第二边，所述第一边与所述第二边相对设置，所述第一边和所述第二边之间形成沟道。所述第一边与所述第二边均呈非直线状，所述沟道之沿着所述第一边和所述第二边的延伸的方向上的尺寸为所述沟道的宽度，在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。本发明能够使得薄膜晶体管沟道的各部分透光率一致，提高薄膜晶体管的品质。
【专利说明】
薄膜晶体管
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶装置中的薄膜晶体管元件。
【背景技术】
[0002]目前大尺寸TFT-LCD中薄膜晶体管的源极和漏极是平行正对的设计，薄膜晶体管包括栅极(未图示)、源极20和漏极40，请参阅图1，源极20和漏极40并列设于栅极的上方，且源极20和漏极40彼此相对的边缘相互平行，也就是说源极20和漏极40之间形成直形的沟道60。源极20和漏极40之间有沟道60为半透膜结构，源极20和漏极40区域均是完全不透光的，沟道60处半透光，沟道60包括沟道宽度W和沟道长度L。光是从沟道的两侧照入，由于沟道两端受光面积大于中间，在曝光后，导致两端的光阻被曝开，形成弧状，请参阅图2，此时沟道60的沟道宽度W变小了，影响了薄膜晶体管的充电率，严重时，沟道60会被打穿，也就是沟道宽度W为0，这样就形成了开路，使得薄膜晶体管报废。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管，在曝光过程中，能够改善沟道宽度变小的情况，保证薄膜晶体管的充电率，提高其品质。
[0004]为了实现上述目的，本发明实施方式提供如下技术方案:
[0005]本发明供了一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极并列设置在所述栅极的上方，所述源极包括第一边，所述漏极包括第二边，所述第一边与所述第二边相对设置，所述第一边和所述第二边之间形成沟道，所述第一边与所述第二边均呈非直线状，所述沟道之沿着所述第一边和所述第二边的延伸的方向上的尺寸为所述沟道的宽度，在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。
[0006]其中，所述第一边包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段对称设置在所述第二段的两侧，所述第一段包括连接于所述第二段的连接端和远离所述第二段的自由端，所述第一段从所述连接端到所述自由端逐渐靠近所述第二边。
[0007]其中，所述第二边与所述第一边的形状相同。
[0008]其中，所述第二段呈直线状。
[0009]其中，所述第一段和所述第三段均呈直线状，且所述第一段与所述第二段之间的夹角及所述第三段与所述第二段之间的夹角均为钝角。
[0010]其中，所述第一段和所述第三段均呈弧形，且所述第一段与所述第二段之间及所述第三段与所述第二段之间均呈圆滑过渡。
[0011]其中，所述沟道之中间部分的沟道长度为4.5um，所述沟道之两端的沟道长度大于
2.5um 且小于 4.5um。
[0012]本发明通过将源极和漏极之相对的边做修改，即所述第一边与所述第二边均呈非直线状，这样使得在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。在曝光的过程中，沟道的两端收缩变窄的设计使得薄膜晶体管之沟道两端处所接受的光能量与中间位置接受的光能量相当，即能够使得薄膜晶体管沟道的各部分透光度一致，提高薄膜晶体管的品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是现有技术中的薄膜晶体管的源极和漏极的示意图。
[0015]图2是图1所示的现有技术中的薄膜晶体管在曝光后的情况示意图。
[0016]图3是本发明一种实施方式提供的薄膜晶体管的示意图。
[0017]图4是本发明一种实施方式提供的薄膜晶体管的另一示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0019]请参阅图3和图4，本发明供了一种薄膜晶体管100，包括栅极10、源极30和漏极50，所述源极30和所述漏极50并列设置在所述栅极10的上方。在本实施例中，栅极10设置于一基板(未图不)上。基板为玻璃基板，其亦可由其他材质制成，并可为一可挠性基板或一非可挠性基板。栅极10的材质例如包含钥(Mo)或铝(Al)，其材质亦可为其他金属或金属化合物或多层组合。
