背钝化层结构及背钝化p型太阳能电池的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种背钝化层结构，该结构采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构，由于TiO2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成TiO2薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。同时，还公开了一种背钝化P型太阳能电池，该电池采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构。
【专利说明】背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及太阳能电池【技术领域】，特别涉及一种背钝化层结构及背钝化P型 太阳能电池。
【背景技术】
[0002] 太阳能电池是一种通过光伏效应将太阳能转化为电能的半导体器件，其作为一种 新能源材料越来越受到人们的关注。
[0003] 提高光电转化效率和降低生产成本是当今太阳能电池研究的两个主要方面。影响 太阳能电池光电转化效率的因素很多，但这些因素都可归结为太阳光子的利用率和表面复 合情况。
[0004] 提高太阳光的利用率可通过减少光的反射来实现：光线照射到电池正表面，一部 分光在娃片表面被反射掉，另外的部分可透射进入娃片内部，为了充分利用太阳光，可在娃 片表面形成绒面和增加减反射膜，以减少光线在硅片表面的反射损失。进入硅片内部的光 子在传播过程中不断被吸收，但还有相当一部分到达了硅片的基底及背表面，而这些地方 的高复合速率是影响太阳能电池效率的主要因素。因此，背钝化的研究显得十分重要。
[0005] 由于传统的常规电池转换效率目前已经很难提高，背钝化电池技术作为高效太阳 能电池技术的一种正在被越来越多的厂家所使用。
[0006] 目前传统的背钝化层结构通常包括：A1A薄膜层以及覆盖在A1A薄膜层上的 SiN薄膜层。
[0007] 然而背钝化电池的制备需要在常规电池生产线的基础上进行改造，需在原有设备 的基础上增加制备背钝化层结构的新的工艺设备。而传统生产线在进行背钝化电池生产线 改造时普遍面临原有厂房内部无空间容纳新增工艺设备，改造费用过高的问题。尤其是传 统背钝化层结构中的SiN薄膜层需要PECVD真空镀膜设备，而PECVD真空镀膜设备占用的 空间大，费用也非常昂贵。
[0008] 因此，有必要对现有的背钝化层结构进行改进。 实用新型内容
[0009] 本实用新型的目的在于提供一种背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池，以简化 背钝化电池的生产线。
[0010] 为了实现上述目的，本实用新型提供一种背钝化层结构，包括：
[0011] A1203薄膜，沉积在P型硅片的背面上；
[0012] Ti02薄膜，覆盖在所述A1203薄膜上；
[0013] 其中，所述Ti02薄膜的厚度为50-200纳米。
[0014] 较佳地，所述A1203薄膜的厚度为5-30纳米。
[0015] 为了实现上述目的，本实用新型还提供一种背钝化P型太阳能电池，该背钝化P型 太阳能电池包括背钝化层结构，其中，所述背钝化层结构具体包括：
[0016] ΑΙΑ薄膜，沉积在P型硅片的背面上；
[0017] Ti02薄膜，覆盖在所述A1203薄膜上；
[0018] 其中，所述Ti02薄膜的厚度为50-200纳米。
[0019] 较佳地，所述A1203薄膜的厚度为5-30纳米。
[0020] 其中，A1A薄膜层主要起钝化作用，Ti02薄膜层主要用于保护A120 3薄膜层在后续 的工艺过程中不被破坏，保护A1203薄膜层对硅片背面的钝化效果。
[0021] 与现有技术相比，本实用新型采用A1203薄膜+Ti0 2薄膜的叠层膜结构作为背钝化 层结构，由于Ti〇2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置 在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成Ti〇 2薄膜；因 此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备 相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改 造提供了可能。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 图1为本实用新型一实施例提供的背钝化层结构的结构示意图；
[0023] 图2为本实用新型一实施例提供的背钝化P型太阳能电池的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024] 以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的背钝化层结构及背钝化P型太 阳能电池作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更 清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰 地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0025] 请参阅图1，图1为本实用新型一实施例提供的背钝化层结构的结构示意图，如图 1所示，本实用新型提供的背钝化层结构包括：
