一种吸附装置及干法刻蚀设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种吸附装置及干法刻蚀设备，用以降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。所述吸附装置，包括上部电极、下部电极和基台，其中，所述装置还包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上。
【专利说明】一种吸附装置及干法刻蚀设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示器【技术领域】，尤其涉及一种吸附装置及干法刻蚀设备。
【背景技术】
[0002]在薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)行业中的干法刻蚀工艺中，一般采用等离子体对玻璃基板进行刻蚀，在刻蚀过程中如果对玻璃基板不进行位置固定，玻璃基板就会发生漂移，这将会影响玻璃基板的刻蚀效果和刻蚀准确度。现有技术为了固定玻璃基板，一般在干法刻蚀腔体中的下基台处使用下部电极，上部电极在等离子体刻蚀过程中产生负电荷，下部电极在等离子体刻蚀过程中产生正电荷，此时可以利用静电吸附作用对玻璃基板进行固定，防止玻璃基板漂移。由于下部电极的表面由硬度高于玻璃的陶瓷包覆，长期静电作用及其它因素的影响，下部电极表面沉积了其它物质，且容易牢牢的粘附在玻璃基板的下表面，故在干法刻蚀结束后，玻璃基板从电极表面抬起时，玻璃基板的下表面容易被电极划伤，形成许多微小的裂痕，并且在薄膜晶体管液晶显示器的后续工艺中，玻璃基板环境的温度存在快速上升和快速下降的过程，如在后续工艺中玻璃基板环境的温度快速上升到300°C，之后又快速下降到室温，在这个温度快速上升和快速下降的过程中，玻璃基板上的裂痕会扩大，而扩大的裂痕会对玻璃基板内部形成一定的破坏作用，即玻璃基板的均匀性会降低，当光通过时，容易造成光的散射，形成不均勻(Mura)。
[0003]综上所述，现有技术中的玻璃基板在干法刻蚀过程中容易形成不均匀，为了提高玻璃基板的均匀性，现有技术一般采用缩短电极维护周期的方法，但是这种方法会占用大量时间，影响产能，增加时间、人工及物料成本。
实用新型内容
[0004]本实用新型实施例提供了一种吸附装置及干法刻蚀设备，用以降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。
[0005]本实用新型实施例提供的一种吸附装置，包括上部电极、下部电极和基台，其中，所述装置还包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上。
[0006]由本实用新型实施例提供的吸附装置，由于该装置包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上，因此本实用新型实施例提供的吸附装置能够降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。
[0007]较佳地，所述固定部件为柱状结构体。
[0008]这样，由于固定部件为柱状结构体，在实际生产中能够更好的固定放置于所述下部电极上的玻璃基板。
[0009]较佳地，当所述柱状结构体的个数为两个，所述柱状结构体放置于所述下部电极上的玻璃基板的对边位置。
[0010]这样，当所述柱状结构体的个数为两个，所述柱状结构体放置于所述下部电极上的玻璃基板的对边位置，在实际生产中更加简单、方便。
[0011]较佳地，放置于所述下部电极上的玻璃基板的邻边位置的所述柱状结构体的个数相同。
[0012]这样，放置于所述下部电极上的玻璃基板的邻边位置的所述柱状结构体的个数相同，在实际生产过程中简单、方便。
[0013]较佳地，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度大于所述下部电极。
[0014]这样，当所述柱状结构体为长方体或圆柱体时，且所述柱状结构体的高度大于所述下部电极，在实际生产过程中简单、方便。
[0015]较佳地，所述装置还包括位于所述基台上的滑槽、位于所述滑槽上的滑轨以及位于所述滑轨上的卡件，所述柱状结构体位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将所述柱状结构体固定在所述滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触。
[0016]这样，由于所述吸附装置还包括位于所述基台上的滑槽、位于所述滑槽上的滑轨以及位于所述滑轨上的卡件，所述柱状结构体位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将所述柱状结构体固定在所述滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，在实际生产过程中能够更加方便、简单的固定放置于下部电极上的玻璃基板。
[0017]较佳地，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度小于或等于所述下部电极。
