1.一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于，利用化学气相沉积方法制备：将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上，得到拓扑绝缘体薄膜。
2.按照权利要求1所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：蒸发沉积的硅基片衬底温度为100℃～450℃。
3.按照权利要求1所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：蒸发沉积过程中，拓扑绝缘体材料的蒸发温度为400℃～800℃。
4.按照权利要求1所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：工作气体压强为20Pa～1kPa、蒸发时间为5～480分钟。
5.按照权利要求1或4所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：所用工作气体为氢气和氩气的混合气体，氩气与氢气的体积比为20:1～2:1。
6.按照权利要求1～4任一所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：所用蒸发沉积材料为碲化铋、硒化铋、碲化锑或它们的掺杂物。
7.按照权利要求1～4任一所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：所述硅基片为P型或N型单晶硅晶片。
8.按照权利要求7所述具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于：所用硅基片必须经过氢氟酸处理。
9.一种按照权利要求1所述方法制备得到的拓扑绝缘体薄膜，其特征在于：薄膜厚度范围在50纳米～2微米，颗粒尺寸为50纳米～30微米，薄 膜由尺寸不同的拓扑绝缘体片状颗粒组成。
10.一种按照权利要求1所述拓扑绝缘体薄膜在太阳能电池方面的应用。