[0020]所述源极30包括第一边32，所述漏极50包括第二边52，所述第一边32与所述第二边52相对设置，所述第一边32和所述第二边52之间形成沟道70，所述第一边32与所述第二边52均呈非直线状，所述沟道70之沿着所述第一边32和所述第二边52的延伸的方向上的尺寸为所述沟道70的宽度，即图3中标注为W的尺寸，在所述沟道70的宽度方向上，所述沟道70由中间向两端渐收缩变窄。
[0021]本发明通过将源极30和漏极50之相对的边(即第一边32和第二边52)做修改，即所述第一边32与所述第二边52均呈非直线状，这样使得在所述沟道70的宽度方向上，所述沟道70由中间向两端渐收缩变窄。在曝光的过程中，沟道70的两端收缩变窄的设计使得薄膜晶体管之沟道70两端处所接受的光能量与中间位置接受的光能量相当，即能够使得薄膜晶体管沟道70的各部分透光度一致，提高薄膜晶体管的品质。
[0022]所述第一边32与所述第二边52均呈非直线状的设计，具体的实施方式中，可以将第一边32及第二边52设计为由多条线段组成，也可以将第一边32及第二边52设计呈弧形，或者可以将第一边32及第二边52设计为由直线段和弧形线组成。本发明不限制第一边32和第二边52的具体的形状，只要能满足所述第一边32与所述第二边52均呈非直线状，且所述沟道70由中间向两端渐收缩变窄，即能实现使得薄膜晶体管沟道70的各部分透光充一致，提闻薄I旲晶体管的品质。
[0023]具体而言，如图4所示，所述第一边32包括依次连接的第一段322、第二段324和第三段326，所述第一段322和所述第三段326对称设置在所述第二段324的两侧，所述第一段322包括连接于所述第二段324的连接端和远离所述第二段324的自由端，所述第一段322从所述连接端到所述自由端逐渐靠近所述第二边52。也就是说，在所述自由端的位置处，第一边32和第二边52之间的距离最小。
[0024]本实施方式中，所述第二边52与所述第一边32的形状相同。所述第二边52与所述第一边32对称分布在沟道70的两侧。
[0025]本实施方式中，所述第二段324呈直线状。
[0026]一种实施方式中，所述第一段322和所述第三段326均呈直线状，且所述第一段322与所述第二段324之间的夹角及所述第三段326与所述第二段324之间的夹角均为钝角。
[0027]另一种实施方式中，所述第一段322和所述第三段326均呈弧形，且所述第一段322与所述第二段324之间及所述第三段326与所述第二段324之间均呈圆滑过渡。
[0028]具体而言，所述沟道70之中间部分的沟道70长度为4.5um,所述沟道70之两端的沟道70长度大于2.5um且小于4.5um。
[0029]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极并列设置在所述栅极的上方，所述源极包括第一边，所述漏极包括第二边，所述第一边与所述第二边相对设置，所述第一边和所述第二边之间形成沟道，其特征在于，所述第一边与所述第二边均呈非直线状，所述沟道之沿着所述第一边和所述第二边的延伸的方向上的尺寸为所述沟道的宽度，在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一边包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段对称设置在所述第二段的两侧，所述第一段包括连接于所述第二段的连接端和远离所述第二段的自由端，所述第一段从所述连接端到所述自由端逐渐靠近所述第二边。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二边与所述第一边的形状相同。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二段呈直线状。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一段和所述第三段均呈直线状，且所述第一段与所述第二段之间的夹角及所述第三段与所述第二段之间的夹角均为钝角。
6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一段和所述第三段均呈弧形，且所述第一段与所述第二段之间及所述第三段与所述第二段之间均呈圆滑过渡。
7.如权利要求1-6任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道之中间部分的沟道长度为4.5um，所述沟道之两端的沟道长度大于2.5um且小于4.5um。
【文档编号】H01L29/08GK104409509SQ201410558127
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年10月20日 优先权日:2014年10月20日
【发明者】衣志光 申请人:深圳市华星光电技术有限公司