技术总结
本发明的目的在于提供一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法，其特征在于，利用化学气相沉积方法制备：将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上，得到拓扑绝缘体薄膜。该薄膜具有全日光波段光电响应能力，用太阳光作为光源，n-TI/p-Si或p-TI/n-Si双层结构薄膜光电响应时间低于1秒，所测样品面积在9-15平方毫米，最强太阳光强度为200W/m2，开路光电压达0.1V，短路光电流达几十微安，随薄膜面积和太阳光强度的增加而增加，适用于太阳能电池。
技术研发人员：王振华;张志东;赵晓天;杨亮;耿殿禹;高翾
受保护的技术使用者：中国科学院金属研究所
文档号码：201510290263
技术研发日：2015.06.01
技术公布日：2016.12.07