[0018]这样，当柱状结构体为长方体或圆柱体时，且所述柱状结构体的高度小于所述下部电极，在实际生产过程设计中同样简单、易行。
[0019]较佳地，所述装置还包括位于所述基台上的伸缩部件、与所述伸缩部件连接的卡件，所述伸缩部件的一端与所述基台相连，另一端与所述柱状结构体相连，所述卡件用于固定所述伸缩部件收缩与伸展后的位置，其中，所述伸缩部件收缩后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述伸缩部件伸展后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触。
[0020]这样，由于所述吸附装置还包括位于所述基台上的伸缩部件、与所述伸缩部件连接的卡件，所述伸缩部件的一端与所述基台相连，另一端与所述柱状结构体相连，所述卡件用于固定所述伸缩部件收缩与伸展后的位置，其中，所述伸缩部件收缩后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述伸缩部件伸展后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，因此该吸附装置在实际生产中能够更好的固定放置于下部电极上的玻璃基板。
[0021]本实用新型实施例还提供了一种干法刻蚀设备，所述设备包括上述的吸附装置。
[0022]由本实用新型实施例提供的一种干法刻蚀设备，由于该设备包括上述的吸附装置，因此本实用新型实施例提供的干法刻蚀设备能够降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型实施例提供的一种吸附装置截面结构示意图；
[0024]图2为本实用新型实施例提供的一种吸附装置中不包括上部电极的俯视结构示意图；
[0025]图3 (a)和图3 (b)分别为本实用新型实施例一提供的一种吸附装置工作前和工作时的截面示意图；
[0026]图4 (a)和图4 (b)分别为本实用新型实施例二提供的一种吸附装置工作前和工作时的截面示意图。
【具体实施方式】
[0027]本实用新型实施例提供了一种吸附装置及干法刻蚀设备，用以降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。
[0028]如图1所示，本实用新型具体实施例提供了一种吸附装置，包括上部电极10、下部电极11和基台12，其中，该吸附装置还包括位于所述基台12上的至少两个固定部件13，用于与放置于所述下部电极11上的玻璃基板14的边缘接触，使所述玻璃基板14固定于所述下部电极11上，其中本实用新型具体实施例提供的固定部件13为柱状结构体。图2为本实用新型具体实施例提供的一种吸附装置在不包括上部电极时的俯视结构图。
[0029]本实用新型具体实施例提供的吸附装置以其应用在干法刻蚀设备中为例进行介绍。
[0030]如图1所示，本实用新型具体实施例提供的吸附装置中的柱状结构体13的材料为陶瓷材料，在干法刻蚀的过程中，由于陶瓷材料耐高温、耐等离子体轰击，因此柱状结构体13的性能较稳定，工作寿命也较长。在实际生产过程中，可以将柱状结构体13的形状设置为长方体或圆柱体，本实用新型具体实施例并不对固定部件的形状进行限定，还可以将其设置为其它形状。
[0031]本实用新型具体实施例中的固定部件为了能够更好的固定放置于下部电极11上的玻璃基板14，可以将放置于所述下部电极11上的玻璃基板14的邻边位置的柱状结构体13的个数设置为相同，当柱状结构体13的个数为两个，柱状结构体13放置于下部电极11上的玻璃基板14的对边位置。优选地，本实用新型具体实施例将每一柱状结构体13的高度设置为相等，如:本实用新型具体实施例中可以将柱状结构体13的高度设置为1.5厘米到3厘米，具体的高度设置根据实际设备及工作情况而定，这里不进行限定。其中，柱状结构体13的数量设置根据实际的生产情况而定，本实用新型具体实施例并不对其进行限定。
[0032]下面结合附图详细介绍本实用新型具体实施例提供的吸附装置中的固定部件固定放置于下部电极上的玻璃基板的过程。
[0033]实施例一:
[0034]如图3 (a)所示，本实用新型具体实施例中的柱状结构体13的上表面距离基台12的上表面之间的距离如果为hl，下部电极11的上表面距离基台12的上表面之间的距离如果为h2，在玻璃基板未放置在下部电极上时，hi的值可以小于h2的值，也可以等于h2的值，当将玻璃基板放置在下部电极上时，本实用新型具体实施例中的固定部件通过吸附装置的第一控制单元控制柱状结构体13与放置于下部电极11上的玻璃基板14的边缘接触，如图3 (b)所示，将玻璃基板14固定于下部电极11上。较佳地，本实用新型具体实施例中的吸附装置还包括位于基台12上的伸缩部件、与所述伸缩部件连接的卡件，其中伸缩部件的一端与基台12相连，另一端与柱状结构体13相连，卡件用于固定伸缩部件收缩与伸展后的位置，其中，伸缩部件收缩后的位置处柱状结构体13与放置于下部电极11上的玻璃基板14的边缘不接触，此时hl〈=h2，伸缩部件伸展后的位置处柱状结构体13与放置于下部电极