[0026] A1203薄膜102,沉积在P型硅片101的背面上；
[0027] Ti02薄膜103,覆盖在A1203薄膜102上；
[0028] 其中，A1203薄膜102主要起钝化P型硅片101的作用，Ti0 2薄膜103主要用于保 护A1203薄膜102在后续的工艺过程中不被破坏，保护A1 203薄膜102对P型硅片101背面 的钝化效果。
[0029] 其中，Ti02薄膜103的厚度为50-200纳米，A120 3薄膜102的厚度为5-30纳米。 本发明之所以将Ti02薄膜103的厚度设置为50-200纳米，是因为此厚度范围既可以防止 后续制备在P型硅片背面上的铝背场烧穿Ti0 2薄膜对A1203薄膜造成破坏，同时也可以避 免Ti02薄膜过厚造成的浪费。Ti0 2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可 通过将P型硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在P型硅片上面，钛酸丁酯经高温 分解而形成Ti0 2薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。
[0030] 其中，A1203薄膜102的厚度为5-30纳米。
[0031] 请参阅图2,图2为本实用新型一实施例提供的背钝化P型太阳能电池的结构示意 图，如图2所示，本实用新型提供的背钝化P型太阳能电池包括背钝化层结构，其中，背钝化 层结构具体包括：
[0032] ΑΙΑ薄膜202,沉积在P型硅片201的背面上；
[0033] Ti02薄膜203,覆盖在A1203薄膜202上；其中，Ti0 2薄膜203的厚度为50-200纳 米。Ti02薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将P型硅片放置在加 热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在P型硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成Ti0 2薄膜；因 此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。
[0034] 其中，A1203薄膜202的厚度为5-30纳米。
[0035] 具体地，本实用新型提供的背钝化P型太阳能电池的工艺步骤为：首先对P型硅片 的表面进行制绒；接下来进行磷扩散；接着进行刻蚀；然后对P型硅片的背面进行抛光；接 着在P型硅片的背面镀A1 203薄膜；接下来将P型硅片放置在加热基板上，并在A1203薄膜上 喷涂钛酸丁酯，钛酸丁酯经高温分解而形成Ti0 2薄膜；之后再依次进行正面SiN薄膜的制 备、背面激光开槽、丝网印刷、烧结工艺，即可得到背钝化P型太阳能电池。由于上述工艺中 除了 Ti〇2薄膜制备之外，均为太阳能电池制备的常规工艺，因此，在此不再进行具体介绍。
[0036] 当然，实施例提供的背钝化P型太阳能电池在P型硅片201的背面还包括铝背场 204以及背面银电极205 ;其中铝背场204覆盖在Ti02薄膜203上，铝背场204上设置有背 面银电极205。此外，在P型硅片201的正面依次设置有N型扩散区206以及减反射膜207， 并且在反射膜207上设置有正面银电极208。
[0037] 上述实施例仅是为了方便说明而举例，本实用新型所主张的权利范围应以申请专 利范围所述为准，而非仅限于所述实施例。
[0038] 显然，本领域的技术人员可以对实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新 型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其 等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种背钝化层结构，其特征在于，包括： A1203薄膜，沉积在P型硅片的背面上； Ti〇2薄膜，覆盖在所述A1203薄膜上； 其中，所述Ti02薄膜的厚度为50-200纳米。
2. 如权利要求1所述的背钝化层结构，其特征在于，所述A1203薄膜的厚度为5-30纳 米。
3. -种背钝化P型太阳能电池，其特征在于，该背钝化P型太阳能电池包括背钝化层结 构，其中，所述背钝化层结构具体包括： A1203薄膜，沉积在P型硅片的背面上； Ti〇2薄膜，覆盖在所述A1203薄膜上； 其中，所述Ti02薄膜的厚度为50-200纳米。
4. 如权利要求3所述的背钝化P型太阳能电池，其特征在于，所述A1203薄膜的厚度为 5-30纳米。
【文档编号】H01L31/0236GK203910818SQ201420319817
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月16日 优先权日:2014年6月16日
【发明者】陈璐, 吴翔, 倪玉凤, 张婷, 钱俊, 董鹏, 高鹏, 宋志成 申请人:中电投西安太阳能电力有限公司