1.一种等离子体反应器，其配置于制程腔室与真空泵之间分解从制程腔室排出的废气，包括：
导管，其由电介质形成，用于所述废气流动；
第一电极部，其设置于所述导管上，并且与所述导管的内部空间遮蔽；以及
第二电极部，其与所述第一电极部相隔配置，通过与所述第一电极部引起等离子体放电分解所述废气；
其中，所述导管中所述等离子体放电集中的部分的厚度大于周边部分的厚度，防止所述导管因所述等离子体放电受到损坏。
2.根据权利要求1所述的等离子体反应器，还包括：
壳体，其环绕所述导管，与所述导管的外周面之间形成间隔空间。
3.根据权利要求1所述的等离子体反应器，
所述第一电极部为管形状，外插到所述导管的外周面。
4.根据权利要求3所述的等离子体反应器，
所述第二电极部与所述导管的一端或两端连接成连通状态，
所述导管的厚度从所述第一电极部趋向所述第二电极部具有0以上的增大率。
5.根据权利要求3所述的等离子体反应器，
所述第二电极部外插设置于所述导管的外周面，并且与所述第一电极部相隔设定间隔，
所述导管的厚度中所述第一电极部与所述第二电极部之间的中间部分的厚度最厚。
6.根据权利要求5所述的等离子体反应器，
所述导管的厚度中从所述第一电极部与所述第二电极部之间的中间部分趋向所述第一电极部与所述第二电极部分别具有零以下的减小率。
7.根据权利要求4所述的等离子体反应器，
所述第一电极部设置于所述导管的长度方向中心，
所述导管的厚度从所述导管的长度方向中心趋向所述导管的一端或两端逐渐增厚或具有相同的厚度。
8.根据权利要求5所述的等离子体反应器，
所述第一电极部与所述第二电极部以所述导管的长度方向中心为基准相隔相同的间隔，
所述导管的厚度从所述导管的两端趋向所述第一电极部与所述第二电极部之间所述等离子体放电集中的区域逐渐增厚或具有相同的厚度。
9.根据权利要求1所述的等离子体反应器，所述导管包括：
第一层，其沿着所述导管的长度方向具有相同的厚度；以及
第二层，其配置于所述第一层的内周面上，并且所述等离子体放电集中的部分的厚度大于周边部分的厚度。
10.根据权利要求9所述的等离子体反应器，
所述第二层内插设置于所述第一层。
11.根据权利要求9所述的等离子体反应器，
所述第二层通过层积、喷涂或浸渍(dipping)形成于所述第一层的内侧。
12.根据权利要求9所述的等离子体反应器，
所述第二层具有比所述第一层更大的耐蚀性。
13.根据权利要求12所述的等离子体反应器，
所述第二层含氮化硅或氧化钇。
14.根据权利要求3所述的等离子体反应器，
所述第二电极部与所述导管的一端或两端连接形成连通状态，
关于所述导管的厚度，遮蔽所述第一电极部的部分中相邻所述第二电极部的部分的厚度大于所述第一电极部与所述第二电极部之间的厚度。
15.根据权利要求2所述的等离子体反应器，还包括：
冷却单元，其与所述间隔空间连通，向所述间隔空间供应冷媒冷却所述导管以防止所述导管过热。
16.根据权利要求15所述的等离子体反应器，还包括：
温度传感器，其在所述导管上感测所述导管的表面温度、所述壳体的表面温度或所述间隔空间的温度，并发送所述导管的表面温度信息、所述壳体的表面温度信息或所述间隔空间的温度信息以供判断所述导管是否过热。
17.根据权利要求16所述的等离子体反应器，所述冷却单元包括：
控制部，其从所述温度传感器接收所述表面温度信息判断所述导管是否过热；
冷媒注入阀，其在所述控制部判断所述导管过热时向所述间隔空间注入冷媒；以及
冷媒回收器，其在通过所述冷媒冷却所述导管后排出所述冷媒。
18.根据权利要求17所述的等离子体反应器，
所述控制部在从所述温度传感器接收的温度信息为第一设定温度以上时判断为所述导管过热。
19.根据权利要求17所述的等离子体反应器，
所述控制部在通过所述冷媒冷却所述导管的过程中判断出从所述温度传感器接收的所述温度信息为第二设定温度(小于所述第一设定温度)以下时排出所述冷媒。
20.根据权利要求15所述的等离子体反应器，
所述冷媒包括冷媒气体或冷却水中的任意一个。
21.根据权利要求20所述的等离子体反应器，
所述冷媒气体包括空气或氮气。
22.根据权利要求20所述的等离子体反应器，：
所述冷媒为所述冷却水时还包括密闭所述第一电极部的绝缘部，用于保护所述第一电极部。
23.根据权利要求22所述的等离子体反应器，
所述绝缘部由绝缘体或电介质形成。
24.根据权利要求15所述的等离子体反应器，所述冷却单元包括：
冷媒注入阀，其与所述间隔空间连接，用于向所述间隔空间注入所述冷媒；以及
冷媒回收器，其在所述冷媒冷却所述导管之后排出所述冷媒，或对排出的所述冷媒进行热交换并将所述冷媒循环至所述冷媒注入阀。