11上的玻璃基板14的边缘接触，此时hl>h2，这样，可以保证在玻璃基板14未放在下部电极11上时，柱状结构体13不对玻璃基板14造成影响。即当玻璃基板14未放置在下部电极11上时，所述伸缩部件处于收缩状态，当玻璃基板14放置在下部电极11上时，所述伸缩部件处于伸展状态，如本实用新型具体实施例中的伸缩部件可以为弹簧。
[0035]实施例二:
[0036]如图4 (a)所示，本实用新型具体实施例中的柱状结构体13的上表面距离基台12的上表面之间的距离如果为hl，下部电极11的上表面距离基台12的上表面之间的距离如果为h2，在玻璃基板未放置在下部电极上时，hi的值要求大于h2的值，当将玻璃基板放置在下部电极11上时，本实用新型具体实施例中的固定部件通过吸附装置的第二控制单元控制柱状结构体13与放置于下部电极11上的玻璃基板14的边缘接触，如图4 (b)所示，将玻璃基板14固定于下部电极11上。较佳地，本实用新型具体实施例中的吸附装置还包括位于基台12上的滑槽、位于滑槽上的滑轨以及位于滑轨上的卡件，柱状结构体13位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将柱状结构体13固定在滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，即当玻璃基板14未放置在下部电极11上时，所述卡件将柱状结构体13固定在滑轨上的第一位置，便于玻璃基板更好的放置在下部电极上，同时下部电极固定玻璃基板，当玻璃基板14放置在下部电极11上时，所述卡件将柱状结构体13固定在滑轨上的第二位置，此时柱状结构体13与放置于下部电极上的玻璃基板的边缘接触，能够很好的固定玻璃基板，从而减小下部电极对玻璃基板的固定作用力。
[0037]综上所述，本实用新型实施例提供的吸附装置，由于该吸附装置中的固定部件能够将玻璃基板固定于下部电极上，故可以降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，如:现有技术的吸附装置的下部电极产生的吸附玻璃基板的吸附力为F，而本实用新型实施例提供的吸附装置由于包括固定部件，则本实用新型实施例提供的吸附装置的下部电极产生的吸附玻璃基板的吸附力远小于F，因此，本实用新型实施例提供的吸附装置能够降低下部电极对玻璃基板造成的划伤，进而减弱后续生产工艺造成的玻璃基板不均匀，提高产品的质量，增加良品率，同时还可以降低下部电极的工作功率，降低能耗。
[0038]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种吸附装置，包括上部电极、下部电极和基台，其特征在于，所述装置还包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述固定部件为柱状结构体。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，当所述柱状结构体的个数为两个，所述柱状结构体放置于所述下部电极上的玻璃基板的对边位置。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，放置于所述下部电极上的玻璃基板的邻边位置的所述柱状结构体的个数相同。
5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度大于所述下部电极。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括位于所述基台上的滑槽、位于所述滑槽上的滑轨以及位于所述滑轨上的卡件，所述柱状结构体位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将所述柱状结构体固定在所述滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触。
7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度小于或等于所述下部电极。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括位于所述基台上的伸缩部件、与所述伸缩部件连接的卡件，所述伸缩部件的一端与所述基台相连，另一端与所述柱状结构体相连，所述卡件用于固定所述伸缩部件收缩与伸展后的位置，其中，所述伸缩部件收缩后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述伸缩部件伸展后的位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触。
9.一种干法刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括权利要求1-8任一权项所述的吸附>j-U ρ?α装直。
【文档编号】H01L21/677GK203746807SQ201420125820
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】梁魁, 陈曦, 丁向前, 袁剑峰, 王琳琳 申请人:北京京东方显示技术有限公司, 京东方科技集团股份有限公司